Информация по предмету Радиоэлектроника

381. Техника СВЧ
Другое Радиоэлектроника
10. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Артюх И. Г. Мощные микроволновые электровакуумные приборы для систем связи и промышленного применения // Электронная промышленность - 1991. - №6 - 57 c.
2. Gebauer R. Wiss. Voroff. d.Texhnixhen Hochxhule Darmstadt. - 1, 65 (1947); 1, 97, 1949
3. Клистроны. Перевод с английского - М: Советское радио. - 1952. - 129 c.
4. Solimar L. Extension on the one-dimension (klistron) Solution to finite gaps // J. Electron Contr. - 1961. - V11, №5. - p.361-383; 1962. - V12, №4. - p.313-314.
5. Хайков А. З. Клистронные усилители. - М.: Связь , 1974. - 392 с.
6. Федяев В. К. Расчет группирования электронов в клистронах с длинными зазорами // Известия ЛЭТИ - 1966 - Вып. 62. с.287-300
7. Канавец В. И., Лопухин В. П., Сандалов А. П. Нелинейные процессы в мощных тногорезонаторных клистронах и оптимизация их порпметров // Лекции по электронике СВЧ. Книга 7. Изд. Саратовского университета, 1974.
8. Панов В. П., Сметанина Л. Ю., Юркин В. И. Расчет электронных процессов в двухрезонаторном клистроне с широким входным зазором // Электроника. Рязань: РРТИ , 1978. с.3-6.
9. Костиенко А. И., Пирогов Ю. А. Взаимодействие электронного потока с полем СВЧ в широком плоском зазоре , возбужденном на высшем типе колебаний // Радиотехника и электроника. 1962 - Вып. 2 - с. 332-338
10. Исследование процессов , связанных с взаимодействием электронов с СВЧ полем широкого входного зазора при больших амплитудах. Научн.рук. Панов В.П. Отчет / РГРТА. - Рязань. - 1994. - 36 с.
11. Исследование процессов взаимодействия электронов с полем резонатора при временах пролета, превышающих период колебаний и возможности создания новых генераторов СВЧ. Науч. рук. Панов В. П. Отчет / РГРТА. - Рязань. - 1994. - 22 с.
12. Взаимодействие сгруппированного электронного потока с полем высокочастотного зазора // Панов В.П., Буланкин В.А., Кутузова И.В., Юркин В.И.
13. Федяев В. К. Двухмерная модель электронного потока из деформируемых элементов // Вакуумная и плазменная электроника: Межвуз. сб. / Рязань: РРТИ - 1986 - с. 96-100
14. Федяев В. К., Юркин В. И. Программа анализа двухмерных динамических процессов в клистронах // Вакуумная и плазменная электроника: Межвуз. сб. / Рязань: РРТИ - 1986 - с. 101-105
15. Кацман Ю. А. Приборы СВЧ. - М.: Высш. шк., 1983. - 368 c.
16. Панов В. П. Направления развития и особенности клистронов // Методические указания. Рязань: РРТИ - 1991. - 36 с.
17. Лебедев Н. В. Техника и приборы СВЧ, т. 2. - М.: Энергия , 1964. - 375 с.
18. Панов В. П. Пространственный заряд в клистронах // Методические указания. Рязань: РРТИ - 1990. - 24 с.
19. Панов В. П., Кутузова И. В. Взаимодействие несгруппированного электронного потока с ВЧ полем зазора // Электронные приборы : Межвуз. сб. / Рязань: РРТИ - 1992 с. 93-96
20. Панов В. П., Кутузова И. В., Юркин В. И. Коэффициент электронного взаимодействия выходного зазора клистрона // Электронные приборы : Межвуз. сб. / Рязань: РРТИ - 1992 - с. 91-93
21. Панов В. П., Соломенников Г. В., Погорельский М. М. Дипломное проектирование // Методические указания. Рязань: РРТИ - 1989. - 28 с.
22. Панов В. П., Федяев В. К., Шишков А. А. Разработка новых конструкций , методов и программ расчета клистронов // Электросвязь 1992- № 4 - с. 39-40
23. Расчет и исследованиелектронных процессов в динамическом режиме работы приборов: Отчет о НИР / РРТИ ; Руководитель В. П. Панов. - № 423834. УДК 621.385.624. - Рязань, 1975. - 87 c.
382. Технико-экономические показатели работы ТЭС
Другое Радиоэлектроника
383. Технологическая подготовка машиностроительного производства
Другое Радиоэлектроника
384. Технология аэродинамической трубы для болидов Формулы 1
Другое Радиоэлектроника
385. Технология и эксплуатация САПР
Другое Радиоэлектроника
1. Введение кpиволинейной системы кооpдинат.
  Основной и взаимный (неголономный) базисы.
2. Фундаментальные матpицы. Жонглиpование индексами.
3. Экстенсивы и алгебpаические действия с ними.
4. Символы Кpистоффеля пеpвого и втоpого pода.
5. Символы и тензоpы Леви Чивиты, их свойства.
6. Внешние фоpмы и внешнее диффеpенциpование.
  Фоpмула Стокса.
7. Фоpмула Гамильтона - Кели.
8. Тензоp втоpого pанга. Опеpатоp. Инваpианты.
  Повеpхность Коши.
9. Изотpопная тензоpная функция.
10. Подвижный pепеp. Скоpость, ускоpение.
11. Фоpмула Ривальса.
12. Повоpот твёpдого тела на конечный угол.
13. Углы Эйлеpа.
14. Гpуппа симметpии тензоpа.
15. Число независимых компонент тензоpа, инваpиантного относительно некотоpой конечной гpуппы.
16. Линейные тензоpные функции.
17. Нелинейные тензоpные функции.
18. Тpансвеpсально изотpопные тензоpные функции.
19. Физические компоненты.
20. Изотpопная тензоpная функция в R2.
21. Пpостpанство аффинной связности.
22. Риманово пpостpанство Vn.
23. Паpаллельное пеpенесение в Vn.
24. Тензоp кpивизны Римана.
386. Технология получения монокристаллического Si
Другое Радиоэлектроника
Полупроводниковая технология3Кремний
- кристаллическая решетка кремния4
- дефекты реальных кристаллов кремния4Этапы производства кремния9Получение технического кремния10Получения трихлорсилана (ТХС)11Очистка ТХС13Другие методы получения газовых соединений Si15Восстановление очищенного трихлорсилана16Получение поликристаллических кремния из моносилана SiH418Производство монокристаллов кремния20
- Метод Чохральского20
- Бестигельной зонной плавки (БЗП)26Литература30Полупроводниковая технология начала свое становление с 1946 года, когда Бардин и Шокли изобрели биполярный транзистор. На первом этапе развития микроэлектронного производства в качестве исходного материала использовался германий. В настоящее время 98 % от общего числа интегральных схем изготавливаются на основе кремния.
- Si p-n переходы обладают низкими токами утечки, что определяет более высокие пробивные напряжения кремниевых выпрямителей;
- у кремния более высокая, чем у Ge область рабочих температур (до 150 и 70 градусов Цельсия соответственно);
- кремний является технологически удобным материалом: его легко обрабатывать, на нем легко получать диэлектрические пленки SiO2, которые затем успешно используются в технологических циклах;
- кремниевая технология является менее затратной. Получение химически чистого Si в 10 раз дешевле, чем Ge.
- большое содержание кремния в виде минералов в земной коре (25 % от ее массы);
- простота его добычи (содержится в обычном речном песке) и переработки;
- существование "родного" не растворимого в воде окисного слоя SiO2 хорошего качества;
- большая, чем у германия ширина запрещенной зоны (Eg = 1.12 эВ и Eg = 0.66 эВ соответственно).
Кремний
387. Типы современных ТЭС
Другое Радиоэлектроника
388. Тиристорные устройства для питания автоматических телефонных станций
Другое Радиоэлектроника

Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению 1 включения ивкл. При напряжении ивкл в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. Происходит обратимый электрический пробой коллекторного перехода (участок 2 на рис. 3.3,б). В n-области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в p-области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. На ВАХ этот участок обозначен цифрой 3. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора.
389. Тиристоры
Другое Радиоэлектроника

Тринистор VS4 служит для того, чтобы исключить возможность открыть замок подбором кода. Контакты кнопок, не использованных в коде, соединены между собой и подключены к управляющему электроду тринистора VS4. Если при попытке подобрать код будет нажата любая из этих кнопок, то тринистор VS4 откроется и замкнет цепь управления тринисторов VS1-VS3, и тогда ни один из них уже невозможно будет включить. Сопротивление резистора R6 рассчитывается по формуле Uпит/R6>Iуд поэтому тринистор VS4 после отключения остается в проводящем состоянии. Такой же результат будет и при одновременном нажатии всех кнопок, так как тринистор VS4 откроется раньше, чем три последовательно соединенных тринистора VS1-VS3. Полезно обратить внимание на то, что этому обстоятельству способствует также и большее значение управляющего тока прибора VS4 по сравнению с тринисторами VS1-VS3. Чтобы устройство возвратить в исходное состояние после включения тринистора VS4, следует нажать кнопку S10 «Вызов», контакты которой разрывают цепь питания тринистора VS4, и последний закрывается. Одновременно замыкающие контакты этой кнопки включают звонок HA1 звуковой сигнализации. Кстати, этой кнопкой можно пользоваться просто как кнопкой звонка, если ход замка не известен.
390. Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы
Другое Радиоэлектроника

Тринистор. Снабдим одну из баз динистора, например п1, внешним выводом и используем этот третий электрод для задания дополнительного тока через переход p1-n1 (рис. 5) (Реальные четырехслойные структуры характерны различной толщиной баз. В качестве управляющей используется тонкая база, у которой коэффициент передачи a1 близок к единице.). Тогда получится прибор, обладающий свойствами тиратрона. Для такого прибора (тринистора) принята та же терминология, что и для обычного транзистора: выходной ток называется коллекторным, а управляющий базовым. Эмиттером считается слой, примыкающий к базе, хотя с физической точки зрения эмиттером является и второй внешний слой (в нашем случае п2). Условное обозначение тринистора вместе с семейством характеристик показано на рис. 6. Как видим, увеличение управляющего тока Iб приводит прежде всего к уменьшению напряжения прямого переключения. Кроме того, несколько возрастает ток прямого переключения, а ток обратного переключения уменьшается.В результате отдельные кривые с ростом тока Iб как бы «вписываются» друг в друга вплоть до полного исчезновения отрицательного участка (такую кривую называют спрямленной характеристикой).
391. ТО2 автомобиля ВАЗ 2107
Другое Радиоэлектроника
392. Тонкопленочные элементы интегральных схем
Другое Радиоэлектроника

Свойства пленки факторы, влияющие на указанные свойстваРазмер зерен Материал подложки и пленки. Загрязнения подложки. Подвижность атомов осаждаемого материала на поверхности подложки (температура подложки, скорость осаждения). Структура поверхности подложки (степень шероховатости, наличие кристаллов)Расположение кристаллов Структура подложки ''(монокристаллическая, поликристаллическая или аморфная). Загрязнения подложки (нарушение структуры пленки). Температура подложки (обеспечение необходимой подвижности атомов осаждаемого материала)Адгезия между пленкой Материал подложки и пленки. Дополнительные процессы(например, образование промежуточного слоя окисламежду пленкой и подложкой). Загрязнение подложки. Подвижность атомов осаждаемого материалаЗагрязнение Чистота испаряемого материала. Материал испарителя. Загрязнение подложки. Степень разрежения и состав остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных газов и скоростью осажденияОкисление Степень химического сродства осаждаемого материала к кислороду. Поглощение водяных паров подложкой. Температура подложки. Степень разрежения и состав остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных газов и скоростью осажденияНапряжение Материал пленки и подложки. Температура подложки. Размер зерен, включения, кристаллографические дефекты в пленке. Отжиг. Угол между молекулярным пучком и подложкой
393. Топки и топочные устройства
Другое Радиоэлектроника
394. Топливоподача на угольной ТЭС
Другое Радиоэлектроника
395. ТОЭ контрольная №5
Другое Радиоэлектроника

В существующее в воздухе ( r1 = 1 ) равномерное магнитное поле напряженностью Н0 = 20 А/см помещен длинный ферромагнитный цилиндр радиусом a = 4 см с магнитной проницаемостью r2 = 10. Ось цилиндра перпендикулярна полю. Использую аналогию между электрическим и скалярным магнитным потенциалом, составить выражения для определения скалярного магнитного потенциала в обеих средах.
396. Транзисторы
Другое Радиоэлектроника

Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэто-му пpямой ток чеpез pn-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво. Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепло-вое движение, диффундиpуют по направлению к np-переходу, но частично успева-ют претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-об-ласть узка и свободных электронов в ней не слишком много (не ярко выраженный проводник n-типа), то большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область. У хороших триодов поток дырок, проникающих в правую p-область, составляет 99% и более от потока, проникающего слева в n-область.
397. Транспорт в Тверской области
Другое Радиоэлектроника
398. Трансформатор напряжения
Другое Радиоэлектроника
ЗАЩИТА ОТ РАЗРЫВА Оптимизированная, хорошо испытанная изоляция и соответствующие конструктивные характеристики сохраняют высококачественный диэлектрик более чем на 50 лет. Для защиты керамики от разрыва предприняты следующие дополнительные меры ( в случае повреждения внутренней изоляции, например, в случае удара молнии:
- До Um=300кВ узел первичной и вторичных обмоток находится под изолятором, в баке, сделанном из алюминия.
- Потенциальное соединение, устойчивое к току короткого замыкания, между зажимом первичной обмотки имежду заземлениямимагнитопровода у подножия трансформатора
- Селективный, плавкий предохранитель на каждую вторичную обмотку. Такой предохранитель реагирует в случае короткого замыкания между зажимами вторичных обмоток
- Разрывная диафрагма во фланце маслорасширителя
- При необходимости может быть установлен комбанарованный изолятор, состоящий из эпоксидной трубы с волокнистым наполнителем и силиконовых юбок, вместо керамического изолятора.
399. Трансформаторы
Другое Радиоэлектроника
Каждый трансформатор снабжен щитком из материала, не подверженного атмосферным влияниям. Щиток прикреплен к баку трансформатора на видном месте и содержит его номинальные данные, которые нанесены травлением, гравировкой, выбиванием или другим способом, обеспечивающим долговечность знаков. На щитке трансформатора согласно ГОСТ 11677-65 указаны следующие данные:
1. Марка завода-изготовителя.
2. Год выпуска.
3. Заводской номер.
4. Обозначение типа.
5. Номер стандарта, которому соответствует изготовленный трансформатор.
6. Номинальная мощность. (Для трехобмоточных трансформаторов указывают мощность каждой обмотки).
7. Номинальные напряжения и напряжения ответвлений обмоток.
8. Номинальные токи каждой обмотки.
9. Число фаз.
10. Частота тока.
11. Схема и группа соединения обмоток трансформатора.
12. Напряжение короткого замыкания.
13. Род установки (внутренняя или наружная).
14. Способ охлаждения.
15. Полная масса трансформатора.
16. Масса масла.
17. Масса активной части.
18. Положения переключателя, обозначенные на его приводе.
400. Трехфазный ток, переходной процесс, четырехполюсник
Другое Радиоэлектроника

Цель работы : провести опыты ХХ ( холостого хода ) и КЗ (короткого замыкания ) в заданной схеме четырехполюсника; определить из опытов комплексы ; на основе опытных данных рассчитать коэффициенты четырехполюсника : A B C D; проверить соотношение AD - BC = 0; для исследованной схемы четырехполюсника расчитать и сопоставить с опытными значениями, основываясь на использованных в работе значениях

Blog

Информация по предмету Радиоэлектроника