Geum.ru


Физические основы электроники

Информация - Радиоэлектроника

Другие материалы по предмету Радиоэлектроника




Министерство Российской Федерации

по связи и информатизации

Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики

В.Л. Савиных

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ

ЭЛЕКТРОНИКИ

Учебное пособие

для специальностей 071700, 200700,

200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201 400

Новосибирск

2003

УДК 621.385

Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов.

ктн, доц. В.Л. Савиных,

Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.

Кафедра технической электроники.

Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв.

Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве

учебного пособия

@ Сибирский государственный

университет телекоммуникаций

и информатики, 2003 г.

Содержание

ВведениетАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАжтАж

1 Основы теории электропроводности полупроводников.......

  1. Общие сведения о полупроводниках....................................
  2. Полупроводники с собственной проводимостью..............
  3. Полупроводники с электронной проводимостью.............
  4. Полупроводники с дырочной проводимостью..................
  5. Токи в полупроводниках ....................................................
  6. Дрейфовый ток...................................................................
  7. Диффузионный ток...........................................................
  8. Контактные явления...........................................................
  9. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
  10. Прямое включение p-n перехода......................................
  11. Обратное включение p-n перехода.................................
  12. Теоретическая характеристика p-n перехода...........................
  13. Реальная характеристика p-n перехода............................
  14. Ёмкости p-n перехода......................................................
  15. Разновидности p-n переходов..........................................
  16. Гетеропереходы...........................................................
  17. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
  18. Контакт металла с полупроводником..........................................
  19. Омические контакты...................................................................
  20. Явления на поверхности полупроводника..............................

2 Полупроводниковые диоды.....................................................

  1. Классификация.......................................................................
  2. Выпрямительные диоды.......................................................
  3. Стабилитроны и стабисторы.................................................
  4. Универсальные и импульсные диоды...................................
  5. Варикапы..............................................................................

3 Биполярные транзисторы...........................................................

3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.....

  1. Общие сведения..............................................................................
  2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
  3. Статические характеристики биполярных транзисторов.........
  4. Схема с общей базой...............................................................
  5. Схема с общим эмиттером........................................................
  6. Влияние температуры на статические характеристики БТ.....
  7. Дифференциальные параметры биполярного транзистора..................
  8. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора......
  9. Частотные свойства биполярного транзистора...................................
  10. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
  11. Работа транзистора в усилительном режиме......................................
  12. Особенности работы транзистора в импульсном режиме..................
  13. Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды..............................................................................................
  14. Работа транзистора в режиме переключения.................................
  15. Переходные процессы при переключении транзистора..............

4 Полевые транзисторы..............................................................

  1. Полевой транзистор с p-n переходом........................................
  2. Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор)...

Литература..............................................................................................

ВВЕДЕНИЕ

Главы учебного пособия посвящены физическим основам полупровод-ников, контактным явлениям между полупроводниками различной прово-димости и между полупроводником и металлом. Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.

Для освоения диiиплины Физические основы электроники достаточно знаний по общеобразовательным и общетехническим предметам в объёме, предусмотренном учебными программами. После изучения данной диiиплины студент должен получить базовую подготовку, необходимую для успешного освоения специальных радиотехнических курсов и последующего решения различного рода профессиональных задач, связанных с рациональным выбором электронных приборов и режимов их работы в радиоэлектро