Информация по предмету Радиоэлектроника

121. Математическое моделирование высокочастотных радиоцепей на основе направленный графов
Другое Радиоэлектроника

В теории электрорадио цепей существует несколько способов математического представления структуры цепи с помощью графов. Представления на основе токов и напряжений в качестве узловых переменных [ 1, 3 ] приводит к структурам графа, совпадающим с физической структурой электронной цепи. Радиотехнические цепи высоких и сверхвысоких частот также могут представлены [ 4 ] на основе полных токов и напряжений с использованием параметров матриц проводимостей и сопротивлений. Однако наибольший интерес для цепей с распределенными постоянными имеет представление на основе падающих и отраженных волн [ 5 ] , т.е. составляющих полных либо тока, либо, что чаще, напряжения. Если этот интерес определился ясным физическим смыслом и удобством параметров представления ( параметров матрицы рассеяния ), то с использованием графов сюда следует добавит другой важный фактор - совпадение физической структуры графа. Построение топологической модели сложной схемы начнем с простейшей - четырехполюсник, включенный между генератором и нагрузкой (рис. 2.). если - есть падающие и рассеиваемые волны на граничных сечениях четырехполюсника и - соответствующие волны в сечениях генератора и нагрузки, то имеют место следующие две системы уравнений, связывающих эти величины:
122. Материалы размыкающих контактов
Другое Радиоэлектроника
123. Машинист
Другое Радиоэлектроника
124. Методичка для курсового проектирования по ПТЦА (прикладная теория цифровых автоматов)
Другое Радиоэлектроника
125. Методология стандартизации
Другое Радиоэлектроника
Проведение поверки.
1. При поверке образцовые приборы должны быть класса точности не ниже 0,5.
2. При проведении поверки прибора следует руководствоваться инструкциями
  Госстандарта СССР № 184 - 62 по поверке амперметров, вольтметров, ваттметров и варметров и
  № 188 - 60 по поверке омметров и фарадметров.
3. Проверку диапазонов измерений и определение диапазона установки цифровых
  показаний производить одновременно с определением основной погрешности по измерению.
4. Проверку влияния напряжения питания производить по ГОСТ 22261-82. Время
  выдержки при повышенном и пониженном напряжении питании должно быть не менее 10 мин.
126. Методы и алгоритмы компоновки, размещения и трассировки печатных плат
Другое Радиоэлектроника
Известные алгоритмы трассировки печатных плат можно условно разбить на три большие группы:
1. Волновые алгоритмы, основанные на идеях Ли и разработанные Ю.Л. Зиманом и Г.Г. Рябовым. Данные алгоритмы получили широкое распространение в существующих САПР, поскольку они позволяют легко учитывать технологическую специфику печатного монтажа со своей совокупностью конструктивных ограничений, Эти алгоритмы всегда гарантируют построение трассы, если путь для нее существует;
2. Ортогональные алгоритмы, обладающие большим быстродействием, чем алгоритмы первой группы. Реализация их на ЭВМ требует в 75-100 раз меньше вычислений по сравнению с волновыми алгоритмами. Такие алгоритмы применяют при проектировании печатных плат со сквозными металлизированными отверстиями. Недостатки этой группы алгоритмов связаны с получением большого числа переходов со слоя на слой, отсутствием 100%-ой гарантии проведения трасс, большим числом параллельно идущих проводников;
3. Алгоритмы эвристического типа. Эти алгоритмы частично основаны на эвристическом приеме поиска пути в лабиринте. При этом каждое соединение проводится по кратчайшему пути, обходя встречающиеся на пути препятствия.
127. Методы и средства отображения информации
Другое Радиоэлектроника
128. Методы измерения переменных токов и напряжений средней и низкой частоты
Другое Радиоэлектроника

Амперметры. Для измерения токов параллельно зажимам прибора присоединяется электрический шунт представляющий собой прямоугольную манганиновую пластину. Для измерения токов выше 50 А применяют наружние шунты. Переносные приборы снабжаются внутренними многопредельными шунтами или наружными наборами шунтов на несколько номинальных токов. Выбор шунта для данного прибора зависит от заданного расширения пределов измерения m = I/IA и внутреннего сопротивления прибора (сопротивления его катушки) RA. Для электрической цепи, приведенной на рис.6, а, справедливы следующие равенства: IaRa=IшRш; I=mIa; Iш=I-Ia. Отсюда находим сопротивление шунта: Rш=RаIa/Iш=RaIa/(mIa-Ia)=Ra/(m-1). Через катушку прибора будет протекать (1/m)-я часть измеряемого тока, а через шунт в (m-1) раз больше.
129. Методы уменьшения шумов и повышения помехоустойчивости электронных устройств
Другое Радиоэлектроника

Система РСИ-модульная,но не магистральная.Поскольку магистраль общего пользования в ней не понадобилась,из аббревиатуры МММИИУС исчезла одна буква М.Физический облик ММИИУС в стандарте РСИ может быть очень разнообразным:от персональной рабочей станции до суперкомпьютера,содержащего тысячи микропроцессоров,и транспьютеров;от одиночного персонального компьютера в комнате до информационной сети протяженностью десятки километров,объединяющей множество компьютеров и измерительно-управляющих устройств.Для компоновки аппаратурных систем в стандарте определены каналы связи 2х типов.Для передачи сообщений между модулями в стандартизованном каркасе служат 18 параллельных печатных линий на задней плате.Передачи между обособленными узлами выполняются последовательными кодами-по коаксиальному кабелю на расстоянии десятки метров или по оптоволоконному кабелю на километры и более.Скорости передач рекордные:при параллельной передаче 1 Гбайт/сек на частоте 250 МГц,при последовательной-1 Гбит/сек.
130. Механическая, кулинарная обработка рыбы
Другое Радиоэлектроника
131. Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах
Другое Радиоэлектроника

При этом в качестве параметра сравнения, характеризующего чувствительность метода, не только значение относительного сдвига полюса затухания в зависимости от изменения подложки, но и точностью измерения частоты , зависящей от «остроты» полюса. Здесь «острота» полюса оценивается отношением f к ширине а.ч.х. по уровню 3 Дб от уровня максимальных потерь.
132. Микропроцессор в персональной электронно-вычислительной машине
Другое Радиоэлектроника
133. Микросхема ПЗУ в управляющем автомате с МПУ выбрана неверно
Другое Радиоэлектроника
134. Микросхемо-техника: Схема контроля дешифратора на три входа \восемь выходов\
Другое Радиоэлектроника

Развитие электронной вычислительной техники, и информатики и применение их средств и методов в народном хозяйстве, научных исследованиях, образовании и других сферах человеческой деятельности являются в настоящее время приоритетным направлением научно-технического прогресса. Это приводит к необходимости широкой подготовки специалистов по электронным вычислительным машинам, системам и сетям, программному обеспечению и прикладной математике, автоматизированным системам обработки данных и управления и другим направлениям, связанным с интенсивным использованием вычислительной техники. Всем этим специалистам необходимы достаточно глубокие знания принципов построения и функционирования современных ЭВМ, комплексов, систем и сетей, микропроцессорных средств, персональных компьютеров. Такие знания необходимы не только специалистам различных областей вычислительной техники, но и лицам, связанным с созданием программного обеспечения и применением ЭВМ в различных областях, что определяется тесным взаимодействием аппаратурных и программных средств в ЭВМ, тенденцией аппаратурной реализации системных и специализированных программных продуктов, позволяющей достигнуть увеличение производительности, надежности, функциональной гибкости, большей приспособленности вычислительных машин и систем к эксплуатационному обслуживанию.
135. Микросхемо-техника: Схема контроля дешифратора на три входа восемь выходов
Другое Радиоэлектроника
136. Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Другое Радиоэлектроника

Термическое окисление поверхностей кремния является наиболее технологичным методом получения пленок SiO2. В этом случае качестве окисляющей среды используются сухой или увлажненный кислород либо пары воды. При окислении температура рабочей зоны поддерживается на уровне 1100-1300°С. Окисление проводится методом открытой трубы в потоке окислителя. В сухом кислороде выращивается наиболее совершенный по структуре окисный слой, но процесс окисления при этом проходит медленно (Т=1200 °С), толщина d слоя SiO2 составляет 0,1 мкм). На практике окисление проводят в три стадии: в сухом кислороде, влажном кислороде и снова в сухом. Для стабилизации свойств защитных окисных слоев в процессе окисления в среду влажного кислорода или паров воды добавляют борную кислоту, двуокись титана и др.
137. Многокаскадные усилители
Другое Радиоэлектроника

В общем случае собственные помехи или шумы усилителей определяются несколькими факторами, из которых основные: фон, наводки, шумы 'микрофонного эффекта и тепловые шумы. В многокаскадных усилителях происходит суммирование шумов, причем наибольшее значение имеют шумы входной цепи и первых каскадов, которые усиливаются последующими каскадами. В правильно сконструированном усилителе путем рационального расположения и крепления элементов, фильтрации цепей питания, экранирования входных цепей или всего усилителя и т. д. фон, наводки и микрофонный эффект можно сделать сколь угодно мальши. Поэтому собственные шумы усилителей в основном определяются тепловыми шумами. Как было показано в гл. 12, собственные шумы усилителя оцениваются с помощью коэффициента шума Кш, равного отношению мощности шума на выходе усилителя к мощности теплового шума, создаваемого на выходе источником сигнала,
138. Многощелевая волноводная антенна
Другое Радиоэлектроника

Щели, прорезанные на стенках волновода, создают некоторую неоднородность и вызывают соответствующие отражения волн в волноводе. При расположении соседних щелей на расстоянии d вдоль оси, равном указанные отражения будут складываться и сильно увеличивать КСВ в начале волновода, что затрудняет решение задачи согласования, особенно в полосе частот. Такие антенны называются резонансными. Для устранения указанного недостатка можно осуществлять согласование каждой отдельной щели, например, с помощью реактивных штырей (рис.3,е), или выполнять антенну из щелей, расположенных на расстоянии d не равном . В последнем случае на конце волновода во избежание отражений, приводящих к возрастанию боковых лепестков, устанавливается неотражающая нагрузка и щели возбуждаются бегущей по волноводу электромагнитной волной с некоторым сдвигом фаз, зависящим от . В поглощающей нагрузке теряются 5 - 20 % входной мощности антенны. При отражения от антенных щелей в значительной мере компенсируют друг друга и входной КСВ близок к единице в полосе частот. Щелевая антенна с согласованной нагрузкой называется нерезонансной и обладает лучшими диапазонными свойствами, чем резонансная щелевая антенна.
139. Моделирование АСОиУ
Другое Радиоэлектроника
140. Моделирование процесса обработки сигнала с широтно-импульсной модуляцией и помехи в приемном устройстве системы передачи информации
Другое Радиоэлектроника

Blog

Информация по предмету Радиоэлектроника