Н. Э. Баумана Москва | 2007 Производственные наукоемкие технологии Ответы на экзаменационные билеты
Вид материала | Экзаменационные билеты |
СодержаниеПьезоэлектрические приводы Преобразователи (датчики) излучений |
- Ответы на экзаменационные билеты по истории России (9 класс), 1163.56kb.
- Н. Г. Сычев Производственные технологии Ответы на экзаменационные вопросы, 2529.05kb.
- Ответы на экзаменационные вопросы по истории России 11 класс, 4049.18kb.
- Экзаменационные билеты по электробезопасности ОАО «xxx», 729.81kb.
- Экзаменационные билеты и ответы по черчению 9 класс Билет, 428.54kb.
- Шпаргалки к билетам, 1203.69kb.
- Н. Э. Баумана (мгту им. Н. Э. Баумана) Военное обучение в мгту им. Н. Э. Баумана, 3073.69kb.
- Москва, 9-11 сентября 2009 г. Московский государственный технический университет им., 94.15kb.
- Экзаменационные билеты по курсу дифференциальных уравнений фхф мгу им. М. В. Ломоносова, 29.28kb.
- Учебник, модели, On-line тесты, учителю, 138.95kb.
Вопрос 1
Механические приводы
- Электростатические приводы
Принцип работы: взаимное притяжение двух противоположно заряженных пластин (или встречно штыревых пальцев). Широко используется в МЭМС датчиках, т.к. технологически просты в изготовлении. Откуда берется энергия для совершения работы?
В гребенчатых приводах используют большое количество тонких штыревых пальцев, которые приходят в движение при прикладывании к ним напряжения (70-100В), т.к. емкость зависит от площади, то, чем больше пальцев, тем больше сила.
- Ротор
- Статер
- Электроды
- ^ Пьезоэлектрические приводы
Используется пьезоэлектрический эффект. Можно создавать достаточно большие давления - десятки МПа. Причем, напряжения требуются более низкие, чем при использовании емкостных приводов.
Недостатком является сложность изготовления и небольшие расстояния перемещения. Для увеличения перемещений наносят несколько пьезоэлектрических слоев, такой метод называют биморфным.
Вопрос 2
Полупроводники в технологии МСТ
В МСТ применяются различные полупроводники – кремний (например, подложки), германий, арсенит галлия (например, сверхскоростные схемы), углерод и т.д.
Кремний – главный среди этих материалов, т.к. он, при определенных условиях, может менять свои электромеханические оптические свойства, а так же является распространенным материалов и достаточно недорогим. Для электрических приложений кремний легируют элементами 3ей и 5ой группы. Для создания полупроводника p-типа (дырочная проводимость) используют бор (3 группа), n-типа (электронная проводимость) – фосфор (5 группа).
Билет 13
- Преобразователи (датчики) излучений (от фотодиодов до пирометров)
- Методы осаждения тонких пленок из SiO2 (нужно показать, что существует два метода: термоокисления и хим. осаждения. Изложить преимущества и недостатки каждого, возможности комбинирования)
Вопрос 1
^ Преобразователи (датчики) излучений
Датчики излучений обычно предназначены для детектирования ионизирующих излучений, а также видимого, инфракрасного и ультрафиолетового излучений, рентгеновских излучений и высокоэнергетических частиц. Датчики подразделяются на датчики прямого (детектируют фотоны) и косвенного (преобразуют энергию излучения) действия.
1. Фотодиоды – датчики прямого действия, они детектируют фотоны и выдают электрический сигнал. Это полупроводниковые устройства для измерения интенсивности света, основанные на внутреннем фотоэффекте. Представляют собой фотоэлектроды с p-n переходом, в которых под действием света возникают дополнительные заряды и усиливается ток.
2. ПЗС (приборы зарядовой связи) – обычно изготавливаются в виде линейки/матрицы фотодиодов. Они состоят из металлического электрода (клапана), размещенного над диэлектриком и полупроводниковой подложкой. По сути это – конденсатор, заряд в котором создается в результате фотогенерации носителей заряда. Заряд может накапливаться и передаваться из ячейки в ячейку благодаря управляющим схемам и токопроводящим дорожкам.
3. Пироэлектрические оптические датчики косвенного действия. Их сущность – конденсаторы с изменяющимся зарядом под воздействием света или температуры.
Датчики излучений широко используются во многих областях: в металлургии, в системах наблюдения, в военно-промышленном комплексе и тд.
Вопрос 2
Методы осаждения тонких пленок из SiO2
Для образования тонких пленок используют два метода:
- Термоокисление
- Химическое осаждение
- Камера реактора
- Держатель подложек
- Подложки
- Устройство нагрева
- Устройство контроля расхода газа
Метод химического осаждения из газовой фазы при низком или атмосферном давлении имеет высокую производительность, но пленки получаются хуже. Поэтому при высоких требованиях применяют комбинированный метод: сначала термоокисление, потом осаждение.
Наиболее распространен метод, основанный на реакции между силаном (SiН4) и кислородом
- Камера реактора
- Держатель подложек
- Трехзонная печь
- Подложки
Билет 12
- Технология защитного слоя (поверхностная микрообработка)
- Метод трафаретной печати