Н. Э. Баумана Москва | 2007 Производственные наукоемкие технологии Ответы на экзаменационные билеты
Вид материала | Экзаменационные билеты |
СодержаниеТепловые датчики |
- Ответы на экзаменационные билеты по истории России (9 класс), 1163.56kb.
- Н. Г. Сычев Производственные технологии Ответы на экзаменационные вопросы, 2529.05kb.
- Ответы на экзаменационные вопросы по истории России 11 класс, 4049.18kb.
- Экзаменационные билеты по электробезопасности ОАО «xxx», 729.81kb.
- Экзаменационные билеты и ответы по черчению 9 класс Билет, 428.54kb.
- Шпаргалки к билетам, 1203.69kb.
- Н. Э. Баумана (мгту им. Н. Э. Баумана) Военное обучение в мгту им. Н. Э. Баумана, 3073.69kb.
- Москва, 9-11 сентября 2009 г. Московский государственный технический университет им., 94.15kb.
- Экзаменационные билеты по курсу дифференциальных уравнений фхф мгу им. М. В. Ломоносова, 29.28kb.
- Учебник, модели, On-line тесты, учителю, 138.95kb.
Вопрос 1
Для формирования тонких пленок на подложке широко используются 3 метода осаждения, все из которых основаны на осаждении из газовой фазы:
1.Химическое осаждение из газовой фазы при атмосферном давлении.
2.Химическое осаждение из газовой фазы при низком давлении.
3.Плазменное химическое осаждение.
Процесс происходит при давлении от 0,2-2 Тор (мм.рт.ст.), поток газа от 1-10 см3/сек и температуре 300…900оС.
Химическое осаждение из газовой формы широко применяется для получения тонких пленок из SiO2 (SiN4) и поликремния. Однако пленки из SiO2, полученные методом химического осаждения не всегда могут заменить пленки, выращенные термическим способом, поскольку последние обладают более высокими электрическими и механическими свойствами, поэтому оксиды, осажденные в газовой фазе, часто сочетаются с пленками полученными методом термоокисления, т.е. вначале проводится термоокисление, а затем для получения более толстого слоя проводят осаждение из газовой фазы.
Пленки из SiO2 могут быть осаждены несколькими способами в результате реакции между различными газами. Наиболее распространен метод, основанный на реакции между силаном (SiН4) и кислородом
Аналогичным образом можно формировать пленки из SiN4 в установках химического осаждения при средних температурах и низком давлении или в установках плазменного химического осаждения
- Камера реактора
- Держатель подложек
- Трехзонная печь
- Подложки
Вопрос 2
Т
Р
Si (1)
Al (2)
Au (3)
4
ермокомпрессионная микросварка.
В термокомпрессионной микросварке используется инструмент в форме клина.
1 – кремниевая подложка
2 – контактная площадка
3 – золотая проволока
4 – инструмент
Чтобы осуществить приваривание, нужно очень точное позиционирование.
Параметры: P, T, t подбираются экспериментально.
P – такое, чтобы степень пластической деформации в зоне соединения
составляла около 75%, T для Si+Al+Au ≤ 400. t – несколько секунд.
В случае необходимости точного совмещения проволоки с инструментом и площадкой применяют инструмент с центральным/боковым капилляром. Проволоку продевают в капилляр, потом перерезают горелкой и подтягивают шарик к отверстию. В результате пластических деформаций сварное соединение приобретает вид шляпки гвоздя. Соединение не в нахлест. а во втык. Установки бывают 3 типов (с нагревом инструмента – термоудар, предметного столика, обоих - качество).
Билет 18
- Классификация методов изготовления МЭМС
- Тепловые датчики (термомеханические, терморезистивные, термопары)
1 вопрос
Всего существует множество методов микрообработки, из которых базовыми являются:
- Объёмная микрообработка
- Поверхностная микрообработка
- ЛИГА-технология
Также могут быть использованы литографические методы, например МСЛ (микростерео литография для изготовления сложных трехмерных структур)
Указанные способы микрообработки могут комбинироваться между собой. Базовая МЭМС технология в качестве основного материала использует кремний, групповая технология обработки разработана при изготовлении интегральных схем, т.е. технология изготовления ИС (интегральных схем) с некоторыми изменениями может быть перенесена на изготовление МЭМС.
2 вопрос
^ Тепловые датчики
- Термомеханические
Основаны на том, что все материалы имеют разные коэффициенты термического расширения. Если два материала соединены в структуру типа «сэндвич» и претерпевают температурные изменения, то будет наблюдаться изгиб. На этом основана работа обычного биметаллического детектора.
- Терморезистивные
Работа терморезистивных датчиков основана на том, что удельное сопротивление большинства материалов изменяется в зависимости от температуры и может быть представлено в виде уравнения:
, a и b – коэффициенты постоянные для каждого используемого материала, где 0 – удельное сопротивление при исходной температуре.
Сопротивление большинства Ме увеличивается при повышении температуры. Сопротивление некоторых материалов (углерода) используемых в темрорезисторах (термисторах) уменьшается при повышении температуры. Они не столь линейны как платина, но часто дешевле в изготовлении и проще интегрируются с другими элементами МЭМС (в датчиках давления присутствуют пьезорезисторы, расположенные по краям мембраны и терморезисторы, расположенные сбоку, что позволяет затем при определении давления компенсировать температурную погрешность схемным путём).
- Термопара
Наиболее распространенный тепловой преобразователь. Состоит из перехода между двумя разными материалами и измеряют зависящие от температуры напряжения, которые создаются на переходе.
Билет 17
- ЛИГА-технология
- Материалы, используемые в микросистемах