Москва, 9-11 сентября 2009 г. Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана

Вид материалаДокументы

Содержание


Оргкомитет конференци и симпозиума
Члены оргкомитета
Ученый секретарь
Основные направления
"Тонкие пленки в электронике"
Требования к содержанию докладов
Требования к оформлению докладов
Представление материалов для публикации
Адреса для переписки
Название статьи
Аннотация (на языке основного текста статьи, объем до 100 слов): шрифт – Times New Roman (Cyr); размер шрифта
Название статьи
Параметры страницы
Автор: размер шрифта – 12 пт; начертание – жирное, расположение – по центру. Название организации
Текст статьи
Подрисуночная подпись
Рис.1. Подпись под рисунком
"Тонкие пленки в электронике"
Подобный материал:
Москва, 9-11 сентября 2009 г.


Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана

и

ОАО ЦНИТИ «Техномаш»


XV Международная научно-техническая

конференция

ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ

(Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)


XXII  Международный симпозиум

ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ





Посвящается 70-летию СПЕЦИАЛЬНОСТИ «ЭЛЕКТРОННОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ»

ОРГКОМИТЕТ КОНФЕРЕНЦИ И СИМПОЗИУМА




ПРЕДСЕДАТЕЛЬ

И.Б.Федоров – Ректор МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва

СОПРЕДСЕДАТЕЛИ

В.Д.Житковский – Генеральный директор ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва

К.Е.Демихов – Проректор по научной работе МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва

ЧЛЕНЫ ОРГКОМИТЕТА

Ю.В.Панфилов – Заведующий кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва – руководитель направления

А.Ф.Белянин – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления

М.И.Самойлович – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления

А.С.Багдасарян – Генеральный директор ЗАО НПП "ЭЛКО", Москва

В.В.Береговский – Заместитель директора института технологии поверхности и наноматериалов, Москва

С.В.Гапоненко – Директор Института молекулярной и атомной физики НАН Белоруссии, Минск

Ю.В.Гуляев – Директор Института радиотехники и электроники РАН, Москва.

В.В.Жиликов – Первый заместитель генерального директора ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва

Н.Д.Жуков – Генеральный директор ФГУП НИИ"Волга", Саратов

Р.Каканаков – Директор Института прикладной физики БАН, Пловдив, Болгария

А.Г.Колесников – Руководитель НУК «Машиностроительные технологии» МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва

В.С.Круглов – Заместитель директора Института сверхпроводимости и физики твердого тела РНЦ "Курчатовский институт", Москва

Б.Н.Леванович – Заместитель директора ГНИПИ «ГИРЕДМЕТ», Москва

Е.А.Левашов – Проректор, директор Научно-учебного центра СВС Московского института стали и сплавов (ТУ), Москва

П.П.Мальцев – Начальник сектора секции прикладных проблем при Президиуме РАН, Москва

С.Б.Нестеров – Заместитель генерального директора ФГУП НИИВТ им. С.А.Векшинского, Москва

В.В.Одиноков – Генеральный директор ОАО НИИТМ, г.Зеленоград

А.Б.Ринкевич – Заместитель директора Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург

Ю.М.Сарапулов – Генеральный директор ОАО НПО «Спецэлектромеханика», Москва

Н.С.Сергеева – Руководитель отдела МНИОИ им. П.А.Герцена, Москва

А.С.Сигов – Ректор Московского института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва

В.И.Стафеев – Главный конструктор направления НПО "Орион", Москва

В.С.Урусов – Заведующий кафедрой МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва

Ю.Б.Цветков – Заместитель заведующего кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва

В.А.Шахнов – Заведующий кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва, Чл.-корр. РАН

Э.М.Шпилевский – Заведующий отделом ГНУ "Института тепло- и массообмена" НАН Белоруссии, Минск

В.А.Шубарев – Генеральный директор ОАО "Авангард",

Санкт-Петербург

УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ


Екатерина Вадимовна Булыгина – Доцент кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана

 (916) 621-57-24,

факс (499) 267-1739

E-mail: k.bulygina@mail.ru


………………………………………………………………………..

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ


XV Международной научно-технической конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XXII  Международного симпозиума
"ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ"
  • Нанотехнология – инженерные проблемы и подготовка кадров
  • Материалы, оборудование и технологии наноэлектроники и микрофотоники
  • Новые технологии производства, обработки и исследования наноструктурированных материалов
  • Системы и устройства радиотехники и средств связи
  • Наноструктурированные материалы на основе углерода и фотонные кристаллы в оптоэлектронике и оптическом приборостроении
  • Технологии и оборудование для производства приборов электронной техники и радиоэлектронных устройств
  • Микроэлектромеханические системы в медицине и промышленности
  • Получение, свойства и применение тонких плёнок в электронике
  • Слоистые структуры на основе тонких пленок
  • Методы контроля функциональных свойств материалов электронной техники, измерительная аппаратура и аналитические методы
  • Моделирование и информационное обеспечение исследований



ПУБЛИКАЦИИ

К началу работы конференций будут изданы сборники полных текстов докладов.

Рабочие языки конференций – русский и английский.

ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ДОКЛАДОВ

В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются.

Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать
10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов__не публикуются.

ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ДОКЛАДОВ

Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений.

Рабочий язык сборника докладов – русский. Доклады также могут быть представлены на английском языке. Весь текст выполняется в редакторе Microsoft Word 2003 (и ниже). Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса.

Пример оформления доклада с указанием обязательных требований к форматированию текста приведен ниже.

Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены в тексте статьи. Рисунки, блок-схемы, диаграммы вставляются как объекты «Рисунок Microsoft Word». Положение рисунков устанавливается «В тексте» (при щелчке мышью по рисунку, он должен обрамляться черной сплошной рамкой). Вне зависимости от размеров, рисунки задаются в отдельных абзацах, без обтекания текстом. В параметрах абзаца, в положении на странице ставится галочка «Не отрывать от следующего». Рисунок и подрисуночная подпись должны располагаться на одной странице. Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается.

Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, будут отправлены авторам для доработки. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, представление докладов не в срок.
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ПУБЛИКАЦИИ

В Оргкомитет XV Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XXII  Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" до 1 июня  2009 года должны быть направлены следующие материалы:
  1. Доклад, файлы рисунков и заполненная заявка должны быть направлены по электронной почте.
  2. Необходимо также сообщить название желаемой секции (направления), в которой планируется участие докладчика.
  3. Одновременно по почте необходимо прислать
  • доклад, оформленный в соответствии с приведенным образцом;
  • экспертное заключение (разрешение на открытое опубликование статьи);
  • сведения об авторах: (ФИО, название представляемой организации, должность, ученая степень и звание, домашний или служебный адреса с индексами, телефоны, факс, E-mail).

Адреса для переписки:

 105005, Россия, г. Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МТ-11

E-mail: panfilov@bmstu.ru

k.bulygina@mail.ru

 (916)621-57-24, Тел./факс (499)267-1739

 121108, Россия, г. Москва, ул. Ивана Франко, 4

E-mail: samoylovich@technomash.ru

 (499) 146-1095, Тел./факс (499)146-1942


ПРИМЕР построения доклада (оформляется как научная статья)

Название статьи



А.А.Иванов1, П.П.Петров1,2

1 Страна (полное название), адрес, телефон

2 ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Российская Федерация, 121108, г.Москва, ул. Ивана Франко, 4, pk2000@newmail.ru


Аннотация (на языке основного текста статьи, объем до 100 слов): шрифт – Times New Roman (Cyr); размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см.

Аннотация (на английском языке): Название статьи - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; (Авторы) - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; Текст аннотации - размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное

  1. Наименование подзаголовка первого уровня



    1. Наименование подзаголовка второго уровня


Формат листа: А4 (2129,7 см).

Шрифт статьи – Times New Roman (Cyr).

Название и подзаголовки набираются заглавными буквами.

Название статьи, авторы, название организации и аннотация располагаются в одну колонку. Основной текст располагается в две колонки одинаковой ширины, ширина колонки – 7,7 см, расстояние между колонками – 0,6 см.

Допускается расположение крупных рисунков, формул и таблиц в одну колонку.

Параметры страницы: (отступы от края страницы) слева – 3 см, справа – 2 см, сверху – 3 см, снизу – 3 см.

Название статьи: размер шрифта – 16 пт; начертание – жирное прописными буквами; отступов нет; расположение – по центру.

Автор: размер шрифта – 12 пт; начертание – жирное, расположение – по центру.

Название организации: размер шрифта – 12 пт; начертание – обычное, расположение – по центру.

Текст статьи: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное; межстрочный интервал – одинарный; отступ первой строки абзаца – 0,6 см; расположение – по ширине. Между значением величины и единицей ее измерения ставится жесткий пробел (Ctrl+Shift+пробел).

Подрисуночная подпись: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное курсивное;

отступов нет; расположение – по центру.

Наименование подзаголовка первого уровня: размер шрифта – 11 пт; начертание – жирное курсивное прописными буквами; отступов нет; расположение – по левому краю.



Рис.1. Подпись под рисунком


Наименование подзаголовка второго уровня: размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет расположение – по левому краю.

Литература: размер шрифта – 10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет расположение – по ширине. Не допускаются ссылки на неопубликованные материалы. Сведения об источниках приводятся в соответствии с требованиями ГОСТ 7.1-2003.


литературА


1. А.Ф.Белянин, П.В.Пащенко. Техника магне­тронного распыления. М.: ПОЛЯРОН. 2002. 209 с.

2. M.I.Samoilovich, A.F.Belyanin, E.P.Greben-nikov, A.V.Guriyanov. Bacteriorhodopsin − the basis of molecular superfast nanoelec­tronics // Nanotechnology. 2002. V. 13. P.763−767.



XV Международная научно-техническая конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)

XXII  Международный симпозиум

"ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ"

РОССИЯ, г. МОСКВА, 9-11 сентября, 2009


ЗАЯВКА

(заполняется на каждого из участников)


1. Фамилия, имя, отчество




2. Название доклада




3. Предполагаемая секция




4. Основной докладчик (фамилия, имя, отчество)




5. Должность, звание, ученая степень




6. Представляемая организация




7. Адрес (с указанием почтового индекса)




8. Телекоммуникации:
  • телефон
  • факс
  • E-mail