Н. Э. Баумана Москва | 2007 Производственные наукоемкие технологии Ответы на экзаменационные билеты

Вид материала

Экзаменационные билеты

Подобный материал:

• Ответы на экзаменационные билеты по истории России (9 класс), 1163.56kb.
• Н. Г. Сычев Производственные технологии Ответы на экзаменационные вопросы, 2529.05kb.
• Ответы на экзаменационные вопросы по истории России 11 класс, 4049.18kb.
• Экзаменационные билеты по электробезопасности ОАО «xxx», 729.81kb.
• Экзаменационные билеты и ответы по черчению 9 класс Билет, 428.54kb.
• Шпаргалки к билетам, 1203.69kb.
• Н. Э. Баумана (мгту им. Н. Э. Баумана) Военное обучение в мгту им. Н. Э. Баумана, 3073.69kb.
• Москва, 9-11 сентября 2009 г. Московский государственный технический университет им., 94.15kb.
• Экзаменационные билеты по курсу дифференциальных уравнений фхф мгу им. М. В. Ломоносова, 29.28kb.
• Учебник, модели, On-line тесты, учителю, 138.95kb.

Вопрос 2

Применение емкостных приводов в МСТ

Широко используется в МЭМС датчиках, т.к. технологически просты в изготовлении. Откуда берется энергия для совершения работы?




Пример емкостного привода гребенчатого типа:

1. Подвижные пластины
   
2. Масса
   
3. Пружина
   
4. Опора
   

Билет 9

1. Осаждение поликристаллического кремния (используется как в МЭ так и в МСТ. Осаждения методом пиролиза в виде тонких пленок. Разложение чего-то – силана - в камере с образованием…)
   
2. Метод анодного соединения
   

1 вопрос

Наиболее часто в качестве материалов структурных слоев применяют поликремний, который наносится тотально слоем толщиной  2 мкм методом химического осаждения из газовой фазы при низких температурах. В микросистемах поликремний используется не только в качестве структурного материала, но и в зависимости от введенных примесей для формирования электродов, проводников, и резисторов больших номиналов. Для осаждения плёнок из поликремния можно использовать реакцию пиролиза (термическое разложение) силана при низком давлении при t= 600…650C, давлении в пределах 1 Тора (мм. рт. ст.): SiH₄  Si + 2H₂

5. Камера реактора
   
6. Держатель подложек
   
7. Трехзонная печь
   
8. Подложки
   

2 вопрос

Этот метод был разработан одним из первых и использовался в производстве различных датчиков для соединения кристалла или чипа из кремния и с постаментом из боросиликатного стекла (у боросиликатного стекла и кремния близкие коэффициенты термического расширения, что важно, благодаря этому сведены к минимуму напряжения, которые при неправильно подборе пары могут привести к большим погрешностям, потери работоспособности или даже разрушению устройства).
Схема анодной посадки:


катод



150..1100 В

анод

Стекло

Si
Анодное соединение при t = 25-150 в течение 10-20 минут
(зависит от толщины кремния и стекла)


Билет 8

1. Плазменное химическое травление (ПХТ)
   
2. Схема установки для осаждения тонких пленок из SIO₂ и Si₃N₄ (химическое осаждение из газовой фазы при низком давлении)
   

Вопрос 1

Плазменное химическое травление
Плазменное химическое травление относится к методам сухого химического травления. В этом методе используются смеси активных газов (таких как CCl₄, CCl₆, SF₄). Эти газы путем возбуждения в реакторе высокочастотного электромагнитного поля переходят в состояние высокоактивной плазмы. Такое травление изотропно. Так же, как и при использовании жидкостного травления, смеси газов подбираются с учетом производительности и (что очень важно) избирательности процесса травления.



SiO₂ – защитный слой (его сначала наносят методом термоокисления). Само травление тут между этапами 2 и 3, оно используется для освобождения элементов МЭМС от защитных слоев.