Бурнаевский Игорь Сергеевич, студент, Национальный исследовательский университет «миэт», igor bs@mail ru 12 программа

Вид материалаПрограмма

Содержание


Разработка методики верификации библиотек стандартных цифровых ячеек
Тестирование средствами САПР
Тест «сравнения»
Карташов Дмитрий Александрович, аспирант, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", dmitry_kartashov@mail.ru
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   23

РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ВЕРИФИКАЦИИ БИБЛИОТЕК СТАНДАРТНЫХ ЦИФРОВЫХ ЯЧЕЕК



Ильин Сергей Алексеевич,
инженер-конструктор 2-ой категории (СГК)
ОАО “НИИМЭ и Микрон”, silin@sitronics.com




На современном этапе научно-технического развития области разработки сложных интегральных схем одним из важных критериев качества по-прежнему является сокращение времени, затраченного на их безошибочную разработку. Удовлетворение данного критерия достигается за счет широкого применения автоматических и автоматизированных маршрутов проектирования и верификации устройств.

Важным элементом автоматизированного маршрута синтеза, как структурного, так и физического, цифровых устройств являются библиотеки стандартных цифровых элементов, содержащие комбинационные и последовательностные ячейки различного типа. Наиболее важными являются описания библиотек стандартных ячеек в форматах Liberty и Verilog. В связи с ключевой ролью этих представлений в процессе синтеза, становится актуальной задача верификации данных содержащихся в этих представлениях. Для проведения верификации библиотек в форматах Liberty и Verilog, была разработана следующая методика, основанная на системе тестов:
  1. Тестирование средствами САПР: проверка синтаксиса. компиляция; зачитывание данных программным продуктом. Реализуется при помощи специальных командных файлов, которые могут создаваться вручную или генерироваться автоматически для проверки того или иного представления.
  2. Автоматизированное тестирование про помощи специализированных программных средств:
  • Тест на «полноту»

Проверка наличия всех необходимых представлений и/или описаний ячейки;
  • Тест «целостности данных»

Проверка того, что данное представление ячейки содержит все необходимые данные и атрибуты;
  • Тест «корректности данных»

Проверка данных на корректность (корректность изменения данных, корректность значений величин);
  • Тест «сравнения»

Сравнение двух Liberty – файлов и анализ содержащихся в них параметров.

Для реализации предложенной методики были написаны скрипты на языках PERL и Shell, которые обеспечивали автоматизированное выполнение групп тестов.

Применение предложенной методики позволило значительно ускорить работу по выявлению и исправлению ошибок в библиотеках стандартных цифровых элементов и повысить эффективность разработки библиотек. Данная методика используется в ОАО “НИИМЭ и Микрон” при разработке библиотек под различные технологии (в том числе с современными нормами проектирования 0.18 – 0.25 мкм).

Измерение электрического сопротивления металлических слоёв в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице методом относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии

Карташов Дмитрий Александрович, аспирант, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", dmitry_kartashov@mail.ru


Для того, чтобы производить устройства со всё более меньшими проектными нормами, например, транзисторы с металлическими затворами и альтернативным диэлектриком, необходимы точные методы неразрушающего контроля, в частности шероховатости и толщины металлических и диэлектрических многослойных структур (МС). С усложнением технологических процессов необходимость в точных неразрушающих методах контроля границ раздела в многослойных структурах будет лишь возрастать, что увеличивает актуальность решения проблемы с разработкой соответствующих методов исследования.

Одним из таких методов является относительная двухволновая рентгеновская рефлектометрия. В настоящее время она применяется в основном в лабораториях. Основным препятствием к внедрению её в производство является сравнительно высокое время обработки результатов и невысокая надёжность их интерпретации, что требует постоянного участия квалифицированного специалиста в процессе обработки результатов. Решению проблемы увеличения точности и уменьшению времени обработки результатов на персональных компьютерах посвящена данная работа.

Процедуру определения параметров МС можно разбить на несколько этапов: экспериментальная съемка угловой зависимости коэффициента отражения; выбор адекватной модели МС для расчета; численное определение параметров МС.

Формирование модели рассчитываемой МС является ключевым моментом в процессе решения обратной задачи рентгеновской рефлектометрии. Для корректного моделирования МС необходим предварительный анализ исследуемых образцов с целью определения степени четкости границ раздела, определения в кристаллическом или аморфном состоянии находятся слои, оценки величины шероховатости и т.д.

В данной работе для расчета шероховатостей использовалась модель промежуточных слоев, которая наиболее точно описывает зеркальное отражение от шероховатой поверхности.

На основе нашей концепции пограничного слоя [1] рассмотрим алгоритм более сложной модели.

Модель предполагает однородность поверхностных слоёв Si, SiO2 и металла в плоскости границы раздела, которую мы полагаем стехиометрически непрерывно меняющейся. Исходный слой кремния разбит на N=20 слоёв с начальной толщиной 2.54 A (длина связи Si-Si). Нумерацию слоёв кремния будем вести от границы раздела Si-газ вглубь кремниевой подложки, введя также с номером n=0 адсорбированный слой на поверхности кремния.

Результатом сравнения результатов модели и экспериментальных данных является толщина металлических и диэлектрических слоёв, что однозначно определяет электрическое сопротивление металлического слоя.

Таким образом, методика относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии делает возможным определение сопротивления металлических слоёв бесконтактным неразрушающим методом, что в ряде случаев является единственно возможным способом, например, для измерения сопротивления контактов в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице.

[1] Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si-SiO2 //Физика и техника полупроводников, т.37, №1 2003г.-с.44-50.