Geum.ru

Программа учебной дисциплины радиоэлектронные технологии специальность 050502 технология и предпринимательство

Вид материалаПрограмма

Содержание


Физико-математический факультет
Цели и задачи курса
Место дисциплины в профессиональной подготовке
4. . Распределение времени, отведенного на изучение дисциплины по учебному плану по схеме
Лекций (Л)
Тематический план для очной формы обучения
Содержание дисциплины
Сведения о переутверждении программы и регистрация изменений
Лист регистрации изменений
Подобный материал:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В.Г. БЕЛИНСКОГО


ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ

на заседании Ученого совета Проректор по учебной работе

физико-математического факультета


Протокол заседания совета факультета ____________________ М.А. Пятин

№ ____ от «_____» ___________2007 г.


Декан «________» __________2007 г.

Факультета _________В.И. Паньженский


ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ


РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ


СПЕЦИАЛЬНОСТЬ 050502 ТЕХНОЛОГИЯ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВО


ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ


КАФЕДРА ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ И ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ


ДИСЦИПЛИН


ПЕНЗА-2007


  1. Квалификационные требования

Выпускник, получивший квалификацию учителя технологии и предпринимательства, должен быть готовым осуществлять обучение и воспитание обучающихся с учетом специфики преподаваемого предмета; социализации, формированию общей культуре личности, осознанному выбору и последующему освоению профессиональных образовательных программ; использовать разнообразные приемы, методы и средства обучения; обеспечивать уровень подготовки обучающихся, соответствующий требованиям Государственного образовательного стандарта; соблюдать права и свободы учащихся, предусмотренные Законом Российской Федерации «Об образовании», Конвенцией о правах ребенка, систематически повышать свою квалификацию, участвовать в деятельности методических объединений и в других формах методической работы, осуществлять связь с родителями (лицами их заменяющими), выполнять правила и нормы охраны труда, техники безопасности и пожарной защиты, обеспечивать охрану жизни и здоровья, обучающихся в образовательном процессе.

  1. Цели и задачи курса

Программа курса составлена исходя из объема 156 часов отводимых на обучение по разделу ДПП 13.00 «Дисциплины и курсы по выбору». Она призвана ознакомить студентов 4 и 5 курсов с основными технологическими процессами радиоэлектроники для последующего профессионального образования и трудовой деятельности в школе.

Цели обучения дисциплины: изучать основные проблемы, современный уровень и перспективы радиоэлектронных технологий.

Программа курса в педагогическом вузе изучается в 8, 9, 10 семестре и призвана углублять профессиональные знания по технологии

Задачи изучения дисциплины:

- формирование технологических знаний в области радиоэлектроники;

- формирование творческой личности

  1. Место дисциплины в профессиональной подготовке

Дисциплина «Радиоэлектронные технологии» относятся к дисциплинам и курсам по выбору. Данная дисциплина связана с предшествующими ей дисциплинами «Технология современного производства», «Машиноведение». Получаемые при изучении дисциплины знания способствуют формированию представлений об уровне развития радиоэлектронных технологий.


4. . Распределение времени, отведенного на изучение дисциплины по учебному плану по схеме:



Форма учебной работы
Форма обучения

очная

по семестрам

8
9
10
Всего

Общая трудоемкость, всего часов
96
112
104
312

Аудиторных часов (АЗ)
48
56
52
156

Лекций (Л)
24
24
26
74

Лабораторные занятия (ЛЗ)
24
32
26
82

Самостоятельная работа (СР)
48
56
52
156

Форма итогового контроля (Зачет, экзамен)
зач, экз
зач, экз
зач.





  1. Тематический план для очной формы обучения

Наименование разделов
Очная форма

лекции
ЛЗ
СР

8 СЕМЕСТР

1. Введение
2






2. Основные направления радиоэлектронных технологий
4
4
4

3. Основные радиоэлектронные элементы и компоненты
2
4
4

4. Дискретные радиоэлектронные элементы
2
4
4

5. Радиоэлектронные гибридные элементы
4
4
8

6. Радиоэлектронные интегральные элементы
6
4
12

7. Основные технологические процессы изготовления радиоэлектронных элементов
4
4
16

9 СЕМЕСТР

1. Радиоэлектронные гибридные технологии
4
4
4

2. Вакуумные радиоэлектронные технологии
4
4
12

3.Ионно-плазменные радиоэлектронные технологии
2
4
4

4. Электроннолучевые технологии
2
4
4

5. Лазерные технологии
2
4
4

6. Толстопленочные технологии
2
4
4

7. Фотолитография, масочная технология
4
4
16

8.Сборка, герметизация, пайка, сварка
4
4
8

10 СЕМЕСТР

1. Радиоэлектронные интегральные технологии
2
2
4

2. Технологические процессы получения монокристаллических структур
2
2
4

3. Технологические процессы получения диэлектрических, защитных пленок и структур
2
2
4

4. Диффузионные технологические процессы
6
6
12

5. Технологические процессы ионного легирования
4
2
4

6. Эпитаксиальные технологические процессы
2
2
4

7. Технологические литографические процессы
2
2
8

8. Технологические процессы сборки интегральных микросхем
2
4
4

9. Перспективные интегральные технологии и нанотехнологии
4
4
8

ВСЕГО:

74
82
156



  1. Содержание дисциплины

Введение. Предмет радиоэлектронных технологий. Основные процессы и структуры радиоэлектронных технологий.

Основные направления радиоэлектронных технологий. Радиоэлектронные технологии дискретных компонентов и элементов. Радиоэлектронные технологии пленочных и гибридных элементов. Радиоэлектронные технологии полупроводниковых и интегральных элементов и структур.

Основные радиоэлектронные элементы и компоненты. Дискретные, навесные и интегральные элементы и компоненты.

Дискретные радиоэлектронные элементы. Резисторы, конденсаторы индуктивности. Диоды биполярные транзисторы, полевые транзисторы, транзисторы с структурой металл-окисел-полупроводник. Печатные платы. Навесные дискретные элементы. Фотоэлектрические приборы лазеры.

Радиоэлектронные гибридные элементы тонкопленочные элементы. Резисторы, конденсаторы индуктивности, распределение структуры. Навесные и дискретные элементы и интегральные структуры. Биполярные транзисторы, МДП-микроструктуры, диодные структуры, интегральные микроструктуры и кристаллы сборки.

Толстопленочные элементы. Резисторы, конденсаторы, индуктивности. Навести дискретные элементы и компоненты.

Радиоэлектронные интегральные элементы. Пассивные элементы. Резисторов, конденсаторы, соединительные проводники.

Активные элементы. Биполярные транзисторы, МДП - транзисторы, диодные структуры. Интегральные микроструктуры и схемы. Большие интегральные схемы (БИС). Сверхбольшие интегральные схемы (СБИС). Интегральные схемы на основе биполярных микроструктур. Интегральные схемы на основе МДП - микроструктур. Интегральные схемы на основе КМДП-микроструктур.

Основные технологические процессы изготовления радиоэлектронных элементов. Основные этапы изготовления тонкопленочных и гибридных интегральных микросхем. Основные этапы изготовления интегральных микросхем на основе биполярных микроструктур. Основные этапы изготовления интегральных микросхем на основе МДП-микроструктур.

Радиоэлектронные гибридные технологии. Основы тонкопленочных гибридных толстопленочных технологий.

Вакуумные радиоэлектронные технологии. Термические технологии изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов, индуктивностей соединительных проводников в вакуумных технологических установках.

Ионно-плазменные радиоэлектронные технологии, ионно-плазменные технологии изготовления резисторов, конденсаторов, индуктивностей и соединительных проводников.

Электронно-лучевые технологии. Электронно-лучевые процессы изготовления резисторов, конденсаторов индуктивностей и соединительных проводников.

Лазерные технологии изготовления и обработки элементов гибридных интегральных микросхем.

Толстопленочные технологии изготовления резисторов и конденсаторов толстопленочных гибридных микросхем.

Фотолитография, масочные технологии. Фотолитографические методы формирования конфигурации элементов тонкопленочных и гибридных микросхем. Масочные методы формирования конфигурации элементов тонкопленочных микросхем.

Сборка, герметизация, пайка, сварка. Герметизация и корпусирование интегральных микросхем. Сборка интегральных микросхем. Процессы пайки и сварки в технологии интегральных микросхем.

Радиоэлектронные интегральные технологии. Основные технологические процессы и этапы изготовления интегральных полупроводниковых микросхем.

Технологические процессы получения монокристаллических структур. Методы выращивания монокристаллов. Метод Чахральского. Метод направленной кристаллизации. Метод Бриджмена. Метод зонной плавки. Резка, шлифовка и полировка монокристаллических структур.

Технологические процессы получения диэлектрических, защищенных пленок и структур. Методы термического окисления монокристаллических структур. Химические методы получения диэлектрических и защитных пленок. Оборудование для получения диэлектрических пленок.

Диффузионные технологические процессы. Основы диффузионных технологий. Внедрение акцепторных донорных примесей. Получение областей в монокристаллических структурах р-типа проводимости и n-типа проводимости. Диффузионное оборудование.

Техпроцессы ионного легирования. Процессы ионной имплантации при формировании областей монокристаллических микроструктур р-типа проводимости и n-типа проводимости. Оборудование для ионного легирования.

Эпитаксиальные технологические процессы. Технологические особенности процесса эпитаксиального выращивания монокристаллических сплавов методы и оборудования эпитаксиальных процессов

Технологические литографические процессы фотолитографии. Процессы ионно-лучевой литографии. Процессы электронно-лучевой литографии. Процессы лазерной литографии. Оборудования для литографии.

Процессы сборки интегральных микросхем. Резка монокристаллических пластин на кристаллы. Контактирование и размещение кристаллов в корпусах. Герметизация интегральных микросхем оборудование для сборки и герметизации

Перспективные интегральные технологии и нанотехнологии. Большие интегральные микросхемы (БИС), сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), ультра большие интегральные схемы (УБИС). Сверхскоростные интегральные схемы (ССБИС). Сверхбольшие схемы на арсениде галлия. Нанотехнологии. Новые материалы. Нанотрубки новые устройства и приборы нанотехнологии, новые методы формирования и изготовления устройств элементов и приборов нанотехнологии, новое оборудование для производства наноструктур

  1. Основная и дополнительная литература.


Основная литература:
  1. И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. Микроэлектроника. М.: ВШ, 1987 с. 416
  2. Р.ж Малер, Т. Кейминс. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989 с. 630
  3. А.П. Достанко. Технология интегральных схем. Минск: ВШ 1982, с. 206
  4. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессов и микросборок. М.: Радио и связь. 1989 с. 400
  5. .З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств М.: Радио и связь. 1991, с. 528.
  6. И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника. Книга1. Общая технология. М.: ВШ. 1989, с. 223.
  7. И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника. Книга 2. Материалы. М.: ВШ. 1989. с. 86
  8. И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника. Книга 3. Полупроводниковые и интегральные микросхемы. М.: ВШ. 1989. с. 143
  9. И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 4. Механическая и химическая обработка. М. ВШ. С. 92.
  10. С.Н. Никофорова, Е.Н. Любушкин Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 5. Термические процессы М. ВШ, 1989. с. 96.
  11. В.Е. Минайчев Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 6. Нанесение пленок в вакууме М. ВШ 1989. с. 112
  12. О.С. Моряков Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 7 обработка М. ВШ 1990. с. 128
  13. В.В. Мартынов, Т.Е. Базаров Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 8. Литографические процессы. М. ВШ 1990. с. 128.
  14. О.С. Моряков Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроника Книга 9 Сборка. М. ВШ. 1990. с. 126
  15. И.П. Суздалев. Нанотехнологии. М.: 2006 с. 592
  16. Н. Кобаяси. Введение в нанотехнологию. М. Бинош. 2005 с. 134.



Дополнительная литература:
        1. Н.Е. Скляров. Физические основы технологии микроэлектронной аппаратуры. ПГУ 1980 с. 68
        2. Скляров Н.Е. Конструирование и технология микросхем и микропроцессов на биполярных транзисторах. П.: ПГУ 1988 с. 29
        3. Н.Е. Скляров. Гибридных интегральных схем. П.: ПГУ 1983 с. 36
        4. Н.Е. Скляров. Конструкции гибридных интегральных схем. П.: ПГУ 1983 с. 48
        5. Н.Е. Скляров. Лазерная технология элементов ЭВМ. П.: ПГУ 1979 с. 35.
        6. Н.Е. Скляров. Проектирование матричных больших интегральных схем П.: ПГУ 1987 с 52
        7. Н.Е. Скляров. Конструирование и технология микросхем П.: ПГУ 1986 с. 62
        8. С. Намба Технология ионного легирования. М.: Сов. Радио. 1974 с. 189
        9. Е.И. Зорин. Ионное легирование полупроводниковых. М.: Энергия 1975 с. 128
        10. Ф.Ф. Водоватов. Лазеры в технологии. М.: Энергия 1974 с. 216
        11. Р. Брюер. Электронно-лучевые технологии в изготовлении микроэлектронных приборов. М.: Радио и связь. С. 336



  1. Требования к уровню освоения программы

В результате изучения дисциплины «Радиоэлектронные технологии» студент должен знать:

- основы технологического обучения в области радиоэлектронной технологии;

- проблемы и современный уровень радиоэлектронных технологий;

- перспективы развития микротехнологии и нанотехнологии.


  1. Вопросы к экзамену

8 семестр

1. Основные направления радиоэлектронных технологий

2.Радиоэлектронные технологии изготовления дискретных элементов и компонентов.

3. Радиоэлектронные технологи гибридных элементов и компонентов.

4. Радиоэлектронные технологии интегральных элементов, компонентов и микроструктур.

5. Основные радиоэлектронные элементы.

6. Дискретные радиоэлектронные элементы

7. Резисторы.

8. Конденсаторы.

9. Индуктивности.

10. Транзисторы.

11. Диоды.

12. Трансформаторы.

13. Печатные платы.

14. Разъемы.

15. Корпуса

16. Основные технологические процессы изготовления радиоэлектронных дискретных элементов и компонентов.

9 семестр

1. Радиоэлектронные гибридные технологии.

2. Основные гибридные элементы и компоненты.

3. Резисторы.

4. Конденсаторы.

5. Бескорпусные активные элементы: компоненты; кристаллы и сборка полупроводниковых элементов.

6. Технологии изготовления толстопленочных элементов.

7. Вакуумные технологии изготовления толстопленочных элементов.

8. Ионно-плазменные технологии.

9. Электронно-лучевые технологии.

10. Лазерные технологии.

11. Методы литографии в технологи изготовления элементов.

12. Масочные методы.

13. Методы фотолитографии.

14. Сборка.

15. Герметизация.

16. Корпусирование.

17. Сварка.

18. Пайка.

19. Подгонка параметров элементов.


Вопросы к зачету (8 и 9 семестры)


1. Технологические процессы получения монокристаллических структур.

2. Технологические процессы получения диэлектрических, защитных пленок и структур.

3. Диффузионные технологические процессы.

4. Техпроцессы ионного легирования.

5. Эпитаксиальные технологические процессы.

6. Технологические литографические процессы

7. Процессы сборки интегральных микросхем

8. Перспективные интегральные технологи и нанотехнологии.

9. Радиоэлектронные гибридные технологии.

10. Основные гибридные элементы и компоненты.

11. Резисторы.

12. Конденсаторы.

13. Бескорпусные активные элементы; компоненты: кристаллы и сборка полупроводниковых элементов.

14. Технологии изготовления толстопленочных элементов.

15. Вакуумные технологии изготовления толстопленочных элементов.

16. Ионно-плазменные технологии.

17. Электронно-лучевые технологии.

18. Лазерные технологии.

19. Методы литографии в технологи изготовления элементов.

20. Масочные методы.

21. Методы фотолитографии.

22. Сборка.

23. Герметизация.

24. Корпусирование.

25. Сварка.

26. Пайка.

27. Подгонка параметров элементов.


Программу составил(и)

1. Скляров Н.Е. к.т.н., профессор


Настоящая программа, не может быть воспроизведена ни в какой форме без предварительного письменного разрешения кафедры-разработчика программы.


Программа одобрена на заседании кафедры

наименование кафедры, дата заседания и номер протокола


Заведующий кафедрой

теоретической физики и общетехнических дисциплин ___________А.А. Марко


Программа одобрена учебно-методическим советом факультета

«_____»_________________________ 2007г.

Председатель учебно-методического совета ___________ О.П.Сурина


программа одобрена учебно-методическим управлением университета

«______» ___________________________ 2007г.

Начальник учебно-методического управления __________ Г.Н. Шалаева


ПРИЛОЖЕНИЕ

К программе учебной дисциплины прилагаются внешняя и внутренняя рецензии.


СВЕДЕНИЯ О ПЕРЕУТВЕРЖДЕНИИ ПРОГРАММЫ И РЕГИСТРАЦИЯ ИЗМЕНЕНИЙ





Учебный год
Решение кафедры (№ протокола, дата, подпись зав. кафедрой)
Внесение изменений
Номера листов (страниц)

Заменен-

ных
новых

Аннулиро-


ванных







































ЛИСТ РЕГИСТРАЦИИ ИЗМЕНЕНИЙ





Измене-ния

Номера листов (стр.)
Всего листов
Номера распоря-

дитель-ного доку-

мета

Подпи-

сь

Дата
Срок введения измене-

ний