Автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М
| Вид материала | Реферат |
- Формування готовності вчителя до розвитку творчої особистості, 113.44kb.
- Реферат до декл пат на кор модель, 20.29kb.
- Робоча навчальна програма для студентів спеціальності 070201 «Радіофізика І електроніка», 396.61kb.
- Структура програми навчальної дисципліни «класична механіка» Опис предмета навчальної, 271.99kb.
- Тезисы докладов, 4290.75kb.
- Автоматизовані системи технічного діагностування будівельних конструкцій види випробувань, 322.9kb.
- Типова програма кандидатського іспиту із спеціальності, 95.6kb.
- «european quality» сучасний вимір держави та права міністерство освіти І науки україни, 15449.29kb.
- Учебно-методическое пособие по самостоятельной работе для студентов всех специальностей, 1169.34kb.
- Членів трудового колективу 299 осіб, 28.08kb.
Реферат до декл пат України на винахід №54007А
Автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р.В.; доцент , канд.фіз.-мат. наук Матюшин В.М.
МПК H01L21/00, H01L21/22
СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР
Винахід, що заявляється, відноситься до галузі напівпровідникової електроніки, зокрема до виготовлення напівпровідникових приладів.
В основу винаходу поставлено завдання удосконалення способу виготовлення напівпровідникових структур шляхом поліпшення електрофізичних параметрів одержуваних напівпровідникових структур за рахунок зниження температури процесу дифузійного легування і зменшення дефектності структури легованих шарів напівпровідникових пластин.
Поставлене завдання досягається тим, що в способі виготовлення напівпровідникових структур, що заявляється, після нанесення плівок дифузанта на монокристалеві напівпровідникові пластини твердофазне дифузійне легування проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-570С