Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из
| Вид материала | Реферат |
СодержаниеИ и – 43 статьи |
- Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников», 916.1kb.
- М. С. Неезнер Одетях с отклонениями в развитии, 3136.97kb.
- Задание №5 7 Дистанционные олимпиады по астрономии. Дистанционные эвристические олимпиады, 128.46kb.
- Решение проблем происхождения и развития, т е. возможной дальнейшей судьбы отдельных, 135.55kb.
- М. В. Ломоносова по физике и астрономии. Вклад М. В. Ломоносова в развитие физики, 119.77kb.
- Петр Иосифович Капица. Вморе погасли огни Воснове этой документальной повести лежат, 4968.1kb.
- А. Д. Эпштейн и О. А. Зайцева Одной из важнейших характеристик специфики ближневосточного, 844.77kb.
- Воснове любого экономического развития лежат три фактора экономического роста: трудовые, 133.5kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1462.41kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1465.79kb.
И и – 43 статьи
| изготовление, обработка, испытание и анализ аморфных полупроводников PACS 81.05.Gc *ББК з233.08-01:В379.212.4 В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/ |
| изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/ PACS 81.05.Cy Dz Ea Gc Hd *ББК з233.08-01:з843.308-01:В379.2 ВИНИТИ 531.41 ГРНТИ 53.41 *УДК 66:621.315.59 В: полупроводники Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V |
| изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI PACS 81.05.Dz *УДК 66:621.315.59:546*II-VI В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников В: полупроводники II-VI |
| изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V PACS 81.05.Ea *УДК 66:621.315.59:546*III-V В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников В: полупроводники III-V |
| изготовление, обработка, испытание и анализ элементарных полупроводников PACS 81.05.Cy *УДК 66:621.315.59:546-121 В: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников /материалов/ |
| излучательная рекомбинация в полупроводниках = рекомбинация электрон-дырочной пары с испусканием одного или нескольких фотонов *ББК В315.7:B343.541:В379.24 ВИНИТИ 291.19.31.29.25.15 В: люминесценция поолупроводников В: рекомбинация /в полупроводниках/ |
| излучение – взаимодействие с конденсированным веществом УДК 538.97 В: излучения В: физика конденсированного состояния Н: излучение лазеров /действие на полупроводники/ Н: излучения - действие на проводимость |
| излучения – действие на проводимость *ББК В332.2:В343.4 УДК 537.312.5 В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов Н: инфракрасное излучение - действие на проводимость Н: видимый свет - действие на проводимость Н: ультрафиолетовое излучение - действие на проводимость Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость А: радиационные эффекты в полупроводниках |
| излучение лазеров – действие на полупроводники *ББК В345.2:В379.2 *УДК 537.312.5:535.14:621.373.8:621.315.59 В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом В: оптические свойства полупроводников |
| изотропия и анизотропия /электрических свойств/ УДК 537.226.5 Н: анизотропная электропроводность полупроводников Н: анизотропные полупроводники |
| импеданс УДК 537.311.6 В: сопротивление и проводимость А: индуктивное сопротивление А: сопротивление переменному току |
| имплантация ионов в германий PACS 61.72.uf *УДК 538.97:537.534:546:289 В: имплантация ионов в полупроводниках В: легирование и имплантация ионов в германий и кремний |
| имплантация ионов в кремний PACS 61.72.uf *УДК 538.97:537.534:546:28 В: имплантация ионов в полупроводниках В: легирование и имплантация ионов в германий и кремний |
| имплантация ионов в полупроводниках *УДК 538.97:537.534:621.315.59 В: легирование полупроводников Н: имплантация ионов в германий Н: имплантация ионов в кремний Н: имплантация ионов в полупроводниках II-VI Н: имплантация ионов в полупроводниках III-V |
| имплантация ионов в полупроводниках II-VI PACS 61.72.uj *УДК 538.97:537.534:621.315.59:546*II-VI В: имплантация ионов в полупроводниках В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI |
| имплантация ионов в полупроводниках III-V PACS 61.72.uj *УДК 538.97:537.534:621.315.59: 546*III-V В: имплантация ионов в полупроводниках В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V |
| индий *ББК Г123.32:К235.2 УДК 546.682 А: индий и его соединения – полупроводниковые свойства |
| индий и его соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г123.32-2 *УДК 546.682:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел А: индий |
| индуктивное сопротивление ББК з221.8 УДК 537.311.6 В: сопротивление и проводимость А: импеданс А: сопротивление переменному току |
| инжекционные токи в полупроводниках ББК В379.231 В: электрические свойства полупроводников А: инжекция /кинетические явления в полупроводниках/ |
| инжекция /кинетические явления в полупроводниках/ ВИНИТИ 291.19.31.21.35 В: кинетические явления /в полупроводниках/ А: инжекционные токи в полупроводниках |
| интеркалирование полупроводников = введение в кристаллы слоистого типа дополнительных атомов, групп атомов или молекул между слоями для изменения физических свойств исходных кристаллов благодаря переносу элементов с интеркалированных атомов или молекул на слои ББК В379.212.2 В: дефекты кристаллической решётки В: легирование полупроводников |
| интерференция /света в полупроводниках/ = сложение в пространстве двух (или нескольких) волн, при котором в разных точках получается усиление или ослабление амплитуды результирующей волны ББК В379.244 *УДК 535.41:621.315.59 В: оптические свойства полупроводников |
| инфракрасное излучение = электромагнитное излучение, занимающее спектральную область между красным концом видимого света (с длиной волны l = 0,74 мкм) и коротковолновым радиоизлучением (l ~ 1—2 мм) УДК 535-15 С: инфракрасные лучи Н: инфракрасное излучение в полупроводниках |
| инфракрасное излучение в полупроводниках ББК В379.24-144 В: инфракрасное излучение В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках Н: длинноволновое оптическое излучение в полупроводниках |
| инфракрасное излучение – действие на проводимость ББК В371.27-144 УДК537.312.51 В: излучения - действие на проводимость |
| инфракрасные и рамановские спектры PACS 78.30.-j ББК В344.1-14 В: твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с конденсированными телами Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников |
| инфракрасные и рамановские спектры полупроводников PACS 78.30.Am Fs *ББК В379.24-144:247 В: инфракрасные и рамановские спектры В: спектроскопия полупроводников Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V Н: инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников Н: инфракрасные спектры полупроводников Н: рамановские спектры полупроводников |
| инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI PACS 78.30.Fs В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников В: полупроводники II-VI |
| инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V PACS 78.30.Fs В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников В: полупроводники III-V |
| инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников PACS 78.55.Am В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников Н: рамановские спектры элементарных полупроводников В: элементарные полупроводники |
| инфракрасные лучи См: инфракрасное излучение |
| инфракрасные спектры полупроводников ББК В379.24-144 *УДК 535.33-15:537.872.31.029.66:621.315.59 В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников Н: инфракрасные спектры полупроводников II-VI Н: инфракрасные спектры полупроводников III-V Н: рамановские спектры полупроводников |
| инфракрасные спектры полупроводников II-VI *УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546*II-VI В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI В: полупроводники II-VI |
| инфракрасные спектры полупроводников III-V *УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546*III-V В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V В: полупроводники III-V |
| инфракрасные спектры элементарных полупроводников *УДК 537.872.31.029.66:621.315.59:546-121 В: инфракрасные спектры полупроводников В: элементарные полупроводники |
| ионизация и пробой в полупроводниках *ББК В379.231.3:231.24 ВИНИТИ 291.19.31.21.33 *УДК [537.529+537.57]:621.315.59 В: кинетические явления /в полупроводниках/ Н: ионизация /полупроводников/ Н: пробой в полупроводниках |
| ионизация /полупроводников/ = образование положительных и отрицательных ионов и свободных электронов из электрически нейтральных атомов и молекул ББК В379.231.3 *УДК 537.57:621.315.59 В: ионизация и пробой в полупроводниках В: ионные явления в полупроводниках Н: ударная ионизация в полупроводниках |
| ионная имплантация полупроводников = легирование внедрением атомов в поверхностный слой путём бомбардировки поверхности ионами (обстрел, облучение пучком ускоренных ионов) *ББК В379.212.7:К303-17 *УДК 537.534.7:621.315.59 В: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами В: легирование полупроводников В: радиационные эффекты в полупроводниках А: взаимодействие ионов с полупроводниками |
| ионные явления в полупроводниках ББК В379.231.3 *УДК 537.534.7:621.315.59 В: электрические свойства полупроводников Н: ионизация полупроводников Н: электронная эмиссия /полупроводников/ (?) |
| ионный перенос в твёрдых телах ББК В371.1 ВИНИТИ 291.19.17 ГРНТИ 29.19.17 *УДК 538.931:537.534.7 В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах |
| ионы в полупроводниках В: носители тока в полупроводниках А: взаимодействие ионов с полупроводниками |
| исследование поверхностных свойств полупроводников с помощью ФЭС ВИНИТИ 291.19.31.37.19.15 В: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/ В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/ |