Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из
| Вид материала | Реферат |
СодержаниеГ г – 35 статей |
- Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников», 916.1kb.
- М. С. Неезнер Одетях с отклонениями в развитии, 3136.97kb.
- Задание №5 7 Дистанционные олимпиады по астрономии. Дистанционные эвристические олимпиады, 128.46kb.
- Решение проблем происхождения и развития, т е. возможной дальнейшей судьбы отдельных, 135.55kb.
- М. В. Ломоносова по физике и астрономии. Вклад М. В. Ломоносова в развитие физики, 119.77kb.
- Петр Иосифович Капица. Вморе погасли огни Воснове этой документальной повести лежат, 4968.1kb.
- А. Д. Эпштейн и О. А. Зайцева Одной из важнейших характеристик специфики ближневосточного, 844.77kb.
- Воснове любого экономического развития лежат три фактора экономического роста: трудовые, 133.5kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1462.41kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1465.79kb.
Г г – 35 статей
| галлий *ББК Г123.31:К233.5 УДК 621.315 А: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства | |
| галлий и его соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г123.31-2 *УДК 621.315.59:546.681 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел Н: арсенид галлия А: галлий | |
| гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/ *ББК В379.234:212.4 ВИНИТИ 291.19.31.47.17 В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/ Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники | |
| гальваномагнитные эффекты См: гальваномагнитные явления | |
| гальваномагнитные явления = явления, связанные с действием магнитного поля на электрические (гальванические) свойства полупроводников ББК В373.4 УДК 537.633 С: гальваномагнитные эффекты С: электрические действия магнитных полей Н: гальваномагнитные явления в полупроводниках Н: магнитное поле – действие на проводимость | |
| гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/ *ББК В379.234:212.4 ВИНИТИ 291.19.31.21.43.21 В: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/ В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/ В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках | |
| гальваномагнитные явления в полупроводниках ББК В379.234 ВИНИТИ 291.19.31.21.21 *УДК 537.312.8:621.315.59 В: гальваномагнитные явления В: кинетические явления /в полупроводниках/ В: электрические и магнитные свойства полупроводников Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/ Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/ Н: эффект Холла Н: квантующие магнитные поля | |
| гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках ББК В379.24-141 В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках Н: рентгеновское излучение в полупроводниках | |
| гафний *ББК Г124.43-2:К235.4 УДК 546.832 А: гафний и его соединения – полупроводниковые свойства | |
| гафний и его соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г124.43-2 *УДК 546.832:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел А: гафний | |
| гашение фотопроводимости /полупроводников/ = восстановление первоначального темнового состояния образца ВИНИТИ 291.19.31.29.15.19 В: фотопроводимость /полупроводников/ Н: собственная фотопроводимость /полупроводников/ | |
| генерация акустических волн /в полупроводниках/ *ББК В323.2:В379.2 ВИНИТИ 291.19.31.35.17.15 *УДК 538.951:621.315.59 В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/ | |
| генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/ ББК В379.231 ВИНИТИ 291.19.31.35.17 В: неустойчивости /в полупроводниках/ Н: генерация акустических волн в полупроводниках Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках Н: эффект Ганна в полупроводниках | |
| генерация СВЧ /в полупроводниках/ *ББК В379.2:з841.5 ВИНИТИ 291.19.31.35.21.19 *УДК 537.862.029.6:621.315.59 В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/ В: генерация электромагнитных волн в полупроводниках | |
| генерация спиновых волн ВИНИТИ 291.19.36.21.41 В: эффекты спинтроники | |
| генерация электромагнитных волн См: возбуждение электромагнитных колебаний | |
| генерация электромагнитных волн в полупроводниках ББК В379.24 ВИНИТИ 291.19.31.35.17.17 *УДК 537.862:621.315.59 В: возбуждение электромагнитных колебаний В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/ Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/ | |
| германий и его соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г124.31-2 *УДК 546.289:621.315.59 %УДК 537.311.322-039.6Ge В: неорганические полупроводники В: полупроводниковые свойства твёрдых тел А: германий | |
| германий *ББК Г124.31:з843.311:К235.3 УДК 546.289 В: полуметаллы В: элементарные полупроводники А: германий и его соединения – полупроводниковые свойства | |
| гетеропереходы в полупроводниках = полупроводниковые переходы между двумя разнородными по основному химическому составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками ББК В379.231.21 ВИНИТИ 291.19.31.33.25 В: границы раздела В: неоднородные системы /в полупроводниках/ Н: единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/ Н: фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках | |
| гетерополярные полупроводники = полупроводники, в которых атомы связаны смешанной (ионно-ковалентной) связью (к ним относится большинство соединений, например, типа А3В5) ББК В379.2 В: полупроводники | |
| гетероструктуры полупроводников См: полупроводниковые гетероструктуры | |
| гетероструктуры полупроводников – электрические свойства ББК В379.231.5 *УДК 538.975.5:537.3:621.315.59 %УДК 537.311.322HStr В: полупроводниковые гетероструктуры В: электрические свойства полупроводников В: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами Н: жидкие кристаллы–электрические явления Н: комбинации p-n-переходов Н: контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления Н: контакт полупроводник-полупроводник Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления Н: контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления Н: контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления Н: структура металл–диэлектрик–полупроводник Н: полупроводниковые сверхрешётки Н: слои Шоттки – электрические явления Н: фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник Н: эксклюзия при контакте полупроводников с разными материалами Н: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами Н: явление Пельтье в полупроводниках А: неоднородные системы /в полупроводниках/ | |
| гигантское магнитосопротивление ВИНИТИ 291.19.36.21.21 В: магнитосопротивление В: эффекты спинтроники | |
| гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках ББК В379.247 В: рассеяние света в полупроводниках В: спектроскопия полупроводников | |
| глубокие примесные уровни полупроводников ББК В379.212.2 В: примесные уровни полупроводников Н: глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр | |
| глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр *ББК В379.212.2:13 ВИНИТИ 291.19.31.15.21.15 В: глубокие примесные уровни полупроводников В: примесные состояния – влияние на энергетический спектр полупроводников | |
| гомеополярные полупроводники – физика = кристаллические полупроводники, атомы которых связаны друг с другом гомеополярной (двухэлектронной) ковалентной связью, образующейся перераспределением двух электронов между двумя одинаковыми атомами (к ним относятся элементарные полупроводники IV гр. периодической системы (Si, Ge, алмаз) и полупроводниковые соединения типа A4B4 (SiC)) ББК В379.2 В: кристаллические полупроводники В: физика полупроводников | |
| горячие носители тока в полупроводниках = подвижные электроны и дырки в полупроводнике или металле, энергетическое распределение которых смещено относительно равновесного при данной температуре в сторону больших энергий ББК В379.231.2 *УДК 537.112-026.652:621.315.59 В: носители тока в полупроводниках Н: горячие электроны в полупроводниках Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках | |
| горячие электроны в полупроводниках ББК В379.231.2 *УДК 537.12-026.652:621.315.59 %УДК 537.311.322.01HE В: горячие носители тока в полупроводниках В: теория полупроводников В: электронные явления в полупроводниках Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках А: разогрев электронов в полупроводниках | |
| граница полупроводника и газа (вакуума) См: явления на границе полупроводника и газа (вакуума) | |
| граница твердого тела и газа (вакуума) См: явления на границе твердого тела и газа (вакуума) | |
| границы раздела ВИНИТИ 291.19.16 ГРНТИ 29.19.16 УДК 538.971 %УДК 538.971Int В: поверхности и границы раздела Н: гетеропереходы в полупроводниках А: границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства) | |
| границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства) PACS 68 *ББК В365.31/32:В372.5/6:В379.212.5/6 В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства) А: границы раздела | |
| графит – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г741-2 *УДК 549.212:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел В: элементарные полупроводники | |