Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из
| Вид материала | Реферат |
СодержаниеД д – 70 статей |
- Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников», 916.1kb.
- М. С. Неезнер Одетях с отклонениями в развитии, 3136.97kb.
- Задание №5 7 Дистанционные олимпиады по астрономии. Дистанционные эвристические олимпиады, 128.46kb.
- Решение проблем происхождения и развития, т е. возможной дальнейшей судьбы отдельных, 135.55kb.
- М. В. Ломоносова по физике и астрономии. Вклад М. В. Ломоносова в развитие физики, 119.77kb.
- Петр Иосифович Капица. Вморе погасли огни Воснове этой документальной повести лежат, 4968.1kb.
- А. Д. Эпштейн и О. А. Зайцева Одной из важнейших характеристик специфики ближневосточного, 844.77kb.
- Воснове любого экономического развития лежат три фактора экономического роста: трудовые, 133.5kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1462.41kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1465.79kb.
Д д – 70 статей
| давление – влияние на явления в полупроводниках ББК В379.231 ВИНИТИ 291.19.31.21.17 *УДК 537.312.9:621.315.59 В: кинетические явления /в полупроводниках/ А: пьезосопротивление /полупроводников/ |
| двойное лучепреломление /в полупроводниках/ = расщепление пучка света в анизотропной среде (например, в кристалле) на два слагающих, распространяющихся с разными скоростями и поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях ББК В379.244 *УДК 535.55:537.874.32:621.315.59 %УДК: 537.311.322.04:535.55 В: оптические свойства полупроводников Н: эффект Керра /в полупроводниках/ |
| двумерный электронный газ = электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из трёх координат В: низкоразмерный электронный газ |
| действие излучений на проводимость и сопротивление УДК 537.312.5 С: электромагнитные излучения – действие на электропроводность Н: фотопроводимость полупроводников |
| деканалирование заряженных частиц в полупроводниках ББК В379.212.7 В: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках |
| детекторы излучений PACS 29.40.-n *ББК з849-047:В381.5 УДК 539.1.074 В: экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и ядерной физики |
| дефектно-примесные реакции в полупроводниках ББК В379.212.2… В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ |
| дефекты в полупроводниках *ББК В379.212.2:Г523 %УДК 537.311.322.01:548.4 В: теория полупроводников Н: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников Н: дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния Н: дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI Н: дефекты Френкеля в полупроводниках Н: радиационные дефекты в полупроводниках Н: термические дефекты в полупроводниках Н: точечные дефекты в полупроводниках А: дефекты кристаллической решётки полупроводников |
| дефекты – влияние на физические свойства полупроводников ББК В379.212.2 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки полупроводников Н: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках Н: дефекты – влияние на электропроводность полупроводников Н: дефекты – влияние на энергетические спектры в полупроводниках |
| дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках ББК В379.231.26 В: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: электронные явления в полупроводниках |
| дефекты – влияние на электропроводность *ББК В371.231:В373.12 *УДК 537.31:548.4:544.022.3 Н: дефекты – влияние на электропроводность полупроводников |
| дефекты – влияние на электропроводность полупроводников ББК В379.231.26 *УДК 537.31:548.4:544.022.3:621.315.59 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках/ В: дефекты – влияние на электропроводность |
| дефекты – влияние на энергетические спектры в полупроводниках *ББК В379.212.2:13 ВИНИТИ 291.19.31.15.21 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: энергетический спектр полупроводников |
| дефекты внедрения ББК В371.231 *УДК 544.022.343.3:548.4 В: дефекты кристаллической структуры Н: дефекты замещения |
| дефекты замещения ББК В371.231 *УДК 544.022.343.2:548.4 В: дефекты кристаллической структуры |
| дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/ PACS 61.72.-y ББК В371.231 *УДК 544.022.3+548.4 В: структура твёрдых и жидких тел Н: дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния Н: дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI Н: дефекты кристаллической решётки Н: дефекты кристаллической структуры |
| дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния PACS 61.72.uf *ББК В371.231:[Г124.2:31] *УДК 538.911:544.022.3:548.4:546.28 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/ |
| дефекты и примеси в кристаллах полупроводников III – V и II – VI PACS 61.72.Tt В: дефекты в полупроводниках В: дефекты и примеси в кристаллах /микроструктура/ |
| дефекты кристаллической решётки полупроводников ББК В379.212.2 *УДК 538.911:544.022.3:548.4:621.315.59 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты кристаллической структуры В: структура полупроводников Н: акцептор /в структуре полупроводника/ Н: дефектно-примесные реакции в полупроводниках Н: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников Н: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках Н: дефекты – влияние на энергетический спектр полупроводников Н: дефекты Френкеля в полупроводниках Н: дислокации в полупроводниках Н: диффузия примесей в полупроводниках Н: донор /в структуре полупроводника/ Н: интеркалирование полупроводников Н: квазичастицы в полупроводниках Н: конденсация Бозе-Эйнштейна в полупроводниках Н: конденсация экситонов в полупроводниках Н: отжиг радиационных эффектов кристаллической решётки Н: поляритоны в полупроводниках Н: поляритонные уровни в полупроводниках Н: примеси в полупроводниках Н: радиационные дефекты в полупроводниках Н: структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках Н: термические дефекты в полупроводниках Н: точечные дефекты в полупроводниках Н: экситонные уровни в полупроводниках Н: экситоны в полупроводниках |
| дефекты кристаллической структуры = Нарушения периодичности пространственного расположения атомов ББК В371.231 ВИНИТИ 291.19.11 ГРНТИ 29.19.11 *УДК 538.911:544.022.3:548.4 В: физика твёрдых тел Н: вакансии /в кристаллической структуре/ Н: дефекты внедрения Н: дефекты замещения Н: дефекты кристаллической решётки полупроводников Н: дефекты Шоттки Н: дивакансии Н: дислокации Н: электронные дефекты |
| дефекты Френкеля в полупроводниках = дефекты кристаллической решётки, возникающие при перемещении атома кристалла из нормального положения в узле в какое либо из междоузлий ББК В379.212.2 *УДК 544.022.342.3:548.4:621.315.59 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ |
| дефекты Шоттки УДК 544.022.342.2 В: дефекты кристаллической структуры |
| деформационная люминесценция /полупроводников/ *ББК В379.24:В343.8 %УДК 537.311.322.04:535.37 В: люминесценция полупроводников |
| диамагнетизм /полупроводников/ ББК В379.233 *УДК 537.611.42:621.315.59 В: диамагнетизм – теория В: магнитные свойства полупроводников Н: уровни Ландау в полупроводниках Н: циклотронный резонанс в полупроводниках А: диамагнитные полупроводники |
| диамагнетизм – теория = Свойство вещества намагничиваться антипараллельно магнитному полю ББК В334.3 УДК 537.611.42 В: магнетизм – теория Н: диамагнетизм полупроводников |
| диамагнетики = вещества, намагничивающиеся навстречу направлению внешнего магнитного поля ББК В373.32 ВИНИТИ 291.19.47 ГРНТИ 29.19.47 УДК 537.622.2 В: магнитные материалы В: магнитные свойства материалов В: магнитные свойства твёрдых тел Н: диамагнитные полупроводники |
| диамагнитные полупроводники ББК В379.233 *УДК 537.622.2:621.315.59 В: диамагнетики В: магнитные свойства полупроводников А: диамагнетизм полупроводников |
| диамагнитный резонанс в полупроводниках См: циклотронный резонанс в полупроводниках |
| дивакансии = конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий; двойные вакансии ББК В371.231.2 УДК 544.022.342.2 В: дефекты кристаллической структуры |
| динамика и статика структур *ББК В236.3:В232 УДК 538.913 В: структуры вещества А: динамика решётки |
| динамика кристаллической решетки полупроводников ББК В379.133 *УДК 538.913:544.223:621.315.59 В: динамика решётки В: квантовая теория А: кристаллическая структура и динамика решётки |
| динамика решётки ББК В371.23 ВИНИТИ 291.19.19 ГРНТИ 29.19.19 УДК 544.223 В: кристаллическая структура и динамика решётки Н: динамика кристаллической решетки полупроводников А: динамика и статика структур |
| дислокации = линейные дефекты кристаллической решётки, искажающие правильное расположение атомных плоскостей ББК В371.231.3 УДК 538.911:544.022.344.1 В: дефекты кристаллической структуры Н: дислокации в полупроводниках Н: дислокации несоответствия |
| дислокации в полупроводниках ББК В379.231.26 *УДК 538.911:544.022.344.1:621.315.59 %УДК: 537.311.322.01:548.4 В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: дислокации Н: дислокации – влияние на оптические свойства полупроводников Н: дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/ |
| дислокации – влияние на оптические свойства полупроводников ББК В379.24… *УДК [538.958:621.315.59]:544.022.344.1 В: дислокации в полупроводниках В: оптические свойства полупроводников |
| дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/ ББК В379.231.26 *УДК 537.311.322:544.022.344.1 В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: дислокации в полупроводниках В: электронные явления в полупроводниках |
| дислокация несоответствия = линейный дефект в кристалле, при котором в кристаллическую решётку вставлена дополнительная полуплоскость В: дислокации |
| дислоцированные атомы /в полупроводнике/ ББК В379.212.2 С: междуузельные атомы В: точечные дефекты в полупроводниках |
| дисперсионные соотношения Крамерса-Кронинга для оптических функций полупроводников. *ББК В315.7:В382.1:В379.24 В: оптические свойства полупроводников |
| дисперсия света в полупроводниках = зависимость показателя преломления вещества от частоты (длины волны) света или зависимость фазовой скорости световых волн от частоты ББК В379.243 *УДК 535.328:621.315.59 %УДК 537.311.322.04:535.328 В: дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках В: оптические свойства полупроводников |
| дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках = зависимость фазовой скорости гармонических волн от их частоты ББК В379.243 *УДК 537.871.122:621.315.59 Н: дисперсия /света в полупроводниках/ |
| дифрактометрия Н: нейтронная дифрактометрия в спинтронике Н: рентгеновская дифрактометрия в спинтронике |
| дифракция рентгеновских лучей /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние рентгеновских лучей кристаллами (или молекулами жидкостей и газов), при котором из начального пучка лучей возникают вторичные отклонённые пучки той же длины волны, появившиеся в результате взаимодействия первичных рентгеновских лучей с электронами вещества *ББК В371.213.4:В379.2 *УДК 535.42-34:621.315.59 В: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв |
| дифракция электронов /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние микрочастиц (электронов, нейтронов, атомов и т.п.) кристаллами или молекулами жидкостей и газов, при котором из начального пучка частиц данного типа возникают дополнительно отклонённые пучки этих частиц; направление и интенсивность таких отклонённых пучков зависят от строения рассеивающего объекта ББК В379.212.144 *УДК 539.124.172:621.315.59 В: электронограммы Кикучи в электронографии полупроводников |
| диффузионные явления в полупроводниках ББК В379.256 *УДК 538.931:539.219.3:621.315.59 %УДК 537.311.322.01:539.219.3 В: теория полупроводников Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках Н: диффузия примесей в полупроводниках А: диффузия и самодиффузия в полупроводниках |
| диффузия горячих электронов в полупроводниках ББК В379.231.2 %УДК: 537.311.322.01HE В: горячие электроны в полупроводниках В: диффузионные явления в полупроводниках В: диффузия и самодиффузия в полупроводниках Н: метод исследования магнитосопротивления носителей тока в полупроводниках Н: нелинейные свойства полупроводников Н: носители тока в полупроводниках Н: прыжковая проводимость полупроводников Н: разогрев электронов в полупроводниках Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках Н: центры захвата в полупроводниках Н: электрические колебания в полупроводниках Н: электрические флуктуации в полупроводниках Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников Н: электронный газ в полупроводниках |
| диффузия и ионный перенос в твёрдых телах ББК В375.6 ВИНИТИ 291.19.17 ГРНТИ 29.19.17 *УДК 538.931-026.76 В: физика твёрдого тела Н: диффузия и самодиффузия в полупроводниках Н: диффузия примесей в полупроводниках Н: ионный перенос в твёрдых телах |
| диффузия и самодиффузия в полупроводниках ББК В379.256 *УДК 538.931:539.219.3:621.315.59 %УДК: 537.311.322.01:539.219.3 В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах В: термодинамика полупроводников Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках Н: самодиффузия в полупроводниках А: диффузионные явления в полупроводниках |
| диффузия и самодиффузия в твёрдых телах ББК В375.6 УДК: 539.219.3+538.931-026.76 В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах |
| диффузия примесей PACS 66.30.J- ББК В371.231 *УДК 539.219.3:544.022.343 Н: неэлектронный перенос в конденсированных телах |
| диффузия примесей в полупроводниках ББК В379.212.2 *УДК 538.93:544.022.343.2.034.24 В: диффузионные явления в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах |
| диффузия спинов ВИНИТИ 291.19.36.21.31 В: дрейф и диффузия спинов |
| диэлектрики = вещества, плохо проводящие электрический ток ББК В379.3 ВИНИТИ 291.19.23 ГРНТИ 29.19.33 *УДК 537.226:621.315.61 %УДК 537.226 В: электрические свойства твёрдых тел А: диэлектрические свойства конденсированного вещества А: физика диэлектриков |
| диэлектрическая постоянная полупроводников См: диэлектрическая проницаемость полупроводников |
| диэлектрическая проницаемость /в целом/ = величина, характеризующая диэлектрические свойства среды — её реакцию на электрическое поле. В соотношении D = eЕ, где Е — напряжённость электрического поля, D — электрическая индукция в среде, Д. п. — коэффициент пропорциональности e УДК 537.226.1 Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников |
| диэлектрическая проницаемость полупроводников ББК В379.231.7 *УДК 537.226.1:621.315.59 С: диэлектрическая постоянная полупроводников В: диэлектрическая проницаемость в целом В: диэлектрические свойства полупроводников |
| диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/ *ББК В379.212.4:231.7 ВИНИТИ 291.19.31.15 *УДК 538.956:612.315.592-026.764 В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники В: диэлектрические свойства полупроводников |
| диэлектрические свойства конденсированного вещества С: диэлектрические явления в конденсированном веществе *ББК В331.4:В379.3 УДК 538.956 В: свойства и явления в конденсированном веществе Н: диэлектрические свойства твёрдых тел А: диэлектрики А: физика диэлектриков |
| диэлектрические свойства полупроводников ББК В379.231.7 *УДК 538.956:612.315.592 В: диэлектрические свойства твёрдых тел В: физика полупроводников Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/ Н: диэлектрические свойства полупроводников (статические) |
| диэлектрические свойства полупроводников (статические) ВИНИТИ 291.19.31.19 *УДК 538.956:537.226:612.315.592 В: диэлектрические свойства полупроводников В: полупроводники |
| диэлектрические свойства твёрдых тел ББК В379.3 *УДК 538.956-026.76 В: диэлектрические свойства конденсированного вещества В: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел Н: диэлектрические свойства полупроводников |
| диэлектрические явления в конденсированном веществе См: диэлектрические свойства конденсированного вещества |
| длинноволновое оптическое излучение в полупроводниках ББК В379.24-144.1 В: инфракрасное излучения в полупроводниках |
| домены В: физика твёрдых тел Н: сегнетоэлектрические домены Н: полупроводниковые домены Н: ферромагнитные домены |
| домены /в полупроводниках/ См: полупроводниковые домены |
| донор /в структуре полупроводника/ = примесный атом, ионизация которого (в результате теплового или иного возбуждения) приводит к переходу электрона в зону проводимости В: дефекты /кристаллической решётки полупроводников/ Н: легирующие примеси в полупроводниках – доноры А: донорные состояния в полупроводниках |
| донорные состояния в полупроводниках ББК В379.13 А: донор /в структуре полупроводника/ |
| дрейф и диффузия спинов ВИНИТИ 291.19.36.21.31 В: эффекты спинтроники Н: диффузия спинов |
| дырки в полупроводниках ББК В379.13 *УДК 537.112:544.022.373:612.315.592 В: дырочные полупроводники В: теория полупроводников В: электронные дырки |
| дырочные полупроводники = полупроводники с р-типом проводимости, основные носители тока в которых – дырки *ББК В379.13:з843 *УДК 612.315.592:544.022.373 В: полупроводники Н: дырки в полупроводниках |