баллистическое магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.17
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники
|
барьер Шоттки = потенциальный барьер, возникающий на границе металл-полупроводник
ББК В379.231.5
В: потенциальные барьеры /в полупроводниках/
|
барьерные эффекты в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
Н: потенциальные барьеры в полупроводниках
Н: р–n переходы /в полупроводниках/
Н: электронные переходы в полупроводниках
|
безизлучательная рекомбинация /в полупроводниках/ = рекомбинация носителей тока, при которой энергия выделяется в виде колебаний решетки или передается другим электронам проводимости, либо дыркам.
*ББК В379.13:231.2
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.17
В: рекомбинация /в полупроводниках/
|
бесщелевые полупроводники /физика/ = полупроводники, у которых отсутствует запрещённая зона, поэтому имеющие высокую диэлектрическую проницаемость (к ним относятся соединения ртути Hg, теллура Te, селена Se), а также полупроводники, у которых ширина запрещённой зоны равна 0 при определённых условиях (давление, температура и т. п.) (к ним относятся соединения висмута Bi, кадми Cd и свинца Pb)
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.43
В: физика полупроводников
|
биполярные полупроводники /физика/
ББК В379.2
В: физика полупроводников
|
бистабильность оптическая в полупроводниках
ББК В379.24…
С: оптическая бистабильность полупроводников
В: оптические свойства полупроводников
|
биэкситоны /в полупроводниках/ = связанное состояние двух экситонов
ББК В379.212.2
В: квазичастицы
|
бор
*ББК Г123.1:Л254
УДК 546.27
А: бор и его соединения – полупроводниковые свойства
|
бор и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.12/16-2
*УДК 546.27:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: бор
|
вакансии /в кристаллической структуре/ = Узлы кристаллической решётки, в которых отсутствует атом или ион
ББК В371.231.2
УДК 544.022.342.2
Н: вакансии в полупроводниках
|
вакансии в полупроводниках
ББК В379.212.2
*УДК 538.911:544.022.342.2
В: вакансии /в кристаллической структуре/
В: точечные дефекты /в полупроводниках/
|
вакуумный ультрафиолет в полупроводниках
ББК В379.24-142.1
В: ультрафиолетовое излучение в полупроводниках
|
валентная зона = зона валентных электронов; верхняя из заполненных разрешённых зон (В собственном полупроводнике полностью заполнена при нулевой температуре)
В: разрешённая зона
|
ванадий
*ББК Г125.41:К235.13
УДК 546.881
А: ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
|
ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г125.412/415-2
*УДК 546.881:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: ванадий
|
варизонные полупроводники – физика = кристаллы, в которых энергетические параметры зонной структуры (в т.ч. ширина запрещённой зоны), эффективные массы носителей и диэлектрическая проницаемость плавно изменяются вдоль одного или нескольких направлений в кристалле
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников
|
взаимодействие ионов с полупроводниками
ББК В379.212.7
*УДК 538.97:537.534.7:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: многозарядные ионы – взаимодействие с полупроводниками
А: ионная имплантация полупроводников
А: ионы в полупроводниках
|
взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
ББК В379.212.7
*УДК 621.315.59:539.1.043
%УДК 537.311.322.04: 538.97
В: физические свойства полупроводников
Н: взаимодействие ионов с полупроводниками
Н: взаимодействие света с полупроводниками
|
взаимодействие проникающего излучения /радиации/ с твёрдыми телами
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.25
ГРНТИ 29.19.25
*УДК [538.97-026.76]:539.121.7.043
С: проникающее излучение – взаимодействие с твёрдыми телами
В: физика твёрдых тел
Н: ионная имплантация полупроводников
|
взаимодействие света с полупроводниками
ББК В379.24
*УДК 535.3:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: оптические свойства полупроводников
|
вибрационная магнитометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.17
В: магнитометрия
В: экспериментальные методы спинтроники
|
вибронные взаимодействия = составляющая полного взаимодействия частиц в ссылка скрыта или ссылка скрыта, возникающая в приближении, основанном на разделении движений электронов и колебаний ядер
В: квантовая теория
Н: вибронные взаимодействия в полупроводниках
|
вибронные взаимодействия в полупроводниках
ББК В379.13
В: вибронные взаимодействия
В: квантовая теория полупроводников
|
видимое оптическое излучение в полупроводниках
ББК В379.24-143
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
|
|
видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
PACS 78.40.Kc
В: полуметаллы
Н: ультрафиолетовые спектры полуметаллов
|
видимый свет – действие на проводимость
В: излучения – действие на проводимость
|
висмут
*ББК Г123.33:К232.9
УДК 546.87
В: полуметаллы
А: висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
|
висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.33-2
*УДК 546.87:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: висмут
|
влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников
См: радиационные эффекты в полупроводниках
|
влияние облучения на свойства твёрдых тел
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.21
ГРНТИ 29.19.21
*УДК 539.21:538.97:539.12.043
В: физика твёрдых тел
Н: радиационные эффекты в полупроводниках
|
внешний фотоэффект
См: фотоэлектронная эмиссия
|
внутренний фотоэффект
См: фотопроводимость
|
внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
*ББК В379.13:242:243
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.19
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
|
возбуждение электромагнитных колебаний
ББК В336
УДК 537.862
С: генерация электромагнитных волн
Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках
|
вольтамперные характеристики = зависимость тока от напряжения
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников
Н: S- образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
|
вращение плоскости поляризации в полупроводниках
ББК В379.24-27
В: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
|
|
вторичная эмиссия = испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами
ББК В373.131
УДК 537.533.8
Н: вторичная эмиссия /электронов в полупроводниках/
|
вторичная эмиссия электронов в полупроводниках
ББК В379.231.31
ВИНИТИ 291.19.31.37.25
*УДК 537.533.8:621.315.59
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
|
выращивание полупроводниковых плёнок
PACS 68.55.-z
*ББК В379.212.6:К203.4
*УДК 621.793:621.315.59
В: структура и морфология тонких плёнок
|
вырожденные полупроводники – физика
ББК В379.2
В: физика полупроводников
|
|
высокие давления – влияние на электрические свойства полупроводников
*ББК B367.1:В379.231
*УДК 537.311.322.092:539.89:621.315.59
В: электрические свойства полупроводников
|
высокоомные полупроводники – физика = полуизолирующие полупроводники с высоким удельным сопротивлением
ББК В379.2
В: физика полупроводников
|
высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение электромагнитных волн в полупроводниках
*ББК В379.231.6:24:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.25.15
*УДК [537.86/.87+537.226.1]:621.315.59
В: электромагнитные колебания в полупроводниках
|
высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23.43
В: аморфные полупроводники – физика
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
|
высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
*ББК В379.25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: циклотронный резонанс /в полупроводниках/
Н: шумы /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: электропроводность /полупроводников в радиодиапазоне/
|
