лазерная спектроскопия полупроводников = раздел оптической спектроскопии, методы которой основаны на использовании лазерного излучения
ББК В379.247
*УДК 535.33/.34:621.315.59:621.375.826
В: лазерное излучение – исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников
|
лазерное излучение – исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
*ББК В379.231.4:В345.2
*УДК 537.867:535:621.315.59:621.375.826
В: фотоэлектрические явления в полупроводниках
Н: лазерная спектроскопия полупроводников
|
лазерные диоды
См: полупроводниковые лазеры
|
лазеры
ББК В345
УДК 621.373.8
Н: лазеры – исследования полупроводников
Н: полупроводниковые лазеры
|
лазеры – исследования полупроводников
%УДК 537.311.322.082.5
В: лазеры
В: оптические методы исследования полупроводников
|
лантан
*ББК Г123.43:К235.3
УДК 546.654
А: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
|
лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.43-2
*УДК 546.654:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
А: лантан
|
легирование и имплантация ионов в германий и кремний
PACS 61.72.uf
В: легирование полупроводников
Н: имплантация ионов в германий
Н: имплантация ионов в кремний
|
легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
PACS 61.72.uj
В: легирование полупроводников
В: полупроводники II-VI
Н: имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: легирование полупроводников II-VI
|
легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
PACS 61.72.uj
В: легирование полупроводников
В: полупроводники III-V
Н: имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: легирование полупроводников III-V
|
легирование полупроводников = контролируемое введение примесных атомов с целью изменения величины или типа проводимости материала
PACS 61.72.–y
*ББК К208:В379.2
Н: имплантация ионов в полупроводниках
Н: интеркалирование полупроводников
Н: ионная имплантация полупроводников
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: легирование и имплантация ионов в германий и кремний
Н: легирование полупроводников – теория
А: легированные полупроводники
А: легирующие примеси /в полупроводниках/
|
легирование полупроводников – теория.
ББК В379.1
В: легирование полупроводников
В: теория полупроводников
|
легирование полупроводников II-VI
PACS 61.72.uj
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
В: легирование полупроводников
|
легирование полупроводников III-V
PACS 61.72.uj
В: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
В: легирование полупроводников
|
легированные полупроводники
УДК 621.315.59.3
В: полупроводники
А: легирование полупроводников
|
легирующие примеси /в полупроводниках/ = примеси, вводимые в заданных количествах
ББК В379.212.2
В: примеси в полупроводниках
Н: легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы
Н: легирующие примеси в полупроводниках – доноры
А: легирование полупроводников
|
легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы
ББК В379.212.2
В: акцептор /в структуре полупроводника/
В: легирующие примеси в полупроводниках
|
легирующие примеси в полупроводниках – доноры
ББК В379.212.2
В: донор в структуре полупроводника
В: легирующие примеси в полупроводниках
|
локализованные электронные состояния полупроводников
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные состояния полупроводников
|
локальные состояния в полупроводниках
ББК В379.212
В: структура полупроводников
Н: локальные состояния электронов в полупроводниках
|
локальные состояния электронов в полупроводниках
ББК В379.13
В: квантовая теория
В: локальные состояния в полупроводниках
|
люминесценция в аморфных полупроводниках
*ББК В343.8:В379.212.4
ВИНИТИ 291.19.31.31.15
*УДК 535.37-026.764:621.315.59
В: аморфные полупроводники – физика
В: люминесценция /полупроводников
|
люминесценция /полупроводников/ = излучение, представляющее собой избыток над ссылка скрыта тела и продолжающееся в течение времени, значительно превышающего период световых колебаний
*ББК В343.8:В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.31
*УДК 535.37:621.315.59
В: полупроводники
Н: деформационная люминесценция
Н: излучательная рекомбинация в полупроводниках
Н: катодолюминесценция /полупроводников/
Н: кристаллофосфоры полупроводниковые
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: люминофоры полупроводниковые
Н: поляризация люминесценции полупроводников
Н: сублимат-фосфоры полупроводниковые
Н: старение полупроводниковых люминофоров
Н: термическое высвечивание в поупроводниках
Н: термолюминесценция /полупроводников/
Н: тушение люминесценции полупроводников
Н: фосфиды – тройные монокристаллы
Н: рекомбинационная люминесценции полупроводников
Н: фотолюминесценция /полупроводников/
Н: электролюминесценция /полупроводников/
|
люминофоры /полупроводниковые/ = твёрдые и жидкие вещества, способные люминесцировать под действием различного рода возбуждений
*ББК В43.8:В379.24
*УДК 535.37:621.315.59
В: люминесценция полупроводников
|
