Компьютерная схемотехника
Методическое пособие - Компьютеры, программирование
Другие методички по предмету Компьютеры, программирование
?ежду +Епит и коллектором VT3 может вызывать достаточно большой ток (Iк.VT3=Iн).
Если хотя бы на один вход схемы (рисунок 7.2) поступит логический 0, то транзистор VТм насыщается, на его коллекторе (базе VT1) появляется низкий уровень напряжения и транзистор VT1 запирается. Потенциал его эмиттера стремится к нулю, а потенциал коллектора к напряжению +Епит. Транзистор VT3 закрывается, VT2 открывается. С выхода снимаем высокий уровень напряжения (логическая 1). Каскад на транзисторе VT2 работает в активном режиме как эмиттерный повторитель (значение резистора R3 мало (десятки Ом) и может не учитываться). Выходное сопротивление эмиттерного повторителя очень мало, поэтому нагрузочная способность второй схемы (рисунок 7.2) по сравнению с первой (рисунок 7.1) значительно увеличивается.
Потребление тока в выходной цепи ненагруженного сложного инвертора в этом состоянии также мало, так как VT3 закрыт. Если между выходом (коллектором VT3) и корпусом включить сопротивление нагрузки, то потребляемый схемой ток увеличивается (Iн=IэVT2).
Отсутствие собственного потребления тока выходной цепью сложного инвертора делает рассматриваемый элемент достаточно экономичным.
Вместе с тем, эта схема имеет существенный недостаток. При формировании логической единицы на выходе ток закрытого транзистора VT3 Iкоз протекает через резистор R4 (рисунок 7.2), создавая на нем падение напряжения, направленное на отпирание транзистора. Чтобы снизить это напряжение значение резистора R4 берется не очень большим (сотни Ом).
Малое значение R4 шунтирует переход база-эмиттер VT3 при его отпирании. Например, при напряжении Uбэ.нVT3=0,6 В через резистор R4=1 кОм протекает ток 0,6 мА. Следовательно, VT3 начнет отпираться только после того, как ток через резистор R4 возрастает до 0,6 мА. Это приводит к растягиванию во времени переходной области передаточной характеристики рассматриваемого элемента (рисунок 6.1).
Кроме того, наличие R4 влияет на стабильность параметров ТТЛ - элемента в рабочем диапазоне температур. Этот резистор имеет положительный температурный коэффициент сопротивления (ТКС). При возрастании температуры значение R4 увеличивается, его шунтирующее действие уменьшается, ток базы VT3 увеличивается, транзистор VT3 насыщается сильнее, что может увеличить время его выключения, т.е. ухудшает быстродействие. При снижении температуры значение R4 падает, его шунтирующее действие возрастает, что приводит к увеличению времени включения (растягиванию во времени переходной области передаточной характеристики микросхемы (рисунок 6.1)).
Для устранения отмеченных недостатков вместо резистора R4 в схему ТТЛ элемента включен нелинейный четырехполюсник (рисунок 7.3), выполненный на транзисторе VT4.
Это позволяет уменьшить длительность переходной области передаточной характеристики ТТЛ- элемента (рисунок 6.1) и повысить стабильность его параметров.
Рассмотренная схема со сложным инвертором также реализует функцию И-НЕ.
Рисунок 7.3
ТТЛ-схемы в настоящее время достаточно широко применяются в модифицированном ТТЛШ исполнении и содержат транзисторы и диоды Шоттки (рисунок 7.4).
Ниже показан пример двухвходового логического ТТЛШ - элемента И-НЕ (рисунок 7.4), имеющего ряд дополнительных элементов, отсутствующих в рассмотренной выше ТТЛ-схеме (рисунок 7.2).
Рисунок 7.4
Во-первых, для повышения нагрузочной способности вместо транзистора VТ2 (рисунок 7.2) в схему введен составной транзистор (VТ2?, VТ2?). Во-вторых, для защиты элемента от случайно поданных отрицательных входных сигналов в него включены диоды VD1, VD2. В-третьих, схема содержит транзистор VТ5, с помощью которого осуществляется перевод выхода схемы в третье, высокоимпедансное (Z) - состояние (см. 4.15). Положительный потенциал (логическая 1) на базе транзистора VТ5 открывает его, закорачивая тем самым коллектор транзистора VТ1 на землю.
Это приводит к тому, что транзисторы VТ2?, VТ2? и VТ3 остаются заперты, независимо от состояния входных управляющих сигналов. При этом выход F отключается как от шины питания, так и от земли, т.е. как бы повисает в воздухе. Функциональное обозначение такого логического элемента показано на рисунке 7.5.
Рисунок 7.5
Возможность перевода ТТЛ (ТТЛШ) схем в 3-е состояние позволяет использовать их при работе на одну системную шину, например, в микропроцессорных устройствах. При этом к общей шине подключен целый ряд различных устройств, снабженных выходными цепями с тремя состояниями, причем в каждый момент времени с общей шиной соединено только одно устройство, а выходы остальных находятся в 3-м (Z) - состоянии, т.е. отключены от шины.
7.2 Базовый ЭСЛ - элемент ИЛИ/ИЛИ-НЕ
В этом элементе [3, 11] логические операции выполняются эмиттерно-связанными транзисторами, чем и обусловлено название типа логики. Элемент имеет два выхода, на одном из которых фиксируется результат операции ИЛИ над входными цифровыми сигналами, а на другом - операции ИЛИ-НЕ.
В этой схеме к “земле” присоединена плюсовая шина источника питания, поэтому выходные сигналы имеют отрицательную полярность.
Разработанные на основе схем ЭСЛ ИМС характеризуются высоким быстродействием, высокой нагрузочной способностью, низкой помехоустойчивостью и достаточно большой потребляемой мощностью.
7.3 Базовый КМОП-элемент ИЛИ-НЕ
Логические схемы на комплеме