Физика

  • 2861. Физические основы работы лазерного принтера
    Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

    Основные характеристики фотопроводников перечислены ниже:

    1. Спектральная чувствительность - характеризует способность фотопроводника реагировать на излучение различных длин волн. Ни один фотопроводник не может одинаково реагировать на различные длины волн. Некоторые типы фоторецепторов слабо реагируют на голубой цвет, который вообще не воспроизводится на копии, некоторые слабо реагируют на желтый цвет. В идеале фотопроводник должен одинаково хорошо передавать все цвета, однако обычно этого не происходит.
    2. Фотоэлектрическая чувствительность (скорость формирования изображения) - это величина, характеризующая скорость уменьшения заряда на фоторецепторе при освещении его светом заданной интенсивности. Чем меньше остаточная величина заряда на фоторецепторе после его экспонирования, тем выше качество копии. Эта величина может зависеть от материала, срока эксплуатации и состояния проводника.
    3. Скорость темновой утечки - величина, характеризующая, как быстро фотопроводник теряет заряд в темноте. Это связано с тем, что полупроводник, из которого изготовлен фоторецептор, хотя и приобретает в темноте свойства диэлектрика, но все же не может хранить заряд так долго, как это могут делать диэлектрики.
    4. Усталость материала - это явление, возникающее при многократном и частом экспонировании фоторецептора. Усталость материала может возникать и при засветке солнечным светом (пользователь вытащил картридж и оставил его на солнце барабаном вверх). Усталость материала приводит к увеличению скорости темновой утечки заряда, а в некоторых случаях наоборот к сохранению заряда на поверхности после экспонирования.
    5. Устойчивость к внешним воздействиям - эта характеристика определяет способность фотопроводника сохранять свои свойства как можно дольше при механическом контакте с бумагой. Бумага, при правильном использовании аппарата, является наиболее важным фактором естественного износа фоторецептора. Поэтому шероховатая бумага, неправильно обрезанная и т.д. сокращает срок службы фоторецептора. Хотя сама бумага практически не контактирует с фоторецептором, однако жесткие волокна бумаги могут попадать под ракельный нож. Кроме того, срок его службы сокращают различные химические вещества, которые могут попасть на него с бумаги или с другого источника, а также механические повреждения.
    6. Кристаллизация - процесс преобразования атомов фотопроводника из аморфной структуры в упорядоченную, кристаллическую. При этом фотопроводник теряет свои свойства. Такой процесс нельзя остановить, но можно замедлить при правильном обращении с проводником.
    7. Начальный потенциал - это потенциал на поверхности фоторецептора, при котором накапливаемый заряд равен заряду, утекающему в подложку. Обычно фоторецептор заряжают до потенциала ниже начального, чтобы избежать его повреждения.
    8. Остаточный потенциал - потенциал, который остается на освещенных участках фоторецептора после экспонирования. При экспонировании фоторецептор быстро теряет заряд до определенной величины, затем скорость утекания заряда значительно снижается. Высокий остаточный потенциал способствует притягиванию частиц тонера на освещенные участки, что приводит к фону на копии.
  • 2862. Физические основы теории нетеплового действия электродинамических полей в материальных средах
    Информация пополнение в коллекции 22.01.2008

    Полученные соотношения баланса (7) и (8) описывают энергетику условий реализации обычной электрической или магнитной поляризации среды (первое слагаемое правой части соотношений) посредством переноса извне в данную точку потоком вектора или соответствующей энергии. Эти соотношения также устанавливают наличие эффектов динамической поляризации вещества (в частности, проводящих сред) за счет действия переменных во времени электрической или магнитной компонент поля ЭМ векторного потенциала. Сведения о таких динамических эффектах позволяют взглянуть по-новому на физическую сущность электродинамики процессов ЭПЭ [3, 4], понять механизм их резкой интенсификации при импульсном режиме действия ЭМ полей или электрического тока. Надо сказать, что явления динамической поляризации уже имеют прямое экспериментальное воплощение: это эффекты электродинамической индукции в металлах [7] и динамического намагничивания в ферритах и магнитоупорядоченных металлах [8].

  • 2863. Физические основы явления выстрела
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

    В первый подпериод ускорение увеличивается, следовательно, скорость пули будет резко возрастать. Графически это изменение скорости можно представить в виде участка 1-2 кривой II. Во второй подпериод ускорение почти не изменяется, поэтому движение пули будет близким к равноускоренному (участок 3-4 кривой II). В третий подпериод ускорение пули уменьшается, но остаётся положительным, следовательно, прирост скорости пули уменьшается (участок 5-6 кривой II). Во второй и третий периоды происходит дальнейшее уменьшение ускорения, что соответствует уменьшению прироста скорости (участок 7-8 кривой II).

  • 2864. Физические принципы спектрофотометрии. Устройство спектрофотометра
    Дипломная работа пополнение в коллекции 08.05.2011

    Для того чтобы собрать как можно больше квантов света, конструкция спектрометра должна предусмотреть как можно больший телесный угол сбора света от образца (до 2?). Площадь катода отдельного фотоумножителя, как правило, бывает неоднородной с точки зрения эффективности. Поэтому, если два луча двулучевого спектрофотометра падают на слегка различающиеся площадки одного и того же фотокатода, то, даже в случае оптимальной юстировки, коррекция нулевой линии оказывается недостаточной, и это выражается в существенном отклонении от идеальной горизонтальной линии. В практически всех спектрометрах такого типа применяется оптическая последовательная корректировка, которая занимает много времени. В соответствии с правилом Гаусса, касающимся ошибки распространения луча, ошибки лучей образца и сравнения аддитивно влияют на конечный результат. На рис.3 представлена конструкция типичного двулучевого спектрофотометра ("Kontron Instruments GmbH"). Если вновь ввести второй детектор согласно рис.2, д и компенсировать различие усиления обоими детекторами вторым световым источником переменного тока частотой fH, мы снимем ограничения в скорости сканирования. Образец, сравнение и детекторы размещаются очень близко друг к другу, что позволяет проводить измерения рассеивающих мутных образцов. Если требования к оптическим свойствам и разрешению по длине волны (порядка ?? = ±0,5 нм) не очень высоки, что обычно бывает в химической и биологической молекулярной спектроскопии, то идеальным представляется использование конструкции Сейя - Намиока на основе голографической вогнутой решетки рис.4. Доступно быстрое спектральное сканирование мутных и сильно рассеивающих (in vivo) образцов, компактный дизайн, низкий уровень рассеянного света, большой динамический диапазон измерения и, что наиболее важно, встроенный компьютер, производящий все типы спектральных измерений. Такие спектрометры отличаются небольшими размерами, низкой стоимостью и высокой надежностью. Для каждого исследуемого образца не требуется последующее сканирование сравнительного образца. Сравнительный спектр, снятый раз и навсегда, сохраняется в виде коррекционной кривой в памяти компьютера, и спектр исследуемого образца автоматически корректируется в процессе сканирования без вмешательства человека.

  • 2865. Физические принципы, заложенные в основу измерения концентрации вещества кондуктометрическим методом
    Дипломная работа пополнение в коллекции 22.01.2012

    Кондуктометрия объединяет методы, в которых измеряют электропроводность <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C> электролитов <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82>. Кондуктометрический анализ <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%B8%D0%B7> основан на изменении концентрации вещества или химического состава <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B2> среды в межэлектродном пространстве; он не связан с потенциалом электрода, который обычно близок к равновесному значению. Кондуктометрия включает прямые методы анализа (используемые, например, в солемерах) и косвенные (например, в газовом анализе) с применением постоянного или переменного тока (низкой и высокой частоты), а также хронокондуктометрию, низкочастотное и высокочастотное титрование.

  • 2866. Физические процессы в магнитных материалах
    Информация пополнение в коллекции 06.09.2010

    При наличии спонтанной намагниченности, результирующий магнитный момент предварительно ненамагниченного ферромагнетика равен нулю. Это объясняется тем, что весь объем ферромагнетиков самопроизвольно разбивается на локальные области - домены. В пределах домена спины ориентированы параллельно друг другу. Домен находится в состоянии магнитного насыщения. Направление магнитных доменов внутри образца равновероятно. Характер разбиения образца на домены определяется из условия минимума свободной энергии системы. Внутри образца образуются замкнутые магнитные цепочки и его результирующий магнитный момент будет равен нулю. Линейные размеры домена 10-2 - 10-3мм. Переходной слой, разделяющий два домена называют "стенкой Блоха". В пределах такого слоя происходит постепенное изменение ориентации спинов. Толщина "стенок Блоха" может достигать несколько сот межатомных расстояний(например, в железе около 100 нм).

  • 2867. Физические процессы в проводниках и их свойства
    Информация пополнение в коллекции 25.08.2010

    В области I, составляющей несколько Кельвинов, у ряда металлов может наступить состояние сверхпроводимости ( = 0, при T = Tсв). У теоретически чистых металлов стремится к нулю (пунктирная кривая). У технически чистых металлов, не обладающих сверхпроводимостью величина удельного сопротивления определяется рассеянием носителей заряда на примесях и = прим. Чем чище металл, тем меньше область I как по абсциссе так и по ординате. В пределах области II наблюдается быстрый рост удельного сопротивления Tn, где n постепенно убывает с ростом температуры от 5 до 1 при Т = ТD. Это связано с увеличением числа частот тепловых колебаний (фоно-нов) кристаллической решетки, которое заканчивается при характеристической температуре Дебае ТD. Для большинства металлов ТD изменяется в пределах 10 450 К. В области III наблюдается практически линейный участок роста удельного сопротивления, за счет линейного увеличения амплитуд колебания узлов кристаллической решетки. Вблизи температуры плавления Тпл (область IV) может наблюдаться отклонение зависимости (T) от линейной. При переходе из твердого состояния в жидкое у большинства металлов происходит увеличение объема и скачкообразно возрастает; у металлов с противоположным изменением объема (Ga, Bi) происходит понижение .

  • 2868. Физические процессы в радиоэлектронных средствах
    Дипломная работа пополнение в коллекции 15.12.2011

    Определены параметры конструкции пакета РЭС и геометрические размеры однородного анизотропного тела. После чего была выделена элементарная тепловая ячейка и разбита на простейшие однородные тела, для которых были составлены тепловые схемы, отражающие процесс теплообмена в элементарной ячейке по направлениям осей координат. Рассчитаны тепловые проводимости для каждого направления пространства x,y,z и по полученным значениям найдены тепловые проводимости для элементарной ячейки с помощью эквивалентного преобразования тепловых схем: , , . Затем были рассчитаны тепловые проводимости нагретой зоны для направлений x,y,z: и найдены эквивалентные коэффициенты теплопроводности однородного анизотропного тела:

  • 2869. Физические процессы и технологии получения материалов
    Информация пополнение в коллекции 22.08.2007

    Для проведения пенной флотации. производят измельчение руды до крупности 0,51,0 мм в случае природногидрофобных неметаллических полезных ископаемых с небольшой плотностью (сера, уголь, тальк) и до 0,10,2 мм для руд металлов. Для создания и усиления разницы в гидратированности разделяемых минералов и придания пене достаточной устойчивости к пульпе добавляются флотационные реагенты. Затем пульпа поступает во флотационные машины. Образование флотационных агрегатов (частиц и пузырьков воздуха) происходит при столкновении минералов с пузырьками воздуха, вводимого в пульпу, а также при возникновении на частицах пузырьков газов, выделяющихся из раствора. На флотацию влияют ионный состав жидкой фазы пульпы, растворённые в ней газы (особенно кислород), температура, плотность пульпы. На основе изучения минералого-петрографического состава обогащаемого полезного ископаемого выбирают схему флотации, реагентный режим и степень измельчения, которые обеспечивают достаточно полное разделение минералов. Лучше всего флотацией разделяются зёрна размером 0,10,04 мм. Более мелкие частицы разделяются хуже, а частицы мельче 5 мк ухудшают флотацию более крупных частиц. Отрицательное действие частиц микронных размеров уменьшается специфическими реагентами. Крупные (13 мм) частицы при флотации отрываются от пузырьков и не флотируются. Поэтому для флотации крупных частиц (0,55 мм) были разработаны способы пенной сепарации, при которых пульпа подаётся на слой пены, удерживающей только гидрофобизированные частицы. С той же целью созданы флотационные машины кипящего слоя с восходящими потоками аэрированной жидкости. Это гораздо более производительные процессы, чем масляная и плёночная флотация.

  • 2870. Физические свойства жидкостей (вариант 17)
    Реферат пополнение в коллекции 27.05.2010
  • 2871. Физические свойства молока
    Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

    Поверхностное натяжение молока (сила, действующая на единицу длины границы раздела фаз молоковоздух) ниже поверхностного натяжения воды (72,7 10-3 Н/м) и при 20°С равно около 44 10-3 Н/м. Более низкое по сравнению с водой значение поверхностного натяжения объясняется наличием в молоке поверхностно-активных веществ (ПАВ) фосфолипидов, белков, жирных кислот и т.д. Поверхностное натяжение молока зависит от его температуры, химического состава, состояния белков, жира, активности липазы, продолжительности хранения, режимов технологической обработки и т.д. Так, поверхностное натяжение снижается при нагревании молока и особенно сильно при его липолизе, так как в результате гидролиза жира образуются ПАВ жирные кислоты, ди- и моноацилглицерины, понижающие величину поверхностной энергии.

  • 2872. Физические свойства плёнок Cu для тонкопленочных фотопреобразователей
    Информация пополнение в коллекции 02.07.2010

    Среди современных методов выявления тонкой структуры кристаллов, таких как оптические, электронные, рентгеновские варианты микроскопии, спектроскопии и томографии, рассматриваемый здесь металлографический метод выделяется высокой чувствительностью, широкой распространенностью и кажущейся простотой реализации [3, 4]. Сущность этого метода заключается в формировании дефектно-контрастного рельефа поверхности кристалла в результате растворения в специальных селективных (дефектно-контрастных) травителях с последующим микроскопическим анализом особенностей рельефа травленой поверхности. Дефектно-контрастный рельеф представляет собой совокупность следов в виде холмиков и ямок от микродефектов, бывших в стравленном слое или на его внешней поверхности. Детали процесса дефектно-контрастного растворения изучены недостаточно и не находят адекватного объяснения в современных теориях растворения кристаллов. В частности, нет полного понимания природы «эффекта памяти» травления сохранения оптического контраста индивидуального следа микродефекта при большой толщине стравленного слоя, а также «эффекта увеличения» увеличения размера следа (до десятков микрон) от дефекта малого размера (единицы и десятки нанометров). Эти особенности процесса растворения определяют чувствительность и избирательность рассматриваемого метода в целом. Основные объекты исследования отдельные следы МД и дефектовыявляющие растворы. Определялась зависимость формы и геометрических параметров МД (высота, диаметр) от состава травителя (тип и концентрация окислителя), от времени травления (толщина стравленного слоя), а также от предполагаемого сорта дефекта-инициатора. Изучались бездислокационные монокристаллы кремния типа БКДБ, выращенные методом Чохральского в различных условиях, с различной концентрацией легирующей примеси, подвергнутые различной термообработке после выращивания. Одна из особенностей эксперимента реализация поэтапного растворения и изучения образцов. Детали дефектно-контрастного рельефа изучали с помощью микроинтерферометра МИИ-4 и металлографического микроскопа ММР-2Р, дооснащённых системой цифровой регистрации изображений. Условия эксперимента и предварительные результаты исследования содержатся в работе [5].

  • 2873. Физический расчет ядерного реактора
    Курсовой проект пополнение в коллекции 28.05.2012

    Число вторичных нейтроновеления на один акт деления - 1.8777Радиус ТВЭЛКоэффициент размножения на быстрых нейтронахВероятность избежать резонансного захватаКоэффициент использов. тепловых нейтронов внутри фикт. блокаКоэффициент использов. тепловых нейтронов ячейки с фикт.блокомКоэффициент использов. тепловых нейтроновКоэффициент размножения бесконечной средыКоэффициент экранировки блока горючегоСуммарная площадь топлива в ТВСПлощадь т/носителя в каналеПлощадь констр. материалов в каналеШаг решет. 200.61.00570.86880.95410.97460.92991.52541.03677.916869.81150.81150.71.00770.84180.96060.98020.94161.49971.065610.775766.82070.94340.81.01010.81370.96540.98390.94981.46591.108314.074363.39011.07540.91.01280.78480.96920.98630.95591.42661.167617.812859.51961.207311.01580.75520.97220.98790.96051.38341.245921.991155.20941.33931.11.01910.72490.97470.98910.96411.33731.345126.609350.45931.47121.21.02270.69430.97680.98990.96691.28921.465931.667245.26941.60321.31.02670.66350.97860.99040.96921.23961.608537.16539.63961.73511.41.03090.63250.98010.99080.97111.1891.772143.102633.57011.867Шаг решет. 220.61.00570.89440.95410.96610.92181.55691.03677.916869.81150.81150.71.00770.87230.96060.97310.93481.54291.065610.775766.82070.94340.81.01010.84920.96540.97770.94391.52021.108314.074363.39011.07540.91.01280.82520.96920.98070.95051.49151.167617.812859.51961.207311.01580.80040.97220.98270.95541.45851.245921.991155.20941.33931.11.01910.77490.97470.98410.95931.42241.345126.609350.45931.47121.21.02270.74880.97680.98510.96231.38381.465931.667245.26941.60321.31.02670.72230.97860.98580.96471.34331.608537.16539.63961.73511.41.03090.69550.98010.98630.96671.30141.772143.102633.57011.867Шаг решет. 240.61.00570.91310.95410.95660.91271.57371.03677.916869.81150.81150.71.00770.89470.96060.96510.9271.56931.065610.775766.82070.94340.81.01010.87530.96540.97060.9371.55551.108314.074363.39011.07540.91.01280.85510.96920.97420.94421.53531.167617.812859.51961.207311.01580.8340.97220.97670.94961.51051.245921.991155.20941.33931.11.01910.81230.97470.97840.95371.48241.345126.609350.45931.47121.21.02270.790.97680.97960.95691.45161.465931.667245.26941.60321.31.02670.76710.97860.98040.95941.41881.608537.16539.63961.73511.41.03090.74380.98010.98110.96151.38441.772143.102633.57011.867Шаг решет. 260.61.00570.92710.95410.94610.90271.58041.03677.916869.81150.81150.71.00770.91150.96060.95610.91841.5841.065610.775766.82070.94340.81.01010.8950.96540.96260.92931.57751.108314.074363.39011.07540.91.01280.87780.96920.96690.93711.56421.167617.812859.51961.207311.01580.85980.97220.96980.94291.54621.245921.991155.20941.33931.11.01910.84110.97470.97190.94731.52461.345126.609350.45931.47121.21.02270.82180.97680.97330.95071.50031.465931.667245.26941.60321.31.02670.80190.97860.97430.95341.47381.608537.16539.63961.73511.41.03090.78160.98010.9750.95561.44571.772143.102633.57011.867Шаг решет. 280.61.00570.93790.95410.93470.89181.57951.03677.916869.81150.81150.71.00770.92450.96060.94630.9091.59011.065610.775766.82070.94340.81.01010.91030.96540.95380.92081.58981.108314.074363.39011.07540.91.01280.89550.96920.95880.92921.58231.167617.812859.51961.207311.01580.87990.97220.96220.93541.56981.245921.991155.20941.33931.11.01910.86370.97470.96450.94011.55371.345126.609350.45931.47121.21.02270.84690.97680.96620.94381.53471.465931.667245.26941.60321.31.02670.82950.97860.96730.94661.51361.608537.16539.63961.73511.41.03090.81160.98010.96820.94891.49081.772143.102633.57011.867Шаг решет. 300.61.00570.94640.95410.92240.88011.57291.03677.916869.81150.81150.71.00770.93480.96060.93560.89871.58961.065610.775766.82070.94340.81.01010.92250.96540.94410.91141.59471.108314.074363.39011.07540.91.01280.90950.96920.94980.92051.59211.167617.812859.51961.207311.01580.89590.97220.95370.92721.58441.245921.991155.20941.33931.11.01910.88170.97470.95640.93221.57281.345126.609350.45931.47121.21.02270.8670.97680.95830.9361.55831.465931.667245.26941.60321.31.02670.85170.97860.95960.9391.54171.608537.16539.63961.73511.41.03090.83590.98010.96060.94141.52331.772143.102633.57011.867Шаг решет. 320.61.00570.95330.95410.90930.86761.56181.03677.916869.81150.81150.71.00770.94310.96060.9240.88761.58391.065610.775766.82070.94340.81.01010.93230.96540.93360.90131.59371.108314.074363.39011.07540.91.01280.92090.96920.940.91111.59551.167617.812859.51961.207311.01580.90890.97220.94440.91821.59181.245921.991155.20941.33931.11.01910.89640.97470.94750.92351.58411.345126.609350.45931.47121.21.02270.88330.97680.94960.92761.57341.465931.667245.26941.60321.31.02670.86980.97860.95110.93071.56061.608537.16539.63961.73511.41.03090.85580.98010.95220.93321.5461.772143.102633.57011.867Шаг решет. 340.61.00570.95890.95410.89540.85441.5471.03677.916869.81150.81150.71.00770.94990.96060.91170.87581.57411.065610.775766.82070.94340.81.01010.94040.96540.92240.89051.58811.108314.074363.39011.07540.91.01280.93030.96920.92950.90091.59371.167617.812859.51961.207311.01580.91960.97220.93440.90851.59341.245921.991155.20941.33931.11.01910.90850.97470.93780.91411.58911.345126.609350.45931.47121.21.02270.89690.97680.94020.91841.58171.465931.667245.26941.60321.31.02670.88480.97860.94190.92171.57211.608537.16539.63961.73511.41.03090.87230.98010.94310.92431.56071.772143.102633.57011.867Шаг решет. 360.61.00570.96350.95410.88080.84041.52911.03677.916869.81150.81150.71.00770.95550.96060.89870.86331.56081.065610.775766.82070.94340.81.01010.9470.96540.91040.87891.57871.108314.074363.39011.07540.91.01280.9380.96920.91830.891.58761.167617.812859.51961.207311.01580.92850.97220.92370.8981.59041.245921.991155.20941.33931.11.01910.91860.97470.92740.9041.58891.345126.609350.45931.47121.21.02270.90820.97680.93010.90851.58441.465931.667245.26941.60321.31.02670.89730.97860.93190.9121.57751.608537.16539.63961.73511.41.03090.88610.98010.93330.91471.56891.772143.102633.57011.867

  • 2874. Физическое моделирование
    Информация пополнение в коллекции 27.11.2010

    На всех этих уровнях, однако, приходится считаться с тем, что моделирование данного оригинала может ни на каком своём этапе не дать полного знания о нём. Эта черта моделирования особенно существенна в том случае, когда его предметом являются сложные системы, поведение которых зависит от значительного числа взаимосвязанных факторов различной природы. В ходе познания такие системы отображаются в различных моделях, более или менее оправданных; при этом одни из моделей могут быть родственными друг другу, другие же могут оказаться глубоко различными. Поэтому возникает проблема сравнения (оценки адекватности) разных моделей одного и того же явления, что требует формулировки точно определяемых критериев сравнения. Если такие критерии основываются на экспериментальных данных, то возникает дополнительная трудность, связанная с тем, что хорошее совпадение заключений, которые следуют из модели, с данными наблюдения и эксперимента ещё не служит однозначным подтверждением верности модели, так как возможно построение других моделей данного явления, которые также будут подтверждаться эмпирическими фактами. Отсюда естественность ситуации, когда создаются взаимодополняющие или даже противоречащие друг другу модели явления. Эти противоречия могут «сниматься» в ходе развития науки (и затем появляться при моделировании на более глубоком уровне). Например, на определенном этапе развития теоретической физики при моделировании физических процессов на «классическом» уровне использовались модели, подразумевающие несовместимость корпускулярных и волновых представлений; эта «несовместимость» была «снята» созданием квантовой механики, в основе которой лежит тезис о корпускулярно-волновом дуализме, заложенном в самой природе материи.

  • 2875. Физическое описание явления фильтрации жидкости
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

    Окружим точку пористой среды некоторой малой окрестностью; поле скоростей фильтрации в этой окрестности можно считать непрерывным, а все параметры пористой среды и насыщающей ее жидкости - постоянным. Нельзя пренебречь лишь изменением давления, как бы мало оно не было, поскольку при постоянном по пространству давлении движение полностью отсутствует (по существу это утверждение является основной гипотезой). Поскольку изменение давления в окрестности данной точки определяется градиентом давления, основное предположение при установлении вида закона фильтрации состоит в том, что вектор скорости фильтрации в данной точке пористой среды определяется свойствами жидкости и пористой среды и градиентом давления grad p. Пористая среда характеризуется геометрическими параметрами - характерным размером d и некоторыми безразмерными характеристиками: пористостью m, безразмерными параметрами кривой распределения и др. Закон фильтрации должен являться следствием уравнений количества движения жидкости в поровом пространстве, поэтому в систему определяющих величин следует включить также те характеристики жидкости, которые входят в эти уравнения, т.е. плотность p и вязкость. Таким образом, предполагается, что существует зависимость градиента давления grad p от вектора скорости фильтрации u, геометрических характеристик пористой среды m, d и т.д. и характеристик жидкости и . Среди величин, от которых зависит grad p, только скорость фильтрации u является вектором. В силу изотропии среды (т.е. независимости ее свойств от вращений и отражений системы отсчета) зависимость grad p от u должна быть инвариантной относительно вращения вокруг направления вектора u.

  • 2876. Философские подходы в прикладной физике лазеров
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

    В период греко-римской цивилизации (ориентировочно начиная с 6 в. до н. э. и кончая 2 в. н. э.) лазер был широко известен и весьма прославлялся. В отличие от современного лазера это было в действительности растение, обладавшее, впрочем, не менее замечательными свойствами. Это растение (относившееся, возможно, к зонтичным) в диком виде встречалось на большой территории около г. Кирены (в настоящее время принадлежит Ливии). Иногда это растение именовали также Laserpitium и за почти чудодейственные свойства считали божьим даром. Оно применялось для лечения множества болезней - от простуды до различных эпидемических заболеваний. Его использовали как противоядие против укуса змей, скорпионов или при попадании в тело отравленной стрелы. Благодаря своим прекрасным вкусовым качествам это растение употребляли в качестве изысканной приправы в самой лучшей кухне. Оно представляло столь большую ценность, считалось основным источником процветания Кирены; его вывозили как в Грецию, так и в Рим. В период римского господства это была единственная дань, которую жители Кирены платили римлянам, хранившим лазер в свих сундуках вместе с золотыми слитками. Возможно, лучшим свидетельством существования лазера (растения) является его изображение на известной чаше Арцесилао (эта чаша хранится теперь в музее г. Кирены, Ливия), на которой можно видеть, как носильщики грузят на корабль под наблюдением короля Арцесилао. И греки, и римляне пытались выращивать лазер в различных частях Апулии и Ионии (на юге Италии), но это им не удалось сделать. Впоследствии лазер встречался все реже и реже и, по-видимому, около 2 в. н. э. Исчез навсегда. С тех пор, несмотря на то что предпринимались большие усилия найти лазер в пустынях к югу от Кирены, он так и не был обнаружен и, таким образом, останется утраченным сокровищем греко-римской цивилизации.

  • 2877. Фильтрация газов(баротермический эффект)
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

     

    1. Ландау Л. Д., Лившиц Е. М. Статистическая физика// М.,1964.
    2. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел// М: Наука. 1964. 487с.
    3. Варгафтик Н. Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей// М., Наука. 1972.
    4. Филиппов А. И., Фридман А. А., Девяткин Е. М. Баротермический эффект при фильтрации газированной жидкости: Монография. - Стерлитамак: Стерлитамак. гос. пед. ин-т; Стерлитамакский филиал Академии наук Республики Башкортостан, 2000. 175с.
    5. Филиппов А. И. Скважинная термометрия переходных процессов. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. 116с.
    6. Очан Ю. С. Методы математической физики// М: Высшая школа. 1965. 383с.
    7. Яворский Б. М., Детлаф А. А. Справочник по физике. М.: Наука, 1971. 940с.
    8. Морачевский А. Г., Сладков И. Б. Физико химические свойства молекулярных неорганических соединений. С. Пб.: Химия, 1996. 312с.
    9. Баскаков А. П., Гуревич М. И., Решетин Н. И. и др. Общая теплотехника. М.-Л.: Государственное энергетическое издательство, 1963. 392с.
  • 2878. Фізико-технологічні основи металізації інтегральних схем
    Курсовой проект пополнение в коллекции 15.05.2010

     

    1. Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем". М.: Радио и связь, 1991.
    2. В.А. Хрусталев. Нанесение тонких пленок в вакууме методами термического испарения и ионно-плазменного распыления. / Машиностроение. Энциклопедия / Ред. совет: К.В. Фролов и др. М.: Машиностроение. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. Т. III-8 / Ю.В. Панфилов, Л.К. Ковалев, В.Г. Блохин и др.; Под общ. ред. Ю.В. Панфилова. 2000, с.208-213.
    3. Технология вакуумной металлизации полимерных материалов. / Ю.В. Липин, А.В. Рогачев, С.С. Сидорский, В.В. Харитонов. Гомель: Гомельское отдел. Белорус. инж. технологич. академии, 1994. 206 с.
    4. Козлов В.М. Новое оборудование и технологические процессы для нанесения покрытий в вакууме // Труды постоянно действующего научно-технического семинара "Электровакуумная техника и технология" (за 1997/98 гг.) Под ред. А.В. Горина М.: 1999.
    5. Одиноков В.В. Современное вакуумное оборудование для нанесения пленок магнетронным распылением в микроэлектронике // Труды постоянно действующего научно-технического семинара "Электровакуумная техника и технология" (за 1997/98 гг.) Под ред. А.В. Горина М.: 1999.
    6. Ядин Э.В., Аусвальд Э.Я. Вакуумные установки для металлизации рулонных материалов. / Металлизация в вакууме, Рига: "АВОТС", 1983, с. 89-101.
  • 2879. Фізико-технологічні основи одержання оптичних волокон, для волоконно-оптичних ліній зв'язку
    Курсовой проект пополнение в коллекции 05.05.2010

    При досить малому діаметрі волокна і відповідній довжині хвилі через світлопровід поширюватиметься єдиний промінь. Взагалі сам факт підбору діаметру сердечника під одномодовий режим поширення сигналу говорить про частковість кожного окремого варіанту конструкції світлопровода. Тобто під одномодовістю слід розуміти характеристики волокна відносно конкретної частоти використовуваної хвилі. Поширення лише одного променя дозволяє позбавитися від міжмодової дисперсії, у зв'язку з чим одномодові світлопроводи на порядки производительнее. На даний момент застосовується сердечник із зовнішнім діаметром близько 8 мкм. Як і у випадку з багатомодовими світлопроводами, використовується і ступінчаста, і градієнтна щільність розподілу матеріалу. Другий варіант продуктивніший. Одномодова технологія тонша, дорожча і застосовується в даний час в телекомунікаціях. Оптичне волокно використовується у волоконно-оптичних лініях зв'язки, які перевершують електронні засоби зв'язку тим, що дозволяють без втрат з високою швидкістю транслювати цифрові дані на величезні відстані. Оптоволоконні лінії можуть як утворювати нову мережу, так і служити для об'єднання вже існуючих мереж ділянок магістралей оптичних волокон, об'єднаних фізично на рівні світлопровода, або логічно на рівні протоколів передачі даних. Швидкість передачі даних по ВОЛС може вимірюватися сотнями гигабит в секунду. Вже зараз доопрацьовується стандарт, що дозволяє передавати дані із швидкістю 100 Гбіт/с, а стандарт 10 Гбіт Ethernet використовується в сучасних телекомунікаційних структурах вже декілька років.

  • 2880. Фізико-технологічні основи процесів пайки
    Курсовой проект пополнение в коллекции 17.05.2010

    При паянні компонентів зі стержневими виводами (дискретних ЕРЕ, ІС в пластмасових корпусах зі стержневими виводами) для контактування використовується тільки та сторона друкованої плати, де проводиться паяння. Дротові виводи, що виступають над платою до 3 мм міцно зєднуються тільки методом групового паяння. Таким методом є паяння зануренням, при якому металеві поверхні зі сторони паяння під час занурення в паяльну ванну покриваються припоєм. Інколи металеві поверхні на платі захищають від змочування припоєм, залишаючи вільними контактуючі поверхні зі стержнями, щоб запобігти утворенню перемичок та зекономити припой. Це селективне паяння досягається за допомогою паяльних масок, які утворюють шляхом покриття провідників захисним паяльним лаком. Паяльна маска залишає чистими тільки ті місця, які повинні бути покриті припоєм. Для інших металевих провідників захисний паяльний лак є не тільки відштовхувальною припой речовиною, але на основі свого складу (модифікована епоксидна смола) засобом корозійного захисту. Методи паяння повинні задовольняти вимоги поточного виробництва і гарантувати надійність зпаюваних зєднань (щоб менше 1% зпаюваних зєднань підлягали наступному допаюванню). Якщо паяння зануренням не можливе (обумовлена комбінація речовин, невелика партія, особлива форма компонентів), то доводиться застосовувати інші методи, наприклад, інфрачервоне паяння. Ручне паяння паяльником застосовується тільки під час ремонтних робіт для паяння стержневих виводів ЕРЕ. Для цього існують удосконалені багаточисленні паяльники і допоміжні засоби, які дозволяють виділяти певну кількість тепла, вносити дозовану кількість припою і відсмоктувати зайву його кількість від місця паяння.