Физика

2881. Фізико–технологічні основи фотолітографії
Курсовой проект пополнение в коллекции 17.04.2010

Цей прийом використовується, як правило, у двох випадках: для травлення окисла і фосфоросилікатного скла на тих операціях фотолітографії, коли особливо небезпечні проколи, і для травлення в складах, впливу яких резист не витримує.На підкладку наносять шар металу, який володіє до неї гарною адгезією і який не протравлюється в складі, що використовується для травлення підкладки. Далі проводять фотолітографію і витравлюють вікна в металевому підшарі одним травником, а вікна в підкладці іншим. При фотолітографії по окислу і силікатним стеклам найчастіше в якості підшару використовують молібден, який протравлюють у суміші ортофосфорних, оцтових, азотної кислот і води (75:15:3:5) при температурі 18°С. Окисел і скло цей склад не протравлює. Проколи в шаблоні й у шарі фоторезисту, природно, передаються шарові молібдену і далі окислові. Однак, як показує практика, розміри проколів у окислі при використанні підшару виходять набагато меншими, ніж при травленні без підшару. Очевидно, це пояснюється тим, що бічне травлення окисла (у місці дефекту) при маскуванні одним резистом виражене сильніше, ніж при додатковому маскуванні металом, що добре адгезує з поверхнею окисла. Іноді нанесення підшару сполучають з "подвійною" фотолітографією, тобто після протравлювання вікон у молібдені знову наносять резист, проводять суміщення з дублікатом, що має інший розподіл дефектів, експонують, проявляють, сушать і протравлюють окисел у вікнах.У тих випадках, коли резист не витримує впливу травника, як підшар використовують хімічно пасивний метал, такий, як золото. Застосовуючи підшар золота, травлять, наприклад, титан .[5,6]
2882. Фізичні методи дослідження полімерів, їх електричні випробування
Курсовой проект пополнение в коллекции 18.12.2010

Деформаційна калориметрія полімерів одержала розвиток в останні 15 років. Робота розробленого Мюллером милликалориметра заснована на принципі газового термометра. В одному з двох металевих циліндрів, з'єднаних між собою диференціальним капілярним манометром, розташований зразок полімеру, а в іншому порівняльний нагрівач. Циліндри герметичні й заповнені повітрям або іншим газом (наприклад, воднем). При механічних впливах на зразок, що задаються автоматичною системою деформації, змінюється температура зразка й навколишнього його газу. Останнє спричиняє зміну тиску газу, що реєструється диференціальним манометром. Спеціальна система, що стежить, прагне вирівняти тиски в циліндрах шляхом подачі струму в нагрівач порівняльного циліндра. По величині цього струму розраховується тепловий ефект. Для реєстрації ендотермічних ефектів калориметр попередньо нагрівають із постійною швидкістю. При поглинанні тепла зразком вихідний стан змінюється, і тепловий ефект, необхідний для збереження рівномірного нагрівання, реєструється. Чутливість цього милли калориметра становить приблизно 4108 кДж/с при калібруваннях постійної теплової потужністі, а мінімальний тепловий імпульс, який вдається зафіксувати, рівний 210 кДж. Точність визначення теплових ефектів, рівних () 105 кДж, становить ±5%. Для менших теплових ефектів вона досягає ±10%.
2883. Фізичні рохрахунки
Контрольная работа пополнение в коллекции 13.01.2011

Підйомний кран потрібно перемістити у найкоротший термін на відстань L. Кран можна розганяти або уповільнювати його рух лише з однаковим сталим прискоренням а, підтримуючи потім рівномірний рух або стан спокою. Половину відстані кран рухається рівномірно. Якої максимальної швидкості може набути підйомний кран, щоб виконати таку вимогу?
2884. Флуктуации. Бифуркации
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Такой режим, судя по всему, наиболее соответствует сну без сновидений, который индусы считали величайшей тайной. “Когда человек, уснув, не видит никакого сновидения, то он достигает единства в этом дыхании. В него входит речь со всеми именами, входит глаз со всеми образами, входит ухо со всеми звуками, входит разум со всеми мыслями. Когда он пробуждается, то подобно тому, как из пылающего огня разлетаются во все стороны искры, так из этого Атмана разлетаются по своим местам жизненные силы, из жизненных сил боги, из богов миры” так изображается это состояние в Каушитаки Упанишаде 12 . Максимальной выраженности жизненных сил в состоянии бодрствования должна соответствовать на другом полюсе стадия наиболее глубокого сна, когда все силы не проявлены, собраны в одно нерасчлененное и покоящееся целое. Пребывая в этом состоянии, человек, возможно, входит в контакт с вселенским целым, начинает регулироваться универсальными связями. Происходит некая гармонизация, сверка наличных процессов с целью, с будущим порядком.
2885. Фононы
Дипломная работа пополнение в коллекции 15.08.2011

Волновая функция колебательного состояния решетки имеет вид произведения независимых волновых функций отдельных осцилляторов. Если бы частицы были «различимыми», этого было бы достаточно для описания системы. Однако в квантовой статистике мы имеем дело с системами, состоящими из «неразличимых» элементарных объектов. Поэтому при любой перестановке объектов из той же самой системы модуль волновой функции не должен изменяться; сама же волновая функция может изменяться. Все частицы в квантовой статистике делятся на две группы. Частицы, относящиеся к первой группе, называются бозонами (сюда же относятся и фононы), частицы, относящиеся ко второй группе, называются фермионами. Состояние ансамбля одинаковых бозонов, таким образом, правильно описывается нормированной линейной комбинацией всех возможных перестановок их равновесных состояний, соответствующих данным условиям. Такое рассмотрение не создает каких-либо проблем. Оно означает всего лишь, что мы не можем указать точно, какие именно бозоны связаны с данным состоянием; существует только некоторое распределение вероятности, согласно которому, скажем, n любых бозонов могут находиться в указанном частном состоянии. С принципиальной точки зрения это говорит о том, что при проведении расчетов в квантовой статистике необходимо принимать во внимание, можем ли мы или не можем различать объекты системы.
2886. Формирование основных понятий вращательного движения в средней школе
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

При изучении движения по окружности нуждаются в конкретизации понятия «число оборотов в единицу времени», «линейная скорость» и особенно «центростремительное ускорение», которые для учащихся весьма абстрактны. Не ограничиваясь формальным определением, полезно показать устройства с известными числами оборотов (лучше для начала с небольшими), например: электродвигатель, центробежную машину с червячной передачей (число оборотов которой определяется демонстрационным тахометром), электробытовые приборы, в первую очередь наиболее доступный из них настольный вентилятор (число оборотов вентилятора берем из таблицы). После этого можно привести аналогичные данные о машинах и приборах, применяемых в технике (например, скорость вращения пропеллера самолета и вертолета). Для ребят интересно будет узнать, что винт вертолета вращается сравнительно медленно: всего в три раза быстрее, чем диск электропроигрывателя при максимальной скорости. Электропроигрывателем, центробежной машиной и настольным вентилятором можно воспользоваться и для подсчёта линейных скоростей и центростремительных ускорений конкретных точек. Например, при наращении диска со скоростью 33 об/мин центростремительное ускорение его наиболее удаленных точек составляет около 1 м/с2, что может служить своеобразным эталоном этой величины. Точка лопасти настольного вентилятора, отстоящая от оси вращения на 10 см, Движется со скоростью 12 м/с и с центростремительным ускорением 440 м/с2.
2887. Формирование умений учащихся решать физические задачи: эвристический подход
Курсовой проект пополнение в коллекции 18.10.2006
Количество теплоты, которое выделится при охлаждении детали до tу можно вычислить по формуле Q3= ссmс(t2 tу). Составим уравнение теплового баланса в виде Qполученное= Qотданное , т.е. Q1+ Q2= Q3. Получаем см mм(tу - t1) + свmв(tу - t1) = ссmс(t2 tу). Откуда выражаем tу. После подстановки числовых данных получаем tу=230C.
1. Методы создания образовательных программ учениками (необходимо смысловое видение предмета, установление главных целей и направлений деятельности, отбор изучаемых вопросов и тем).
2. Методы нормотворчества: разработка норм индивидуальной и коллективной деятельности. Рефлексия деятельности установление субъектов деятельности и их функций задание организационных и тематических рамок формулирование правил и законов.
3. Методы самоорганизации обучения (работа с учебниками, приборами, решение задач, изготовление моделей, творческие исследования, разработка своих образовательных программ).
4. Методы взаимообучения.
5. Метод рецензий (т.е. метод, основанный на основе специальных опорных схем, например, при просмотре видеофильма).
6. Методы контроля эвристической деятельности (обычно результат оценивается по степени его приближения к заданному образцу).
7. Методы рефлексии: осознание учащимся своей учебной деятельности - текущей и итоговой; цель рефлексивной деятельности выявить методологический каркас осуществления предметной деятельности и на его основе продолжение её. Итоговая рефлексия связана с оценкой: «Что нового за это время узнано?». «В чем я изменился?» «Чего достиг?». Самая большая трудность: «Как преодолел?» «Что раньше не получалось, а сейчас получилось?» «Каковы изменения в моих знаниях по разным предметам?» «Что научился делать?» «Какие новые способы и виды деятельности я усвоил?» «Каковы этапы моего образования в этот период?».
8. Методы самооценки вытекают из итоговой рефлексии и завершают оргдеятельностный образовательный цикл. Качественная и количественная оценка учащегося образовательный продукт, сопоставляемый с культурно-историческими аналогами. [2, 3, 6, 12]
2888. Формулы по физике
Информация пополнение в коллекции 04.09.2010
2889. Фотогальванометрический веберметр
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

ного магнита. Если соеденить эту катушку с рамкой веберметра и изменить поток, сцепляющийся с витками катушки (путем поворота катушки или магнита), то рамка веберметра отклонится; регулируя положение катушки или магнита, устанавливают указатель прибора в нужное положение.
2890. Фотоелектричний ефект
Методическое пособие пополнение в коллекции 20.11.2010

Вентильний фотоефект це явище виникнення електрорушійної сили при освітленні контакту двох напівпровідників різного типу провідності або контакту напівпровідника з металом. На межі напівпровідників п- і р-типу виникає запірний шар. При освітленні напівпровідника га-типу, коли енергія фотонів достатня для переходу електроном запірного шару з напівпровідника «-типу у напівпровідник р-типу (рис. 9.5), відбувається накопичення електронів на зовнішній поверхні напівпровідника р-типу. Внаслідок цього між зовнішніми поверхнями напівпровідників п- і р-типу виникає електрорушійна сила. Особливістю вентильного фотоефекту є безпосереднє перетворення світлової енергії в електричну. Коефіцієнт корисної дії сучасних кремнієвих фотоелементів близько 15 %.
2891. Фотометрія
Контрольная работа пополнение в коллекции 14.12.2010

При проходженні випромінювання через атмосферу відбувається його селективне поглинання в основному парами води і вуглекислим газом, що обмежують вікна пропущення атмосфери, а також розсіяння частками, що знаходяться в атмосфері. Спектральні коефіцієнти пропущення випромінювання парами води для так званої кількості осадженої води, що вимірюється товщиною шару води, який вийде при конденсації водяної пари. Кількість осадженої води, що залежить від товщини поглинаючого шара, відносної вогкості і температури повітря, визначають по таблицях і номограмах з довідкової літератури. Аналогічні довідкові таблиці складені для спектральних коефіцієнтів пропущення випромінювання вуглекислим газом, що враховують товщину поглинаючого шару атмосфери, тиск і температуру повітря. При визначенні коефіцієнтів пропущення парами води і вуглекислим газом робляться поправки на висоту.
2892. Фотонна теорія світла
Методическое пособие пополнение в коллекции 02.12.2010

При цьому головний світловий потік від лампи L, виділений діафрагмою D, падає на периферійну частинку сітчатки ока. На шляху від дзеркала Z до ока розміщено диск В з отвором. Диск приводиться в рух синхронним електродвигуном М і робить один оберт за секунду. Розмір отвору такий, що світло проходить крізь нього протягом 0,1 с і спостерігач реєструє короткочасний спалах. Зелений світлофільтр F і нейтральний фотометричний клин К дають змогу виділити досліджувану ділянку спектра і ослабити потік, що попадає в око. Для абсолютних вимірювань енергії, яка відповідає порогові зору, дзеркало Z приймають і діафрагму D освітлюють практичним повним випромінювачем Т. Спостерігач у момент спалаху на рухомій стрічці робив помітки. На ній же відмічався кожний оберт диска в момент, коли світло проходило крізь його отвір. Виявилось, що при світловому потоці, який перевищує поріг зорового відчуття, спостерігач фіксує кожний спалах, а при зменшенні потоку до величини, що відповідає порогу зорового відчуття, спостерігач фіксує не всі спалахи. Спостерігач фіксував також спалахи і при середньому потоці, меншому, ніж поріг зорового відчуття. Це зумовлено флуктуаціями кількості фотонів в окремих потоках: в одних випадках їх проходила достатня кількість, щоб викликати зорове відчуття, в інших недостатня.
2893. Фотоны, спектры и цвет
Контрольная работа пополнение в коллекции 01.02.2011

У сложных органических молекул в конденсированных средах вследствие внутри и межмолекулярных взаимодействий возникает большая неопределенность энергий молекулярных орбиталей, электронные уровни становятся размытыми и перекрываются между собой (рис. 4), в результате чего возбужденный электрон быстро (~ за 1 пс) скатывается на нижний возбужденный уровень S1 (см. подпись к рис. 4), откуда он переходит в основное состояние либо путем безизлучательной тепловой релаксации, либо с излучением фотона флуоресценции. Энергия этих фотонов значительно меньше, чем у исходного, захваченного фотона, а излучаются они в направлении, перпендикулярном направлению перехода S0 > S1; за время жизни возбуждения (среднее время пребывания электрона на S1) молекула в растворе успевает повернуться на любой угол, поэтому направление движения и поляризация фотона флуоресценции могут быть любые, случайные, а спиновое состояние как у электрона на S1 орбитали (как правило, совпадает с исходным). В результате резонансных взаимодействий фотона и электрона (захвата фотона молекулой) этот фотон исчезает. Вместо него может появиться новый фотон с меньшей энергией, произвольным направлением движения, поляризацией и спином (спин электрона может измениться в процессе релаксации), т.е. меняются ВСЕ фундаментальные свойства фотона или он вообще исчезает.
2894. Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Фотоелектричне інжекційне підсилення полягає в тому, що засвітка з області власного або примісного поглинання, модулюючи опір базової області, викликає додаткову зміну інжекції носіїв через p-n-перехід. Освітлення призводить до зміни опору бази як за рахунок безпосереднього збільшення концентрації носіїв (як у фоторезисторі), так і за рахунок зміни параметрів, що визначають розподіл незрівноважених носіїв у базовій області (час життя, біполярна рухливість і ін.). На відміну від звичайних фотоприймачів (оберненозміщені фотодіоди, фототранзистори), у яких використовується фотодіодний ефект-розподіл незрівноважених носіїв потенційним бар'єром, у ІФД сполучаються фоторезистивний ефект з інжекцією через прямозміщений перехід. Оскільки інжектуючий p-n-перехід включений послідовно з опором базової області, то зміна останнього призводить до зміни інжекційного струму і подальшої модуляції опору бази. У такий спосіб забезпечується підсилення початкового (первинного) фотоструму, тобто самопомноження струму. Внесок інжектованих носіїв у збільшення інтегральної провідності напівпровідника набагато перевищує внесок носіїв, збуджених світлом. У якості критерію ефективності ІФД проводять порівняння його чутливості з фоточутливістю аналогічного (еквівалентного) фоторезистора, виготовленого з того ж матеріалу, що і база діода, і що має ті ж геометричні розміри.
2895. Фотопроцессы, индуцированные лазерным излучением в растворах и пленках наночастиц CdSe/ZnS
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
1. Zaharchenko K.V., Obraztcova E.A., Mochalov K.E., Artemyev M.V., Martynov I.L., Klinov D.V., Nabiev I.R., Chistyakov A.A., Oleinikov V.A. Laser induced luminescence of CdSe/ZnS nanoparticles in the solution and in condensed phase. Laser Physics, Vol. 15, No8, pp. 1050 - 1053 (2005).
2. A.A. Chistyakov, I.L. Martynov, K.E. Mochalov, V.A.Oleinikov, S.V. Sizova, E.A. Ustinovich, K.V.Zaharchenko. Interaction of CdSe/ZnS CoreShell Semiconductor Nanocrystals in Solid Thin Films. Laser Physics, Vol. 16, No 12, pp.1 8, 2006
3. М.В. Артемьев, К.В. Захарченко, К.Е.Мочалов, И.А. Мурадян, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. Лазерно индуцированная люминесценция наночастиц CdSe/ZnS в растворе и конденсированной фазе. Международная конференция “Лазерная физика и применения лазеров”, тезисы докладов. Институт физики им. Б.И. Степанова, 2003, II-33у.
4. К.В. Захарченко, Д.В. Клинов, И.Л. Мартынов, К.Е. Мочалов, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. Лазерно индуцированная люминесценция тонких пленок наночастиц CdSe/ZnS. Конференция “Фундаментальные проблемы оптики - 2004”, сборник трудов, с. 91 С.-Пб., 2004
5. М.В. Артемьев, К.В. Захарченко, Д.В. Клинов, И.Л. Мартынов, И.Р. Набиев, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. Люминофоры на основе наночастиц CdSe/ZnS для задач дактилоскопии. - в сб. Материалы VII Всероссийской конференции “Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем”, с. 250. Москва, 2005
6. М.В. Артемьев, С.В. Дайнеко, К.В. Захарченко, И.Л. Мартынов, В.А.Олейников, С.В. Сизова, А.А. Чистяков. Лазерно индуцированные фотопроцессы в пленках и растворах наночастиц CdSe/ZnS. Сборник трудов IV Международной конференции “Фундаментальные проблемы оптики” ФПО-2006, с. 81. С.-Пб, 2006.
7. М.В. Артемьев, С.В. Дайнеко, К.В. Захарченко, И.Л.Мартынов, В.А.Олейников, А.А. Чистяков. Фотопроцессы в растворах и пленках наночастиц CdSe/ZnS, инициированные лазерным излучением. Лазерная физика и оптические технологии: материалы VI Международной конференции. Часть1, с. 224. Гродно: ГрГУ, 2006.
8. М.В. Артемьев, К.В. Захарченко, Д.В. Клинов, И.Л. Мартынов, И.Р. Набиев, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. Исследование конденсатов наночастиц CdSe/ZnS оптическими методами. - в сб. трудов VII Всероссийской конференции “Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем”, с. 136. Москва, 2006
9. К.В. Захарченко, В.А. Караванский, К.Е. Мочалов, В.А. Олейников, А.А. Чистяков, Л.Я. Краснобаев. Фотофизические свойства полупроводниковых наночастиц и нанокомпозитов. Научная сессия МИФИ-2004, сборник трудов, том 3, с. 192. Москва, 2004.
10. М.В. Артемьев, К.В. Захарченко, Д.В. Клинов, И.Л. Мартынов, К.Е. Мочалов, И.Р. Набиев, Е.А. Образцова, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. О возможности фазовых переходов в конденсатах наночастиц CdSe/ZnS. Научная сессия МИФИ-2005, сборник трудов, том 4, с. 193. Москва, 2005.
11. М.В. Артемьев, С.В. Дайнеко, К.В. Захарченко, Д.В. Клинов, И.Л.Мартынов, К.Е. Мочалов, И.Р. Набиев, В.А. Олейников, А.А. Чистяков. Исследование тонких пленок наночастиц CdSe/ZnS оптическими методами. - Научная сессия МИФИ-2006, сборник научных трудов, том 4, с. 201. Москва, 2006.
2896. Фотореле управления и защиты
Информация пополнение в коллекции 05.09.2012

Начатое с 1927 года производство машинных АТС потребовало на заводе коренных инженерно-производственных изменений. Были закуплены новые станки, расширены конструкторские и технологические группы технического отдела, организовано сборочно-монтажное конвейерное производство. В инструментальном цехе производство реле было выделено в самостоятельный участок, где уже наряду с реле постоянного тока выпускаются реле переменного тока с утяжеленным якорем и первые тепловые реле на термобиметаллах. В довоенное время завод "Красная заря" являлся, по сути, единственным отечественным заводом, разрабатывающим и производящим электромагнитные реле. Так, например, во время войны в Уфе было разработано специальное реле для авиационной аппаратуры, а расчеты М.И. Витенберга по подбору оптимальной длины сердечника позволили в производстве реле переменного тока отказаться от импортной кремниевой стали, используя обычную отечественную.
2897. Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия
Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

Детектирование света в ультрафиолете (длина волны меньше 400 нм) имеет широкий диапазон применений, как коммерческих, так и военных, особенно в тех областях, где требуется анализ УФ излучения при наличии мощного видимого или инфракрасного фона. В коммерческом секторе эти применения включают в себя: датчики пламени и нагрева, стерилизация в медицине, приборы для измерения биодоз УФ (мониторы загара), диагностика плазмы, мониторинг двигателей. Среди военных применений можно назвать: детектирование следов от двигателей ракет, наведение ракет, детектирование биологических и химических веществ (основные линии поглощения лежат в ультрафиолете), закрытая связь между искусственными спутниками (УФ лучи не проникают сквозь озоновый слой земной атмосферы) и системы связи с подводными лодками. Большинство из этих применений требуют использования детекторов, не чувствительных к солнечному свету; нужно детектировать только ультрафиолет и в идеале иметь нулевую чувствительность для более длинных волн. Например, в полете ракета может иметь выхлопной хвост длиной в милю. Если детектор, используемый для поиска и наведения антиракеты-перехватчика, будет чувствителен в широкой области спектра, включая видимую и ИК, тогда ракета представляется целью длиной в милю, что сделает невозможным наведение антиракеты. Однако, если детектор будет чувствителен только в ультрафиолете, он зафиксирует только самые горячие газы, вырывающиеся у хвоста ракеты, и наведение будет идеальным. Точно так же УФ детекторы могут быть использованы в качестве датчиков противопожарных систем для обнаружения наличия именно пламени (которое имеет УФ компоненту), а не просто нагретого объекта, который может быть связан, а может и не быть связан с пламенем.
2898. Фотоэлектрические свойства тонких пленок сульфида свинца
Дипломная работа пополнение в коллекции 19.01.2012

Существенное влияние на физические и фотоэлектрические свойства сульфида свинца оказывает содержание в них кислорода либо какого-либо другого окислителя. В модели Неустроева - Осипова изменение концентрации образованных кислородом ПС должно приводить к строго определенному видоизменению соотношений между энергиями активации различных параметров. Известно, что содержание кислорода в фоточувствительных поликристаллических пленках PbS можно легко уменьшить посредством относительно непродолжительного их прогрева в вакууме при температурах, незначительно отличающихся от комнатных. Уменьшение концентрации акцепторов в окисных фазах должно приводить к уменьшению их энергии ионизации относительно потолка валентной зоны на поверхности кристаллитов, что и наблюдалось экспериментально в [10]. Кислород, входящий в состав окисных фаз на поверхности кристаллитов принято называть "сильносвязанным" (Т-кислород). Кроме того, в пленках PbS содержится слабосвязанный "избыточный" кислород (W-кислород), существующий в виде примесных атомов в межкристаллитных прослойках, либо адсорбированный на поверхности кристаллитов. Концентрацию W-кислорода в пленках можно легко изменять путем их низкотемпературного отжига (tom -100° С) в вакууме или не содержащей кислород атмосфере. Принято считать, что акцепторные состояния на поверхности кристаллитов обусловлены именно W-кислородом.
2899. Фотоэлектронная эмиссия
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

(3,1эв 5,63 ) широкое распространение имеет ртутная кварцевая лампа, излучающая линейчатый спектр, содержащий большое количество спектральных линий. В области вакуумного ультрафиолета (6,2эв12,3эв) , как правило, используется искровой разряд.(это область спектра получило свое название в связи с тем, что излучение этих волн сильно поглощается в воздухе. Поэтому работать с этими излучениями этих длин волн можно лишь в аппаратуре, в которой давление воздуха меньше 10 -4-10 -5тор.) Монохроматизация излучение длин волн, больших 1200, может быть осуществлена с помощью призменных спекртографов. При этом в качестве оптических материалов в видимой части спектра используется обычно стекло, в области ближайщего ультрафиолета до кварц. Могут применятся и другие материалы, например, кристалы NaCl.В интервале длин волн используются кристалы LiF. Излучение с более короткими длинами волн поглощается любыми известными оптическими материалами. Поэтому проведение исследований в коротковолновой области вакуумного ультрафиолета требует использования спектрографов с отражающими диспергирующими системами, например, с вогнутой дифракционной решеткой. Измерение интенсивностей потоков излучения обычно осуществляется с помощью специально калиброванных термопар, термостолбиков и фотоумножителей. В ряде случаев абсолютные значения фототоков при использующихся интенсивностях излучения малы и их измерение требует применения высокочувствительных измерителей тока. В ряде случаев абсолютные значения фототоков при используюшихся интенсивностях излучения малы и их измерение требует применения высокочувствительных измерителей тока . Рассмотрим результаты экпериментальных исследований спектральных характеристик фотокатодов из массивных металлов .Для щелочных , а также некоторых щелочноземельных металлов красная граница лежит в видемой части спектра ; для подавляющего же большинства металов она находиться в ультрофеолетовой области .Более детальные исследования фотоэффекта с различных металлов показали,однако, что при T >0 резкой красной границы не существует.В действительности фототок в области , близких к , асимптотически приближается к нулю и определение из эксперементальной зависимости , стого говоря, выполнено быть не может. Лишь специальная математическая обработка экспериментальных данных позволяет найти . Отсутсвие резкой красной границы при Т > 0 легко понять,если учесть распределение по энергиям электронов внутри твердого тела.Пренебрежение величиной ,.сделанное выше,является точным лишь при Т=0 .При Т > 0 величина может быть больше нуля. Это приведет, во-первых, к фотоэффекту электронов с уровней энергии E > , который может происходить и при , а во-вторых, к наличию в фотоэмиссии электронов с кинетьическими энергиями,большими, чем.. Однако число электронов в металле с энергиями мало. Поэтому и вероятность фотоэлектрического поглощения при мала,и фототок также мал.При для всех металлов их квантовый выход возрастает при увеличении ; около красной границы рост фототока определяется зависимостью
2900. Фотоэффект
Информация пополнение в коллекции 31.08.2001
В теории Эйнштейна законы фотоэффекта объясняются следующим образом:
1. Интенсивность света пропорциональна числу фотонов в световом пучке и поэтому определяет число электронов, вырванных из металла.
2. Второй закон следует из уравнения: mv 2 /2=hv-A.
3. Из этого же уравнения следует, что фотоэффект возможен лишь в том случае, когда энергия поглощённого фотона превышает работу выхода электрона из металла. Т. е. частота света при этом должна превышать некоторое определённое для каждого вещества значение, равное A>h. Эта минимальная частота определяет красную границу фотоэффекта:

Blog

Физика