Д. Г. Поляк, Ю. К. Есеновский-Лашков
| Вид материала | Документы |
- Составители: адвокат Д. П. Ватман (речи по гражданским делам), адвокат, канд юрид наук,, 3647.6kb.
- История мировой экономики: Учеб для вузов по эконом спец /Г. Б. Поляк, В. С. Адвадзе,, 53.93kb.
- Парламентської Асамблеї Ради Європи від 05. 92 р. інвалідність визначена як обмеження, 112.43kb.
- Поляк Адель Исааковна, к и. н., профессор рабочая программа, 123.09kb.
- Поляк Адель Исааковна, кандидат искусствоведения, профессор элективный курс, 121.86kb.
- В. Поляк Методология в Израиле: вчера, сегодня, завтра, 175.53kb.
- «Сердцем – поляк…» Польша, 68.48kb.
- Грин александр степанович, 42.93kb.
- Очерки Русской Смуты. Еще несколько глав, и автор кончил бы там, где он начал свои, 3795.46kb.
- Методология и подходы при описании структурных особенностей нейтральной жидкой воды, 122.52kb.
16. Характеристики транзисторов силовых цепей типа n-p-t
| Тип транзистора | IК.А | IБ.А | Uкэ.В | UКЭ и max В | UЭБ, В | Температура окружающей среды, °С | Режим усиления | Я при 50°С, Вт | IКБО. МА | IЭБО, мА | IкэR мA | Диаметр, мм | Высота, мм | ||
| VA | икэ-в | Л21Э | |||||||||||||
| КТ803А | 10/5 | -/1 | 60/2,5 | 80 | 4,5/ — | — 40 — +100 | 5 | 10 | 10 — 70 | 60 (30) | | 50 | 5 | 29 | 25,6 |
| КТ805А | 5/5 | 2/0,5 | 1/2,5 | 160 | 5/2,5 | — 60 — +100 | 2 | 10 | 15 | 30(15) | 60 | 100 | | 28 | 23,5 |
| КТ805АМ | 5/5 | 2/0,5 | 1/2,5 | 160 | 5/2,5 | — 60 — +100 | 2 | 10 | 15 | 30(15) | 60 | 100 | 5 | 10Х16*2 | 4,8 |
| КТ808АМ | 10/6 | 4/0,6 | 120/ — | 250 | 4/1,4 | — 60 — +125 | 6 | 3 | 20 | 50 | | 10 | 3 | 29 | 25,6 |
| КТ815В | 1,5/0,5 | 0,5/0,05 | 70/0,6 | | 5/1,2 | — 40 — +100 | 0,15 | 2 | 40 | 10*1 | 0,05 | | | 7,8х11*2 | 2,8 |
| КТ815Г | 1,5/0,5 | 0,5/0,05 | 100/0,6 | | 5/1,2 | — 40 — +100 | 0,15 | 2 | 30 | 10*1 | 0,05 | | | 7,8х11*2 | 2,8 |
| КТ817В | 3/3 | 1/0,3 | 60/1 | | 5/1,5 | — 60 — +125 | 2 | 2 | 20 | 25* * | 0,1 | | | 7.8Х11*2 | 2,8 |
| КТ817Г | 3/3 | 1/0,3 | 100/1 | | 5/1,5 | — 60 — +125 | 2 | 2 | 15 | 25*1 | 0,1 | | | 7,8x11** | 2,8 |
| КТ827А | 20/20 | 0,5/0,2 | 100/2,4 | 100 | 5/3 | — 60 — +125 | 10 | 3 | 6000 | 125*1 | | 2 | 3 | 39х26*2 | 10,3 |
| КТ827Б | 20/20 | 0,5/0,2 | 80/2,4 | 80 | 5/3 | — 60 — +125 | 10 | 3 | 6000 | 125*1 | | 2 | 3 | 39х26*2 | 10,3 |
| КТ908А | 10/10 | 5/2 | 100/1,5 | | 5/2,3 | — 60 — +125 | 10 | 2 | 8 — 60 | 50 | 25 | 300 | | . 29 | 25,6 |
*1 При температуре 25еС. *2 Размеры сечения.
Примечания: I. В числителе приведены максимально допустимые значения, в знаменателе — значения, соответствующие режиму насыщения 2. В скобках указана рассеиваемая мощность при максимальной температуре окружающей среды.
17. Характеристики транзисторов силовых цепей типа р-n-р
| Тип транзистора | IК, А | IБ. А | Uкэ. в | UЭБ. В | Температура окружающей среды, °С | Режим усиления | P. при 25° С, Вт | IКБО мА | IЭБО, мА | IкэR мА | Размеры сечения, мм | Высота, мм | ||
| Iк. А | Uкэ.в | h21Э | ||||||||||||
| КТ814В | 1,5/0,5 | 0,5/0,05 | 70/0,6 | 5/1,2 | — 40 ----- [-100 | 0,15 | 2 | 40 | 10 | 0,05 | — | — | 7,8X11 | 2,8 |
| КТ814Г | 1,5/0,5 | 0,5/0,05 | 100/0,6 | 5/1,2 | — 40 — 1-100 | 0,15 | 2 | 30 | 10 | 0,05 | — | — | 7,8x11 | 2,8 |
| КТ816В | 3/3 | 1/0,3 | 60/1 | 5/1,5 | — 60 ---- hi 25 | 2 | 2 | 20 | 25 | 0,1 | — | — | 7,8x11 | 2,8 |
| КТ816Г | 3/3 | 1/0,3 | 100/1 | 5/1,5 | — 60 — [-125 | 2 | 2 | 15 | 25 | 0,1 | — | — | 7,8x11 | 2,8 |
| КТ825Д | 20/20 | 0,5/0,2 | 60/3 | 5/4 | — 40 — [-100 | 10 | 10 | 750 | 125 | — | — | — | 39,2x26 | 10,3 |
| КТ825Г | 20/20 | 0,5/0,2 | 90/3 | 5/4 | — 40 — f 100 | 10 | 10 | 750 | 125 | — | — | — | 39,2x26 | 10,3 |
| КТ837Д | 7,5/3 | -/0,37 | 55/0,9 | 15/1,5 | — 60 — 1-100 | 2 | 5 | 20 — 80 | — | 0,15 | 0,3 | 10 | 10x16 | 4,8 |
| КТ837Е | 7,5/3 | -/0,37 | 55/0,9 | 15/1,5 | — 60 ---- hi 00 | 2 | 5 | 50 — 150 | — | 0,15 | 0,3 | 10 | 10x16 | 4,8 |
| КТ837М | 7,5/3 | — /0,37 | 70/2,5 | 5/1,5 | — 60 ---- hi 00 | 2 | 5 | 20 — 80 | — | 0,15 | 0,3 | 10 | 10x16 | 4,8 |
| КТ837И | 7,5/2 | -/0,3 | 40/0,5 | 15/1,5 | — 60 — hi 00 | 2 | 5 | 20 — 80 | — | 0,15 | 0,3 | 10 | 10x16 | 4,8 |
| КТ837К | 7,5/2 | — /0,3 | 40/0,5 | 15/1,5 | — 60 — 4-100 | 2 | 5 | 50 — 150 | — | 0,15 | 0,3 | 10 | 10х10 | 4,8 |
| КТ829А | 8/- | 0,2/ — | 100/ — | — | — 40 — [-85 | 3 | - 3 | 750 | 60 | — | 2 | 1,5 | 10x16 | 4,8 |
Примечание. В числителе приведены максимально допустимые значения, в знаменателе — значения, соответствующие режиму насыщения.
18. Характеристики транзисторов средней и малой мощности для цепей управления
| Тип транзистора | IK , мА | IБ мА | Uкэ. в | UЭБ. В | Температура окружающей среды, °С | Режим усиления | IКБО, мкА | IЭБО, мкА | IкэR, мкА | р при 25СС, мВт | Диаметр, мм | Высота, мм | ||
| IК, мА | UКЭ, в | h21Э | ||||||||||||
| | | | | Средней мощности типа р-n-р | | | | | | | ||||
| КТ209Б, В, Е, И, М КТ501Б, Д, Е, И, М КТ502А-Е КТ503А-Е | 300/300 300/300 300/10 300/10 | 100/30 100/60 100/1 100/1 | 15 — 60/0,4 15 — 60/0,4 25 — 80/0,15 25 — 80/0,2 | 10 — 20/1,5 10 — 20/1,5 5/0,8 5/0,8 | — 40 — + 100 — 60 — +125 — 40 — +100 — 50 — +85 | 30 30 10 10 | 1 1 5 5 | 40 — 240 40 — 240 40 — 240 40 — 240 | 1 1 1 | 1 1 | | 200 350 350 350 | 5,2 4,95 5,2 5,2 | 5,3 5,3 5,2 5,2 |
| | | | | Средней мощности типа n-р-n | | | | | | | ||||
| КТ608Б КТ630А-Г КТ619А | 400/400 1000/150 100/ — | — /80 200/150 | 60/0,4 100 — 150/0,3 250/ — | 4/1 7/1,1 5/ — | — 40 — +85 — 50 — Ь85 — 50 — 85 | : 200 150 1 | 5 10 40 | 40 — 160 40 — 240 30 | 10 | 10 0,1 100 | 1 50 | 500 800 500 | 11,7 8,5 9,4 | 8 6,6 4,7 |
| | | | | Малой мощности типа n-р-n | | | | | | | | |||
| КТ315Б, В, Г, И КТ342А, Б КТ373А, Б, Г КТ3102А, Б, Г, Е | 100/20 50/10 50/10 100/ — | -/2 — /1 -/1 | 20 — 60/0,4 25 — 30/0,1 30 — 60/0,1 20 — 50/ — | 6/1,1 5/0,9 5/0,9 5/- | — 60 — [-100 — 60 — И 25 — 50 — f-85 — 40 — (-85 | 1 1 1 2 | 10 5 5 5 | 80 — 350 25 — 500 50 — 600 100— 1000 | 1 1 0,05 0,015; 0,05 | 30 30 30 10 | 1 30 30,100 0,1 | 150 250 150 250 | 7,2хЗ*3 4,95 5х2,5*3 4,95 | 5 5,3 4,5 5,3 |
| | | | | Малой мощности типа р-n-р | | | | | | | | |||
| КТ345Б, В КТ361Б, В, Г, К КТ3107Б, Д , КТ3107К, Л | 200/100 50/20 100/100 100/100 | -/10 — /2 50/5 5/5 | 20/0,3 20 — 60/0,3 30 — 50/0,5 20 — 30/0,5 | 4/1,1 4/0,85 5/1 5/1 | — 40 — (-85 — 60 ---- (-100 — 60 — Hi 25 — 60 — (-125 | 100 1 2 2 | 1 10 5 5 | 50 — 1 05 40 — 350 120 — 460 380 — 800 | 1 1 0,1 0,1 | ! 0,1 0,1 | 1 | 100*1 150*2 300 300 | 4,2x2,5* 7,2хЗ*3 4,2x5,2* 4,2x5,2* | М 4,2 5 3 5,2 3 5,2 |
*1 При температуре 40° С. *2 При температуре 35° С. *3.Размеры сечения.
Примечания: 1 . Значения UKэ max, UЭБ и диапазон h21Э зависят от буквенного обозначения транзистора каждого типа.
2. В числителе приведены максимально допустимые значения, в знаменателе — значения, соответствующие режиму насыщения.