Д. Г. Поляк, Ю. К. Есеновский-Лашков
Вид материала | Документы |
- Составители: адвокат Д. П. Ватман (речи по гражданским делам), адвокат, канд юрид наук,, 3647.6kb.
- История мировой экономики: Учеб для вузов по эконом спец /Г. Б. Поляк, В. С. Адвадзе,, 53.93kb.
- Парламентської Асамблеї Ради Європи від 05. 92 р. інвалідність визначена як обмеження, 112.43kb.
- Поляк Адель Исааковна, к и. н., профессор рабочая программа, 123.09kb.
- Поляк Адель Исааковна, кандидат искусствоведения, профессор элективный курс, 121.86kb.
- В. Поляк Методология в Израиле: вчера, сегодня, завтра, 175.53kb.
- «Сердцем – поляк…» Польша, 68.48kb.
- Грин александр степанович, 42.93kb.
- Очерки Русской Смуты. Еще несколько глав, и автор кончил бы там, где он начал свои, 3795.46kb.
- Методология и подходы при описании структурных особенностей нейтральной жидкой воды, 122.52kb.
15. Характеристика стабилитронов общего назначения
Тип стабилитрона | Iст. ном мА | Uст. ном | Разброс Uст В | Рmax. мВт | Iст, мА | а,, , %/°с uct | rст при Iст. ном. Ом | Максимальная температура. | Диаметр, мм | Длина, мм |
Д814А | 5 | 8 | 7 — 8,5 | 340*1 | 3/40*2 | 0,07 | 6 | | | |
Д814Б | 9 | 8 — 9,5 | 3/36 | 0,08 | 10 | | | | ||
Д814В | 10 | 9 — 10,5 | 3/32 | 0,09 | 12 | 125 | 7 | 15 | ||
Д814Г | 11 | 10-12 | 3/29 | 0,095 | 15 | | | | ||
Д814Д | 13 | 11,5 — 14 | 3/24 | 0,095 | 18 | | | | ||
КС133А | | 3,3 | 2,97 — 3,63 | | 3/81*2 | — 0,11 | 65 | | | |
КС139А | | 3Г9 | 3,51 — 4,29 | | 3/70 | — 0,1 | 60 | | | |
КС 147 А | 10 | 4,7 | 4,23 — 5,17 | 300* 2 | 3/58 | — 0,09 | 56 | 100 | 7 | 15 |
КС 156 А | | 5,6 | 5,04 — 6,16 | | 3/55 | ±0,05 | 46 | | | |
КС 168 А | | 6,8 | 6,12 — 7,48 | | 3/45 | ±0,06 | 28 | | | |
КС133Г | | 3,3 | 2,85 — 3,65 | | 1/37,5*1 | — 0,10 — 0,02 | 150 | | | |
КС139Г | 5 | 3,9 | 3,5 — 4,3 | 125*1 | 1 /32 | — 0,07 | 150 | 125 | 3 | 7,5 |
КС147Г | | 4,7 | 4,2-5,2 | | 1/26,5 | 0,05 | 150 | | | |
КС156Г | | 5,6 | 5,0 — 6,2 | | 1/22,4 | 0,07 | 100 | | | |
КС175Ж | | 7,5 | 7,1 — 7,9 | | 0,5/17*1 | 0,07 | | | | |
КС182Ж | 4 | 8,2 | 7,4 — 9,0 | 125*i | 0,5/15 | 0,08 | 40 | 125 | 2,7 | 4,5 |
КС191Ж | | 9,1 | 8,6-9,6 | | 0,5/14 | 0,09 | | | | |
КС210Ж | | 10 | 9-11 | | 0,5/13 | 0,09 | | 125 | 2,7 | 4,5 |
КС211Ж | | 11 | 10,4 — 11,6 | 125*1 | 0,5/12 | 0,092 | 40 | | | |
КС212Ж | 4 | 12 | 10,8 — 13,2 | | 0,5/11 | 0,095 | | | | |
КС213Ж | | 13 | 12,3 — 13,7 | | 0,5/10 | 0,095 | | | | |
КС482А | | 8,2 | 6,9 — 9 | | 1/96*2 | 0,08 | | | | |
КС510А | | 10 | 8,2-11 | | 1/79 | | | | | |
КС512А | | 12 | 9,9 — 13,2 | 100*2 | 1/67 | | 25 | 100 | 7 | 15 |
КС518А | | 18 | 14,7 — 19,8 | | 1/45 | 0,10 | | | | |
КС515А | | 15 | 12,3 — 16,5 | | 1/53 | | | | | |
КС522А | | 22 | 17,9 — 24,2 | | 1/37 | | | | | |
КС 162 А | 10 | 6,2 | 5,8 — 6,6 | | 3/22*2 | — 0,06 | 35 | | | |
КС 168В | 10 | 6,8 | 6,3 — 7,3 | | 3/20 | ±0,05 | 28 | | (8X4) | |
КС175А | 5 | 7,5 | 7 — 8 | 150*2 | 3/38 | ±0,04 | 16 | 100 | 4 | |
КС182А | 5 | 8,2 | 7,6 — 8,8 | | 3/17 | 0,05 | 14 | | | |
КС191А | 5 | 9,1 | 8,5-9,7 | | 3/15 | 0,06 | 18 | | | |
КС210Б | 5 | 10 | 9,3 — 10,7 | | 3/14 | 0,07 | 22 | | | |
КС213Б | 5 | 13 | 12,1 — 13,9 | 150*2 | 3/10 | 0,08 | 25 | 100 | (8X4) | 4 |
КС170А | 10 | 7 | 6,65 — 7,35 | | 3/20*2 | ±0,01 | 20 | | |
*1 При температуре 35°С. *2 При температуре 50°С.
Примечания: 1. Стабилитроны КС1 62А — КС21 ЗБ и КС170А — двуханодные.
2. Нст=,0,24-0,52 В.
3 В скобках указаны размеры сечения.
4. В числителе указан минимальный ток стабилизации, в знаменателе — максимальный.
Стабилитроны цепей управления. В зависимости от целевого назначения стабилитронов, используемых в цепях управления, к ним предъявляют различные требования по разбросу напряжения стабилизации, температурной стабильности, дифференциального сопротивления и т. д.
Если необходимо обеспечить минимальный разброс UcT и максимальную температурную стабильность опорного напряжения стабилитрона, то следует применять прецизионные стабилитроны, лучше удовлетворяющие данным требованиям. В остальных случаях можно рекомендовать применение стабилитронов общего назначения, которые имеют более широкую номенклатуру. Это, в частности, позволяет подобрать стабилитроны с параметрами, оптимальными для конкретных областей применения.
В табл. 14 и 15 приведены характеристики некоторых типов стабилитронов, которые могут быть рекомендованы для изделий автомобильной электронной аппаратуры. Из сопоставления данных табл. 14 и 15 следует, что у прецизионных стабилитронов допустимый разброс UCJ в 2 раза меньше, а величина o,uct на 1 — 2 порядка меньше, чем у стабилитронов общего назначения.
АКТИВНЫЕ КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Транзисторы
В автомобильной электронной аппаратуре в основном применяются биполярные транзисторы [24, 32]. Поэтому в настоящем разделе рассматриваются характеристики и даются рекомендации по применению транзисторов только этого типа.
Свойства транзисторов характеризуются большим числом параметров, однако-!не все из них являются определяющими при выборе того или иного типа транзистора для автомобильной электронной аппаратуры. С учетом этого при рассмотрении транзисторов различного типа их оценку следует проводить по следующим параметрам:
максимально допустимым постоянному Iк max и импульсному IК и mах токам коллектора;
максимально допустимому постоянному току базы Iбmax;
напряжению насыщения коллектор — эмиттер Uкэ нас при заданном токе коллектора;
напряжению насыщения база — эмиттер uбэ нас при заданных токах коллектора и базы;
максимально допустимому постоянному Uкэ max и импульсному Uкэ, и mах напряжениям коллектор — эмиттер;
максимально допустимым постоянному Uкв max и импульсному Uкв,итах напряжениям коллектор — база;
постоянному напряжению эмиттер — база U эб ;
обратному току коллектора Iкбо, который измеряется при отключенном эмиттере и подведении к переходу коллектор — база заданного напряжения обратной полярности;
обратному току эмиттера Iэбо, который измеряется при отключенном коллекторе и подведении к переходу эмиттер — база заданного напряжения обратной полярности;
обратным токам коллектор — эмиттер при отключенной базе Iкэо, при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер IкэR и при непосредственном соединении между собой базы и эмиттера Iкэк. Эти токи измеряются при подведении к переходу эмиттер — коллектор заданного напряжения обратной полярности;
статическому коэффициенту передачи тока в схеме с общим эмиттером h21э , представляющему собой отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном напряжении коллектор — эмиттер Uкэ и токе эмиттера Iэ;
максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности транзистора Ртах;
рабочему температурному диапазону.
В автомобильной электронной аппаратуре транзисторы используют в качестве элементов силовых цепей, усилительных устройств средней мощности, а также маломощных цепей управления. Соответственно этим условиям применения ниже рассматриваются транзисторы различных типов.
Транзисторы силовых цепей. К силовым цепям изделий автомобильной электронной аппаратуры относятся цепи с токами нагрузки порядка нескольких ампер. При использовании транзисторов для коммутации таких токов нагрузки необходимо снизить до минимума мощность, рассеиваемую в транзисторе, во избежание недопустимого его перегрева, а также для уменьшения размеров охлаждающего радиатора.
Для реализации этого требования необходимо обеспечить работу транзистора в режиме с минимальным падением напряжения в его переходе эмиттер — коллектор. Таким режимом является режим насыщения транзистора, поэтому при выборе типа транзистора для коммутации токов в силовых цепях, в первую очередь, следует оценивать величину Uкэнас. Следует, однако, иметь в виду, что в случае работы транзистора с высокой частотой коммутации тока, в особенности при растянутых фронтах его изменения, основным фактором, определяющим величину рассеиваемой мощности, являются потери энергии в периоды нарастания и уменьшения силы тока. Поэтому для данных условий работы транзистора наиболее важным его параметром является величина Рmах.
Выше уже отмечалось, что в бортовой сети автомобиля возможны значительные перенапряжения. Поэтому для транзисторов силовых цепей весьма важным параметром является напряжение Uкэ, итах- Чем выше коэффициент hz1э транзистора, тем меньший ток необходимо подавать в его базу для обеспечения режима насыщения транзистора при заданном токе нагрузки (токе коллектора). Соответственно уменьшается и мощность, рассеиваемая в элементах цепи управления силовым транзистором. Это позволяет использовать в данной цепи управляющие элементы (в том числе транзисторы) меньшей мощности.
Транзисторы, предназначенные в основном для применения в силовых цепях, используют и в некоторых устройствах, где токи нагрузки не превышают десятых долей ампера, но где транзисторы должны работать в активном режиме со значительным падением напряжения в цепи эмиттер — коллектор. В этом случае лимитирующим параметром транзистора становится величина Ртах- Такой режим, в частности, характерен для выходных транзисторов стабилизаторов напряжения, а также мощных эмиттер-ных повторителей.
Автомобильная электронная аппаратура не должна выходить из строя в случае ошибочного ее включения под напряжение обратной полярности. Наиболее просто эта задача решается установкой в цепи питания аппаратуры полупроводникового диода. Однако в таком диоде имеется падение напряжения 0,8 — 1 В, что в некоторых случаях недопустимо. Кроме того, установка диода в силовой цепи приводит к значительному возрастанию мощности, рассеиваемой в аппаратуре, и, следовательно, увеличению ее нагрева.
Для обеспечения требуемой защиты элементов аппаратуры вместо диода может быть использован транзистор, переход эмиттер — коллектор которого включается в цепь питания аппаратуры. При правильно выбранных параметрах транзистора падение напряжения в его переходе эмиттер — коллектор может быть уменьшено до 0,2 — 0,3 В, а в некоторых случаях оказывается даже возможным совместить в транзисторе как основные его функции, так и функции защиты элементов цепей от напряжения обратной полярности. В обоих случаях обязательным условием является Применение транзисторов, у которых допустимое напряжение эмиттер — база не ниже напряжения источника питания аппаратуры.
В табл. 16 и 17 приведены характеристики некоторых типов мощных кремниевых транзисторов, которые могут быть рекомендованы для применения в силовых цепях, а также устройствах стабилизации напряжения и цепях усиления.
Транзисторы средней мощности. К этой группе условно могут быть отнесены транзисторы с максимальной силой постоянного тока Iкmах=0,3~0,8 А и рассеиваемой мощностью Ртах = 0,2ч-- l Вт. Их в основном применяют в качестве усилительных или коммутирующих элементов предвыходных каскадов усиления, а также в выходных цепях эмиттерных повторителей и стабилизаторов напряжения небольшой мощности. Для транзисторов данной группы наряду со значениями Iк max и Рmах наиболее важными параметрами являются напряжение насыщения коллектор — эмиттер Uкэ наг, постоянное напряжение эмиттер — база UЭБ , статический коэффициент передачи тока h21э, значения обратных токов IКБО и IЭБО.
Если источником питания транзисторов является непосредственно бортовая сеть автомобиля, то к числу наиболее важных параметров транзисторов следует отнести величины Uкэ, и max и Uкэmах, которые должны быть не ниже возможных уровней перенапряжений в бортовой сети. В остальных случаях значение Uкэmах должно быть по крайней мере не ниже напряжения источника питания транзисторов.
В табл. 18 приведены характеристики некоторых транзисторов, которые могут быть рекомендованы для применения в качестве усилительных и коммутирующих элементов устройств средней мощности.
Транзисторы малой мощности цепей управления. К данной группе условно можно отнести транзисторы с максимальной силой постоянного тока меньше 200 мА или с рассеиваемой мощностью ниже 250 мВт.
Для транзисторов этой группы наряду со значениями Iк max и Ртах наиболее важными являются следующие параметры: статический коэффициент передачи тока h21э, обратные токи Iкво и IЭБО; постоянное напряжение эмиттер — база U ЭБ ; напряжение насыщения коллектор — эмиттер Uкэ наг и база — эмиттер Uвэ нас-
Номенклатура выпускаемых транзисторов малой мощности весьма широка. Это позволяет, исходя из конкретных условий применения, выбрать наиболее соответствующий по параметрам тип транзистора. Вместе с тем в автомобильной электронной аппаратуре все же рекомендуется использовать ограниченную номенклатуру таких транзисторов (см. табл. 18).