Geum.ru

Рабочая программа «Основы микроэлектроники» для специальностей «Информатика и английский язык», «Математика и информатика» на 2009-2010 учебный год

Вид материалаРабочая программа

Содержание


Задания для самостоятельной подготовки к выполнению лабораторной работы.
Контрольные вопросы для подготовки к лабораторному занятию
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6

Задания для самостоятельной подготовки к выполнению лабораторной работы.



1. Почему полевой транзистор называют униполярным, в чем его отличие от биполярного?

2. Устройство и принцип работы полевого транзистора с управляющим переходом, со встроенным каналом, с индуцированным каналом.

3. Что собой представляют стоковые и стоко-затворные характеристики полевого транзистора в схеме включения с общим истоком?

4. Определение основных параметров полевого транзистора по их характеристикам.

5. Условное обозначение полевого транзистора на принципиальных схемах.

задания:

1. Зарисовать в тетрадь схемы:

а) для снятия стоковых характеристик полевого транзистора по точкам,

б) для снятия стоко-затворных характеристик полевого транзистора по точкам,

2. Вычертить в тетради цоколевку полевых транзисторов КП103 и КП303.

3. Записать в тетрадь основные параметры и предельно допустимые режимы полевых транзисторов КП103 и КП303.


Указание по технике безопасности смотри в инструкциях к приборам.


Лабораторные задания:

1. Собрать схему для снятия стоко-затворных характеристик ПТ по точкам. Снять данные характеристики при трех значениях напряжения сток-исток.

2. Снять семейство стоковых характеристик (не менее пяти) транзистора в схеме включения с общим истоком.

3.Определить по характеристикам крутизну стоко-затворной характеристики, внутреннее дифференциальное сопротивление канала и найти статический коэффициент усиления полевого транзистора.


Примечание: При измерениях необходимо расчетным путем устранить погрешность, возникающую вследствие способов включения приборов. В одном способе “точно” измеряется напряжение и не точно ток, во втором способе измеряется “точно” ток и не точно - напряжение.


Литература:
  1. Иноземцев В.А., Иноземцева С.В. Введение в электронику. - Брянск: Изд-во БГПУ, 2001. - 150 с.
  2. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт, 1998. – 400 с.
  3. Гершензон Е.М. и др. Радиотехника: Учеб. пособие для ст-в физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Е.М. Гершензон, Г.Д. Полянина, Н.В. Соина. - М.: Просвещение, 1986. - 319 с.
  4. Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с.
  5. Основы промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. спец. вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.
  6. Ляшко М.Н. Радиотехника: Лаб. практикум. - Мн.: Выш. школа, 1981. - 269 с.
  7. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985. - 488 с.
  8. Инструкции к измерительным приборам.



Лабораторная работа

" Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде"

Цель работы: исследовать переходные процессы в полупроводниковых диодах при различных условиях.

Приборы и принадлежности:

1. Авометр АВО-63

2. Осциллограф С1-134

3. Источник электропитания ИЭПП-2

4. Магазин сопротивлений

5. Полупроводниковые диоды

6. Резисторы

7. Конденсаторы

8. Соединительные провода.

9. Генератор прямоугольных импульсов напряжения.

Контрольные вопросы для подготовки к лабораторному занятию

  1. Три вида пробоя p-n – перехода; туннельный, лавинный и тепловой.
  2. Дифференциальное сопротивление p-n – перехода и его зависимость от прямого тока.
  3. Потенциальный барьер.
  4. Диффузионный и дрейфовый токи.
  5. Емкость p-n – перехода.
  6. Динамические характеристики полупроводниковых диодов.


Указания по технике безопасности смотри в инструкциях к приборам.

Лабораторные задания:
  1. Исследовать переходные процессы в p-n – переходе при наличии на нем прямоугольных импульсов одной полярности.
  2. Исследовать переходные процессы в p-n – переходе при наличии на нем прямоугольных импульсов разной полярности.
  3. Исследовать зависимость времени рассасывания заряда в p-n – переходе от прямого тока через p-n – переход.
  4. Сравнить переходные процессы в p-n – переходах различных диодов.


Литература:
  1. Иноземцев В.А., Иноземцева С.В. Введение в электронику. - Брянск: Изд-во БГПУ, 2001. - 150 с.
  2. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт, 1998. – 400 с.
  3. Гершензон Е.М. и др. Радиотехника: Учеб. пособие для ст-в физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Е.М. Гершензон, Г.Д. Полянина, Н.В. Соина. - М.: Просвещение, 1986. - 319 с.
  4. Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с.
  5. Основы промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. спец. вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.
  6. Ляшко М.Н. Радиотехника: Лаб. практикум. - Мн.: Выш. школа, 1981. - 269 с.
  7. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985. - 488 с.
  8. Инструкции к измерительным приборам.



Лабораторная работа

" Исследование работы электронного ключа на биполярном транзисторе"

Цель работы: Исследовать влияние емкости ускоряющего конденсатора в цепи базы и сопротивления резистора в цепи коллектора на работу электронного ключа.

Приборы и принадлежности:

1. Авометр АВО-63

2. Осциллограф С1-134

3. Источник электропитания ИЭПП-2

4. Магазин сопротивлений

5. Транзистор

6. Резисторы

7. Конденсаторы

8. Соединительные провода.

9. Генератор прямоугольных импульсов напряжения.