Рабочая программа «Основы микроэлектроники» для специальностей «Информатика и английский язык», «Математика и информатика» на 2009-2010 учебный год
Вид материала | Рабочая программа |
- Программа дисциплины Иностранный язык профессионального общения для направлений 080700., 259.96kb.
- Программа аттестационных испытаний для поступающих на 2-й курс в фгбоу впо «двггу», 166.72kb.
- Программа аттестационных испытаний для поступающих на 2-й курс в фгбоу впо «двггу», 109.09kb.
- Рабочая программа по дисциплине Численные методы для специальности 050202 Информатика,, 229.53kb.
- Программа дисциплины Теоретические основы информатики и архитектура ЭВМ для направлений, 240.65kb.
- Программа по курсу "Теория и методика обучения информатике" для студентов, 27.95kb.
- Анализ результатов первого этапа 3 Международной Олимпиады по основам наук в дфо., 600.77kb.
- Рабочая программа по дисциплине «Основы теории управления» для направления 010500 «Прикладная, 228.68kb.
- «Информатика», 1976.18kb.
- Учебная программа дисциплины ен. Ф 01 Математика и информатика Специальность: 031200, 139.17kb.
Контрольные вопросы для подготовки к лабораторному занятию
- Электронно-дырочный переход и его свойства.
- Классификация и условные графические обозначения биполярных транзисторов.
- Принцип работы биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
- Входная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. Малосигнальный параметр h11.
- Семейство входных характеристик биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. Малосигнальный параметр h12.
Задания для подготовки к лабораторному занятию
- Нарисовать в тетради схему подключения электроизмерительных приборов для снятия семейства входных характеристик биполярного транзистора.
- Рассмотреть методику снятия входной характеристики, чтобы не вывести из строя транзистор вследствие превышения максимально допустимой мощности рассеивания.
- Определить по справочнику и записать в тетрадь максимальные режимы и цоколевку транзистора КТ315.
Указания по технике безопасности смотри в инструкциях к приборам.
Лабораторные задания:
- С помощью авометра АВО-63 определить исправность p-n переходов исследуемого транзистора и его выводы.
- Снять по точкам входные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером при напряжениях коллектор-эмиттер 3, 5 и 10 В. При снятии характеристик не превысить максимально допустимую мощность рассеивания. При одном значении тока базы определить параметр h12.
- По характеристикам, полученным в задании 2, определить зависимость параметра h11 от напряжения база-эмиттер.
Требования к отчету
1. Семейство входных характеристик вычертить на миллиметровой бумаге, определив h-параметры.
2. В тетради написать, как рассчитывались h-параметры транзистора.
Примечание: При измерениях необходимо расчетным путем устранить погрешность, возникающую вследствие способов включения приборов. В одном случае “точно” измеряется напряжение и не точно ток, во втором случае измеряется “точно” ток и не точно - напряжение.
Литература:
- Иноземцев В.А., Иноземцева С.В. Введение в электронику. - Брянск: Изд-во БГПУ, 2001. - 150 с.
- Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт, 1998. – 400 с.
- Гершензон Е.М. и др. Радиотехника: Учеб. пособие для ст-в физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Е.М. Гершензон, Г.Д. Полянина, Н.В. Соина. - М.: Просвещение, 1986. - 319 с.
- Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с.
- Основы промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. спец. вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.
- Ляшко М.Н. Радиотехника: Лаб. практикум. - Мн.: Выш. школа, 1981. - 269 с.
- Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985. - 488 с.
- Инструкции к измерительным приборам.
Лабораторная работа
" Семейство выходных характеристик биполярного транзистора для схемы включения с общим эмиттером (выбор схемы подключения измерительных приборов, расчет погрешностей измерений)"
Цель работы: научиться снимать выходные характеристики биполярных транзисторов и определять по ним h-параметры.
Приборы и принадлежности:
1. Прибор комбинированный Щ4313-2 шт,
2. Авометр АВО-63,
4. Источник электропитания ИЭПП-2,
6. Магазин сопротивлений,
7. Монтажная плата с транзистором,
8. Соединительные провода.
Контрольные вопросы для подготовки к лабораторному занятию
- Принцип работы биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.
- Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. Малосигнальный параметр h22.
- Семейство выходных характеристик биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. Малосигнальный параметр h21.
Задания для подготовки к лабораторному занятию
- Нарисовать в тетради схему подключения электроизмерительных приборов для снятия семейства выходных характеристик биполярного транзистора.
Указания по технике безопасности смотри в инструкциях к приборам.
Лабораторные задания:
- Снять по точкам выходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером (не менее 5 характеристик). При снятии характеристик не превысить максимально допустимую мощность рассеивания.
- По характеристикам, полученным в задании1, определить параметры h22, h21.
Требования к отчету
1. Семейство выходных характеристик вычертить на миллиметровой бумаге, определив h-параметры.
Примечание: При измерениях необходимо расчетным путем устранить погрешность, возникающую вследствие способов включения приборов. В одном случае “точно” измеряется напряжение и не точно ток, во втором случае измеряется “точно” ток и не точно - напряжение.
Литература:
- Иноземцев В.А., Иноземцева С.В. Введение в электронику. - Брянск: Изд-во БГПУ, 2001. - 150 с.
- Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт, 1998. – 400 с.
- Гершензон Е.М. и др. Радиотехника: Учеб. пособие для ст-в физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Е.М. Гершензон, Г.Д. Полянина, Н.В. Соина. - М.: Просвещение, 1986. - 319 с.
- Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с.
- Основы промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. спец. вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.
- Ляшко М.Н. Радиотехника: Лаб. практикум. - Мн.: Выш. школа, 1981. - 269 с.
- Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985. - 488 с.
- Инструкции к измерительным приборам.
Лабораторная работа
Изучение полевых транзисторов.
Цель работы: научиться снимать стоковые (выходные) и стоко-затворные (проходные или передаточные) характеристики и определять по характеристикам параметры полевых транзисторов.
Приборы и принадлежности:
1. Осциллограф ОМЛ-3М,
2. Авометр АВО-63,
3. Источник электропитания ИЭПП-2,
4. Выпрямитель В-24,
5. Полевой транзистор КП 303,
6. Переменный резистор,
7. Магазин сопротивлений,
8. Соединительные провода.