1. Энергетические зоны и свободные носители заряда в твердых телах. Уровень Ферми и равновесная концентрация свободных носителей. Собственная и примесная проводимость полупроводников
| Вид материала | Документы |
- Аронзон Борис Аронович программа, 67.58kb.
- Рабочая программа дисциплины «кристаллохимия полупроводников», 76.29kb.
- Определение скорости упругих волн в твердых телах, 97.08kb.
- Программа курса " Свободные экономические зоны, 124.39kb.
- Удк 537. 311. 322 Моделирование энергетического спектра носителей заряда наноэлектронных, 88.99kb.
- Информация о свободных (экономических) зонах, 42.17kb.
- «Введение в теорию полупроводников», 89.67kb.
- Задача Свободные колебания в контуре имеют начальную амплитуду напряжения 40В, 21.48kb.
- Виробництво та використання біогазу на агро фермі попередня Інформація, 326.95kb.
- Развивалась также новая область химии физическая химия радиоактивных твердых тел. Совместно, 213.01kb.
1.Энергетические зоны и свободные носители заряда в твердых телах. Уровень Ферми и равновесная концентрация свободных носителей. Собственная и примесная проводимость полупроводников.
2. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках.
3. Неравновесное состояние и неравновесные носители заряда.
4. Механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Уравнение генерации и рекомбинации.
5. Уравнение непрерывности. Частные решения.
6. Уравнение диффузии и его решение. Уравнение заряда.
7. Поверхностные явления в полупроводниках.
8. Эффект поля в полупроводниках. Уравнение Пуассона и его решение.
9. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии. Инжекция и экстракция носителей.
11. Вольт-амперная характеристика идеализированного p-n перехода.
12. Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода.
13. Пробой p-n перехода.
14.Емкость p-n перехода.
15. Переходные процессы в p-n переходе.
16. Выпрямляющий контакт металл - полупроводник.
17. Омический контакт металл – полупроводник.
18. Структура металл – диэлектрик – полупроводник. Физические процессы в структуре и ее основные параметры.
19. Гетеропереходы.
20. Выпрямительные низкочастотные диоды.
21. Выпрямительные высокочастотные и импульсные диоды.
22. Стабилитроны.
23. Варикапы.
24. Туннельные и обращенные диоды.
25. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.
26. Токи и распределение носителей в биполярном транзисторе. Режимы работы. Статические характеристики транзистора.
27. Физические параметры транзистора: коэффициенты передачи тока, дифференциальные сопротивления переходов, объемные сопротивления областей, коэффициент обратной связи, емкости переходов.
28. Транзистор как линейный четырехполюсник. Система h-параметров
29 Транзистор как усилитель малого сигнала.
30. Моделирование транзистора. Модель Эберса-Молла.
31. Работа транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме.
32. Принцип действия и статические характеристики МДП-транзисторов.
33. Параметры МДП-транзисторов. Особенности работы на в.ч. сигналах.
34. Транзисторы с управляющим p-n переходом и управляющим переходом металл-полупроводник.
35. Тиристоры: устройство, режимы работы, принцип действия. Двухтранзисторная модель тиристора.
36. Фотопроводимость полупроводников. Фоторприемники на основе эффекта фотопpоводимости и p-n перехода. Основные характеристики фотоприемников.
37. Фотоэлектрические приборы: фотодиоды (p-i-n, лавинно-пролетные, Шоттки и др.), фототранзисторы, фоторезисторы, солнечные преобразователи.
38. Светодиоды: принцип действия и основные характеристики. Типы светодиодов. Оптоэлектронные пары.
39. Физические основы эмиссионной электроники.
40. Физические процессы в двухэлектродной лампе (диоде).
41. Характеристики и параметры ламповых диодов.
42. Трехэлектродные лампы: физические процессы, характеристики и параметры.
43. Работа триода с нагрузкой в анодной цепи.
44. Элементарные процессы в газовых разрядах. Типы разрядов.
45. Газоразрядные приборы: стабилитроны, тиратроны.