Синтез, оптические спектры и стереоатомный анализ структуры сложных халькогенидов, активированных фторидов и оксидов 01. 04. 07 физика конденсированного состояния

Вид материала

Автореферат

Подобный материал:

• Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в сильно коррелированных электронных, 1439.13kb.
• Учебно-методический комплекс по дисциплине Физика Конденсированного Состояния Для специальности, 322.8kb.
• Паспорт специальности 01. 04. 07 – физика конденсированного состояния, 1004.81kb.
• Ён Викторович Методы визуализации кинетики зарождения и роста углеродных наноструктур, 219.01kb.
• Рабочая программа учебной дисциплины «Физика конденсированного состояния, термодинамика,, 223.9kb.
• Министерство образования Российской Федерации международный университет природы, общества, 1374.95kb.
• Рентгенографические исследования и построение моделей структуры ряда углеродных материалов, 315.25kb.
• Дефекты структуры, механические, электрические и магнитные свойства монокристаллических, 445.28kb.
• Аннотация рабочей программы дисциплины «Дифракционный структурный анализ» Направление, 26.86kb.
• Кинетика старения медно-бериллиевых сплавов в постоянном магнитном поле 01. 04., 427.06kb.

В заключении кратко сформулированы результаты диссертационного исследования.

1. Проведены исследования фазовых равновесий в системах CdGa₂S₄–ZnGa₂S₄, CdGa₂S₄–MgGa₂S₄ и CdGa₂S₄–HgGa₂S₄, в результате которых установлено, что в системах CdGa₂S₄–ZnGa₂S₄ и CdGa₂S₄–HgGa₂S₄ наблюдается непрерывный ряд твердых растворов на основе тиогаллата кадмия, причем параметры элементарной ячейки изменяются линейно от а=5.547±0.001 Å, с=10.168±0.002 Å для CdGa₂S₄ до а = 5.524 Å, с = 10.196 Å для Cd_0,9Zn_0,1Ga₂S₄ и до 5.510±0.001 Å, с=10.240±0.002 Å для HgGa₂S₄ соответственно. В системе CdGa₂S₄–MgGa₂S₄ область существования твердого раствора со структурой дефектного халькопирита Cd_1-хMg_xGa₂S₄ ограничена и при температуре 966±0.5 ⁰С максимальна, достигая 45 мол. % MgGa₂S₄. Параметры тетрагональной решетки изменяются от а=5.547±0.001 Å, с=10.168±0.002 Å для CdGa₂S₄ до а = 5.521±0.001 Å, с = 10.162±0.002 Å для Cd_0.55Mg_0.45Ga₂S₄. Также выявлено, что конгруэнтное плавление твердых растворов на основе тиогаллата кадмия в системе CdS–Ga₂S₃ наступает при температуре 990 ⁰С и соответствует химическому составу Cd_0.498Ga_1.004S_2.004.

2. Предложен способ исследований гетерогенных равновесий систем с летучими компонентами, представляющий собой одновременный отжиг исследуемой системы переменного химического состава (из-за градиента температуры по образцам) при постоянном давлении (температура летучего компонента постоянна). Использование предлагаемого способа исследования гетерогенных равновесий систем с летучим компонентом позволяет распространить исследования на область твердого состояния вещества, повысить производительность и информативность (несколько экспериментов позволяют построить Р–Т-проекцию диаграммы состояния; выбором градиента температуры по образцам и температуры, определяющей давление летучего компонента, можно производить исследования с требуемой точностью). Указанный способ был использован при исследовании Р–Т-проекции диаграммы состояния системы HgS-Ga₂S₃, в результате которого доказано, что диаграмма HgS-Ga₂S₃ относится к системам с двойной эвтектикой с твердыми растворами на основе соединения HgGa₂S₄.

3. Основываясь на результатах аналитического решения задачи о распределении примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры, как без учета взаимодействия расплава с газовой фазой, так и с его учетом, показано, что полученное распределение существенно отличается от описываемого формулой Релея. В частности, учет влияние скорости движения границы раздела фаз жидкость - твердое тело приводит к уменьшению величины Cs(1) -Cs(0) , характеризующей усредненную по длине кристалла неравномерность распределения примеси по сравнению с соответствующей величиной для бесконечно малой скорости роста, при которой распределение примеси описывается формулой Рэлея. Эффект уменьшения неравномерности распределения примеси по длине кристалла объясняется тем, что при конечной скорости роста концентрация примеси в жидкой фазе непосредственно перед фронтом кристаллизации будет отличаться от концентрации примеси в остальной части расплава за счет того, что диффузия примеси в жидкой фазе не успевает выравнивать разность концентраций вблизи фронта кристаллизации, возникающую вследствие эффекта сегрегации примеси. Кроме того, анализ решения указывает на возможность управления составом выращиваемого кристалла путем регулирования процесса испарения из расплава летучего компонента (при выращивании кристаллов тиогаллата ртути таковым является сульфид ртути).

4. Разработаны способы выращивания кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия с требуемыми оптическими свойствами, базирующиеся на использовании взаимного влияния изоморфно вводимых примесей на значение длины волны изотропии, и впервые синтезированы указанные монокристаллы. Исследования показали, что коэффициенты распределения Mg, замещающего Cd, CdS и Ga₂S₃ в тиогаллате кадмия, меньше единицы, что ведет при направленной кристаллизации к их недостатку в начале кристалла и увеличению их концентрации в верхней части кристалла. Коэффициент распределения Zn больше единицы, поэтому большая его часть скапливается в начале кристалла. При этом увеличение содержания CdS ведет к снижению значений длины волны изотропии, а Mg, Zn и Ga₂S₃ – к их увеличению. Сочетание этих свойств и позволяет управлять составом и свойствами выращиваемых кристаллов. В частности, одновременное легирование матрицы CdGa₂S₄ магнием и цинком позволяет вырастить монокристаллы, пригодные для изготовления оптических элементов фильтрующих устройств с ₀ от 492.7 нм до 880 нм с разбросом не более 0.2 нм по апертуре элемента. Кроме того, показано, что увеличение высоты и диаметра кристаллов тиогаллата кадмия и твердых растворов на их основе, выращиваемых в направлении [112], использование покрытия кварцевого контейнера для выращивания триоксидом бора ведет к повышению однородности и улучшению оптического качества монокристаллов.

5. В результате стереоатомного анализа координации атомов Cd, Ga и Zn в структуре известных соединений, содержащих полиэдры CdS_n, GaS_n и ZnS_n, установлено, что атомы Cd по отношению к атомам серы могут проявлять КЧ 3, 4, 5 или 6. Наиболее характерна для атомов Cd тетраэдрическая координация. Согласно полученным данным, в зависимости от КЧ и формы координационных полиэдров атомов Cd объем (V_ПВД) их полиэдров ВД изменяется в пределах от 19 до 23 ų. В структуре изучаемых соединений безразмерный параметр G₃, характеризующий степень сферичности полиэдров ВД атомов Cd (для сферы G₃=0.077), изменяется от 0.080 до 0.094. Наименьшее среднее значение G₃ имеют атомы Cd с октаэдрической координацией, для которых оно совпадает с теоретическим значением 0.083 для правильного октаэдра. Максимальные значения G₃ (в среднем 0.088(3)) соответствуют атомам Cd с тетраэдрической координацией. При этом для всех атомов Cd c КЧ 4 реальная величина G₃ меньше теоретического значения 0.104 для идеального тетраэдра, что можно считать следствием влияния невалентных взаимодействий Cd/Z.

Аналогичные расчеты для полиэдров ZnS_n показывают, что в зависимости от КЧ и формы координационных полиэдров атомов Zn объем их полиэдров ВД изменяется в пределах от 16 до 18.5 ų. Безразмерный параметр G₃ изменяется от 0.081 до 0.099. Наименьшее среднее значение G₃ имеют атомы Zn с октаэдрической координацией, для которых оно совпадает с теоретическим значением 0.083 для идеального октаэдра. Максимальные значения G₃ (в среднем 0.089) соответствуют атомам Zn с треугольной, тетраэдрической или тригонально-призматической координацией.

Для координационных полиэдров GaS_n в структуре кристаллов в зависимости от КЧ и степени окисления объем полиэдров ВД атомов Ga (V_ПВД) изменяется в широких пределах от 14.7 до 21.1ų. Отметим, что для атомов Ga(III) с КЧ 6 и 3 значения R_СД практически совпадают (соответственно 1.522 и 1.529Å), тогда как для Ga(III) с КЧ 4 R_СД увеличено в среднем до 1.64Å. Этот факт связан со сравнительно сильным искажением в структуре кристаллов как линейных, так и угловых параметров тетраэдров GaS₄.

Параметры полиэдров ВД являются важными интегральными характеристиками атомов в структуре кристаллов. Поэтому их существенное отклонение от среднего значения для атомов некоторого элемента с фиксированной природой атомов первой координационной сферы позволяет легко выявлять ошибки в кристаллоструктурной информации.

6. Доказано, что оптические свойства изоструктурных соединений со структурой дефектного халькопирита зависят от степени ионности связей металл – халькоген. В частности, точкой изотропии обладают вещества только с относительно высокой степенью ионности связей М-Х (>0.15). У веществ же со сравнительно небольшой степенью ионности связей М-Х (<0.15) точка изотропии отсутствует. Указанный выше критерий позволяет определить границы существования изотропной точки для твердых растворов на основе тиогаллата кадмия. Так, для твердых растворов Cd_1-хZn_хGa₂S₄ при х 0.2, параметр   0.15, и поэтому такие твердые растворы, как и CdGa₂S₄, должны обладать точкой изотропии, что нами экспериментально подтверждено данными для образцов с х<0.072. Аналогичные расчеты для систем твердых растворов CdGa₂S₄ – HgGa₂S₄, CdGa₂S₄ – CdGa₂Se₄, и CdGa₂S₄ – CdGa₂Te₄ показывают, что предельные соединения Cd_0,68Hg_0,32Ga₂S₄, CdGa₂S_3,76Se_0,24, CdGa₂S_3,94Te_0,06 должны обладать изотропной точкой. Действительно, для соединения CdGa₂S_3,92Se_0,08 длина волны изотропии λ_о равна 654 нм, в то время как кристаллы CdGa₂Se₄ не обладают изотропной точкой.

Анализ рассчитанных данных показывает, что такие характеристики, как объем полиэдров Вороного – Дирихле, объем координационного полиэдра и площадь поверхности ПВД всех атомов, входящих в структуру Cd_1-хGa_2хSe_2х+1, уменьшаются линейно с увеличением концентрации Ga₂S₃. Учитывая, что для кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия в системе CdS – Ga₂S₃ наблюдается линейный рост положения изотропной точки с увеличением концентрации Ga₂S₃, можно сделать вывод о том, что уменьшение объема полиэдра Вороного-Дирихле атома серы закономерно ведет к увеличению значений длины волны изотропии в кристаллах со структурой дефектного халькопирита.

Аналогичные исследования для систем CdGa₂S₄–ZnGa₂S₄ и CdGa₂S₄ - MgGa₂S₄ показывают, что для кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия наблюдается нелинейный рост положения изотропной точки с увеличением концентрации цинка и магния. А объем полиэдров Вороного – Дирихле также нелинейно уменьшается, т.е. можно сделать вывод о том, что уменьшение объема полиэдра Вороного-Дирихле атома серы закономерно ведет к увеличению значений длины волны изотропии, как и для кристаллов твердых растворов на основе CdGa₂S₄ в системе CdS – Ga₂S₃.

В случае изоструктурных халькогенидов типа A^IB^IIIХ^VI₂ со структурой халькопирита и твердых растворов на их основе, например AgGa_xIn_1−xS₂ и AgGa(S_1-xSe_x)₂, как и для A^IIB^III₂X^VI₄, величина μ  0.15 также только для кристаллов, обладающих изотропной точкой. В исследованных изоструктурных соединениях максимальная величина μ и, как следствие, максимальный отрицательный заряд ^- на атомах халькогена отвечают кристаллам AgGaS₂, AgInS₂, AgInSe₂, CuInS₂, обладающим точкой изотропии. Изучение зависимости объема полиэдров Вороного-Дирихле от концентрации индия и селена в AgGaS₂ показывает, что введение и индия, и селена в AgGaS₂ приводит к увеличению объема ПВД. При этом увеличение содержания индия и селена ведет к повышению значений длины волны изотропии.

Итак, представленные результаты дают основание считать, что параметр  позволяет выявлять кристаллы, обладающие точкой изотропии, при кристаллохимическом анализе соединений (или твердых растворов на их основе), для которых гиротропные свойства разрешены симметрией кристаллов.

7. Синтезированы и проведены исследования спектров люминесценции следующих кристаллических фторидов и кислородосодержащих соединений, активированных ионами Pr³⁺: SrAl₁₂O₁₉, LaAlO₃, SrB₄O₇, LaMgAl₁₁O₁₉, YAlO₃, LiSrAlF₆, SrAlF₅, SrF₂, SrClF, LaF₃, YF₃, KMgF₃, BaSiF₆. Проанализированы, кроме того, спектры люминесценции СaSO₄, BaSO₄, SrSO₄, Y₂SiO₅, LaZr₃F₁₅. Проведен стереоатомный анализ полиэдров PrF_n, который показал, что по отношению к атомам фтора атомы празеодима проявляют координационные числа от 6 до 12. Причем наиболее характерными являются координационные числа 9 (37.5 %), 8 (31.3 %) и 10 (18.8 %). Полиэдры Вороного-Дирихле большинства атомов Pr искажены, что хорошо согласуется с низкой сайт-симметрией позиций, чаще всего занимаемых атомами металла – C₁, C_s и C₂. Объем полиэдров изменяется незначительно в пределах от 11.110 до 12.658 ų.

Имеющиеся данные показывают, что у фторидов максимальное значение параметр G₃ имеет позиция атома Sr (G₃= 8.304•10^-2, КЧ=9) в SrFCl, а минимальное – позиция атома К (G₃=7.875•10^-2, КЧ=12) в KMgF₃ и Ba (G₃=7.850•10^-2, КЧ=12) в BaSiF₆. При этом ¹S₀-люминесценция празеодима наблюдается для соединений LiSrAlF₆, SrAlF₅, LaF₃, YF₃, KMgF₃, LaZr₃F₁₅ и BaSiF₆, а для SrF₂ и SrClF она отсутствует. Таким образом, степень сферичности полиэдра Вороного-Дирихле определяет возможность того или иного соединения демонстрировать первую ступень каскадной люминесценции для празеодима. Более того, для фторидов просматривается связь между параметром G₃ и величиной красного сдвига D(A). Установлено, что соединения LaZr₃F₁₅ и BaSiF₆ являются перспективными для демонстрации первой ступени каскадной люминесценции празеодима, что и наблюдается для LaZr₃F₁₅.

Максимальным значением параметра G₃ у кислородосодержащих соединений (9.182•10^-2) обладает атом Y₁ (КЧ = 8) в Y₂SiO₅, а наименьшее G₃ (7,886•10^-2 и 7,898•10^-2) принадлежит атомам Sr (КЧ = 7) в SrB₄O₇ и в SrAl₁₂O₁₉ (КЧ = 12). Последние два соединения, активированные ионами празеодима, демонстрируют первую ступень каскадной люминесценции, т.е. переход ¹S₀ → ¹I₆.

Таким образом, доказано, что именно соединения, активированные ионами празеодима, с наименьшими значениями параметра G₃, демонстрируют в своих спектрах каскадную люминесценцию, т.е. именно для них ¹S_o – уровень расположен ниже дна 5d-зоны.

8. Впервые методом Чохральского выращены монокристаллы CaGd_4 x y zYb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O (Yb³⁺,Er³⁺,Ce³⁺:CGS), проанализированы концентрационные зависимости кинетик затухания люминесценции уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺, проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов CaCe_0.20Er_0.36Gd_3.34O₁₃Si₃Yb_0.10, CaCe_0.80Er_0.04Gd_3.16O₁₃Si₃ и CaCe_0.40Er_0.05Gd_3.56O₁₃Si₃. Установлено, что увеличение содержания церия ведет к увеличению параметров решетки и смещению атомов Gd(1), Si, O(1) и O(2) в плоскости xoy, а O(3) – вдоль всех осей. Атом O(4) своих координат не изменяет, позиция C₃, занимаемая атомами Ca(1), Gd(2), Ce(1), Er(1) и Yb(1), претерпевает смещение только вдоль оси z. Допирование Yb снижает значение параметров ячейки, а смещение атомов происходит таким же образом, как и при замещении церием. Кроме того, увеличение концентрации церия ведет к увеличению объема полиэдра Вороного-Дирихле и параметра G₃, а введение иттербия приводит к снижению объема и к увеличению G₃. Увеличение концентраций церия и иттербия уменьшает смещение ядра атома из центра тяжести его полиэдра.

Вместе с тем увеличение концентрации церия приводит к снижению времени затухания люминесценции уровней ⁴S_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Er,Ce:CGS вследствие безызлучательного взаимодействия Er→Ce, а допирование Yb увеличивает время затухания люминесценции лазерного уровня ⁴I_13/2.

Итак, поскольку изменение времени жизни с введением той или иной примеси связано с безызлучательными взаимодействиями между примесными центрами, а в нашем случае спектры поглощения и излучения примесных центров с изменением их концентрации не изменяются и отсутствует миграция энергии, то вероятность мультипольных взаимодействий пропорциональна концентрации акцепторной примеси (Ce). В свою очередь объем полиэдра Вороного-Дирихле также пропорционален концентрации примеси, следовательно, по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.

9. В результате проведенных исследований показано, что применение современного анализа структуры кристаллов на основе полиэдров Вороного-Дирихле и метода пересекающихся сфер расширяет возможности прогнозирования их свойств и сокращает пути поиска новых соединений для создания элементов оптических приборов и устройств.


Список работ по теме диссертации:


1. Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сережкин В.Н. Системы CdGa₂S₄ – MGa₂S₄ (M=Zn, Mg) и гиротропные кристаллы на основе тиогаллата кадмия. // Ж. неорган. химии. 2008. Т. 53. № 7. с. 1219-1224.

2. Сережкин В.Н., Пушкин Д.В., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Координационные полиэдры CdS_n в структурах кристаллов. //Координационная химия. 2008. т.34. № 5. с. 395-400.

3. Сережкин В.Н., Пушкин Д.В., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Координационные полиэдры ZnS_n в структурах кристаллов. //Координационная химия. 2008. т.34. № 6. с. 473-480.

4. Сережкин В.Н., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Пушкин Д.В., Пересыпкина Е.В. Координационные полиэдры GaS_n в структурах кристаллов.// Координационная химия. 2008. т.34. № 4. с. 302-307.

5. Исаев В.А., Сережкин В.Н., Аванесов А.Г. О взаимосвязи оптических и кристаллоструктурных характеристик монокристаллов тройных и смешанных халькогенидов.// Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2008. № 2. стр. 62-69.

6. Аванесов А.Г., Исаев В.А., Сергиенко Н.Л., Сережкин В.Н. Люминесценция и особенности структуры некоторых неорганических соединений.// Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2005. №1. стр. 51-56.

7. Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сергиенко Н.Л., Сережкин В.Н. Стереометрические особенности и люминесценция трехвалентного празеодима в галогенидах.// Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Приложение. № 4. 2005. стр. 25-31.

8. Аванесов А.Г., Исаев В.А., Сергиенко Н.Л., Чижевский Д.Ю., Сережкин В.Н. Стереометрические особенности и люминесценция оксидов в

Sr_1–xPr_xMgAl₁₁O₁₉, La_1–xPr_xMgAl₁₁O₁₉, и Y_1–xPr_xAlO₃.// Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Приложение. № 4. 2005. стр. 17-22.

9. Сережкин В.Н., Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сергиенко Н.Л. Стереометрические особенности LiCaAlF₆, NaSrAlF₆, CaAlF₅, Ca₂AlF₇, YF₃, LiYF₄, SrF₂ и CaF₂.// Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Приложение. № 5. 2005. стр. 58-61.

10. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Shestakov A.V. Spectroscopy of ytterbium in Gd₄СаО(SiO₄)₃ (CGS). // Journal of Luminescence, 92, Iss. 1-2, 2000, pp. 139-144.

11. Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Pisarenko V.F. Optical properties of CaGd₄Si₃O₁₃ (CGS) crystals with Er³⁺ used as 1.5 m laser material.// Journal of Physics: Condensed Matter, Vol.12, Issue 18,2000, pp.L287-L292.

12. Voroshilov I.V., Lebedev VA., Gavrilenko A.N., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Shestakov A.V. Study of Yb³⁺ - Yb³⁺ and Yb³⁺ - Ce³⁺ energy transfer in Yb,Ce:CaGd₄Si₃O₁₃ (Yb,Ce:CGS) crystals.// Journal of Physics: Condensed Matter, Vol.12, Issue 12,2000, pp.L211-L215

13. Баландина А.И., Бондарев О.Л., Исаев В.А., Лаптева Д.Р., Попов В.В. Способ получения монокристаллов на основе тиогаллата кадмия. // Авторское свидетельство СССР № 1593300 от 15.05.90 г.

14. Бадиков В.В., Исаев В.А., Матвеев И.Н., Победимская Е.Н., Попов В.В., Троценко Н.К., Устинов Н.Д., Шевырдяева Г.С. Нелинейный преобразователь частоты лазерного излучения.// Авторское свидетельство СССР № 1148479 от 1.12.84 г.

15. Бадиков В.В., Исаев В.А., Кутовой С.А., Попов В.В., Троценко Н.К., Тумаев Е.Н., Устинов Н.Д. Способ получения монокристаллов на основе CdGa₂S₄.// Авторское свидетельство СССР № 1332887 от 22.04.87 г

16. Попов В.В., Исаев В.А. Способ определения границ фазовых полей. // Положительное решение по заявке № 4741830 от 02.08.89 г.

17. Сережкин В.Н., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Кристаллохимический анализ матриц празеодим содержащих люминофоров.// В кн.: Материалы XIV Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар 5-12 октября 2008 г. стр. 204-210.

18. Исаев В.А., Сережкин В.Н., Аванесов А.Г. Оптические и стереоатомные характеристики монокристаллов тройных и смешанных халькогенидов.// В кн.: Материалы XIV Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар 5-12 октября 2008 г. стр. 187-191.

19. Исаев В.А., Лебедев В.А., Вологжанина А.В., Саакян А.В. Кинетики затухания люминесценции, структурный и кристаллохимический анализ соединений CaGd_4-x-y-zYb_xEr_yCe_z(SiO₄)₃O.// В кн.: Материалы XIV Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар 5-12 октября 2008 г. стр. 177-181.

20. Баландина А.И., Исаев В.А., Попов В.В., Троценко Н.К. Дисперсионные интерференционно-поляризационные фильтры на гиротропных кристаллах со знакопеременным двулучепреломлением.// В кн.: Сборник материалов всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров» Москва 16-17 апреля 1990 г. М. 1990 стр. 72.

21. Лебедев В.А., Селина Н.В., Ворошилов И.В., Перфилин А.А., Исаев В.А., Гавриленко А.Н., Чуев Ю.М., Быковский П.И. Экспериментальные исследования спектральных, люминесцентных, кинетических и генерационных свойств активированных кристаллов на основе сложных оксидов и разработка новых высокоэффективных лазерных сред.// Отчет о НИР (заключительный)/ ВНТИЦентр; Руководитель Лебедев В.А. - № ГР 01.9.70 002917 – Краснодар, 1997, 84 с.: ил.

22. Аванесов А.Г., Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Гавриленко А.Н., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Ключко Е.В. Разработка принципов и создание оптически активных сред для квантовых генераторов, плазменных дисплеев и ламп нового поколения.// Отчет о НИР (заключительный)/ВНТИЦентр; Руководитель Аванесов А.Г. - № ГР 01.9.80 003897- Краснодар, 1999, 64 с.: ил.

23. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Тумаев Е.Н., Благодырь М.А., Гавриленко А.Н., Галуцкий В.В., Несынов А.С. Новые технологии синтеза лазерных монокристаллов с заранее заданными свойствами (с целью создания регионального центра лазерных технологий).// Отчет о НИР (заключит.)/ ВНТИЦентр, руководитель Лебедев В.А., з.-н. 12, КубГУ, № ГР 01.20.00 0787, Краснодар 2000, 141 стр.

24. Исаев В.А., Тумаев Е.Н. Распределение примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры.// В сборнике «Проблемы физико-математического моделирования». Кубан. гос. технол. ун-т, 1997 г., стр. 88-91.

25. Исаев В.А., Тумаев Е.Н. Распределение примеси при направленной кристаллизации слитка с учетом взаимодействия расплава с газовой фазой.// Наука Кубани. № 2. 1998 г., стр. 23-27.

26. Баландина А.И., Исаев В.А., Попов В.В. Оптический фильтр на основе кристалла тиогаллата кадмия для селекции второй гармоники неодимового лазера.// В кн.: Тезисы докладов VI всесоюзной конференции «Оптика лазеров» Ленинград, 2-7 марта 1990 г. Л. 1990. стр. 308.

27. Исаев В.А., Акопов Е.К. Тройные системы на основе кадмия, ртути, галлия и серы и условия выращивания монокристаллов со структурой дефектного халькопирита.// В кн.: Четвертая Всесоюзная конференция «Термодинамика и материаловедение полупроводников» (тезисы докладов). Москва, июнь 1989 г. М. 1989. стр. 219.

28. Баландина А.И., Исаев В.А., Лаптева Д.Р., Попов В.В. Выращивание крупных легированных монокристаллов тиогаллата кадмия.// В кн.: 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Расширенные тезисы. Том III. «Рост кристаллов из расплава» Москва 14-19 ноября 1988 г. М. 1988. стр. 166-167.

29. Сергиенко Н.Л., Аванесов А.Г., Исаев В.А. Симметрия лигандов и каскадная люминесценция Pr³⁺.// В кн.: Тезисы докладов XI семинара совещания «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар, 18-23 сентября 2005 г. К. 2005. стр. 51-52.

30. Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сережкин В.Н. Параметры структуры и оптические свойства гиротропных кристаллов на основе тиогаллата кадмия.// Тезисы докладов XIII Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар, 30 сентября – 6 октября 2007 г. К. 2007. стр. 3.

31. Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сережкин В.Н. Гиротропные кристаллы на основе тиогаллата кадмия со знакопеременным двулучепреломлением.// Тезисы докладов XII Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар, 1-7 октября 2006 г. К. 2006. стр. 94-95.

32. Овчаренко Н.Н., Строганова Е.В., Лебедев В.А., Галуцкий В.В., Исаев В.А., Игнатьев Б.В., Писаренко В.Ф. Структурные, спектроскопические и люминесцентные исследования концентрационно профилированных кристаллов стехиометрического ниобата лития.// XII Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар, 1-7 октября 2006 г. К. 2006. стр. 106.

33. Бондарев О.Л., Исаев В.А., Попов В.В., Рычик О.В. Кристаллы для параметрического смещения частот среднего диапазона со второй гармоникой неодимового лазера.// 4 Всесоюзная конференция “Оптика лазеров”. Тезисы докладов. Л., 1990. С.316

34. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Шестаков А.В. Исследование спектрально-люминесцентных и кинетических свойств лазерных кристаллов CaGd_4-x-yYb_xCeySi₃O₁₃ (Yb, Ce: CGS).// Труды международной конференции аспирантов и студентов “Ломоносов-99”, МГУ, 21-23 апреля 1999 г. Изд-во физфак МГУ, М., 1999. С.108-111.

35. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Аванесов А.Г., Шестаков А.В. Yb: CaGd₄Si₃O₁₃ (Yb: CGS) as potential laser crystal for generation of 1.064 m emission and its spectroscopic and kinetic investigations.// Collected Abstracts of “1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter” (ICL’99 August 23-17, Osaka, Japan), papar NPC1-6, p. 69

36. Lebedev V.A., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Voroshilov I.V., Saakian A.V., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Kinetic and spectroscopic investigations of CaBaBO₃F and Ca₄Y(BO₃)₃O crystals doped with Yb³⁺ and Er³⁺ .// Collected Abstracts of "1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter" (ICL'99 August 23-17, Osaka, Japan), paper №PC3-19,p.264

37. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Гавриленко А.Н., Исаев В.А., Аванесов А.Г., Игнатьев Б.В. Перенос энергии электронного возбуждения Er³⁺ - Ce³⁺ в монокристаллах CaGd_4 x y zYb_xEr_yCe_zSi₃O₁₃ –кристаллических матрицах для твердотельных лазеров полуторамикронного диапазона длин волн.// Proceedings of "Sixth International Conference Actual problems of Solid State Electronics and Microelectronics" (Divnomorckoye, Russia, September, 6-11, 1999), Taganrog 1999, p.3.

38. Lebedev V.A., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Voroshilov I.V., Pisarenko V.F. Crystal growth of CaGd_4 x y zYb_xEr_yCe_zSi₃O₁₃ (Yb,Er,Ce:CGS) – potential laser media for generation 1.5 mkm emission and its spectroscopic and kinetic investigation.// Abstracts of "Third International Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat-Mass Transfer" (ICSC-99 Obninsk, September, 21-24, 1999), Obninsk 1999, p.88-89.

39. Лебедев В.А., Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Игнатьев Б.В., Исаев В.А., Ворошилов И.В., Гавриленко А.Н., Саакян А.В., Ключко Е.В., Несынов А.С., Галуцкий В.В. Новые кристаллические материалы для безопасных для зрения экологически чистых полуторамикронных лазеров.// Труды Первой Краевой молодежной научно-практической конференции «Здоровье и здоровый образ жизни» 4 дек. 1999, КГМА, изд-во КГМА, Краснодар, 2000

40. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Quenching of erbium luminescence in Er,Ce:CaGd₄(SiO₄)₃O (Er,Ce:CGS) crystals.// X-th International Conference on "Laser Optics", Technical Digest, St.-Petersburg, June 23-26,2000, p.24.

41. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Spectroscopic and Kinetic Investigations of Erbium in Er,Ce:CaGd₄Si₃O₁₃ (Er,Ce:CGS) Crystals.// International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/IQEC) – Europe, Technical Digest, Paris, September, 2000, paper CWF30.

42. Ворошилов И.В., Лебедев В.А., Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Игнатьев Б.В., Исаев В.А.,Гавриленко А.Н., Саакян А.В., Ключко Е.В., Несынов А.С., Галуцкий В.В. Новые кристаллические материалы для безопасных для зрения, экологически чистых полуторамикронных лазеров.// Материалы региональной научно-практической конференции «Здравоохранение. Медицина.3доровье» г. Геленджик, 16-18 августа 2000 г., Краснодар, 2000, с.41.

43. Аванесов А.Г., Исаев В.А., Лебедев В.А., Строганова Е.В. Рост кристаллов. Методы выращивания и свойства кристаллов.// Учебное пособие. Краснодар. 2005. 53 с.

44. Исаев В.А., Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Тумаев Е.Н. Выращивание и исследование монокристаллов силикатов и ниобатов с иттербием для создания новых высокоэффективных источников лазерного излучения с длиной волны 1.06 мкм.// Отчет о НИР, руководитель Исаев В.А., КубГУ, № ГР 01.2001.19376, Краснодар 2001, 11 стр.


Цитируемые источники:

1. Сусликов Л.М., Сливка В.Ю., Лисица М.П. Твердотельные оптические фильтры на гиротропных кристаллах.// Киев. 1998. с. 293.

2. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов.// М. Металлургия. 1982. 352 с.

3. Блатов В.А., Шевченко А.П., Сережкин В.Н. TOPOS – комплекс программ для анализа топологии кристаллических структур.// Журн. структ. химии. 1993. Т.34. № 5. с. 183-185.

4. Inorganic crystal structure database. Gmelin-Institut fur Anorganische Chemie & FIC Karlsruhe. 2007.

5. Romers C., Blaisse B.A., Ijdo D.J.W. Complex sulphur compounds. I. The crystal structure of MgGa₂S₄.// Acta Crystallogr. 1967. V.23. N4. P.634.

6. Родный П.А. Каскадная эмиссия фотонов в люминофорах.// Оптика и спектроскопия. 2000. т. 89. № 4. с. 609-616.

7. Родный П.А., Мишин А.Н., Потапов А.С. Люминесценция трехвалентного празеодима в оксидах и фторидах.// Оптика и спектроскопия, 2002. т, 93. № 5, с. 775-782.

8. Rodnyi P.A., Dorenbos P., Stryganyuk G.B., Voloshinovskij A.S. Potapov A.S. and van Eijk C.W.E. Emission of Pr³⁺ in SrAl₁₂O₁₉ under vacuum ultraviolet synchrotron excitation.// Journal of Physics: Condens. Matter. 2003. 15. P. 719-729.

9 Потапов А.С., Родный П. А., Михрин С. Б., Магунов И. Р. Люминесцентные свойства празеодима в некоторых фторидах.// Физика твердого тела. 2005. Т. 47. № 8. с. 1386–1388.

10. Вологжанина А.В., Пушкин Д.В., Сережкин В.Н. Координационные полиэдры PrO_n в структуре кристаллов.// Координационная химия. 2005.т. 31 № 1. с. 51-58.

11. Dorenbos P. The 5d level position of trivalent lanthanides in inorganic compounds. Journal of Luminescence. 2000. № 91. P. 155–176.

12. Dexpert-Ghys J., Ribeiro S.J.L., Dugat P., Avignant D. Crystal structure and luminescence properties of La₃Zr₄F₂₅ and alpha-LaZr₃F₁₅. Journal of Materials Chemistry. 1998. V. 8. P. 1043-1050.