Отчет о работе базовых кафедр за 2008 год

Вид материала

Отчет

Содержание Северо-кавказский государственный технический университет Основные научные направления кафедры Специальность, специализации Учебно-вспомогательный персонал Перечень читаемых курсов Количество специализирующихся студентов (указать номера специальностей) по курсам Базы практики студентов (отметить, если была практика на станциях ЮНЦ РАН и его подразделениях) Занятость сотрудников в выполнении тем НИР совместно с сотрудниками ЮНЦ РАН и других академических учреждений Участие сотрудников в конференциях, семинарах, рабочих группах. Контакты с подразделением РАН. Количество выпускников и аспирантов кафедры, за последние 3 года направленные на работу в подразд Международные контакты Публикации сотрудников и студентов кафедры в 2008 г. Руководство магистерскими диссертациями Адрес и телефоны кафедры

Подобный материал:

• Отчет о работе базовых кафедр за 2007 год, 2905.89kb.
• Доклад проректора Колесникова Ю. Л. "Критерии создания и функционирования базовых кафедр", 25.87kb.
• Публичный отчет об образовательной и финансово-хозяйственной деятельности мбоу лит, 1180.41kb.
• Утвердить годовой отчет Общества за 2008 год, годовую бухгалтерскую отчетность Общества, 43.72kb.
• Учреждение Российской Академии Наук Южный научный центр программа, 439.08kb.
• Отчет о прибылях и убытках за год, закончившийся 31 декабря 2008 г. 5 Отчет о движении, 4240.53kb.
• Отчет о работе Совета директоров и исполнительных органов ОАО «атп» за 2008 год. Отчет, 42.57kb.
• Отчет о работе кафедры иностранных языков гуманитарных факультетов за 2008-2009, 182.51kb.
• Отчет о проделанной работе Главы и администрации сельского поселения Сентябрьский, 61.27kb.
• Отчёт о научно-исследовательской работе за 2011 год, 1208.93kb.

СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Этапы формирования кафедры. 28 декабря 1988 года была создана выпускающая кафедра материалов электронной техники (с 2002г. по сентябрь 2004г. носившая название "Электроника, микроэлектроника и нанотехнология").

В 1993 году состоялся первый выпуск инженеров по специальности 200200 "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники".

С 1994г. кафедру возглавил доктор химических наук, профессор Синельников Борис Михайлович.

После проведения реорганизации, на базе кафедры электроники, микроэлектроники и нанотехнологии были образованы 2 кафедры, одна из которых получила название "Нанотехнология и технология материалов электронной техники". Заведует кафедрой д-р. хим. наук, профессор, действительный член АТН РФ Синельников Борис Михайлович.

В настоящий момент в составе кафедры работает 23 человек. Из них профессоров - 3; доцентов - 8; старших преподавателей - 1; инженеров и учебно-вспомогательного персонала - 11 человек.

Основные научные направления кафедры

Научно-исследовательская работа кафедры ведется по нескольким научным направлениям:

• разработка технологии получения широкозонных полупроводниковых материалов и их твердых растворов для систем отображения информации;
  
• исследование оптических и спектральных характеристик активированных материалов и изделий на их основе;
  
• исследование порошковых и тонкопленочных излучателей для средств отображения информации.
  
• математическое моделирование диффузионных процессов в структурах на основе активированных широкозонных материалов при электровозбуждении;
  
• материалы для электроники и радиотехники;
  
• материалы для экстремальной электроники.
  

Специальность, специализации

240306 (251000) Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники

Специализации:

Технология монокристаллов

Химическая технология оптоэлектронных и светотехнических материалов

210601 (202100) Нанотехнология в электронике

240100 (550800) Химическая технология и биотехнология (бакалавриат)

Аспирантура

На кафедре открыта аспирантура по специальностям:

• 02.00.04 Физическая химия
  
• 01.04.07 Физика конденсированного состояния
  

и докторантура по специальностям:

• 02.00.04 Физическая химия
  
• 01.04.07 Физика конденсированного состояния
  

Штат кафедры:

Заведующий кафедрой: Синельников Б.М., д.х.н., профессор

Преподаватели:

• ссылка скрыта — д-р хим. наук, профессор; ссылка скрыта — д-р.техн. наук, профессор; ссылка скрыта — д.т.н., профессор; ссылка скрыта Мухамед Данильевич — д-р ф-м. наук, профессор; Губин Сергей Павлович – д.х.н., профессор; Третьяков Юрий Дмитриевич - д-р хим. наук, профессор; ссылка скрыта — канд. хим. наук, доцент; ссылка скрыта — к.т.н., доцент; ссылка скрыта — к.т.н., доцент; ссылка скрыта Вячеслав Петрович — канд. хим. наук, доцент; ссылка скрыта — канд. хим. наук, доцент; ссылка скрыта — канд. хим. наук, доцент; Хорошилова Светлана Эдуардовна — зам. зав. кафедрой, канд. хим. наук, доцент; Гривенная Наталья Владимировна - к.т.н., доцент; Будкевич Олег Романович - к.б.н., доцент
  

Учебно-вспомогательный персонал

Зырянов Виктор Саввович — инженер; Буков Виталий Иванович — инженер; Воронов Павел Евгеньевич — инженер; Залозный Александр Николаевич — инженер; Воробьев Вячеслав Иванович — инженер; Митченко Иван Сергеевич — инженер; Штаб Александр Владимирович — инженер; Оспищев Михаил Александрович — инженер; Алексеев Олег Георгиевич — инженер; Маловичко Елена Андреевна — техник; Кичук Станислав Николаевич – инженер;

Перечень читаемых курсов: Автоматизированные информационные технологии в электронике; Введение в специальность; Государственный экзамен; Информатика; Квантовая и оптическая электроника; Конструкторско-технологическая практика; Математические модели объектов и процессов электроники; Материаловедение элементной базы электронной техники; Материалы и элементы электронной техники; Методы исследования материалов и структур электроники; Методы исследования материалов и элементов электронной техники; Методы математического моделирования; Научно-исследовательская работа; Низкоразмерные квантовые структуры и сверхрешетки; Ознакомительная практика; Оптические явления в твердом теле; Основы технологии особо чистых веществ; Пленочные технологии; Подготовка дипломной работы; Преддипломная практика; Приборы и устройства на основе материалов квантовой и полупроводниковой электроники; Процессы и аппараты в химичеcкой технологии; Процессы и аппараты химических технологий; Процессы микро- и нанотехнологии; Теоретические основы процессов кристаллизации; Технология материалов и оборудование для производства монокристалов, материалов и изделий электронной техники; Технология материалов квантовой электроники; Технология материалов электронной техники; Технология элементов электронной техники; Физика полупроводников; Физико-химия наноструктурированных материалов; Физическая химия кристаллов с дефектами; Физическая химия материалов и процессов электронной техники; Физическая химия твердого тела; Физическая электроника и электронные приборы; Химическая термодинамика и фазовые равновесия; Химия полупроводников; Электронные процессы в материалах электронной техники;

Количество специализирующихся студентов (указать номера специальностей) по курсам

Специальность 240306: 1 курс 20 студентов; 2 курс 11 студентов; 3 курс 7 студентов; 4 курс 14 студентов; 5 курс 10 студентов;

Специальность 210601: 1 курс 10 студентов; 2 курс 14 студентов; 3 курс 16 студентов; 4 курс 12 студентов; 5 курс 16 студентов;

Направление 240100.62: 1курс 30 студентов; 2 курс 3 студентов; 3 курс 3 студентов; 4 курс 6 студентов;

Направление 240100.68: 1 курс 3 студентов; 2 курс 4 студентов;

Направление 210600: 1 курс 10 студентов;

Направление 210602: 1 курс 10 студентов.

Базы практики студентов (отметить, если была практика на станциях ЮНЦ РАН и его подразделениях)

Кафедра активно взаимодействует с предприятиями края — потенциальными работодателями наших выпускников. Студенты имеют возможность проходить практику на предприятиях профильной отрасли, таких как "Монокристалл", "Аналог", "Сигнал", ООО НПФ "Экситон" состоящая из двух производств: СинКрис — производство алюмо-иттриевых гранатов и СиЭл — производство испытательных комплексов и изделий силовой электроники, ООО НПФ "Свет", занимающийся производством люминесцентных материалов.

Занятость сотрудников в выполнении тем НИР совместно с сотрудниками ЮНЦ РАН и других академических учреждений - 12.

Список проектов и грантов, выполняемых сотрудниками кафедры

1. Исследование химического взаимодействия нано- и микрочастиц переходных металлов с макромолекулами термопластичных полимеров с целью создания высокочувствительных и селективных датчиков на соответствующие ионы. Руководитель – Синельников Б. М
   
2. Исследование процессов формирования аморфных гидрогенизированных пленок карбида кремния и углерода. Руководитель - Синельников Б. М.
   
3. «Синтез серии неорганических соединений с заданными спектральными свойствами».. Руководитель - Воробьев В.А.
   
4. «Проведение поисковых и опытно-технологических работ по созданию материала нового поколения. Руководитель - Воробьев В.А.
   
5. Отработка специальных и технологических свойств неорганического люминофора, обладающего заданными кинетическими свойствами» Руководитель - Воробьев В.А.
   
6. Исследование особенностей синтеза полупроводниковых широкозонных материалов для экстремальной электроники. Руководитель – Синельников Б. М
   
7. Фундаментальные исследования новых изолирующих и полупроводниковых материалов на основе аморфного и гидрогенизированного карбида кремния совместно с Кемницким техническим университетом. Руководитель – Синельников Б. М
   
8. Исследование влияния технологических режимов плазмо-химического осаждения на физико-химические свойства алмазоподобных пленок углерода (а-С:Н). Руководитель - Прохода Т.Н.
   
9. Синтез и исследование физико-химических свойств аморфных гидрогенизированных пленок углерода. Руководитель – Тарала В.А.
   

Участие сотрудников в конференциях, семинарах, рабочих группах. В 2008 г сотрудники кафедры принимали участие в работе следующих конференций и семинаров:

1. International Conference Biophotonics: Photonic Solutions for Better Health Care Strasburg, Tuesday-Thursday 8 - 10 April 2008
   
2. International Conference IMID/IDMC/Asia Display 2008, Republic Korea, 5-9 October 2008
   
3. Третья ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН, Ростовна Дону
   
4. VIII международная научная конференция «Химия твер-дого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск: СевКавГТУ, 15- 19 сентября 2008, Кисловодск.
   

Контакты с подразделением РАН. Количество выпускников и аспирантов кафедры, за последние 3 года направленные на работу в подразделения ЮНЦ РАН

К настоящему времени установлены творческие связи с кафедрами полупроводников и диэлектриков ЛЭТИ, химии твердых веществ ЛТИ им. Ленсовета, химии твердых веществ ЛГУ, а также ведущими научными центрами: Институтом химической физики РАН (г. Москва), Институтом химии твердого тела УРО РАН (г. Екатеринбург), Институтом химии силикатов РАН (Санкт-Петербург).

Международные контакты

Северо-Кавказский государственный технический университет заключил соглашения о научно-техническом сотрудничестве и обмене аспирантами и студентами с Германским технологическим университетом города Гамбурга и техническим университетом Кемница, где могут продолжить свое обучение студенты кафедры. Кроме того, профессора из университетов - участников соглашения приезжают для чтения лекций по наиболее актуальным проблемам современной техники и технологии.

Ведется научное сотрудничество с Пражским химико-технологическим институтом, Институтом передовых технологий компании “Samsung”.

Публикации сотрудников и студентов кафедры в 2008 г.

1. Визер Л.Н., Технология элементов электронной техники (Учеб. пособие (Курс лекций) Ставрополь, СевКавГТУ 2008,
   
2. Саутиев А.Б., Визер Л.Н., Воронков Г.П., Шаманов Д.Е., Пленочные технологии (Учеб. пособие (Курс лекций) СевКавГТУ 2008.
   
3. Ясная М.А., Корнилов Д.Ю., Сытников Е.В., Синельников Б.М., Каргин Н.И., Хорошилова С.Э. Нанометаллополимеры как материалы для ион-селективных датчиков,// Неорганичес-кие материалы, 2008. Т.44, №3
   
4. Синельников Б.М., Тарала В.А., Митченко И.С. Синтез кристаллических пленок карбида кремния из паров кремнийорганических мономеров в реакторе с холодными стенками // Ежемесячный междисципли-нарный теоретический и прикладной научно-технический журнал Нано- и микросис-темная техника, №2.
   
5. Синельников Б.М., Тарала В.А., Митченко И.С. Зависимость состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния от температуры синтеза // Тез. докладов Третьей ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН
   
6. Корнилов Д.Ю., Губин С.П., Хорошилова С.Э., Капсулирование композиционного материала на основе наночастиц кобальта в матрице полистирола // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск:
   
7. Синельников Б.М., Игнатов А.Ю., Гуднин О.Т. Исследование кинетики выращивания крупных монокристаллов Al2O3 методом киропулоса // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск:
   
8. Корнилов Д.Ю., Губин С.П., Хорошилова С.Э Влияние особенностей техники синтеза на характеристики полимерсвязанных наноразмерных частиц металла типа кобольт/полистирол // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск:
   
9. Бавижев М.Д., Гошоков Р.М., Лайпанов М.А. Микро- и нанокапиллярные системы для атомной литографии // Материалы XXXVII научно-технической конференции по итогам работы профессорско-преподавательского состава СевКавГТУ за 2007 год
   
10. Синельников Б.М., Игнатов А.Ю., Кравцов А.М., Сало Ж.В Моделирование процесса выращивания кристаллов сапфира модифицированным методом киропулуса // Труды международной казахстанско-российско-японской научной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материалове-дения и наноматериалов» . Усть-Каменогорск
    
11. Синельников Б.М., Митченко И.С., Тарала В.А., Сидоров К.И Влияние кристаллографической ориентации подложки на структуру пленок карбида кремния // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск:
    
12. Мартенс В.Я., Синельников Б.М., Тарала В.А., Шевченко Е.Ф. Реактивный ионнолучевой синтез алмазоподобных пленок с помощбю ионного источника // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
13. Ясная М.А., Воронков Г.П., Хорошилова С.Э. Оптические свойства наночастиц золота стабилизированных на микрогранулах полистирола // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
14. Синельников Б.М., Подорина О.В., Буков В.И., Перфильев А.А. Люминесцентные свойства монокристалла АИГ :Nd3+, сенсибилизированного ионами Ce 3+ // // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
15. Бавижев М.Д., Гошоков Р.М., Лайпанов М.А. Транспорт атомных и молекулярных пучков через конический микрокапилляр в режиме каналирования // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
16. Синельников Б.М., Тарала В.А., Митченко И.С. Описание структуры кристаллических решеток карбида кремния с позиции высокомолекулярных соединений // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
17. Синельников Б.М., Шипилов В.М., Тарала В.А., Лопатин А.А. Теоретический анализ процессов массопереноса при выращивании монокристаллов карбида кремния сублимационным методом // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
18. Ясная М.А., Воронков Г.П., Хорошилова С.Э. Основные свойства наночастиц золота в водных растворах // Тез. док. VIII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нано-технологии». Кисловодск
    
19. Воробьев В.А., Власьянц Г.Р., Синельников Б.М., Каргин Н.И., Храмов Р.Н Способ синтеза люминофора на основе оксисульфида иттрия // Патент РФ RU № 2312122 кл.С09К 11/84 опубликовано 2007.12.10 Бюл. № 34 2007 г.
    
20. Воробьев В.А., Власьянц Г.Р., Синельников Б.М., Каргин Н.И Материал для преобразования света и композиция для его получения // Патент РФ RU № 2319728 кл.С09К 11/84 опубликовано 2008.03.20 Бюл. № 8 2008 г.
    
21. Vorobiev V.A., Vlasyantz G.R. Kargin N.I., Sinelnikov B.M. Light converting material and composition for production thereof // Patent WO 2008111878 Publication date: 2008-09-18
    

Преподавательская деятельность сотрудников РАН на кафедре

Руководство дипломными и курсовыми работами (темы работ, ФИО студента, курс)

Темы курсовых проектов по дисциплине «Технология материалов и оборудование для производства монокристаллов, материалов и изделий электронной техники» студентам специальности 240306 Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники гр. ХМ-041. Руководитель Родный А.А.:

Авраменко Елена Григорьевна. Получение однородно легированного монокристалла германия вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 25 мм, примесь – In, скорость вытягивания – 1,7 мм/мин, масса расплава – 4 кг.)

Гисцев Сергей Вячеславович. Получение однородно легированного монокристалла кремния вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 120 мм, примесь – Ga, скорость вытягивания – 0,7 мм/мин, масса расплава – 12 кг.)

Дзюбина Екатерина Николаевна. Получение однородно легированного монокристалла кремния вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 100 мм, примесь – Al, скорость вытягивания – 0,6 мм/мин, масса расплава – 8 кг.)

Корн Александра Андреевна. Получение однородно легированного монокристалла германия вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 99 мм, примесь – Ga, скорость вытягивания – 1,4 мм/мин, масса расплава – 10 кг.)

Мещерякова Екатерина Сергеевна. Получение однородно легированного монокристалла кремния вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 220 мм, примесь – Sb, скорость вытягивания – 1,1 мм/мин, масса расплава – 40 кг.)

Петрова Ирина Леонидовна. Получение однородно легированного монокристалла кремния вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 200 мм, примесь – P, скорость вытягивания – 1,0 мм/мин, масса расплава – 30 кг.)

Погодина Ольга Станиславовна. Получение однородно легированного монокристалла германия вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 15 мм, примесь – Ga, скорость вытягивания – 1,5 мм/мин, масса расплава – 3 кг.)

Романов Иван Александрович Получение однородно легированного монокристалла кремния вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 35,5 мм, примесь – In, скорость вытягивания – 1,9 мм/мин, масса расплава – 5,2 кг.)

Харченко Виктория Владимировна. Получение однородно легированного монокристалла германия вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 121 мм, примесь – Al, скорость вытягивания – 0,9 мм/мин, масса расплава – 7 кг.)

Чернова Елена Викторовна. Получение однородно легированного монокристалла германия вытягиванием из расплава по методу Чохральского (диаметр монокристалла – 56 мм, примесь – In, скорость вытягивания – 2,1 мм/мин, масса расплава – 8 кг.)

Темы курсовых работ по дисциплине «Физическая электроника и электронные приборы» студентам специальности 240306 Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники гр. ХМ-041.

Руководитель Пагнуев Ю.И.:

Авраменко Елена Григорьевна Диоды Шотки. Расчет концентрации примесей.

Гисцев Сергей Вячеславович. Явления пробоя в p-n переходах.

Дзюбина Екатерина Николаевна. Идеальный МОП-транзистор.

Корн Александра Андреевна Идеальный полевой транзистор.

Мещерякова Екатерина Сергеевна. Полевой транзистор с управляющим переходом металл полупроводник.

Петрова Ирина Леонидовна. Частотные свойства биполярного транзистора.

Погодина Ольга Станиславовна. Биполярный транзистор. Вольтамперные характеристики.

Романов Иван Александрович. Полупроводниковые диоды.

Харченко Виктория Владимировна. Фотодиоды. Коэффициент преобразования.

Чернова Елена Викторовна. Светодиоды. Свойства и характеристики.


Темы курсовых работ по дисциплине «Физическая химия кристаллов с дефектами» студентам специальности 210100 Электроника и микроэлектроника гр. ЭМБ-041. Руководитель Прохода Т.Н.:

Кулик Илья Владимирович. Физико-химические свойства кремния и влияние собственных и примесных дефектов на структурно-чувствительные свойства

Роман Антон Владимирович. Физико-химические свойства арсенида галлия и влияние собственных и примесных дефектов на структурно-чувствительные свойства

Орлов Сергей Борисович. Физико-химические свойства германия и влияние собственных и примесных дефектов на структурно-чувствительные свойства

Черкашин Гаврил Александрович. Физико-химические свойства селенид цинка и влияние собственных и примесных дефектов на структурно-чувствительные свойства


Темы курсовых проектов по дисциплине «Процессы микро- и нанотехнологии» студентам специальности 210100 Электроника и микроэлектроника гр. ЭМБ-041. Руководитель Саутиев А.Б.:

Кулик Илья Владимирович. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы

Роман Антон Владимирович. Униполярные транзисторы с управляющим переходом

Орлов Сергей Борисович. Диффузионные полупроводниковые диоды

Черкашин Гаврил Александрович. СВЧ полупроводниковые диоды

Темы дипломных работ и их руководителей студентам 5 курса специальности 240306

Руководитель работ Воробьев В.А.профессор каф. НТМЭТ, д.т.н.:

Воробченко Виктория Викторовна. Синтез и исследование люминесценции CaS, Eu, Sm, Ce.

Зарубина Наталья Александровна. Микроэмульсионный метод получения нанокристаллического оксида цинка.

Керимова Раиса Алимурадовна. Разработка люминофоров на основе оксисульфидов иттрия для специального применения.

Котлярова Ирина Викторовна Синтез и исследование люминофоров на основе ортофосфата иттрия для специального назначения.

Тарасова Елена Николаевна. Исследование возможностей синтеза люминесцентных препаратов красного цвета свечения с субмикронным размером частиц.

Энгельгард Ирина Владимировна. Синтез и исследование антистоксовых люминофоров на основе оксисульфида иттрия.

Руководитель работ Хорошилова С.Э. доцент каф. НТМЭТ, к.х.н.:

Острасев Петр Алексеевич. Автоматизация процессов выращивания оксидных монокристаллов методом горизонтально-направленной кристаллизации.

Пашков Евгений Геннадьевич. Изучение влияния автоматизации процесса выращивания кристалла на его структурные свойства в методе ГНК.

Руководитель работы Синельников Б.М. профессор каф. НТМЭТ, д.х.н.: Уваров Алексей Михайлович.Изучение наноструктуры полированных поверхностей алюмоиттриевых гранатов в зависимости от технологии полирования.

Руководитель работы Тарала В.А. доцент каф. НТМЭТ, к.х.н.: Утешев Сергей Сергеевич. Разработка способа получения высокоплотного графита с низкой газопроницаемостью.

Руководитель работы Пагнуев Ю.И. доцент каф. НТМЭТ, к.т.н. Жужгова Марина Юрьевна. Фотоэлементы на основе металлических пленок.


Темы выпускных квалификационных работ и их руководителей студентам 4 курса направления 240100

Руководитель выпускной квалификационной работы Тарала В.А.доцент каф. НТМЭТ, к.х.н.

Корн Александра Андреевна. Исследование структуры пленок карбида кремния синтезированных на кремнии методом просвечивающей ИК-спектрометрии.

Мещерякова Екатерина Сергеевна Синтез и исследование свойств алмазоподобных пленок углерода.

Харченко Виктория Владимировна Синтез пленок карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы.

Руководство магистерскими диссертациями

Синельников Б.М.

Руководство учебной практикой: Воробьев В.А.; Хорошилова С.Э.; Родный А.А.

Руководство аспирантами (ФИО аспиранта, специальность, тема)

Темы диссертационных работ, ФИО руководителей и аспирантов по специальности 02.00.04

Руководитель Синельников Б.М.:

Шепилов Владимир Михайлович. Исследование корреляции технологических режимов роста объемных монокристаллов SiC на степень совершенства кристаллической структуры

Перфильев Алексей Анатольевич. Изучение физико-химических закономерностей роста монокристаллов иттрий алюминиевого граната с увеличенными объемом, массой и габаритными размерами

Кашарина Леся Алексеевна. Исследование физико-химических особенностей создания контактов к гидрогенизированным аморфным пленкам карбида кремния

Руководитель Губин С.П.:

Корнилов Денис Юрьевич. Исследование физико-химических свойств композитов с наноразмерными соединениями кобальта и его соединений в матрицах термопластичных полимеров

Сытников Евгений Викторович. Получение и исследование свойств нанокомпозитных материалов на основе частиц никеля, его сульфидов и других элементов, включенных в матрицу термопластичных полимеров

Руководитель Тарала В.А.:

Митченко Иван Сергеевич. Исследование процессов ионной химической сборки тонких наноразмерных пленок карбида кремния и алмаза

Оспищев Михаил Алексеевич. Исследование структуры наноразмерных пленок карбида кремния и алмаза методом ОЖЕ рентгеновской, фото и электронной спектроскопии

Руководитель Воробьев В.А.: Покусаев Андрей Валерьевич Изучение физико-химических факторов, определяющих люминесценцию в системе (Me_xMe_yMe_z)₃MgSi₂O₈

Темы диссертационных работ, ФИО руководителей и аспирантов по специальности 05.27.06

Руководитель Синельников Б.М.:

Гуднин Олег Тимофеевич «Влияние формы тепловых полей на кинетику роста крупногабаритных кристаллов Al₂O₃»

Мотренко Евгений Иванович (уточняется)

Табаев Алексей Викторович (уточняется)

Телегин Денис Вячеславович (Разработка технологии роста крупногабаритных кристаллов Al₂O₃ )

Адрес и телефоны кафедры Адрес: г. Ставрополь, пр. Кулакова, 2, ауд. 507 (Г-507) Телефон:(8652)94-40-09, (8652)95-69-80