Программа вступительных испытаний (собеседования) для поступающих в магистратуру по направлению 140700 ядерная энергетика и теплофизика
Вид материала | Программа |
СодержаниеЗав. кафедрой 1.1. Содержание теоретических 1.2. Содержание практических занятий дисциплины |
- Программа Вступительных испытаний (собеседования) для поступающих в магистратуру, 47.74kb.
- Программа вступительных испытаний (собеседования) для поступающих в магистратуру, 77.87kb.
- Программа вступительных испытаний (в форме собеседования) для поступающих в магистратуру, 127.71kb.
- Программа вступительных испытаний для поступающих в магистратуру по направлению 140400, 75.07kb.
- Программа вступительных испытаний для поступающих в магистратуру по направлению 140400, 104.68kb.
- Сочинение программа вступительных испытаний для поступающих в магистратуру по направлению, 45.95kb.
- Программа вступительных испытаний для поступления в магистратуру по направлению подготовки, 87.62kb.
- Ю. В. Вертакова программа вступительных испытаний для поступающих в магистратуру, 72.57kb.
- Программа вступительных испытаний (собеседования) для поступающих в магистратуру, 69.94kb.
- Программа вступительных испытаний для поступающих в магистратуру Иргту направление, 130.24kb.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
ПРОГРАММА
ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ (СОБЕСЕДОВАНИЯ) ДЛЯ
ПОСТУПАЮЩИХ В МАГИСТРАТУРУ ПО НАПРАВЛЕНИЮ
140700 ЯДЕРНАЯ ЭНЕРГЕТИКА И ТЕПЛОФИЗИКА
ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА
МЕТОДЫ И ПРИБОРЫ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ, АНАЛИЗА И ДИАГНОСТИКИ НАНОЧАСТИЦ И НАНОМАТЕРИАЛОВ
«Утверждаю»
Директор института
ИТАЭ KOMOB A.T., профессор
Зав. кафедрой
низких температур ДМИТРИЕВ А.С., профессор
Часть I.
УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА
ПРОФИЛИРУЮЩЕЙ ДИСЦИПЛИНЫ
МЕТОДЫ И ПРИБОРЫ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ, АНАЛИЗА И ДИАГНОСТИКИ НАНОЧАСТИЦ И НАНОМАТЕРИАЛОВ
1.1. Содержание теоретических разделов дисциплины
Основные процессы при взаимодействии электронов с веществом. Рассеяние электронов. Характеристическое рентгеновское излучение. Тормозное рентгеновское излучение. Генерация вторичных электронов. Медленные вторичные электроны. Быстрые вторичные электроны. Оже-электроны. Генерация электронно-дырочных пар и катодолюминесценция. Генерация ллазмо-нов и фононов. Радиационные повреждения.
Описание структуры кристаллов. Трансляции и кристаллические решетки. Набор операций симметрии. Решетки Браве двумерные и трехмерные. Обозначения.
3-н Брэгга. Уравнения Лауэ. Обратная решетка. Индексы Миллера-Вейса. Сфера Эвальда. Атомный и структурный фактор рассеяния. Разрешенные и запрещенные рефлексы. Индексирование рефлексов.
Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ). Электромагнитные линзы. Фокусировка и увеличение. Устройство ПЭМ. Приготовление образцов для ПЭМ.
Дефекты кристаллического строения материалов. Точечные дефекты. Дислокации: виды, механизм образования. Дислокационные петли и диполи. Отображение дефектов кристаллического строения материалов в ПЭМ. Контраст от одиночной дислокации.
Режимы ПЭМ в параллельном и сходящемся пучке. Формирование дифракционной картины и изображений. Дифракция и микродифракция. Свет-лопольное и темнопольное изображение.
Применение дифракционной просвечивающей электронной микроскопии в металловедении. Контраст в изображении дислокаций, зерен, выделе-
ний 2-х фаз и т. д. Контраст плотности и толщины. Z-контраст. Дифракционный контраст, двух-пучковая геометрия.
Характеристики электронного пучка. Яркость. Когерентность и энергетический разброс. Пространственная когерентность и размер источника. Стабильность. Источники электронов (электронные пушки). Источник с термоэлектронной эмиссией. Автоэмиссионные источники (АЭП).
Линзы. Апертура. Дефекты линз. Сферическая аберрация. Хроматическая аберрация. Астигматизм. Разрешение. Глубина фокуса и глубина поля.
Регистрация электронов и изображения. Энергетические фильтры.
Вакуумная система. Держатели образцов.
Сканирующая (растровая) электронная микроскопия. Сканирующая ПЭМ. Виды сигналов, возникающих при взаимодействии электронного пу„чка с веществом. Устройство РЭМ. Применение РЭМ в металловедении. Детекторная система РЭМ. Виды контраста изображения в РЭМ. Система РЭМ-РМА.
Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения. Основные принципы получения атомарного разрешения.
Двухкристальный рентгеновский спектрометр. Назначение, устройство и принципы работы. Кривая качания. Применения двухкристального рентге
новского спектрометра. Вид кривой качания для различных типов исследуе
мых эпитаксиальных пленок. Трехкристальный рентгеновский спектрометр и
его применения. Анализ градиентных слоев.
1.2. Содержание практических занятий дисциплины
Количественная проработка материалов лекций по основам кристаллического строения вещества, электронной микроскопии и рентгеноструктур-ному анализу наноматериалов. Расчет структурных факторов рассеяния для основных типов кристаллических решеток. Расчет направления плотнейшей упаковки в кристаллических решетках основных типов. Вычисление измене-
ния объема вещества при перекристаллизации. Расчет параметров фокусирующей системы ПЭМ.
1.3. Литература
Учебные пособия:
- Ч. Киттель Введение в физику твердого тела, М.: Наука, 1978.
- Основы аналитической электронной микроскопии / под ред. Дж.
Гренг, Дж. И. Голыптейна, Д.К. Джоя, А.Д. Ромнга.'-М.: Металлургия,
1990.-584 с.
- Уманский Я.С, Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристалло
графия, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия,
1982,632с.
- В.Т. Бублик, А.Н.Дубровина, Г.М.Зимичева. Методы исследования струк
туры (применение методов рентгеноструктурного анализа), М. МИСИС
2000.