Міністерство освіти та науки україни національний технічний університет

Вид материала

Охорона праці та навколишнього середовища
Кременчутська Л.О.
Міністерство освіти та науки україни
Термічна стабільність багатошарових композицій нікель-вуглець

Подобный материал:

1 2 3 4 5 6

Студент

^{(підпис)}

Керівник доц. Копач В. Р.

^{(підпис) (Прізвище, ім’я, по батькові.)}

“ 14 ” лютого 2002 р.

Консультанти по розділах роботи, що не входять до спеціальної частини

		Підпис, дата
Розділ	Консультант	Завдання видав	Завдання прийняв
Охорона праці та навколишнього середовища	Кузьменко О.О.
Економічна частина	Кременчутська Л.О.
Стандартизація	Шкалето В.І.

Додаток Б

Зразок оформлення титульного аркуша

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ ТА НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

"Харківський політехнічний інститут" (НТУ "ХПІ")

Кафедра фізики металів та напівпровідників (ФМНП)

УДК 539.2:548.75

ЗВІТ

про дипломну роботу бакалавра

ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ БАГАТОШАРОВИХ КОМПОЗИЦІЙ НІКЕЛЬ-ВУГЛЕЦЬ

Зав.кафедри ФМНП

професор А.Т. Пугачов _________________________________

(дата, підпис)

Керівник дипломної роботи Ю.П. Першин _________________________________

ст.н.с., канд.фіз.-мат.наук (дата, підпис)

Консультанти:

з економіки, доцент Л.М. Петрова _________________________________ (дата, підпис)

з охорони праці, доцент О.О. Захарченко________________________________ (дата, підпис)

зі стандартизації, доцент І.П. Кирилюк _________________________________ (дата, підпис)

Виконавець дипломної роботи П.І. Гнатченко _________________________________

студент гр. ФТ-18а (дата, підпис)

2002

Додаток В

Приклади оформлення рефератів

РЕФЕРАТ

Звіт про дипломну роботу бакалавра: 68 с., 20 рис., 7 табл., 2 додатка, 25 джерел.

Об’єкти дослідження – фотоелектричні перетворювачі (ФЕП) на основі кристалів кремнію марки КДБ–10 з планарними поверхнями (111), вирізаних з серцевинної та білязатравочної областей зливка, який був вирощений методом Чохральского.

Мета роботи – з’ясування ступеня впливу природи базових кремнійових кристалів на ефективність роботи вітчизняних ФЕП космічного призначення.

Методика дослідження – вимірювання з допомогою осцилографу С9-8 навантажувальних світлових вольт-амперних характеристик (ВАХ) при енергетичній освітленості фронтальної поверхні фотоперетворювачів 1360 Вт/м² та подальший комп’ютерний аналіз ВАХ в однодіодному та двохдіодному наближеннях.

Встановлено, що ФЕП з базовими кристалами, вирізаними з серцевинної області монокристалічного зливка, мають ККД на 1-2 % вище, ніж фотоперетворювач на основі базового кристала, вирізаного з білязатравочної області того ж зливка. На підставі порівняльного анализу вихідних і світлових діодних параметрів цих ФЕП з’ясовані основні фізичні причини зазначених вище розбіжностей.

Одержані результати будуть використані в Науково-дослідному технологічному інституті приладобудування (НДТІП, м. Харків) при оптимізації конструктивно-технологічного рішення вітчизняних ФЕП космічного призначення.

ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧ, КРЕМНІЙ МАРКИ КДБ-10, БАЗОВИЙ КРИСТАЛ, НАВАНТАЖУВАЛЬНА СВІТЛОВА ВОЛЬТ-АМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКА, ОДНОДІОДНЕ НАБЛИЖЕННЯ, ДВОХДІОДНЕ НАБЛИЖЕННЯ, ККД, ВИХІДНІ ПАРАМЕТРИ, ДІОДНІ ПАРАМЕТРИ, ОПТИМІЗАЦІЯ, КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГІЧНЕ РІШЕННЯ

РЕФЕРАТ

Отчет о выпускной работе бакалавра: 68 с., 20 рис., 7 табл., 2 приложения, 25 источников.

Объекты исследования – фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) на основе кристаллов кремния марки КДБ–10 с планарными поверхностями (111), вырезанных из сердцевинной и околозатравочной областей слитка, который был выращен методом Чохральского.

Цель работы – выяснение степени влияния природы базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы разрабатываемых отечественных ФЭП космического назначения.

Методика исследования – измерение с помощью осциллографа С9-8 нагрузочных световых вольт-амперных характеристик (ВАХ) при энергетической освещенности фронтальной поверхности фотопреобразователей 1360 Вт/м² и последующий компьютерный анализ ВАХ в однодиодном и двухдиодном приближениях.

Установлено, что ФЭП с базовыми кристаллами, вырезанными из сердцевинной области монокристаллического слитка, имеют КПД на 1-2 % выше, чем фотопреобразователь на основе базового кристалла, вырезанного из околозатравочной области того же слитка. На основании сопоставительного анализа выходных и световых диодных параметров этих ФЭП выяснены основные физические причины указанных выше различий.

Полученные результаты будут использованы в Научно-исследовательском технологическом институте приборостроения (НИТИП, г. Харьков) при оптимизации конструктивно-технологического решения отечественных ФЭП космического назначения.

ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, КРЕМНИЙ МАРКИ КДБ-10, БАЗОВЫЙ КРИСТАЛЛ, НАГРУЗОЧНАЯ СВЕТОВАЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, ОДНОДИОДНОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ, ДВУХДИОДНОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ, КПД, ВЫХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ, ДИОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ, ОПТИМИЗАЦИЯ, КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ

ABSTRACT

Bachelor’s degree work: 68 p., 20 fig., 7 tables, 2 appendices, 25 references.

The object of the research –solar cells (SC) on the base of silicon crystals SHB–10 mark with the (111) planar surfaces cut out from both core as well as near-seed regions of an ingot which was grow up by Czochralski method.

The aim of the investigation – finding out of the influence degree of base silicon crystals nature on an overall performance of developed Ukrainian SC for space application.

Method of study – measuring of SC loading illuminated current-voltage characteristics under 1360 W/m² energy illumination by use of standard oscilloscope C9-8 and their following computer analysis at the both one-diode as well as double-diode approaches.

It has been established that SC with the base crystals which have been cut out from core region of a single crystal ingot, has efficiency on 1-2 % above, than the SC on the basis of the base crystal which has been cut out from near-seed region of the same ingot. Because of comparative analysis of external and illuminated diode parameters these SC the main physical reasons of the above mentioned distinctions are clarified.

The results of this study will be used at the Scientific Research Technological Institute of Instrument Engineering (SRTIIE, Kharkiv) for optimization of construction-technological decision of Ukrainian SC for space application.

SILICON SOLAR CELL, SHB-10 SILICON, BASE CRYSTAL, LOADING ILLUMINATED CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC, ONE-DIODE APPROACH, DOUBLE-DIODE APPROACH, EFFICIENCY, EXTERNAL PARAMETERS, DIODE PARAMETERS, OPTIMIZATION, CONSTRUCTION-TECHNOLOGICAL DECISION

Додаток Г

Приклад оформлення змісту

ЗМІСТ

Вступ……………………………………………………………………………	4
1 Аналітичний огляд…………………………………………………….……..	6
1.1 Ключові механізми роботи і конструкція ФЕП……………………….	6
1.2 Навантажувальна світлова вольт-амперна характеристика (ВАХ), вихідні та діодні параметри ФЕП……………………………………………...	8
1.3 Загальні уявлення і експериментальні дані про вплив структурних дефектів на ефективність роботи монокристалічних кремнієвих ФЕП ……	10
1.4 Висновки до аналітичного огляду і постановка задачі……………….	12
2 Методика експерименту……………………………………………………	14
2.1 Вимірювання навантажувальних світлових ВАХ фотоелектричних перетворювачів в режимі імпульсного опромінювання……………………	18
2.2 Опрацювання експериментальних навантажувальних світлових ВАХ при використанні однодіодної та двохдіодної моделей ФЕП ………...	19
3 Результати та їх обговорення……………………………………………….	20
3.1 Результати вимірювання і аналітичного опрацювання навантажувальних світлових ВАХ досліджуваних ФЕП……………………	20
3.2 Вплив природи базових кремнієвих кристалів на ефективність роботи досліджуваних ФЕП…………………………………………………...	30
4 Охорона праці та навколишнього середовища……………………………..	41
5 Економічна частина…………………………………………………………..	46
5.1 Практичне застосування………………………………………………..	48
5.2 Розрахунок кошторису витрат на проведення НДР……………….….	50
Висновки………………………………………………………………………..	53
Перелік посилань……………………………………………………………….	55
Додаток А. Характеристики об’єктів дослідження ………………………….	57
Додаток Б. Таблиці вихідних даних для визначення світлових ВАХ……….	60

Додаток Д

Приклад написання висновків

Blog

Міністерство освіти та науки україни національний технічний університет

Кременчутська Л.О.

Стандартизація

УДК 539.2:548.75