Geum.ru

Міністерство освіти та науки україни національний технічний університет

Вид материалаДиплом
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6
ВИСНОВКИ


1 Доведено, що використання двохдіодної моделі фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) у порівнянні з однодіодною, забезпечує роздільне визначення значень дифузійної та рекомбінаційної компонент діодного струму насичення, що надає можливість більш детально визначити причини, які впливають на коефіцієнт корисної дії ФЕП.

2 Встановлено, що ще до виготовлення ФЕП космічного призначення потрібен ретельний вхідний контроль кремнійових пластин, вирізаних з монокристалічних зливків, які були вирощені методом Чохральского, з метою відбраковки пластин, котрі належать білязатравочним областям таких зливків.

3 Показано, що дослідження та подальше опрацювання темнових ВАХ фотоперетворювачів є ефективним експресним методом їх первинної атестації як на стадіях розробки та виробництва, так і у процесі їх подальшої експлуатації.

4 У розділі охорони праці та навколишнього середовища показано, що теоретично розраховані величини не перевищують нормативних параметрів небезпечних та шкідливих виробничих факторів.

5 В економічній частині бакалаврської роботи запропонована методика розрахунку кошторису витрат за такими основними статтями: фонд оплати праці, відрахування на соціальні програми, витрати на науково-виробничі відрядження, контрагентські роботи та сторонні послуги, витрати на матеріали, витрати на електроенергію, амортизаційні відрахування, накладні витрати. Загальна сума витрат на проведення дипломної роботи склала 3830,81 грн.

Додаток Е

Приклади оформлення схеми та графіка






1 - імпульсний опромінювач; 2 – фотоелектричний перетворювач, що досліджується; 3 - електроопір з’єднувальних провідників; 4 - магазин електроопорів Р33; 5 - цифровий запам’ятовуючий осцилограф С9-8; 6   резистивний електронагрівач; 7-термочутливий елемент; 8   термостабілізатор


Рисунок 2.2 – Схема установки для вимірювання навантажувальних світлових вольт-амперних характеристик фотоелектричних перетворювачів при різних температурах



1 – експериментальні результати; 2 – теоретичні дані


Рис. 3.4 – Пряма гілка темнової вольт-амперної характеристики зразка 2Н8-1 у напівлогарифмічних координатах


Додаток Ж

Приклади опису джерел інформації

Книги

а) опис за прізвищем авторів
  1. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Том 1 и 2/ пер. с англ. под. ред. Новикова И.И. и Рогельберга И.Л. –М.: Металлургиздат, 1962.
  2. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. – М.: Энергоатомиздат , 1987.
  3. Григоренко А.М. Некоторые вопросы теории технической информации. - М.: Издательство ЮБЕКС, 1998. rod.ru/inform/inf1.php


б) опис за назвою книги
  1. Технология полупроводникового кремния /Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный и др. Под ред. Э.С.Фалькевича. – М.: Металлургия, 1992.
  2. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник / Под ред. А.В.Новоселовой. – М.: Наука, 1979.



Статті

а) у наукових журналах
  1. Копач В.Р., Листратенко А.М., Хрипунов Г.С.,Черных Е.П. Зависимость электрических параметров и спектрального отклика кремниевых фотопреобразователей от условий диффузионного легирования и морфологии поверхности их базовых кристаллов // Вестник Харьковского государственного политехнического университета. – 1998. – Вып. № 17. – С. 76-77.
  2. Медведкин Г.А., Амбаразявучис Г.А., Яковенко А.А. Исследование процессов окисления кристаллов CuInSe2 // Поверхность. Физика, химия, механика. – 1987. - № 2. – С. 81-87.
  3. Ashok S.,Pande K.P. Photovoltaic measurements// Solar Cells. - 1985.-V. 14. -№ 1. - P. 61-81
  4. Klochko N.P., Kopach V.R., Novikov V.O., Muller J., Rostalsky M. Structure and composition of CIS films electrodeposited under potentiostatic and potentiodynamic conditions // Functional Materials. – 2000. – V.7. - № 4(2). -P. 843-847.
  5. Золотов Ю.А. Рентгеновские методы анализа // Журнал аналитической химии. –1999. – том 54. -№1. С.5

i.ru/~zhakh/EdChief/1_1999.htm


б) у збірниках та книгах
  1. Фраас Л., Занио К. Электронная структура межзеренных границ в поликристаллических полупроводниковых тонких пленках // В кн. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применения / Под ред. Л.Казмерски. – М.: Мир, 1983. – С. 162-182.
  2. Натансон Х.С., Гольдберг Я. Применение тонких пленок с топологической структурой в полупроводниковых устройствах // В сб. Физика тонких пленок. Т.8 / Под ред. Г.Хасса, М.Франкомба и Р.Гофмана. – М.: Мир, 1978. -С. 264 356.



Доповіді на конференціях
  1. Crotty G.T., Verlinden P.J., Cudzinovic M. et al. 18.3 % efficient silicon solar cells for space applications // Proc. 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, CA. – 1997. – P. 1035-1038.
  2. Tonomura Y., Washio H., Nakamura K. et al. Development of high end-of-life efficiency silicon space solar cell // Proc. 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria. – 1998. – P. 3511 – 3514.
  3. Клочко Н.П., Копач В.Р., Маринчева В.Е. и др. Кинетика процесса электрохимического осаждения пленок селенида цинка // Тез. доп. 1-й Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю), Україна, Одеса, 10-14.09.2002. – Одеса : “Астропринт”, 2002. – С. 284.
  4. Sukhoivanov I., Ivanov P. Spatial characteristics of oxide-confined VCSEL in single and multimode conditions // Int. Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modelling.- Paderborn (Germany).- 2001. P.20. ni hagen.de/ATE/workshop/welcome.php
  5. Василевский А.Н., Солотчина Э.П., Шульженко С.Г. Моделирование сложных рентгеновских профилей глинистых минералов методами нелинейного программирования // Труды II Национальной кристаллохимической конференции. –Черноголовка (Россия) :ИРХФ РАН.  2000. С.108-109.

c.ru/Conference/NCCC/abstracts/Vasilevsky.htm

Препринти
  1. Эдельман И.С., Кононов В.П. Магнитные ультратонкие пленки и структуры, получаемые методом МЛЭ: Препринт института физики им. Л.В. Киренского СО АН СССР №643 Ф.- Красноярск: ИФ СО АН СССР, 1990.
  2. Коропов А.В., Сагалович В.В. Рост островковых структур и критерии образования сплошных пленок: препринт ХФТИ88-41.-Харьков: ХФТИ АН УССР, 1988.



Дисертації
  1. Коцюбинський В.О. Релаксаційні процеси в іонно-імплантованих монокристалічних ферит-гранатових плівках: Дис...канд.фіз.-мат.наук. – Івано-Франківськ: Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, 2002.
  2. Андрусевич Д.Е. Кинетика кластерообразования при вакуумной конденсации металлов из одно- и двухкомпонентного пара: Автореф. Дис…канд.фіз.-мат.наук.- Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2002.



Авторські свідоцтва, патенти
  1. А.С. 942183 СССР МКИ3Н01 G 9/24 Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов / Палатник Л.С., Копач В.Р., Скатков И.Б., Поздеев Ю.Л. // Бюлл. изобретений, 1982. - № 25.
  2. Патент 18017А. Україна МКЛ6A61 L 27/00, C23C 24/00 Способ виготовлення імплантату / Куцевляк В.У., Алтунина С.В., Стариков В.В., Старикова С.Л.; Заявлено 21.10.96; Зареєстровано 17.06.97.


Технічні звіти
  1. Развитие физических основ повышения удельного заряда, стабильности и долговечности ниобиевых оксидных конденсаторов. Заключительный отчет. / Харьковский политехнический институт (ХПИ); Руковод. Л.С.Палатник. - №ГР 78003697; Инв. №Б789819. – Харьков, 1979. – 120 с.



Навчально-методичні матеріали
  1. Финкель В.А. Высокотемпературные сверхпроводники: Учебное пособие.-К.-: УСДО, 1993.
  2. Маринчева В.Е. Электрофизические и оптические свойства твердого тела: конспект лекций по курсу “Физическое материаловедение” для студентов специальности 16.03 “Криогенная техника”.-Харьков: ХПИ, 1993.
  3. Методические указания к лабораторной работе «Определение фотоэлектрических и диодных параметров преобразователей солнечной энергии с р-n переходом по их нагрузочной световой вольт-амперной характеристике» / Составители: Копач В.Р., Хрипунов Г.С. – Харьков: ХПИ. - 1993.


Дипломні роботи
  1. Гупало Т.А. Визначення дводіодних параметрів фотоперетворювачів за їх світловими характеристиками : Звіт про дипломну роботу бакалавра/ Керівник – В.Р. Копач, кафедра ФМЕГ.– Харків: НТУ “ХПІ”, 2001. – 95 с.
  2. Босенко Т.П. Вплив фотоструму і діодних параметрів на ефективність роботи монокристалічних кремнійових фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії : Звіт про дипломну роботу / Керівник – В.Р. Копач, кафедра ФМЕГ.– Харків: НТУ «ХПІ», 2002. – 103 с.



Стандарти та інші нормативно-технічні документи
  1. ДСТУ-3651.0-97 “ Метрологія. Одиниці фізичних величин. Основні одиниці фізичних величин міжнародної системи одиниць. Основні положення, назви та позначення”.
  2. Р50-77-88 Рекомендации ЕСКД. Правила выполнения диаграмм.

Додаток И

Одиниці фізичних величин за міжнародною системою СІ


Таблиця И.1

Основні і додаткові одиниці



Величини
Одиниці
Найменування
Позначення
Міжнародні
Українське або російське
Основні одиниці

Довжина
метр
m
м

Маса
кілограм
kg
кг

Час
секунда
s
с

Сила електричного струму
ампер
A
А

Термодинамічна температура
кельвін
K
К

Кількість речовини
моль
mol
моль

Сила світла
кандела
cd
кд
Додаткові одиниці

Плоский кут
радіан
rad
рад

Тілесний кут
стерадіан
sr
ср