Годовой отчет ОАО «ниимэт» за 2005 год
| Вид материала | Отчет |
- Годовой отчет ОАО «Пермский мясокомбинат» за 2005 г. Уважаемые акционеры!, 525.85kb.
- Годовой отчет ОАО «омский бекон» за 2005 год, 658.94kb.
- Годовой отчёт ОАО «шуйская водка» за 2005 год, 668.84kb.
- Годовой отчет акб «енисей» (оао) за 2005 год красноярск, 1744.91kb.
- Годовой отчет открытого акционерного общества Научно-производственной фирмы, 98.09kb.
- Годовой отчёт ОАО ханты-мансийский банк за 2005 год, 695.87kb.
- Годовой отчёт ОАО «Сарапульский ликеро-водочный завод» за 2010 год, 377.1kb.
- Годовой отчет ОАО «торгово-финансовая компания «камаз» за 2010 год 2011 год, 557.68kb.
- Годовой отчет ОАО корпорация «трансстрой» за 2010 год, 893.84kb.
- Годовой отчет ОАО «нико-банк» за 2011 год, 801.79kb.
Эпитаксиальные структуры AlGaAs для светоизлучающих диодов - один из базовых бизнес-продуктов предприятия и ранее один из наиболее массово производимых для потребления на отечественном рынке материалов в настоящее время переживает период упадка. С наступлением спада в отечественной экономике потребление на отечественном рынке существенно сократилось в связи с остановкой или сокращением объемов производства большинства отечественных приборных предприятий. Наряду с этим, уже в середине 90-х годов предприятием были предприняты усилия для продвижения этого продукта на рынок Западной Европы, увенчавшиеся успехом. В настоящее время объем продаж бизнес-продукта составляет порядка 54% общего объема предприятия.
Ленты из аморфных сплавов – один из наиболее широко применяемых материалов для сердечников импульсных трансформаторов цифровых интерфейсов сетей ISDN, SMD индукторов коммутаторов мобильных телекоммуникаций, датчиков противокражных систем электромагнитного типа, теплых покрытий жилых помещений.
Ленты из нанокристаллических сплавов – перспективный бизнес-продукт, обладающий существенным конкурентным преимуществом перед лентами из аморфных сплавов – более низкой ценой при сохранении уровня большинства технических параметров. В настоящее время пользуется повышенным спросом и во многих случаях успешно заменяет ленты из аморфных сплавов в индуктивных компонентах электроники и электротехники.
Исходя из вышеуказанного, в 2005г. экономическое положение предприятия определялось ситуацией в двух сегментах рынка электронной техники, в которых осуществляется продвижение бизнес-продуктов предприятия – рынок оптоэлектроники и рынок индуктивных компонентов систем телекоммуникаций, мобильной связи и персональных компьютеров.
- Основные конкуренты общества в данной отрасли.
- Полупроводниковые структуры AlGaAs для светоизлучающих диодов видимого и ИК диапазона.
В настоящее время свыше 50% мирового объема производства СИД приходится на долю фирм Японии (Matsushita Electric, Nichia Chemical, Toshiba, Stanley Electric и др.), примерно одинаковые объемы (17% и 19%) приходятся соответственно на долю фирм США и Юго-Восточной Азии и порядка 10% объема остается фирмам Западной Европы.
На конкурентные позиции ОАО «НИИМЭТ» как в 2005 г., так и, как следствие, – на 2006 г. оказали влияние как глобальные мировые тенденции развития сегментов мирового рынка электронной техники, так и конъюнктурно-ценовые изменения отечественного рынка.
В условиях поставок из Юго-Восточной Азии готовых кристаллов СИД и самих СИД по демпинговым ценам, отечественный рынок пластин и кристаллов для СИД продолжает снижать свои объемы потребления. Практически на отечественном рынке остались считанные производители кристаллов СИД и их число уменьшается с каждым годом. На конец 2005 г. в качестве основного потребителя пластин СИД осталось только ОАО «Протон» (г. Орел), в качестве основного потребителя кристаллов СИД - ОАО «Планета- СИД» (г.Новгород). В результате этого объем потребления отечественных производителей СИД к 2005 г. составил не более 5-6 % общего объема продаж ОАО «НИИМЭТ» по направлению полупроводниковых структур.
В силу этого, объем продаж этого направления определялся ситуацией на европейском рынке пластин для СИД. Тесное сотрудничество с фирмами Германии (“OSA Opto Light GmbH” и “EPIGAP Optoelektronik GmbH”) и правильное позиционирование на этом рынке, оперативная модификация и разработка параметрического ряда структур по заказу фирмы OSA OptoLight Gmbh – по длине волны, по мощности, по быстродействию, применяемых для систем передачи информации по открытому оптическому каналу, в автомобильной промышленности для датчиков подушек безопасности (760, 840, 850, 905 нм), специальная разработка для использования в автомобильной промышленности в навигационных системах структуры с длиной волны излучения 770нм позволило успешно конкурировать с фирмами-производителями пластин для СИД на этом рынке.
В настоящее время самые новые и мощные структуры, производимые ОАО «НИИМЭТ», по своим параметрам обладают предельными значениями, не уступают уровню зарубежных аналогов ведущих мировых фирм-производителей (Hitachi, Showa Denko и др.), в части номенклатуры обладают существенно большей полнотой и представительностью, чем аналогичные материалы основных конкурентов (рис.), и в сегменте полупроводниковых структур для СИД ИК-диапазона обладают экспортным потенциалом.
Рис. Ряд типономиналов гетероструктур для производства СИД
- Полупроводниковые структуры AlGaAs для электронно-оптических преобразователей приборов ночного видения III поколения.
Полупроводниковые многослойные структуры соединений арсенида галлия-алюминия являются основным материалом для изготовления полупрозрачных фотокатодов высокоэффективных электронно-оптических преобразователей (ЭОП) III поколения. Переход на III поколение ЭОП позволил существенно повысить параметры фотокатода, в первую очередь интегральную чувствительность, доведя ее до 1800 мкА/лм и, соответственно, увеличить дальность действия приборов ночного видения.
Основными мировыми производителями ЭОП III поколения и приборов ночного видения на их основе являются Night Vision и Northrop Grumman, обеспечивающие заказы министерства обороны США и коммерческие поставки, и в последнее время интенсивно продвигающие свою продукцию на мировые рынки.
Существенно уступая технологии MOCVD по производительности, модифицированные отечественные установки жидкофазной эпитаксии типа «Аргал» и базовая технология ЖФЭ на их основе, которой располагает ОАО «НИИМЭТ», тем не менее, позволяют изготавливать структуры для ЭОП, соответствующие по показателю интегральной чувствительности аналоги, полученные методом MOCVD и существенно более дешевые по стоимости производства.