«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»

Вид материалаДокументы
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15

V.I.Grafutin, E.P.Prokop'ev Yu.A.Novikov, V.P.Shantarovich.. Application of positronic annihilation spectroscopy for study in solids. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.207-227. (D\ТезДокл\RadPhys2002.doc).

  • S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.274-280.

  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Материаловедение. 2002. №3. С.11-20.
  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20.
  • А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.217-219.
  • А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып. 1,2. C.220-224.
  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.225-228.
  • А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры КНИ и информационные технологии: перспективы, применения. Труды конференции. XXIX Международная конференция «Информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и бизнесе». IT + SE’ 2002 Майская сессия. Украина, Крым, Ялта-Гурзуф с 20 по 30 мая 2002 г. 2002 г. Секция А. Высокопроизводительные вычислительные комплексы. Адрес в Интернет: ссылка скрытаwebcenter.ru/~glorioz/procSE02.htm.
  • Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин. Исследование свойств металлов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.20.
  • E.P.Prokop’ev, V.I.Grafutin. Investigations of metal properties by method of positron annihilation spectroscopy. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.21.
  • В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Применение ELTRAN процесса с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. . Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.298.
  • V.I.Grafutin, A.G.Zaluzhnyi, E.P.Prokop’ev, A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, Yu.A.Chaplygin. Application ELTRAN process with purpose of otaining thin monocrystalline silicon layers for solar cells processing. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.299.
  • А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, C.Н.Новиков, Е.П.Прокопьев, П.В.Крамер. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.60.
  • A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, S.N.Novikov, E.P.Prokop’ev, P.V.Kramer. Optimazation of slitting silicon wafers process on datas of water vapour selections. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.61.
  • А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О перспективах и применениях структур КНИ. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.358,359.
  • A.L.Suvorov, Yu.A.Chaplygin, A.G.Zaluzhnyi, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev. On perspectives and applications of SOI structures. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.359, 360.
  • В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания. Перспективные материалы. 2002. №3. С.5-12.
  • С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Производство структур кремний на изоляторе и сенсоров на их основе. «ДАТЧИКИ И СИСТЕМЫ». Сборник докладов международной конференции. Том I. Санкт-Петербург: Издательство СПбГПУ, 2002. С.205-209.
  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность исследования эволюции свойств структур кремний на изоляторе синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. №3. С.34-41.
  • С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Анализ процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. . №3. С.28-34.
  • В.И.Графутин, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования дефектов структуры материалов ядерной и термоядерной техники. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.335,336.
  • В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков. Применение позитронной спектроскопии для определения оптимальных условий обработки пластин кремния, облученных протонами. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.334.
  • А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Перспективы и применения структур КНИ. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых). КРЕМНИЙ 2002. 9 – 12 июля 2002. Тезисы докладов. Новосибирск, Академгородок. ИФП СО РАН, 2002. C.75,76.
  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.Возможность синергетического подхода к эволюции свойств аморфных пленок SiO2 в структурах КНИ. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.87,88.
  • А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры КНИ в микроэлектронике. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.241,242.