Geum.ru

«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»

Вид материалаДокументы

Содержание


Experimental and industrial silicon epitaxy
Diamond films
Kinetics and catalysis
Space technology and material science
Other scientific works
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О технологии структур кремний на изоляторе. Химическая технология. 2002. №12. С.3-12
Подобный материал:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15

ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG)

( Standard of the American Physical Society)


Antimatter and POSITRONics, positron ANNIHILATION, PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS,

synergetics, MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, nanotechnology, OTHER ADJACENT PROBLEMS

(Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и доклады, отчеты)

( Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports)


№ п/п
  1. В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.
  2. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е+Н-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.
  3. В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.
  4. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158.
  5. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.
  6. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289.
  7. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.
  8. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70.
  9. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.
  10. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
  11. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
  12. 19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466.
  13. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.
  14. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.
  15. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.
  16. Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772.
  17. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.
  18. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268.
  19. Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451.
  20. Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087.
  21. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910.
  22. Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230.
  23. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.
  24. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.
  25. Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.
  26. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.
  27. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.
  28. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563.
  29. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.
  30. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.
  31. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.
  32. Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198.
  33. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.
  34. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717.
  35. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590.
  36. Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.
  37. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.
  38. ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367.
  39. Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с.
  40. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40.
  41. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.
  42. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.
  43. Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779.
  44. Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.
  45. 52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148.
  46. 53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800.
  47. 54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.
  48. Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.
  49. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278.
  50. Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.
  51. Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.
  52. Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.
  53. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.
  54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275.
  55. Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.
  56. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55.
  57. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80.
  58. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122.
  59. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.
  60. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
  61. Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5.
  62. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940.
  63. Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.
  64. Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103.
  65. Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100.
  66. Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550.
  67. Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.
  68. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101.
  69. Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552.
  70. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.
  71. Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333.
  72. Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.
  73. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения полупроводников А2В6 “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165.
  74. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166.
  75. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344.
  76. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.
  77. Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.
  78. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
  79. Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.
  80. Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344.
  81. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.
  82. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67.
  83. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116.
  84. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153.
  85. Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
  86. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894.
  87. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88.
  88. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120.
  89. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.
  90. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806.
  91. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
  92. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155.
  93. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.
  94. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278-280.
  95. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1978. С.157.
  96. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
  97. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.
  98. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.
  99. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.
  100. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70.
  101. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.
  102. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.
  103. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.
  104. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А3В5 // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А3В5”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43.
  105. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409.
  106. Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.
  107. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.
  108. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.
  109. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.
  110. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al2O3 методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3. “Cверпроводимость”. С.77.
  111. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.
  112. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”.
  113. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.
  114. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.
  115. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815.
  116. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 // Физика твердого тела. 1979. Т.21. С.2452-2454.
  117. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”.
  118. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66.
  119. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555.
  120. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 600 дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.145.
  121. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144.
  122. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123.
  123. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.
  124. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553.
  125. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556.
  126. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554.
  127. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122.
  128. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275.
  129. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269.
  130. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253.
  131. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.
  132. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208.
  133. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922.
  134. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398.
  135. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78.
  136. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74.
  137. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418.
  138. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569.
  139. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568.
  140. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907.
  141. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с.
  142. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17.
  143. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17.
  144. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22.
  145. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941.
  146. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34.
  147. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
  148. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214.
  149. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556.
  150. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552.
  151. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238.
  152. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3B5, облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ ИТЭФ, 1980. 18 с.
  153. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545.
  154. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97.
  155. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48.
  156. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601.
  157. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89.
  158. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84.
  159. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149.
  160. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28.
  161. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711.
  162. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146.
  163. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50.
  164. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315.
  165. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313.
  166. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46.
  167. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981. С.601.
  168. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64.
  169. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68.
  170. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515.
  171. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As2S3 и As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166.
  172. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43.
  173. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514.
  174. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54.
  175. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68.
  176. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76.
  177. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”.
  178. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324.
  179. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.
  180. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.189-191.
  181. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193.
  182. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.1. С.72-73.
  183. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. С.591.
  184. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №8. 1983. Сер.”ЭР”.
  185. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30.
  186. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: “Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата: Наука, 1981. С.59-62.
  187. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №16. Сер.”ЭР”.
  188. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. 1983. С.557.
  189. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983. С.543.
  190. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. Сер.”ЭР”.
  191. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8. С.117-118.
  192. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9. Сер.”О”.
  193. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). 1983. V.78. №2. P.385-389.
  194. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529.
  195. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №9. Сер.”О”.
  196. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.530.
  197. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М., 1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”.
  198. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №8. Сер.”О”.
  199. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер, Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.
  200. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.
  201. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.
  202. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”.
  203. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №7. Сер.”МФ”.
  204. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания полупроводниковых слоев. М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  205. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В кн.: Тезисы докладов “35 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528.
  206. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы докладов семинара “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т металлофизики АН УССР, 1985. С.5.
  207. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562.
  208. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее развития // В кн.: Межвузовский сборник научных трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152-157.
  209. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Серия физико-математических наук. 1987. №5. С.92-94.
  210. Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8. С.92-94.
  211. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. М., 1988. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939.
  212. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы докладов“37 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.591.
  213. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13 с.
  214. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа по физики-химическим основам электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3.
  215. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов 37 Совещания “Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.595.
  216. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // В кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3.
  217. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: Тезисы докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР, 1980. С.5.
  218. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ . № гос. регистрации 78048301. Томск: ТПИ. 1979. 1979. 60 с.
  219. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов // Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980. 70 с.
  220. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993.
  221. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Программа и доклад на 9 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979.
  222. Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. М., 1980. 4 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994.
  223. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
  224. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
  225. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов // Тезисы доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.
  226. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  227. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. Томск: ТПИ. 1980. 60 с.
  228. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963.
  229. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966.
  230. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М., 1985. С.6-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  231. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. М., 1982. С.113. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
  232. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
  233. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.
  234. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3534.
  235. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах // Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970.
  236. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. М., 1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Доклад на международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск,1991.
  237. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. М., 1992. С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
  238. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534.
  239. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
  240. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  241. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. М., 1982. С.118-126. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
  242. Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  243. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1982. С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  244. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38.
  245. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  246. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  247. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  248. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах // Доклад на сессии Ученого совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982.
  249. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  250. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  251. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.454.
  252. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  253. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в ВИНИТИ. 15.03. 91. №1133-В91.
  254. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  255. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982. С.49.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  256. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  257. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  258. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  259. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  260. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  261. Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
  262. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982. С.50-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
  263. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982. С.53-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
  264. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
  265. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3556.
  266. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.58. - Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
  267. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556.
  268. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
  269. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. М., 1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.
  270. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3634.
  271. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. М., 1985. С.12-17. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  272. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений физики высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634.
  273. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества технически важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  274. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3870.
  275. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  276. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  277. Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в халькогенидных стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3924.
  278. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  279. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  280. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F- во фторидах щелочных металлов. М., 1984. С.6-8. - Деп. в ЦННИ”Электроника”. Р-3870.
  281. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М., 1984. С.1-2. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  282. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в ВИНИТИ. 06.04.92. №1162-В92.
  283. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984. С.77.
  284. Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
  285. Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  286. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. I. М., 1994. С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
  287. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник-металл. М., 1985. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290.
  288. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  289. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  290. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М., 1985. С.19-20. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
  291. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  292. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М., 1984. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
  293. Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., 1995. С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  294. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80.
  295. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. М., 1995. С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501.
  296. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. М., 1995. С.98-107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  297. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х-е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
  298. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors // The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983.
  299. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109-119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  300. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995. С.132-140. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
  301. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. I . М., 1995. С.149-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  302. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. М., 1995. С.150-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
  303. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научно-технической конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”, 10-13 сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112.
  304. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986. Вып.1. С.3-5.
  305. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.
  306. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках А3В5 // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. Вып.7. С.60-61.
  307. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных вществах. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
  308. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
  309. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
  310. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1.
  311. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987.
  312. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном совещании “Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34.
  313. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. М., 1989. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2.
  314. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции “Термодинамика и материаловедение полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989. С.5.
  315. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475.
  316. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4. С.78.
  317. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1989. Вып.4. С.78.
  318. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // В кн.: Тезисы докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников”. Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989. С.9.
  319. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Программа и доклад на семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1.
  320. Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.501.
  321. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.502.
  322. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.503.
  323. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56.
  324. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280.
  325. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. М., 1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313. Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6.
  326. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. М., 1990. С.34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  327. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  328. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  329. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. М., 1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  330. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции. М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  331. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1990. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
  332. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. Вып.24. С.6-10.
  333. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы