Приложение д аннотации программ дисциплин Аннотация дисциплины
| Вид материала | Документы |
- Приложение ж аннотации программ дисциплин аннотация дисциплины, 466.89kb.
- Аннотации программ дисциплин Аннотация дисциплины, 37.75kb.
- Аннотации рабочих программ дисциплин Аннотация дисциплины, 990.85kb.
- Примерный учебный план 16 Аннотации программ учебных дисциплин профиля 20 > Аннотация, 1470.24kb.
- Примерный учебный план 16 Аннотации программ учебных дисциплин профиля 20 > Аннотация, 1470.82kb.
- 2. Аннотации программ дисциплин Аннотация дисциплины «Иностранный язык» Общая трудоемкость, 562.82kb.
- 2. Аннотации программ дисциплин направления 151000 «Технологические машины и оборудование», 506.13kb.
- 2. Аннотации программ дисциплин направления 151900 2Конструкторско-технологическое, 633.67kb.
- Аннотации программ дисциплин Аннотация дисциплины, 62.94kb.
- Приложение В. Аннотации учебных дисциплин, 409.26kb.
Приложение Д
Аннотации программ дисциплин
Аннотация дисциплины
«Методы математического моделирования»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является формирование и закрепление навыков решения научных и технических задач, описываемых дифференциальными уравнениями, формирование навыков построения и применения моделей, возникающих в инженерной практике и проведения расчетов по таким моделям.
Задачей изучения дисциплины является: изучение основных типов дифференциальных уравнений и экстремальных задач, моделирующих задачи физики, естествознания и техники. Знакомство с методами численного решения математических задач, а также с современными методами анализа математических моделей.
Основные дидактические единицы (разделы)
Вариационное исчисление. Обобщенные функции в математической физике. Простейшие аналитические методы. Методы конечных разностей и конечных элементов.
В результате изучения дисциплины «Методы математического моделирования» студент должен:
знать: основные понятия методов математического моделирования, используемых при изучении общетеоретических и специальных дисциплин и в инженерной практике;
уметь: применять свои знания к решению практических задач; использовать специальную литературу, рассматривающую математические модели задач естествознания и техники; пользоваться литературой при самостоятельном изучении инженерных вопросов;
владеть: современными методами математического моделирования; методами построения математических моделей для задач, возникающих в инженерной практике и численными методами их решения.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
« История и методология науки и техники в области электроники»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является формирование знаний основных закономерностей исторического процесса в науке и технике.
Задачей изучения дисциплины является: изучение исторического процесса открытия новых физических явлений, формирования теорий и законов, появления основополагающих идей и технических решений, основных этапов развития электроники, микроэлектроники и наноэлектроники.
Основные дидактические единицы (разделы)
Возникновение идей атомной и квантовой физики. Возникновение и развитие квантовой физики твердого тела. Возникновение и развитие дискретной полупроводниковой электроники. Интегральная микроэлектроника. Предпосылки и развитие оптической и квантовой электроники. Возникновение и перспективы развития нанотехнологии и наноэлектроники.
В результате изучения дисциплины «История и методология науки и техники в области электроники» студент должен:
знать: основные закономерности исторического процесса в науке и технике, предпосылки возникновения и этапы исторического развития в области электроники, место и значение электроники и наноэлектроники в современном мире; основные направления, научные школы фундаментального и прикладного исследования и передовые производственные предприятия, работающие в области электроники и наноэлектроники; методологические основы и принципы современной науки;
уметь: готовить методологическое обоснование научного исследования и технической разработки в области электроники; прогнозировать и анализировать социально-экономические, гуманитарные и экологические последствия научных открытий и новых технических решений в области электроники, микро- и наноэлектроники;
владеть: навыками анализа и идентификации новых проблем и областей исследования в области электроники и микроэлектроники; навыками методологического анализа научного исследования и его результатов.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является выработки навыков оценки новизны исследований и разработок, освоения новых методологических подходов к решению профессиональных задач в области электроники и наноэлектроники.
Задачей изучения дисциплины является изучение передовых достижений, основных направлений, тенденций, перспектив и проблем развития современной электроники и наноэлектроники.
Основные дидактические единицы (разделы)
От гигаваттной электроники до микропроцессора. Сверхширокополосная радиоэлектроника. Термоэлектрические преобразователи энергии сегодня и завтра. Детекторы ионизирующих излучений в науке и технике. Физические основы криоэлектроники. Магнитная и сегнетоэлектрическая память. Широкозонные полупроводниковые соединения: прорыв в будущее. Пористый кремний и его применение в кремниевой микрофотонике. Технология аморфного и поликремния для электроники. Твердофазное сращивание, «Smart Cut» технология. Углеродные кластеры в новейшей наноэлектронике. Современный дифракционный анализ структур и материалов. Сканирующая зондовая микроскопия в нанотехнологии.
В результате изучения дисциплины «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники» студент должен:
знать: основные задачи, направления, тенденции и перспективы развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники; передовой отечественный и зарубежный научный опыт и достижения в области электроники, микро- и наноэлектроники;
уметь: оценивать научную значимость и перспективы прикладного использования результатов исследований; предлагать новые области научных исследований и разработок, новые методологические подходы к решению задач в области электроники и наноэлектроники;
владеть: современной научной терминологией и основными теоретическими и экспериментальными подходами в передовых направлениях электроники, микро- и наноэлектроники.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
« Компьютерные технологии в научных исследованиях»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является выработки умений и навыков использования численного моделирования приборов электроники и наноэлектроники с использованием современных программных средств в профессиональной деятельности.
Задачей изучения дисциплины является освоение основ численного моделирования приборов электроники и наноэлектроники.
Основные дидактические единицы (разделы)
История развития систем компьютерного моделирования в электронике. Круг задач моделирования физических процессов в электронике.
Постановка задачи физического моделирования. Типы дифференциальных уравнений в частных производных. Задачи, сводящиеся к решению дифференциальных уравнений в частных производных.
Метод конечных разностей. Вариационная постановка краевой задачи. Метод Ритца. Метод конечных элементов. Сравнительная характеристика методов конечных элементов и конечных разностей.
Характеристика программ проектирования и моделирования в электронике. Универсальные и специализированные системы анализа.
В результате изучения дисциплины «Компьютерные технологии в научных исследованиях» студент должен:
знать: основы численного моделирования приборов электроники и наноэлектроники; типовые процедуры применения проблемно-ориентированных прикладных программных средств, ориентированных на решение научных, проектных и технологических задач в области электроники и наноэлектроники;
уметь: использовать современные информационные и компьютерные технологии, средства коммуникаций в профессиональной деятельности; применять методы и компьютерные системы моделирования и анализа приборов электроники и наноэлектроники; выбирать методы и программную среду моделирования приборов электроники, микро- и наноэлектроники;
владеть: основными навыками применения компьютерных технологий в научных исследованиях; современными программными средствами моделирования, оптимального проектирования и конструирования приборов, схем и устройств электроники и наноэлектроники различного функционального назначения; навыками и методиками разработки математических моделей процессов, явлений и объектов в области физики и технологии электроники и наноэлектроники.
Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
« Проектирование и технология электронной компонентной базы»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 зачетных единицы (180 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является формирование знаний в области проектирования активных и пассивных микроэлектронных компонентов и устройств, типовых базовых технологических процессов производства микроэлектронных компонентов и устройств.
Задачей изучения дисциплины является: обучение студентов общим принципам и подходам проектирования активных и пассивных микроэлектронных компонентов и устройств, с использованием современных пакетов 2D- и 3D-прикладных программ, обеспечивающих приборно-технологическое проектирование. Изучение и освоение типовых базовых технологических процессов производства микроэлектронных компонентов и устройств с использованием современных методов моделирования с применением программных продуктов.
Основные дидактические единицы (разделы)
Изучение современных возможностей по проектированию и моделированию приборов и интегральных схем, изготовлению фотошаблонов, проектированию и изготовлению печатных плат. Моделирование и расчет характеристик активных и пассивных микроэлектронных компонентов и устройств трехмерное моделирование полупроводниковых приборов, включающее моделирование технологического процесса формирования структуры прибора, механических напряжений внутри прибора и анализ трехмерного растекания носителей заряда; моделирование кремниевых приборов и приборов с гетеропереходами (в том числе на основе SiC и GaN), приборов на основе материалов A3B5.
Изучение базовых технологий изготовления активных и пассивных микроэлектронных компонентов и устройств, в том числе сверхвысокочастотных полосковых схем, адаптированных к новой электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона; освоение технологии новых материалов и покрытий, обеспечивающих повышение надежности компонентов и интегральных схем на их основе. Одно- и двухмерное моделирование технологических процессов в процессе проектирования активных и пассивных микроэлектронных компонентов и устройств: термическое окисление кремния; диффузия в кремнии при высокой и низкой концентрации примеси; ионная имплантация; пучковый отжиг имплантированного кремния; оптическая литография.
В результате изучения дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» студент должен:
знать: методы расчета, проектирования, конструирования и модернизации электронной компонентной базы с использованием систем автоматизированного проектирования и компьютерных средств;
уметь: разрабатывать физические и математические модели приборов и устройств электроники и наноэлектроники; разрабатывать технологические маршруты их изготовления, применять новейшие технологические и конструкционные материалы;
владеть: методами проектирования электронной компонентной базы и технологических процессов электроники и наноэлектроники; методами математического моделирования технологических процессов с целью их оптимизации.
Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Иностранный язык технический»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 2 зачетных единицы (72 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является получение студентами языковой подготовки в технической сфере.
Задачей изучения дисциплины является: приобретение студентами коммуникативной компетенции, которая на отдельных этапах языковой подготовки позволяет использовать иностранный язык практически в профессиональной (производственной и научной) деятельности.
Основные дидактические единицы (разделы)
Перевод научно-технических текстов с родного языка на иностранный. Деловая переписка. Развитие языка профессионального общения (конференции, симпозиумы, дискуссии). Восприятие иноязычной речи на слух.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: иностранный язык в объеме, позволяющем принимать участие в обсуждении вопросов в сфере профессиональной деятельности;
уметь: обмениваться технической информацией на иностранном языке, как письменно, так и устно;
владеть: всеми видами чтения технической литературы в сфере профессиональной деятельности.
Виды учебной работы: практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Иностранный язык деловой»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 2 зачетных единицы (72 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является получение студентами языковой подготовки вне рамок профессионального общения.
Задачей изучения дисциплины является: приобретение студентами коммуникативной компетенции, которая на отдельных этапах языковой подготовки позволяет использовать на практике иностранный язык вне рамок профессионального общения.
Основные дидактические единицы (разделы)
Перевод текстов общего содержания с родного языка на иностранный. Деловая переписка. Развитие языка профессионального общения (конференции, симпозиумы, дискуссии). Восприятие иноязычной речи на слух. Совершенствование навыков устной речи вне рамок профессионального общения.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: иностранный язык в объеме, позволяющем принимать участие в обсуждении вопросов вне рамок профессионального общения;
уметь: обмениваться информацией на иностранном языке, как письменно, так и устно;
владеть: всеми видами чтения иностранной литературы вне рамок профессионального общения.
Виды учебной работы: практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Физико-химия наночастиц, наноматериалов и наноструктур»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является: ознакомление студентов с новейшими достижениями и направлениями развития в современной междисциплинарной области практических научных знаний – физхимии наноструктурированных материалов; изучение микроскопической теории конденсированного состояния вещества, главным образом твердого тела; формирование представлений об общих физико-химических закономерностях, отражающих взаимосвязь между составом, структурой и свойствами наноструктурированных материалов, где связующим звеном выступают закономерности движения атомных и субатомных частиц и взаимодействия между ними; формирование представлений об эвристических возможностях теории и физическое понимание в целом, предусматривающее возможность экспериментальной проверки.
Задачей изучения дисциплины является: изучение физических, химических и физико-химических законов и явлений, определяющих свойства наночастиц и наноматериалов; изучение основных требований, предъявляемых к технологическим процессам создания наноустройств; формирование представления о перспективах развития наноиндустрии и о новых физико-химических явлениях, которые могут быть использованы для создания принципиально новых устройств и систем.
Основные дидактические единицы (разделы)
Этапы развития и современное состояние технологии материалов и приборов макро-, микро- и наноэлектроники. Наноструктурированные материалы. Поверхность и поверхностные структуры. Термодинамика поверхностных слоев и межфазных границ. Неупорядоченные системы. Адсорбционные явления на поверхности твердых тел. Термодинамика и кинетика процессов формирования новой фазы. Стеклообразные и аморфные твердые тела. Поликристаллические материалы. Поверхностно-активные вещества. Наноструктурированные материалы.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: основные теоретические методы физики конденсированного состояния; основные методы исследования конденсированных металлических и неметаллических веществ; понятия и современные представления физики реальных процессов в микро- и наносистемах; основные виды движений в твердых телах; теоретико-методологические основы исследований конденсированного состояния;
уметь: применять теоретические методы физики конденсированного состояния; основные методы исследования конденсированных металлических и неметаллических веществ;
владеть: методами описания состояний в твердых телах; методами системного подхода к описанию и анализу состояния веществ и их физико-химических свойств; методами теоретического анализа проблем на основе современных достижений физики конденсированного состояния; методами описания принципов действия и устройства проектируемых электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения, описаний технологических процессов с обоснованием принятых технических решений.
Виды учебной работы: лекции; практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом, экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Образовательные процессы и ресурсы высшей школы»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: формирование представлений о современных образовательных процессах и ресурсах высшей школы.
Задачей изучения дисциплины является: ознакомление с технологиями разработки и использования электронных образовательных ресурсов, выработка навыков организации образовательных процессов.
Основные дидактические единицы (разделы)
Образовательные процессы высшей школы. Образовательные ресурсы. Виды образовательных ресурсов. Сравнительный анализ. Средства и методы формирования образовательных процессов. Создание и применение образовательных ресурсов.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: основные принципы организации образовательных процессов и ресурсов высшей школы;
уметь: использовать образовательные ресурсы;
владеть: навыками организации образовательных процессов.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Интеллектуальная собственность и методы поиска научных и технических решений»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний основ поиска новых научных и технических решений, навыков составления заявок на патентование изобретений, товарных знаков, полезных моделей, промышленных образцов, а также особенностей по оформлению заявок на защиту изобретений за рубежом, позволяющих защищать интеллектуальную собственность созданную при выполнении НИР и НИОКР на конкурентоспособном уровне.
Задачей изучения дисциплины является: получение знаний патентному законодательству России, ознакомление с методами получения и обработки информации в процессе измерения, контроля и диагностики.
Основные дидактические единицы (разделы):
Интеллектуальная собственность и общие тенденции развития интеллектуальных прав. Интеллектуальная собственность, авторское право и соавторство, смежные права. Авторское право в инфокоммуникациях, гражданско-правовые способы защиты авторского права и смежных прав.
Методы повышения эффективности поиска новых научных и технических решений. Особенности научной и инженерной работы, основные логические алгоритмы поиска информации об исследуемом объекте. Оценки качества известных и вновь выдвигаемых гипотез в области техники и естествознания. Критерии выбора оптимального способа либо устройства съема информации, физика открытых наукой законов природы и эффектов, относящихся непосредственно к радиоэлектронике
Защита интеллектуальной собственности в области инновационной деятельности. Основы патентного законодательства Российской Федерации. Правила оформления заявки на патент (способ). Правила оформления заявки на изобретение (устройство). Требования к оформлению материалов заявки на изобретение. Оформление заявки на изобретение. Правила оформления заявки на защиту промышленного образца. Правила оформления заявки на защиту товарного знака. Правила оформления заявки на защиту полезной модели. Правила оформления заявки на патентование за рубежом.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: основы патентного законодательства России, методы получения и обработки информации в процессе измерения, контроля и диагностики технических и биологических объектов;
уметь: творчески применять методы и алгоритмы обработки экспериментальных данных;
владеть: навыками защиты интеллектуальной собственности в России и за рубежом.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Формирование электронных образовательных ресурсов»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: формирование представлений о современных технологиях подготовки документов, предназначенных для распространения и использования в электронных образовательных ресурсах.
Задачей изучения дисциплины является: ознакомление с технологиями разработки электронных документов для электронных образовательных ресурсов, изучение приемов разработки гипертекстовых документов.
Основные дидактические единицы (разделы)
Общие сведения об электронных образовательных ресурсах. Значение электронных сетей в учебном процессе. WEB-ресурсы. Сравнительный анализ современных WEB-технологий. Гипертекстовый документ. Языки разметки гипертекстовых документов. Средства создания гипертекстовых документов. Информационно-образовательная среда. Аппаратные, программные и информационные компоненты. Методологические основы электронных образовательных ресурсов. Программированное обучение, автоматизированные обучающие системы. Структура информационно-образовательной среды. Построение информационно-образовательной среды. Дидактика применения информационно-образовательной среды.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: основные принципы организации электронных образовательных ресурсов;
уметь: использовать электронные образовательные ресурсы;
владеть: навыками применения электронных образовательных ресурсов.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Система и технологии дистанционного обучения»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: формирование знаний основных принципов организации системы дистанционного обучения.
Задачей изучения дисциплины является: ознакомление с технологиями подготовки и использования образовательных ресурсов для системы дистанционного обучения.
Основные дидактические единицы (разделы)
Место и задачи технологий дистанционного обучения (ДО) в системе образования. Классификация форм ДО. Инструктивные материалы и стандарты ДО. Особенности подготовки компьютерных учебных курсов для ДО. Подготовка лекционных материалов для ДО. Организация практических занятий с использованием технологий ДО. Итоговый и текущий контроль знаний с использованием технологий ДО. Организационные основы ДО.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: основные принципы организации системы дистанционного обучения;
уметь: использовать технологии дистанционного обучения;
владеть: навыками подготовки и использования образовательных ресурсов для системы дистанционного обучения.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Элементы и схемотехника интегральных схем»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является изучение языков описания аппаратуры для ускоренной разработки и верификации сложных схем и проектов.
Задачей изучения дисциплины является: формирование умений по ускоренной разработке и верификации сложных схем и проектов.
Основные дидактические единицы (разделы): Язык VHDL. Алфавит моделирования. Типы данных и декларации объектов. Сигналы и переменные. Операторы. Подпрограммы. Разрешаемые сигналы и шины. Компоненты.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: языки описания структуры электронных устройств;
уметь: проектировать схемы с использованием языков описания аппаратуры;
владеть: навыками схемотехнического проектирования электронных средств.
Виды учебной работы: лекции; лабораторные работы.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Процессы микро- и нанотехнологии»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является: формирование знаний в области процессов микро- и нанотехнологии.
Задачей изучения дисциплины является: изучение технологических процессов, протекающих при формировании микро- и наноразмерных структур и объектов, предназначенных для применений в электронике.
Основные дидактические единицы (разделы)
Системный подход к процессам микро- и нанотехнологии. Процесс формирования интегральных схем комплементарная технология. Газо- и жидко-фазные процессы нанесения вещества. Ионно-плазменные и электронно-лучевые процессы. Процессы и методы удаления вещества. Оборудование и методы модифицирования вещества. Процессы микро- , нанолитографии.
В результате изучения дисциплины «Процессы микро- и нанотехнологии» студент должен:
знать: основные физические закономерности, лежащие в основе современных технологических процессов, основные технологические методы и приемы, физические основы методов их контроля, практические возможности конкретных технологических процессов для получения материалов и создания устройств микроволновой электроники;
уметь: ориентироваться в многообразии современных технологических методов и приемов; разрабатывать технологические схемы производства материалов и устройств; определять экспериментальным или расчетным путем оптимальные режимы проведения отдельных технологических операций;
владеть: основными навыками работы на технологическом оборудовании, основными принципами построения технологических процессов производства материалов и создания микроэлектронных устройств, иметь представление об основных направлениях развития технологии устройств, о перспективах и тенденциях развития технологии электроники.
Виды учебной работы: лекции, лабораторные и практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Конструирование микропроцессорных систем»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единиц (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является: получение знаний в области разработки встраиваемых систем управления на базе микропроцессоров и микроконтроллеров.
Задачей изучения дисциплины является: изучение современного состояния микропроцессорных и микроконтроллерных систем управления.
Основные дидактические единицы (разделы)
Общие сведения о микропроцессорных системах. Микроконтроллеры. Средства ввода/вывода в микропроцессорных системах. Запоминающие устройства. Конструирование микропроцессорных систем. Перспективные микропроцессорные системы.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: особенности внутренней структуры различных семейств микропроцессоров и микроконтроллеров; элементную базу и особенности применения специализированных больших интегральных схем и микросхем памяти в системах на основе микропроцессоров и микроконтроллеров;
уметь: разрабатывать управляющие модули с использованием микроконтроллеров и программы для микропроцессоров и микроконтроллеров с использованием языка ассемблера;
владеть: навыками использования кросс-средств для разработки программного обеспечения микропроцессорных систем и приемами создания принципиальной электрической схемы устройства управления с использованием микроконтроллера.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Эксперимент: планирование, проведение, анализ результатов»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является получение знаний по планированию, проведению, анализу и оптимизации результатов исследования сложных объектов и процессов.
Задачей изучения дисциплины является формирование практических навыков по планированию, проведению, анализу и оптимизации результатов исследования сложных объектов и процессов.
Основные дидактические единицы (разделы): Принципы исследования и моделирования технологических процессов. Физическое и математическое моделирование. Математико-статистические основы описания и анализа технологических процессов. Законы распределения. Проверка статистических гипотез. Определение доверительных интервалов. Элементы дисперсионного и корреляционного анализа. Методы оптимизации. Выбор критериев оптимизации. Метод Гаусса-Зайделя, случайного поиска, градиента, крутого восхождения, симплексный метод. Анализ на основе пассивного и активного эксперимента. Сравнительный анализ методов пассивного и активного эксперимента. Общие сведения о методах обработки данных в пассивном эксперименте: факторный анализ, метод главных компонент, временные ряды. Планирование экстремальных экспериментов. Полный и дробный факторный эксперимент. Обработка результатов эксперимента. Описание области, близкой к оптимуму. Выявление наиболее существенных технологических факторов: метод ранговой корреляции. Насыщенный и сверхнасыщенные планы.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: принципы планирования и проведения экспериментов, принципы обработки и анализа результатов экспериментов, методы выявления наиболее существенных факторов;
уметь: разрабатывать математическую модель исследуемого объекта, проводить статистическую проверку гипотез, выявлять наиболее существенные факторы;
владеть: методологией планирования и проведения эксперимента.
Виды учебной работы: лекции; практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.
Аннотация дисциплины
«Датчики в электронных устройствах»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единиц (144 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: получение знаний в области применения датчиков, применяемых в электронных устройствах.
Задачей изучения дисциплины является: изучение свойств различных датчиков и схем их сопряжения с электронными устройствами, предназначенными для измерений температуры и влажности, давления и расхода жидкостей и газов, контроля параметров технологических материалов и сред с целью приобретения навыков разработки измерительных устройств для технологий электроники.
Основные дидактические единицы (разделы)
Виды датчиков. Сопряжение датчиков с устройствами усиления и обработки сигнала. Усилители, кондиционеры и мультиплексоры сигналов. Характеристики датчиков. Микромеханические сенсоры. Электронные датчики давления, расхода, пульсаций, смещения, силы, ускорения, крена. Термоэлектрические сенсоры Датчики температуры, потока, уровня жидкости, вакуума. Оптические сенсоры. Датчики оптического поглощения, смещения, положения. Магнитоэлектрические сенсоры. Датчики магнитного поля. Химические сенсоры. Датчики состава жидкостей и газов. Датчики влажности. Биологические сенсоры.
В результате изучения дисциплины «Датчики в электронных устройствах» студент должен:
знать: основные задачи, решаемые конкретными датчиками в электронных устройствах технологического и научного назначения; физические принципы работы первичных преобразователей датчиков, методы обработки сигналов, технические характеристики датчиков и их эксплуатационные особенности;
уметь: выбирать необходимый датчик, находить оптимальное схемотехническое решение устройства контроля и рассчитывать его принципиальную схему; сопрягать датчики со средствами вычислительной техники;
владеть: методиками калибровки электронных средств контроля физических величин; приемами настройки аналоговых узлов электронных измерительных устройств.
Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Сертификация и стандартизация электронных устройств»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является: теоретическое освоение нормативной базы по основным принципам сертификации электронных устройств.
Задачей изучения дисциплины является: приобретение знаний о технологии измерения параметров и характеристик электронных устройств, необходимых для сертификации продукции.
Основные дидактические единицы (разделы)
Метрологическое обеспечение показателей качества продукции. Обязательная и добровольная сертификация. Особенности сертификации средств измерений, средств связи, медицинской техники и других устройств. Маркировочные сертификационные знаки. Сертификационные системы стран мира.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: методы контроля соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам; нормативные документы по сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов; правила подготовки документации для сертификации электронных устройств;
уметь: осуществлять сбор и анализ научно-технической информации; выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов;
владеть: методами сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Основы ИПИ-технологий»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является изучение современных методик проектирования эффективных электронных устройств, обеспечивающих высокий уровень технических и эксплуатационных характеристик и технологичности электронных устройств.
Задачей изучения дисциплины является формирование практических навыков в построении функциональных моделей, системно отражающих проведение работ на этапах жизненного цикла электронных устройств.
Основные дидактические единицы (разделы)
Технико-экономические эффекты от применения ИПИ-технологии. Характеристика основных систем, применяемых для информационной поддержки различных этапов жизненного цикла изделия. Организация единого информационного пространства. Интерактивные электронные технические руководства. Методология функционального моделирования. Организация глобальных и локальных хранилищ данных Виртуальные (электронные) конструкторские бюро и предприятия. Разработка и выпуск нормативных документов.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: основы проектирования электронных устройств, позволяющих проводить целенаправленный синтез и системный анализ разрабатываемых изделий;
уметь: составлять функциональные диаграммы IDEF0;
владеть: методами формирования функциональных диаграмм IDEF0 в пакете Microsoft Office Visio.
Виды учебной работы: лекции; лабораторные работы, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
« Современные методы диагностики электронных устройств»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины:
Целью изучения дисциплины является: изучение современных методов диагностирования электронных устройств.
Задачей изучения дисциплины является: формирование умения составлять алгоритмы поиска неисправностей, составлять диагностические тесты.
Основные дидактические единицы (разделы)
Основные понятия и определения технической диагностики. Виды технического диагностирования. Модели объектов диагностирования. Построение диагностических тестов. Методы диагностики линейных цепей. Диагностика многополюсных объектов. Диагностирование цифровых электронных устройств. Алгоритмы диагностирования при поиске неисправностей. Интеллектуальные технологии в диагностировании.
В результате изучения дисциплины студент должен:
знать: методы диагностирования различных электронных устройств, принципы составления алгоритмов диагностирования и диагностических тестов;
уметь: составлять алгоритмы поиска неисправностей, составлять диагностические тесты;
владеть: знаниями о перспективах развития технической диагностики электронных устройств.
Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовая работа.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Волновые процессы в электронике»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: сформировать у обучаемых знание принципов работы устройств передачи и обработки информации на основе волновых эффектов различной природы.
Задачей изучения дисциплины является: ознакомление с основами теории волновых процессов, изучение физических основ работы сверхвысокочастотных, оптоэлектронных и акустоэлектронных устройств, приборов на магнитостатических волнах.
Основные дидактические единицы (разделы)
Общие характеристики и свойства волновых процессов. Волновое уравнение. Электромагнитные и акустические волны. Природные и технические источники электромагнитных волн. Границы применимости классической электродинамики. Электромагнитные волны в веществе.
Упругие волны в твердом теле, жидкости и газе. Магнитостатические и магнитоупругие волны. Распространение электромагнитных волн вдоль границы раздела сред. Направляющие (волноведущие) структуры. Распространение акустических волн вдоль границы раздела сред. Направляющие (волноведущие) структуры. Нелинейные эффекты. Самовоздействие. Взаимодействие волн. Основные положения теории связанных колебаний.
Сверхвысокочастотные устройства.
Оптоэлектроника. Основные понятия. Четвертьволновые диэлектрические слои и отражательные решетки. Зеркала и интерферометры. Параксиальное волновое уравнение. Оптические волокна и волноводные слои. Диэлектрический тонкопленочный волновод. Диспергирующие системы. Связь мод, резонаторы и ответвители.
Акустооптические модуляторы, ответвители. Электрооптические модуляторы. Амплитудный и фазовый модуляторы. Активная синхронизация мод. Нелинейные явления. Самофокусировка. Распространение солитонов в волоконных световодах. Регистрация оптических сигналов. Лазерная генерация. Взаимодействие света и звука. Рассеяние света звуком.
Физические основы и устройства акустоэлектроники. Распространение объемных и поверхностных упругих волн в кристаллах, пьезокристаллах и полупроводниках. Отражение и канализирование поверхностных волн. Нелинейные акустические эффекты. Пьезоэлектрический преобразователь. Электродное возбуждение поверхностных волн. Встречно-штыревые преобразователи. Линии задержки, резонаторы и полосовые фильтры. Корреляционная обработка. Активные устройства. Акустооптические явления. Оптические и акустооптические методы обработки информации. Акустооптические устройства.
Физические основы и устройства магнитоэлектроники. Классификация магнетиков. Спиновая магнитостатическая волна. Распространение магнитостатических волн. Возбуждение спиновых волн. Спин-волновые устройства обработки сигналов. Магнитоупругие и магнитооптические взаимодействия. Устройства на их основе.
Распространения электромагнитных волн в плазме полупроводников. Вихревые и квазистатические решения.
Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с продольным дрейфом носителей заряда. Волны пространственного заряда. Устройства на основе волновых процессов в полупроводниковых структурах. Флуктуационная и электрическая устойчивость тонкопленочных полупроводниковых структур. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с поперечным дрейфом носителей. Устройства на основе волновых процессов в полупроводниковых структур с поперечным дрейфом носителей.
В результате изучения дисциплины студент магистратуры должен:
знать: основы теории распространение волн в активных и поглощающих средах; основы теории взаимодействия волновых процессов различной природы; практические приложения волновых эффектов в электронике; основные положения теории и методы проектирования сверхвысокочастотных устройств акусто-, магнито- и оптоэлектроники; физические свойства применяемых материалов и технологические особенности изготовления, области применения, предельно достижимые и эксплуатационные параметры устройств;
уметь: выполнять анализ работы и оценку параметров устройства с распределенным взаимодействием; осуществлять выбор его конструктивной реализации;
владеть: навыками проведения расчетов устройств, использующих волновые процессы.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Проектирование электронных устройств в среде Microwave Office»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: формирование навыков по созданию устройств СВЧ техники различного функционального назначения.
Задачей изучения дисциплины является: изучение методов проектирования СВЧ устройств с использованием систем САПР.
Основные дидактические единицы (разделы)
Математические методы расчета в системах САПР. Структура среды Microwave Office. Функциональные возможности среды Microwave Office. Проектирование микрополосковых СВЧ устройств – линий передачи, СВЧ фильтров, СВЧ устройств на щелевых линиях.
В результате изучения дисциплины «Проектирование электронных устройств в среде Microwave Office» студент должен:
знать: основные способы проектирования устройств в САПР Microwave Office;
уметь: рассчитывать СВЧ устройство по электрической принципиальной схеме и моделировать его в требуемом пакете;
владеть: представлением о существующих методах проектирования СВЧ устройств и других пакетах САПР.
Виды учебной работы: лекции, практические занятия.
Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.
Аннотация дисциплины
«Философские проблемы науки и техники»
Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).
Цели и задачи дисциплины
Целью изучения дисциплины является: выработки историко-философского подхода к анализу современных научных проблем и путей развития науки и технического знания.
Задачей изучения дисциплины является: изучение исторических этапов развития и философских проблем науки и технического знания
Основные дидактические единицы (разделы)
Исторические этапы развития науки и технического знания. Философские проблемы науки и технического знания. Наука и общество. Наука и человек.
В результате изучения дисциплины «Философские проблемы науки и техники» студент должен:
знать: исторические этапы и философские проблемы науки и технического знания;
уметь: пользоваться историко-философским подходом при выборе путей решения научно-технических проблем;
владеть: приемами историко-философского анализа научных проблем и путей развития науки и технического знания.
Виды учебной работы: лекции, семинарские занятия.
Изучение дисциплины заканчивается зачетом.