Программа по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности
| Вид материала | Программа |
- Рабочая программа по дисциплине основы компьютерной электроники для студентов специальности, 487.92kb.
- Программа и методические указания к выполнению курсовой работы и контрольных работ, 146.23kb.
- Методические указания по выполнению контрольных работ и домашних заданий (рефератов), 314.07kb.
- Учебная программа по дисциплине «основы профессиональной психодиагностики» для студентов, 167.88kb.
- Рабочая учебная программа по дисциплине «Методологические основы психологии» для студентов, 177.86kb.
- Базовая учебная программа дисциплины «основы математической кибернетики» для студентов, 80.1kb.
- Программа по дисциплине «Основы логопедии» для подготовки студентов по специальности, 207.17kb.
- Харламовой Татьяной Львовной санкт-петербург 2008 Основные положения Написание курсовой, 211.63kb.
- Программа по дисциплине Основы радиофизики для специальности 014200 биохимическая физика, 329.47kb.
- Методические указания к выполнению и защите курсовых работ для студентов специальности, 432.99kb.
РП 210201-08.11.2009
Федеральное агентство по образованию
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ
И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по учебной работе
__________ Л. А. Боков
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА
по дисциплине "Физические основы микроэлектроники"
для студентов специальности
210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
Факультет - Радиоконструкторский (РКФ)
Профилирующая кафедра – КИПР
Обеспечивающая кафедра - КУДР
Курс – 2, Семестр – 3,4
Учебный план набора 2008 года и последующих лет
Распределение учебного времени
Лекции 62 часа (ауд.)
Лабораторные занятия 18 часов (ауд.)
Практические занятия 18 часов (ауд.)
Курсовая работа 17 часов (ауд.)
Всего аудиторных занятий 114 часов
Самостоятельная работа- 66 часов,
Общая трудоемкость – 180 часов,
Экзамен - 3 семестр
Диф. зачет - 4 семестр (курсовая работа)
Зачет - 4 семестр
2009 г.
Предисловие
Рабочая программа составлена на основании ГОС ВПО по направлению 210200 - «Проектирование и технология электронных средств», утвержденному Министерством образования России 10.03.2000 г., (рег. № 29 тех/дс.)
Рабочая программа рассмотрена и утверждена на заседании обеспечивающей кафедры КУДР 2.06. 2009 г., протокол № 135
Разработчик
профессор кафедры КУДР _____________ Н. С. Несмелов
Зав. обеспечивающей кафедрой КУДР _____________ Н. С. Несмелов
Рабочая программа согласована с факультетом и профилирующей кафедрой специальности; соответствует действующему рабочему плану занятий.
Декан РКФ, профессор ____________Г. В. Смирнов
Зав. профилирующей кафедрой КИПР, профессор ___________ В. Н. Татаринов
-
Цели и задачи дисциплины
Целью курса является подготовка в области физических основ микроэлектроники студентов специальности «Конструирование и технология радиоэлектронных средств (РЭС)».
- Задачи курса
- Основными задачами курса являются :
- Основными задачами курса являются :
-изучение основных физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых устройствах (элементах микроэлектронных схем);
-приобретение навыков измерения и анализа параметров полупроводниковых материалов и элементов микросхем;
-изучение физических процессов, с которыми связаны перспективы развития микроэлектроники.
В результате усвоения материала курса студент должен
ИМЕТЬ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ:
- об основных физических процессах, перспективных с точки зрения создания новых эффективных направлений микроэлектроники;
- о принципиальных физических ограничениях, стоящих на пути повышения эффективности РЭС и ЭВС.
ЗНАТЬ:
-основные физические явления, определяющие концентрацию и энергетический спектр носителей заряда в твердом теле;
-физические механизмы переноса и рассеяния носителей заряда в полупроводниках;
-физические процессы в полупроводниковых приборах, являющихся элементами микросхем.
УМЕТЬ:
-проводить оценки основных параметров, характеризующих физические процессы в полупроводниках и полупроводниковых устройствах;
-рассчитывать статические и динамические характеристики полупроводниковых устройств на основе данных, определяющих физические параметры материалов и конструкцию устройства;
-пользоваться монографической, а также периодической научно-технической литературой по физике полупроводников и полупроводниковым приборам;
-оценивать области применимости полупроводниковых приборов.
2. Перечень дисциплин, усвоение которых студентами необходимо
для изучения данной дисциплины и связь с другими дисциплинами.
Научной базой, необходимой для изучения курса, является знание следующих разделов учебных дисциплин:
Физика: физические основы механики, квантовая механика, молекулярная физика и термодинамика, классическая и квантовая статистическая физика, электричество и магнетизм, электроны в кристаллах, оптика.
Математика: дифференциальное и интегральное исчисления, дифференциальные уравнения, вероятность и статистика, векторный анализ и теория поля, уравнения математической физики.
Данный курс является основой для изучения следующих дисциплин:
- Физика полупроводниковых структур.
- Физика функциональных устройств.
- Материаловедение и материалы электронных средств.
- Перспективная элементная база РЭС.
- Основы медицинской электроники.
- Общая электротехника и электроника – ч. 2.
- Основы проектирования электронных средств.
- Технология радиоэлектронных средств.
- Конструирование и технология биомедицинской аппаратуры.
- Интегральные устройства радиоэлектроники.
3.Содержание дисциплины: третий- четвертый семестры.
В разделе 3 подчеркиванием выделены дидактические единицы ГОСа.
3.1 Лекционные занятия.
3.1.1. Элементы физики твердого тела (лекций – 8 час., самостоятельная работа – 8 час.).
Кристаллические и аморфные твердые тела. Типы кристаллических решеток. Дефекты в кристаллах. Тепловые колебания в твердых телах. Понятие о фононах. Теплоемкость, теплопроводность и тепловое расширение твердых тел. Статистический подход для описания свойств твердых тел. Понятие о функциях распределения и функциях плотности состояний. Фермионы и бозоны. Распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна. Энергия Ферми. Вырожденное и невырожденное состояния. Бозе-конденсация. Физические основы квантовой механики. Применение уравнения Шредингера к описанию движения свободной частицы. Фазовая и групповая скорости. Элементы зонной теории твердого тела. Электрон в периодическом потенциальном поле. Модель Кронига-Пенни. Зоны Бриллюэна. Эффективная масса носителей заряда. Зонная структура диэлектриков, полупроводников, металлов.
3.1.2.Физика полупроводников (лекций -10 час., самостоятельная работа-10час.).
Собственная проводимость полупроводников. Электроны и дырки. Равновесная концентрация носителей заряда, уровень Ферми. Зависимость концентрации носителей от температуры. Примесные уровни и примесная проводимость полупроводников. Акцепторные и донорные примесные атомы. Энергия активации. Уравнение баланса носителей заряда в полупроводнике. Температурная зависимость равновесной концентрации примесных носителей заряда. Закон действующих масс. Компенсированные полупроводники. Неравновесные носители заряда. Понятие о квазиуровнях Ферми. Рекомбинация, ее механизмы. Скорость рекомбинации и время жизни носителей заряда. Излучательная рекомбинация. Основные полупроводники, применяемые в микроэлектронике (кремний, германий, арсенид галлия), их свойства. Диффузионная и дрейфовая составляющие тока. Коэффициент диффузии носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Монополярная и биполярная диффузия носителей заряда в полупроводниках. Уравнение непрерывности.
3.1.3. Электропроводность твердых тел ( лекций – 8 час., самостоятельная работа – 8час.).
Классическая теория электропроводности, ее недостатки. Влияние электрического поля на функцию распределения носителей заряда. Дрейфовая скорость. Подвижность носителей заряда. Уравнения Ланжевена. Механизмы рассеяния носителей заряда. Электрон-фононное рассеяние. Рассеяние на дефектах кристаллической решетки. Температурные зависимости подвижности и концентрации носителей заряда в металлах. Температурная зависимость удельной проводимости металлов. Основные механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках. Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников. Эффекты сильного поля. Типы вольтамперных характеристик в полупроводниках. ВАХ S и N типа. Эффект Ганна. Понятие о доменах. СВЧ-генераторы на эффекте Ганна.
3.1.4 Контактные явления. (лекций -12 час., самостоятельная работа -10 час.).
Работа выхода. Из металлов и полупроводников. Термоэлектронная эмиссия. Контакт двух металлов. Контактная разность потенциалов. Контакт металл-полупроводник в равновесном и неравновесном состояниях. Приконтактные слои обеднения, обогащения, инверсии. Эффект Шоттки. Толщина обедненного слоя. Распределение потенциала Диод Шоттки. ВАХ диода Шоттки. Р-n переход, его энергетические диаграммы в равновесном и неравновесном состоянии. Обедненный слой, электрические поля в обедненном слое. Резкий и плавный p-n переходы. Толщина обедненного слоя. Контактная разность потенциалов. Обратный ток p-n перехода, его составляющие. ВАХ p-n перехода. Зарядная и диффузионная емкости p-n перехода. Пробой p-n перехода и его механизмы (лавинный, туннельный, тепловой). Полупроводниковые приборы на основе p-n перехода. Выпрямительные диоды. Туннельный диод. Энергетические диаграммы, принцип действия, ВАХ. Лавинно-пролетный диод. Лавинное умножение и дрейф. Характеристики лавинно-пролетных диодов. Структура и физика работы биполярного транзистора, его энергетическая диаграмма. Инжекция носителей. Активный режим, режимы насыщения и отсечки. Схема с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Коэффициент усиления по току. Эффективности эмиттера и коллектора, коэффициент переноса неосновных носителей заряда в базе. Переходные процессы в биполярном транзисторе. Частота отсечки.
3.1.5. Поверхностные явления в полупроводниках (лекций – 8 час., самостоятельная работа – 8 час.).
Поверхностные состояния в полупроводнике. Поверхностная рекомбинация. Приповерхностный слой объемного заряда. Поверхностная проводимость. Эффект поля.
МДП-структуры. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур. Полевые транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. ВАХ этих приборов. Влияние зависимости подвижности от поля. Ток насыщения, крутизна характеристики.
МДП (МОП)-транзисторы. Идеальная МДП-структура. Эффект поля. МДП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналом. ВАХ МДП-транзистора. Режимы обеднения, обогащения, инверсии. Приближенная модель и ее уточнение. Роль поверхностных состояний. Разновидности МОП-транзисторов. Высокочастотные МОП-транзисторы. Переходные процессы в полевых транзисторах. Эквивалентная схема МОП-транзистора.
3.1.6. Гальваномагнитные, термомагнитные и термоэлектрические явления (лекций – 4 часа, самостоятельная работа – 4 часа).
Движение носителей заряда при наличии магнитного поля. Магнетосопротивление, эффект Холла и его применения. Эффекты Нернста, Риги-Ледюка, Эттинсгаузена. Эффекты Зеебека, Пельтье и Томсона, области их применения.
3.1.7. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (лекций – 8 час., самостоятельная работа – 4 час.).
Спектры испускания и поглощения. Типы центров поглощения в полупроводниках. Понятие об экситонах. Люминесценция полупроводников. Основные законы люминесценции. Виды люминесценции. Фотопроводимость. Спектральная зависимость фотопроводимости. Фотопроводимость при импульсном освещении. Фотоэлектрические эффекты. Устройство, принцип действия, основные характеристики фоторезистора, фотодиода, фотоэлемента, фототранзистора. Светодиоды. Фотовольтаический эффект. Понятие о гетеропереходах. Солнечные батареи. Оптические системы в микроэлектронике. Оптические волноводы. Принцип действия лазеров и мазеров. Полупроводниковые лазеры.
3.1.8. Физические основы перспективных направлений развития микроэлектроники (лекций – 4 час., самостоятельная работа – 4 час.).
Физические ограничения быстродействия и миниатюризации. Сверхрешетки на основе полупроводников. Электрические и оптические свойства сверхрешеток. Пространственное разделение примесных атомов и носителей заряда. Элементы интегральных схем на основе сверхрешеток. Перенос носителей заряда в тонких пленках. Сверхпроводимость. Сущность явления. Высокотемпературная сверхпроводимость. Механизмы сверхпроводимости. Критическая температура, ток, магнитное поле. Сверхпроводники первого и второго рода. Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона. Контакт Джозефсона в магнитном поле. Понятие о СКВИДе. СКВИД как магнитометр. Криотроны. Сверхпроводящие элементы ЭВС.
3.2. Лабораторные работы (третий-четвертый семестры) Число часов (ауд.).
1) Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников
и определение энергии активации - 4 часа
2) Изучение фотопроводимости полупроводников и определение релаксацион-
ного времени жизни носителей заряда - 4 часа
3) Исследование эффекта сильного поля (эффект Ганна) и его использование
в устройствах микроэлектроники - 4 часа
4) Исследование дрейфа носителей заряда в полупроводнике - 4 часа
5) Изучение параметров диффузии и рекомбинации неравновесных носителей
заряда - 4 часа
6) Изучение параметров диффузии и рекомбинации неравновесных носителей
заряда, возбужденных светом - 4 часа
7) Изучение свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник - 4 часа
8) Изучение гальваномагнитного эффекта (эффект Холла) - 4 часа
9) Исследование электрических свойств p-n перехода - 4 часа
Всего: 18 час.
Студент должен выполнить из приведенного перечня не менее 4-х лабораторных работ.
3.3 Практические занятия Число часов (ауд.)
1) Зонная структура твердых тел -2 часа
2) Статистика электронов и дырок в полупроводниках -2 часа
3) Контрольная работа -2 часа
4) Электропроводность металлов и полупроводников. -2 часа
5) Генерация и рекомбинация носителей заряда -2 часа
6) Контрольная работа -2 часа
7) Диффузия и дрейф носителей заряда в полупроводниках -2 часа
8) Контактные явления -2 часа
9) Контрольная работа -2 часа
Всего: 18 час.
3.4. Курсовая работа (ауд. – 17 часов, самостоятельная работа -10 часов).
Целями курсовой работы являются:
-развитие навыков самостоятельной работы в области науки, изучаемой в курсе,
-развитие навыков работы с научной и технической литературой,
-приобретение опыта практического использования теоретических материалов курса,
-углубление знаний по основам курса.
Задание на выполнение курсовой работы должно удовлетворять следующим требованиям:
-широкий охват теоретических разделов курса,
-использование вычислительной техники.
Типовые темы курсовых работ:
- Расчет контактной разности потенциалов и распределения потенциала в p-n переходе
(25 вариантов).
- Расчет вольтамперной характеристики p-n перехода (25 вариантов).
- Выбор внутренних параметров p-n перехода по заданным характеристикам полупроводникового диода (25 вариантов).
3.5. Самостоятельная работа студентов, выполняемая с использованием комплексного учебно-методического обеспечения, разработанного для студентов дистанционной формы обучения.
Самостоятельная работа студентов включает следующие компоненты:
| №№ п/п | Наименование работы | Кол-во часов | Форма контроля |
| 1 | Проработка лекционного материала | 43 | Экзамен, зачет |
| 2 | Подготовка к лабораторным работам | 4 | Допуск к каждой лабораторной работе и защита отчета. |
| 3 | Подготовка к практическим занятиям | 9 | Контрольные работы - 3 |
| 4 | Выполнение курсового проекта | 6 | Опрос на занятиях (консультациях), проведение защиты |
| 5 | Подготовка к контрольным работам | 4 | Проверка работ, оценка качества выполненных работ |
| Итого 66 | |||
4 Учебно-методические материалы по дисциплине
4.1 Рекомендуемая литература.
Основная:
- Несмелов Н. С., Славникова М. М., Широков А. А. ''Физические основы микроэлектроники (конспект лекций)'': Учебное пособие для вузов – ТУСУР, Томск, 2007.- 276 с.
- Епифанов Г. И., Мома Ю. А. ''Физические основы конструирования и технологии
РЭА и ЭВА'': Учебное пособие для вузов. – М. : Сов. Радио, 1979.- 352 с.
- Епифанов Г. И., Мома Ю. А. ''Твердотельная микроэлектроника''. – М. Высшая
школа, 1986.- 304 с.
Дополнительная:
- С. Зи ''Физика полупроводниковых приборов''.- М., Мир, 1984, 1 том (450 с.), 2 том
(450 с.).
- Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П. ''Физические основы технологии микроэлектроники''.
-М.: Металлургия, 1979.- 408 с.
- Сугано Т., Икома Т.,Такэиси. ''Введение в микроэлектронику''.- М:Мир, 1988.-320 с.
- Орешкин П. Г. ''Физика полупроводников и диэлектриков''.- М.: ВШ, 1977.- 448 с.
- Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. ''Микроэлектроника. Физические и
технологические основы, надежность'': Учебное пособие для вузов – М. ВШ, 1986.
- 464 с.
- Шалимова К. В. ''Физика полупроводников''.- М.: Энергоатомиздат, 1985.-392 с.
- Несмелов Н. С., Широков А. А. Сборник задач по курсу ''Физические основы мик-
роэлектроники'': Учебное пособие для вузов.- Изд. ТУСУР, 2007. – 41 с.
- М. Херман ''Полупроводниковые сверхрешетки''.- М., Мир, 1989.- 238 с.
- Методические указания по выполнению конкретных лабораторных работ по курсу ФОМ (имеются в библиотеке ТУСУР и в учебной лаборатории по микроэлектронике кафедры КУДР)// Изд. ТУСУР, 2007. – 135 с.
- Несмелов Н. С., Славникова М. М., ''Физические основы микроэлектроники '': методические указания по выполнению курсовой работы – ТУСУР, Томск, 2007.- 43 с.
4.2 Прочие учебно-методические материалы
Для самопроверки правильности решения задач может использоваться устройство «СИМВОЛ», или компьютерная разработка «ТЕСТ» с аналогичным принципом проверки.
5 Методика преподавания и оценка знаний студентов
5.1 При изучении данной дисциплины осуществляется балльно-рейтинговый контроль успеваемости и усвоения материала курса студентами, который проводится в соответствии с Положением о балльно - рейтинговой системе оценки знаний, утвержденным приказом ректора № 405 от 23.01.09 г.
5.2 Контрольные работы по теоретическому материалу курса проводятся во время контрольных точек по индивидуальным билетам, в каждом из которых содержится пять вопросов по пройденному теоретическому материалу. Система ответов – тестовая. На ответ по билету дается 20 минут. Конспектами и учебниками пользоваться не разрешается. За успешное выполнение контрольной работы студент может получить до 20 баллов.
Количество баллов Критерии
0 – отсутствие на контрольной тестовой работе;
4 – присутствие на контрольной тестовой работе, процент правильных ответов меньше 20 от общего числа выбранных ответов;
8 – процент правильных ответов составляет 20 59 от общего числа выбранных ответов;
12 – процент правильных ответов составляет 60 79 от общего числа выбранных ответов;
16– процент правильных ответов составляет 80 % ÷ 89 % от общего числа выбранных ответов.
20 – процент правильных ответов превышает 90 % от общего числа выбранных ответов.
В весеннем семестре проводится три контрольных тестовых работы: 2 во время контрольных точек и одна во время последней лекции по дисциплине.
По результатам тестовых опросов и контрольных работ (решение задач) с учетом хода выполнения лабораторных и практических работ выставляются балльные оценки для контрольных точек. На всех занятиях осуществляется контроль посещаемости (при проведении тестового опроса он осуществляется автоматически, в остальных случаях – учет по данным старост или устная перекличка).
5.3 Компонент своевременности – баллы, выставляемые студенту для стимулирования своевременной отчетности студента по элементам контроля. Выставляются только студентам, которые без опозданий отчитываются по всем предусмотренным учебным планом элементам контроля. Задания (элементы контроля), представленные с опозданием, проверяются, но в баллах не оцениваются. Студент, не сдавший задание в срок по уважительной причине, может получить за него балльную оценку по разрешению - допуску деканата, но не позднее предпоследней недели семестра.
5.4 Балльная оценка успеваемости студента формируется путем суммирования балльных оценок его работы по процедурам контроля согласно таблицам 1, 2 и 3, раздельно по семестровым теоретическим курсам и по курсовому проекту. Балльная оценка выражается целым числом. При успешном выполнении всех обязательных учебных процедур контроля максимально возможное значение балльной оценки составляет в целом по каждому семестровому разделу теоретического курса 100 баллов и по курсовому проекту 100 баллов, т. е. максимально возможная балльная оценка студента по курсу «Физические основы микроэлектроники» составляет 300 баллов.
5.5 Необходимые условия допуска студента к экзамену и зачету:
- выполнение, независимо от набранной в семестре текущей суммы баллов, всех учебных процедур, предусмотренных рабочей программой для каждого семестра (лабораторного практикума, практических занятий и т. д.);
- наличие положительной оценки по курсовой работе в 4 семестре (диф. зачет);
Преподаватель имеет право не учитывать набранную студентом сумму баллов до ликвидации студентом всех текущих долгов по дисциплине.
5.6 Неудовлетворительной сдачей экзамена считается получение студентом экзаменационной составляющей балльной оценки менее 10 баллов. При неудовлетворительной сдаче экзамена (экзаменационной балльная оценка меньше 10 баллов) или неявке на экзамен экзаменационная составляющая балльной оценки приравнивается нулю и, в этом случае, студент обязан пересдать экзамен в установленном в университете порядке.
5.7 Распределение баллов по отдельным учебным процедурам контроля по дисциплине «Физические основы микроэлектроники» в осеннем и весеннем семестрах приведено в таблицах 1, 2, 3.
5.8 В весеннем семестре итоговой формой отчетности является зачет, который может быть выставлен автоматически, если студент в течение семестра набрал более 60 баллов (без учета баллов по третьей контрольной работе) и успешно защитил курсовую работу.
5.9 Для курсовой работы отчетная составляющая балльной оценки (до 50 баллов) выставляется преподавателем по результатам защиты работы. Если отчетная составляющая балльной оценки не превысила 10 баллов, то она приравнивается нулю. В этом случае курсовая работа подлежит повторной защите в установленном в университете порядке.
| №№ п/п | Элементы учебной деятельности | Максимальный балл за период между началом семестра и 1 КТ | Максимальный балл за период между 1 и 2 КТ | Максимальный балл за период между 2 КТ и концом семестра | Максимальная балльная оценка |
| 1 | Контрольные тестовые работы по теоретическому курсу | 20 | 20 | 0 | 40 |
| 2 | Лабораторные работы. | | 5 | 5 | 10 |
| 3 | Практические занятия (оцениваются результаты контрольных работ по решению задач). | 4 | 4 | 4 | 12 |
| 4 | Компонент своевременности | 1 | 1 | 2 | 4 |
| 5 | Посещение лекционных занятий | 1 | 1 | 2 | 4 |
| Итого максимум за период | 26 | 31 | 13 | 70 | |
| Экзаменационная составляющая балльной оценки | | | | 30 | |
| Нарастающим итогом за семестр | 25 | 55 | 70 | 100 | |
Таблица 1
Максимально возможные балльные оценки по отдельным
учебным процедурам контроля курса ФОМ.
Третий семестр (осенний)
Таблица 2
Четвертый семестр (весенний)
| №№ п/п | Элементы учебной деятельности | Максимальный балл на 1 КТ с начала семестра | Максимальный балл за период между 1 и 2 КТ | Максимальный балл за период между 2 КТ и концом семестра | Максимальная балльная оценка |
| 1 | Контрольные тестовые работы по теоретическому курсу | 20 | 20 | 30 | 70 |
| 2 | Лабораторные работы. | | 5 | 5 | 10 |
| 3 | Компонент своевременности | 3 | 3 | 4 | 10 |
| 4 | Посещение лекционных занятий | 3 | 3 | 4 | 10 |
| Итого максимум за период | 26 | 31 | 43 | 100 | |
| Нарастающим итогом | 26 | 57 | 100 | 100 | |
Таблица 3
Таблица максимально возможных рейтинговых оценок по курсовой работе
по дисциплине ФОМ
Четвертый семестр (весенний)
| №№ п/п | Элементы учебной деятельности | Максимальный балл на 1 КТ с начала семестра | Максимальный балл за период между 1 и 2 КТ | Максимальный балл за период между 2 КТ и концом семестра | Всего за семестр |
| 1 | Получение задания на курсовую работу | 5 | | | 5 |
| 2 | Подбор и обзор литературы | 12 | | | 12 |
| 3 | Выполнение необходимых расчетов по работе | | 18 | | 18 |
| 4 | Выполнение необходимых графических работ | | 4 | 4 | 8 |
| 5 | Представление чернового варианта курсовой работы для проверки (по графику) | | | 8 | 8 |
| 6 | Качество оформления чистового варианта курсовой работы (проверяется при защите КР) | | | 12 | 12 |
| 7 | Компонент своевременности (работа строго по графику) | 4 | 4 | 4 | 12 |
| 8 | Итого максимум за период | 16 | 26 | 28 | 70 |
| 9 | Защита курсовой работы (по графику) (мах) | | | | 30 |
| 10 | Нарастающим итогом | 16 | 42 | 70 | 100 |