парамагнетизм полупроводников
ББК В379.233.4
*УДК 537.622.3:621.315.59
В: магнитные свойства полупроводников
В: парамагнетизм – теория
В: парамагнетики
|
парамагнетизм – теория = свойство тел, помещенных во внешнее магнитное поле, намагничиваться (приобретать магнитный момент) в направлении, совпадающем с направлением этого поля
ББК В334.4
УДК 537.611.43
В: магнетизм – теория
Н: парамагнетизм полупроводников
|
парамагнетики = вещества, намагничивающиеся во внешнем магнитном поле по направлению поля
ББК В373.33
УДК 537.622.3
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов
Н: парамагнетизм полупроводников
Н: электронные парамагнетики
|
парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
ББК В379.233.3
ВИНИТИ 291.19.31.23.21
УДК 537.635:537.611.43
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
|
параметрический резонанс спиновых волн в ферритах
ББК В379.233.4
В: спинволновой резонанс
В: ферромагнетизм полупроводников
|
переключение магнитных структур
ВИНИТИ 201.19.36.21.37
В: эффекты спинтроники
А: магнитоэлектрический контроль
|
перенос
См: явления переноса
|
перенос поляризованного спина
PACS 72.25.-b
В: электронный перенос в конденсированных телах
Н: перенос поляризованного спина в полупроводниках
Н: спинполяризованный перенос в металлах
|
перенос поляризованного спина в полупроводниках
PACS 72.55.Dc
ВИНИТИ 291.19.36.21.27
С: спинполяризованный перенос в полупроводниках
В: эффекты спинтроники
В: явления переноса в полупроводниках
|
перенос спинового крутильного момента током
ВИНИТИ 291.19.36.21.35
В: эффекты спинтроники
Н: явления переноса /в конденсированном веществе/
|
перенос фононов в магнитных полупроводниках.
ББК В379.233
В: магнитные свойства полупроводников
В: явления переноса в полупроводниках
|
перенос экситонов в полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.21.39
В: экситоны в полупроводниках
В: явления переноса /в полупроводниках
|
переходное сопротивление
УДК 537.311.4
В: сопротивление и проводимость
А: контактное сопротивление
|
переходы ферромагнетик-сверхпроводник
ВИНИТИ 291.19.36.19.29
В: структуры спинтроники
|
периодические структуры /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.33.29.21
В: слоистые структуры
Н: полупроводниковые сверхрешётки
|
перовскиты-ферриты
ББК В379.233.4
В: ферромагнетики
|
пинч-эффект /в полупроводниках/ = эффект самостягивания разряда, свойство электрического токового канала в сжимаемой проводящей среде уменьшать своё сечение под действием собственного, порождаемого самим током, магнитного поля
*ББК В333.62:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.37
В: кинетические явления /в полупроводниках/
|
плазма носителей заряда /в полупроводниках/
%УДК 537.311.322.01:533.9
В: теория полупроводников
Н: экситоны
Н: электронные состояния /в полупроводниках/
Н: явления переноса в полупроводниках
|
плазмоны в полупроводниках = ссылка скрыта, отвечающая квантованию ссылка скрыта, которые представляют собой коллективные колебания свободного электронного газа.
В: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
Н: объёмные плазмоны
Н: поверхностные плазмоны
|
планарный эффект Холла
*ББК В379.212.6:25
ВИНИТИ 291.19.36.21.49
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники
|
плёнки (кинетические явления в полупроводниках)
*ББК В379.212.6:25
ВИНИТИ 291.19.31.21.41
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: полупроводниковые плёнки
|
плёнки полупроводников
См: полупроводниковые плёнки
|
плёнки полупроводников в радиодиапазоне
ВИНИТИ 291.19.31.23.41
*УДК 538.975.3:537.8.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
В: полупроводниковые плёнки
|
плёнки полупроводников (оптика)
*ББК В379.212.6:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.35
*УДК 538.975.3:535:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
В: полупроводниковые плёнки
|
плёнки (фотоэлектрические и рекомбинационные явления в полупроводниках)
*ББК В379.212.6:231.2:231.4
ВИНИТИ 291.19.31.29.31
В: фотоэлектрические и рекомбинационные эффекты в полупроводниках
В: полупроводниковые плёнки
|
поверхности и границы раздела
ВИНИТИ 291.19.16
ГРНТИ 29.19.16
УДК 538.971
В: физика твёрдых тел
В: специальная геометрия тел
Н: границы раздела
Н: полупроводниковые плёнки
Н: явления на границе твердого тела и газа (вакуума)
|
поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура и энергетика
PACS 68.35.bj
В: аморфные полупроводники – физика
В: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
|
поверхности и границы раздела твёрдых полупроводников: структура и энергетика
PACS 68.35.bg
В: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
В: твёрдые поверхности полупроводников
|
поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
PACS 68.35.-р
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
Н: поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура и энергетика
Н: поверхности и границы раздела твёрдых полупроводников: структура и энергетика
|
поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
PACS 68
В: конденсированное вещество: структура, механические и тепловые свойства
Н: поверхности и границы раздела твёрдых тел: структура и энергетика
Н: структура и морфология тонких плёнок
Н: тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
А: поверхности и границы раздела
|
поверхностная структура полупроводников
PACS 68.35.bg bj
*ББК В379.212:212.5
*УДК 539.211:621.315.59
В: структура полупроводников
|
поверхностные плазмоны /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.17
В: плазмоны в полупроводниках
В: поверхностные явления в полупроводниках
|
поверхностные поляритоны в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: поверхностные явления в полупроводниках
В: поляритоны в полупроводниках
|
поверхностные свойства полупроводников
*УДК [538.971+539.211]:621.315.59
Н: поверхностные свойства полупроводников – исследование с помощью ФЭС
А: поверхностные явления в полупроводниках
|
поверхностные свойства полупроводников – исследование с помощью ФЭС
ВИНИТИ 291.19.31.37.19.17
В: поверхностные свойства полупроводников
В: фотоэлектронная спектроскопия полупроводников
|
поверхностные фононы /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.17.15
В: фононный спектр /полупроводников/
В: поверхностные явления в полупроводниках
|
поверхностные явления в полупроводниках
ББК В379.212.5
*УДК [538.971+539.211]:621.315.59
В: структура полупроводников
Н: поверхностные плазмоны /в полупроводниках/
Н: поверхностные поляритоны в полупроводниках
Н: поверхностные фононы /в полупроводниках/
Н: электронно-дырочные системы на поверхности полупроводников
А: поверхностные свойства полупроводников
|
поверхность /неоднородности в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.33.19
*УДК 539.219.1:539.211:538.971:621.315.59
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
|
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
PACS 78.40.-q
*ББК В343.231.1-142:231.1-143:232.1-142:232.1-143
В: твердотельная спектроскопия и другие взаимодействия излучений и частиц с конденсированными телами
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения в металлах, полуметаллах и сплавах
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения в полупроводниках
Н: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения фуллеренов и подобных материалов
|
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения в металлах, полуметаллах и сплавах
PACS 78.40.Kc
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
|
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения в полупроводниках
PACS 78.40.Fy
*ББК В379.242-142:242-143:243-142:243-143
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: поглощение и отражение света в полупроводниках
|
поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения фуллеренов и подобных материалов
PACS 78.40.Ri
С: фуллерены и подобные вещества: спектры видимого и ультрафиолетового излучения
В: поглощательные и отражательные спектры видимого и ультрафиолетового излучения
|
поглощение в полупроводниках
PACS 68.47.Fg
ББК В79.243
Н: поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
|
поглощение и отражение света /в полупроводниках/
*ББК В379.243:243
*УДК [535.34+535.36+535.39]:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
Н: межзонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: отражение света в полупроводниках
Н: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
Н: поглощение /света в полупроводниках/
Н: примесное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
|
поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19
В: оптические явления в полупроводниках
В: поглощение и отражение света в полупроводниках
Н: внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: экситонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
|
поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23.17
*УДК 537.87.029.5/.6:621.315.59
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
|
поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.27.15
*УДК 534.2:621.315.59
В: акустические явления в полупроводниках
|
поглощение света в полупроводниках
ББК В379.243
*УДК 535.34:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
В: поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
Н: многофотонное поглощение в полупроводниках/
|
поглощение света на примесях и дефектах в полуметаллах
PACS 78.40.Kc
В: полуметаллы
|
поглощение электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.243
*УДК 537.874.7:621.315.59
В: поглощение в полупроводниках
Н: поглощение света в полупроводниках
|
позитроны в структурном анализе
ББК 379.221
В: структурный анализ полупроводников
|
поликристаллические полупроводники – физика = полупроводниковые материалы или заготовки из него, объём которых образован множеством зёрен или сросшихся монокристаллов со случайной ориентацией
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
|
половинные металлы = металлы с полной поляризацией носителей заряда по спину
ВИНИТИ 291.19.36.15.19
В: материалы спинтроники
В: металлы
|
полоний
*ББК Г126.4:К235.44
УДК 546.249
В: полуметаллы
|
полумагнитные полупроводники = сплавы полупроводников и магнитных ионов переходных металлов или редких земель
С: полупроводники с магнитным разбавлением
С: разбавленные магнитные полупроводники
ББК В379.233
В: магнитные полупроводники
В: магнитные свойства полупроводников
|
полуметаллы = вещества (Bi, As, Sb, Те и др.), близкие по свойствам к типичным металлам, но обладающие в 102 – 105 раз меньшей электропроводностью
В: металлы, полуметаллы и сплавы
Н: видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
Н: висмут
Н: германий
Н: мышьяк
Н: обработка полуметаллов
Н: поглощение света на примесях и дефектах в полуметаллах
Н: полоний
Н: сурьма
Н: теллур
Н: электронная структура полуметаллов
|
полупроводники = широкий класс веществ, в которых концентрация подвижных носителей тока значительно ниже, чем концентрация атомов, и может изменяться в широких пределах под влиянием температуры, освещения или относительно малого количества примесей
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31
ГРНТИ 29.19.31
*УДК 537.311.322:621.315.59
В: материаловедение
В: электрические свойства твёрдых тел
Н: акустические явления в полупроводниках
Н: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: бесщелевые полупроводники
Н: диэлектрические свойства полупроводников (статические)
Н: дырочные полупроводники
Н: жидкие полупроводники
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников
Н: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: коллективные эффекты /в полупроводниках/
Н: кристаллические полупроводники
Н: легированные полупроводники
Н: люминесценция /полупроводников/
Н: магнитные полупроводники
Н: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: неорганические полупроводники
Н: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: низкоразмерные полупроводники
Н: органические полупроводники
Н: полупроводники как нелинейные оптические материалы
Н: полупроводниковые плёнки
Н: полупроводниковые соединения
Н: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Н: пьезополупроводники
Н: сегнетополупроводники
Н: статистико-термодинамические свойства полупроводников
Н: туннельная и фононная спектроскопия /полупроводников/
Н: туннельная микроскопия /полупроводников/
Н: ферромагнитные полупроводники
Н: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/
Н: чистые полупроводники
Н: электронные полупроводники
Н: элементарные полупроводники
Н: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/
Н: энергетический спектр полупроводников
А: полупроводники - техника
А: проводники с особо высоким сопротивлением
А: физика полупроводников
|
полупроводники II-VI
PACS 81.05. Dz
%УДК 537.311.322-039.6AIIBVI
С: полупроводниковые соединения типа AIIBVI
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые соединения
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников II-VI
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках II-VI
Н: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников II-VI
Н: фотолюминесценция полупроводников II-VI
Н: электропроводность полупроводников II-VI
|
полупроводники III-V
PACS 81.05.Ea
%УДК 537.311.322-039.6AIIIBV
С: полупроводниковые соединения типа AIIIBV
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые соединения
Н: изготовление, обработка, испытание и анализ полупроводников III-V
Н: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V
Н: легирование и имплантация ионов в полупроводниках III-V
Н: тонкие плёнки и слоистые структуры полупроводников III-V
Н: фотолюминесценция полупроводников III-V
Н: электропроводность полупроводников III-V
|
полупроводники в электрохимии
PACS 82.45.Vp
*ББК Г57:В379.2
*УДК 544.6:621.315.59
В: полупроводники - техника
|
полупроводники как нелинейные оптические материалы
PACS 42.70.Nq
*УДК 535:530.182:621.315.59-03
В: нелинейная оптика полупроводников
В: полупроводники - техника
|
полупроводники с магнитным разбавлением
См: полумагнитные полупроводники
|
полупроводники - техника
PACS 81.05.Hd
УДК 621.315.59
Н: полупроводники в электрохимии
Н: полупроводники как нелинейные оптические материалы
Н: полупроводниковые устройства
А: полупроводники
|
полупроводниковые гетероструктуры = комбинации различных гетеропереходов
ББК 379.2
*УДК 538.975.5:621.315.59-025.25
С: гетероструктуры полупроводников
В: полупроводниковые структуры
В: физика полупроводников
Н: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
Н: квантовые ямы и сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
Н: полупроводниковые гетероструктуры – теория
Н: полупроводниковые сверхрешётки
|
полупроводниковые гетероструктуры – теория
ББК В379.13
*УДК 538.975.5:621.315.59-025.25-027.21
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: теория полупроводников
|
полупроводниковые детекторы
*ББК з849.2:В381.592
В: полупроводниковые устройства
Н: оптоэлектронные полупроводниковые детекторы
Н: полупроводниковые детекторы для ядерной физики
Н: полупроводниковые лазеры
|
полупроводниковые детекторы для ядерной физики
PACS 29.40.Wk
ББК В381.592
УДК 539.1.074.55
В: полупроводниковые детекторы
|
полупроводниковые домены = области полупроводника с разным удельным сопротивлением и разной напряжённостью электрического поля
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.17
*УДК 537.611.3:621.315.59
С: домены /в полупроводниках
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
В: домены
|
полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
ББК В379
*УДК 537.226-026.76
Н: диэлектрические свойства твёрдых тел
Н: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: физика полупроводников и диэлектриков
|
полупроводниковые квантовые сверхрешётки
ББК В379.13
В: квантовая теория
В: полупроводниковые сверхрешётки
|
полупроводниковые лазеры
С: лазерные диоды
PACS 42.55.Px
*ББК В345.977:з86-531.8
*УДК 621.373.8:621.315.59
В: лазеры
В: полупроводниковые устройства
Н: квантовые каскадные лазеры
|
полупроводниковые магнетики
См: магнитные полупроводники
|
полупроводниковые мезоскопические системы – теория
ББК В379.13
*УДК 538.91:621.315.59-022.51-027.21
В: квантовая теория
|
полупроводниковые наноструктуры
См: низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры
|
полупроводниковые оптические материалы
PACS 42.70.-a
*ББК В341.8:В379.2
В: светопреломляющие и полупроводниковые оптические материалы
|
полупроводниковые плёнки
ББК В379.212.6
*УДК 538.975.25:621.315.59-023.4
В: поверхности и границы раздела
В: полупроводники
Н: выращивание полупроводниковых плёнок
Н: плёнки /кинетические явления в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: плёнки /полупроводников, оптика/
Н: плёнки /фотоэлектрические и рекомбинационные явления в полупроводниках/
Н: тонкие плёнки полупроводников
|
полупроводниковые сверхрешётки = – многослойные гетероструктуры, состоящие из чередующихся слоёв различных по составу полупроводников, различающихся шириной запрещённой зоны
ББК В379.212
С: сверхрешётки /в полупроводниках/
В: периодические структуры полупроводников
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: неоднородные структуры /в полупроводниках/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: полупроводниковые квантовые сверхрешётки
|
полупроводниковые свойства твёрдых тел
ББК В379
*УДК 538.9-026.76:621.315.59
В: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
Н: алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: бор и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: гафний и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: германий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: графит – полупроводниковые свойства
Н: европий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: индий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кадмий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кобальт и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: кремний и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: многокомпонентные соединения – полупроводниковые свойства
Н: мышьяк и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: оксидные полупроводники - физика
Н: поликристаллические полупроводники - физика
Н: редкоземельные элементы и их соединения - полупроводниковые свойства
Н: ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства
Н: рутений и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: свинец и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: селен и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: сурьма и её соединения – полупроводниковые свойства
Н: таллий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: твёрдые эвтектические сплавы – полупроводниковые свойства
Н: теллур и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: халькогениды – полупроводниковые свойства
Н: цезий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: церий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: цинк и его соединения – полупроводниковые свойства
|
полупроводниковые свойства жидкостей
ББК В333.79
Н: жидкие полупроводники
|
полупроводниковые соединения
В: полупроводники
Н: арсенид галлия
Н: полупроводники III-V
Н: полупроводниковые соединения эхлементов VI группы
|
полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
*ББК Г123.4/6:К235.3:В379.2
%УДК 537.311.322-039.665
В: неорганические полупроводники
Н: лантан и его соединения – полупроводниковые свойства
|
полупроводниковые соединения типа AIIBVI
См: полупроводники II-IV
|
полупроводниковые соединения типа AIIIBV
См: полупроводники III-V
|
полупроводниковые соединения элементов VI группы
В: полупроводниковые соединения
Н: полупроводники II-VI
Н: полупроводниковые соединения на основе редкоземельных элементов
|
полупроводниковые структуры
В: структуры вещества
Н: полупроводниковые гетероструктуры
Н: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
|
полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.46
В: полупроводники
В: полупроводниковые структуры
Н: МПД-структуры
Н: единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
Н: квантовые ямы и сверхрешётки /в полупроводниках/
А: низкоразмерный электронный газ
|
полупроводниковые устройства
PACS 85.30.–z
ББК з852
В: полупроводники – техника
В: электронные и магнитные устройства; микроэлектроника
Н: полупроводниковые детекторы
Н: полупроводниковые лазеры /лазерные диоды/
|
поляризация атомных ядер в полупроводниках
ББК В379.233.4
*УДК 539.143.5:621.315.59
В: магнитные свойства полупроводников
В: ферромагнетизм полупроводников
|
поляризация люминесценции полупроводников
*ББК В343.8-2:В379.24-2
*УДК 535.37:535.51:621.315.59
В: люминесценция полупроводниокв
В: поляризация электромагнитных волн в полупроводниках
Н: частичная поляризация люминесценции полупроводников
|
поляризация оптического излучения в полупроводниках
См: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
|
поляризация электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.244…
*УДК 537.871.5:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
Н: поляризация люминесценции полупроводников
А: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
|
поляризованное оптическое излучение /в полупроводниках/
ББК В379.24-2
*УДК 535.51:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
А: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения
|
поляритонные уровни в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
|
поляритоны /в полупроводниках/ = кванты возбуждённого состояния кристалла, представляющие собой сочетание электромагнитной волны (фотона) с оптическим колебанием ионного кристалла (оптическим фононом) или экситоном
ББК В379.212.2
ВИНИТИ 291.19.31.15.19.21
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
В: коллективные возбуждения /в полупроводниках/
|
полярные полупроводники - физика = В молекулах полярных диэлектриков и полупроводников центры тяжести зарядов разных знаков сдвинуты друг относительно друга. В этом случае молекулы обладают собственным дипольным моментом. Но эти дипольные моменты в отсутствие внешнего электрического поля из-за теплового движения молекул ориентированы хаотически и суммарный дипольный момент такого диэлектрика равен нулю
ББК В379.2
В: физика полупроводников
|
поляроны = Электроны, двигающиеся по кристаллу вместе с вызываемой ими деформацией решётки. Полярон. — составная квазичастица: электрон + связанные с ним ссылка скрытаы.
*УДК 538.9:544.022.372
В: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
В: электронные дефекты
|
поляроны в полупроводниках
ББК В379.133
*УДК 538.9:544.022.372:621.315.59
В: поляроны
В: поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
|
поляроны, флуктуоны и др. /квазичастицы в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.15.23
В: квазичастицы в полупроводниках
В: энергетический спектр полупроводников
Н: поляроны в полупроводниках
Н: флуктуоны /в полупроводниках/
|
пористые слои полупроводников
ББК В379.212.6
*УДК 539.216.2:539.217.1:621.315.59
В: структура полупроводников
|
порошки ферритовые – физические свойства
ББК В379.233.4
В: ферромагнетики
|
потенциальные барьеры в полупроводниках
ББК В379.231.21
В: барьер Шоттки
В: барьерные эффекты в полупроводниках
|
преломление света /в полупроводниках/ = изменение направления распространения оптического излучения (света) при его прохождении через границу раздела двух сред
ББК В379.242
*УДК 535.32:621.315.59
В: оптические свойства полупроводников
В: преломление электромагнитных волн в полупроводниках
|
преломление электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.242.2
*УДК 537.874.3:621.315.59
Н: преломление света в полупроводниках
|
приборы спиновой электроники
ВИНИТИ 291.19.36.25
В: спинтроника
Н: спиновые диоды
Н: спиновые транзисторы
Н: спиновые фильтры
Н: спиновые запоминающие устройства
Н: спиновые квантовые компьютеры
|
примеси в полупроводниках = атомы, инородные для данной кристаллической решётки
ББК В379.212.2
*УДК 544.022.343:621.315.59
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
Н: легирующие примеси
Н: остаточные примеси
Н: примеси /влияние на статистические свойства полупроводников/
Н: примесные состояния /влияние на энергетический спектр полупроводников/
|
примеси – влияние на электрические свойства /полупроводников/
ББК В379.231.26
*УДК 537.311.322:544.022.343:621.315.59
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: электрические свойства /полупроводников/
В: электронные явления в полупроводниках
|
примеси /влияние на статистические свойства полупроводников/
*ББК В379.212.2:22
ВИНИТИ 291.19.31.17.31
*УДК 536:544.022.343:621.315.59
В: примеси в полупроводниках
В: статистико-термодинамические свойства полупроводников
|
примесное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.17
*УДК [535.34+535.36+535.39]:544.022.343:621.315.59
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
Н: экситонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
|
примесные уровни полупроводников
PACS 71.55-i
В: энергетический спектр полупроводников
|
примесные состояния – влияние на энергетический спектр полупроводников
ВИНИТИ 291.19.31.15.21
В: энергетический спектр полупроводников
В: примеси в полупроводниках
Н: глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр
|
пробой = Явление резкого возрастания электрического тока через слабо проводящие кристаллы в сильных электрических полях
ББК В373.124
УДК 537.521.7
В: электрические разряды
Н: пробой в полупроводниках
|
пробой в полупроводниках
ББК В379.231.24
ВИНИТИ 291.19.31.21.33
*УДК 537.521.7:621.315.59
В: ионизация и пробой в полупроводниках
В: пробой
В: электронные явления в полупроводниках
|
проводимость
См: сопротивление и проводимость
|
проводимость аморфных полупроводников
См: электропроводность аморфных полупроводников
|
проводимость жидких полупроводников
См: электропроводность жидких полупроводников
|
проводимость полупроводников
См: электропроводность полупроводников
|
проводимость по примесной зоне
ВИНИТИ 291.19.31.21.15.17
В: электропроводность полупроводников
|
проводимость элементарных полупроводников
См: электропроводность элементарных полупроводников
|
проводники с особо высоким сопротивлением
УДК 621.315.59
А: полупроводники
|
производство, обработка, испытания, анализ материалов
PACS 81.05.-t
В: материаловедение
Н: анализ материалов
Н: испытания материалов
Н: обработка материалов
|
проникающее излучение – взаимодействие с твёрдыми телами
См: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
|
протонография полупроводников
ББК В379.212.19
В: структурный анализ полупроводников
|
процессы переноса в тонких полупроводниковых плёнках
PACS 73.50.–h 73.61.–r
*УДК 538.975.2:621.315.59
В: тонкие плёнки полупроводников
В: явления переноса в полупроводниках
|
прыжковая проводимость /полупроводников/
ББК В379.231.2
ВИНИТИ 291.19.31.21.15.19
В: электронные явления в полупроводниках
В: электропроводность /полупроводников/
|
пьезооптические явления /в полупроводниках/
*ББК В379.231.7:24
ВИНИТИ 291.19.31.25.31
*УДК 535:537.226.86:621.315.612:621.315.59
В: оптические явления в полупроводниках
В: пьезополупроводники
В: пьезоэффект
|
пьезополупроводники
ББК В379.231.7
*УДК 537.226.86:621.315.612:621.315.59
В: полупроводники
В: пьезоэлектрики
В: физика полупроводников
Н: пьезооптические явления /в полупроводниках/
Н: пьезосопротивление /полупроводников/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
|
пьезосопротивление /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.21.17
*УДК 537.226.86:537.31:621.315.612:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: пьезополупроводники
|
пьезоэлектрики = ссылка скрыта и полупроводники, в которых наблюдается ссылка скрыта, то есть те, которые могут либо под действием ссылка скрыта индуцировать ссылка скрыта на своей поверхности (прямой пьезоэффект), либо под влиянием внешнего электрического поля деформироваться (обратный пьезоэффект).
ББК з843.41
*УДК 537.226.86:621.315.612
Н: пьезополупроводники
|
пьезоэффект = способность вещества под действием ссылка скрыта индуцировать ссылка скрыта на своей поверхности (прямой пьезоэффект), либо под влиянием внешнего электрического поля деформироваться (обратный пьезоэффект).
УДК 537.226.86
Н: пьезооптические явления в полупроводниках
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
|
пьезоэффект /акустика полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.27.19
*УДК 537.226.86:534:621.315.59
В: акустические явления в полупроводниках
В: пьезоэффект
|
