Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из
| Вид материала | Реферат |
СодержаниеР р – 52 статьи |
- Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников», 916.1kb.
- М. С. Неезнер Одетях с отклонениями в развитии, 3136.97kb.
- Задание №5 7 Дистанционные олимпиады по астрономии. Дистанционные эвристические олимпиады, 128.46kb.
- Решение проблем происхождения и развития, т е. возможной дальнейшей судьбы отдельных, 135.55kb.
- М. В. Ломоносова по физике и астрономии. Вклад М. В. Ломоносова в развитие физики, 119.77kb.
- Петр Иосифович Капица. Вморе погасли огни Воснове этой документальной повести лежат, 4968.1kb.
- А. Д. Эпштейн и О. А. Зайцева Одной из важнейших характеристик специфики ближневосточного, 844.77kb.
- Воснове любого экономического развития лежат три фактора экономического роста: трудовые, 133.5kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1462.41kb.
- Russian Classification of Services Provided to People ок 002-93, 1465.79kb.
Р р – 52 статьи
| работа выхода электронов = энергия, затрачиваемая на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум УДК 537.533.2 В: электронная эмиссия Н: работа выхода электрона из полупроводника |
| работа выхода электрона из полупроводника ВИНИТИ 291.19.31.37.15 *УДК 537.533.2:621.315.59 В: работа выхода электронов В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/ |
| радиационные дефекты в полупроводниках = продукты атомных смещений в облучаемом материале, а также электронных возбуждений, вызываемых в нём ионизационными процессами. ББК В379.212.2 В: дефекты в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников) Н: радиационные дефекты в полупроводниках – влияние на электрические свойства |
| радиационные дефекты в полупроводниках – влияние на электрические свойства ББК В379.231.26 С: структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ В: радиационные дефекты в полупроводниках В: электронные явления в полупроводниках |
| радиационные повреждения структуры В: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения А: радиационные эффекты |
| радиационные эффекты В: физические радиационные эффекты; радиационные повреждения Н: радиационные эффекты в полупроводниках А: радиационные повреждения структуры |
| радиационные эффекты в полупроводниках ББК В379.212.7 PACS 61.82.Fk %УДК 537.311.322.04: 538.97 С: влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников В: влияние облучения на свойства твёрдых тел В: структура полупроводников В: физические свойства полупроводников Н: взаимодействие ионов с полупроводниками Н: деканалирование заряженных частиц в полупроводниках Н: ионная имплантация полупроводников Н: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках Н: радиационный эффект в ферритах /полупроводниках/ А: излучения – действие на проводимость |
| радиационный эффект в ферритах /полупроводниках/ ББК В379.233.4 В: радиационные эффекты в полупроводниках В: ферромагнетизм полупроводников |
| радиоспектроскопия /полупроводников/ = совокупность методов исследования строения вещества, а также физических и химических процессов в нём, основанных на резонансном поглощении радиоволн ББК В379.247 В: спектроскопия полупроводников |
| разбавленные магнитные полупроводники См: полумагнитные полупроводники |
| разделение фаз в полупроводниках PACS 64.75.Qr В: фазовые равновесия |
| размерные эффекты Н: размерные эффекты /в статистических свойствах полупроводников/ Н: размерные эффекты /при кинетических явлениях в полупроводниках/ Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/ Н: размерный эффект в полупроводниковых плёнках |
| размерные эффекты /в статистических свойствах полупроводников/ ВИНИТИ 291.19.31.17.29 В: размерные эффекты В: статистико-термодинамические свойства полупроводников |
| размерные эффекты /при кинетических явлениях в полупроводниках/ ВИНИТИ 291.19.31.21.29 В: кинетические явления /в полупроводниках/ В: размерные эффекты |
| размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/ ВИНИТИ 291.19.31.23.29 В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/ В: размерные эффекты |
| размерный эффект в полупроводниковых плёнках ББК В379.212.6 В: размерные эффекты В: тонкие слои полупроводников – физика |
| разогрев электронов /в полупроводниках/ ББК В379.231.2 ВИНИТИ 291.19.31.21.27.15 В: нелинейная проводимость /полупроводников/ В: электронные явления в полупроводниках А: горячие электроны в полупроводниках Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках Н: центры захвата в полупроводниках Н: электрические колебания в полупроводниках Н: электрические флуктуации в полупроводниках Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников Н: электронный газ в полупроводниках |
| разрешённая зона = область значений энергии, которые может принимать квантовая система В: зона В: энергетические зоны /полупроводников/ Н: валентная зона |
| рамановские спектры полупроводников В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников Н: рамановские спектры полупроводников II-VI Н: рамановские спектры полупроводников III-V Н: рамановские спектры элементарных полупроводников |
| рамановские спектры полупроводников II-VI PACS 78.30.Fs В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников II-VI В: рамановские спектры полупроводников |
| рамановские спектры полупроводников III-V PACS 78.30.Fs В: инфракрасные и рамановские спектры полупроводников III-V В: рамановские спектры полупроводников |
| рамановские спектры элементарных полупроводников PACS 78.55.Am В: инфракрасные и рамановские спектры элементарных полупроводников В: рамановские спектры полупроводников |
| распределение напряжения УДК 537.315.6 В: напряжение электрического тока А: распределение электричества |
| распределение электричества УДК 537.22 В: статическое электричество Н: электрический заряд – распределение плотности А: распределение напряжения |
| распространение звука /в полупроводниках/ *ББК В323.35:В379.22 ВИНИТИ 291.19.31.27.15 *УДК 534.2:621.315.59 В: акустические явления в полупроводниках В: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/ |
| распространение электромагнитных волн ББК В336.3 УДК 537.87 Н: распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/ Н: распространение световых волн /в полупроводниках/ |
| распространение электромагнитных волн /в полупроводниках, оптический диапазон/ См: распространение световых волн /в полупроводниках/ |
| распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/ ББК В379.24 ВИНИТИ 291.19.31.23.17 УДК 537.87.029.5/.6:621.315.59 В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/ В: распространение электромагнитных волн /в полупроводниках/ |
| распространение световых волн /в полупроводниках/ ББК В379.24 ВИНИТИ 291.19.31.25.15 *УДК 535.3:621.315.59 С: распространение электромагнитных волн /в полупроводниках, оптический диапазон/ В: высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение световых волн /в полупроводниках/ В: физика полупроводников Н: рассеяние света /в полупроводниках/ А: оптические свойства полупроводников |
| рассеяние света /в полупроводниках/ ББК В379.245 ВИНИТИ 291.19.31.25.21 *УДК 535.36:621.315.59 В: оптические свойства полупроводников В: оптические явления в полупроводниках В: распространение световых волн /в полупроводниках/ Н: гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках Н: комбинационное рассеяние /света/ в полупроводниках |
| рассеяние спинов ВИНИТИ 291.19.36.21.29 В: релаксация и рассеяние спинов |
| редкоземельные элементы и их соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2:Г123.4/6 *УДК 546.65:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел |
| резонансное туннелирование в магнитных структурах ВИНИТИ 291.19.36.21.45 В: туннельный эффект В: эффекты спинтроники |
| рекомбинационная люминесценции полупроводников *ББК В343.89:В379.24 В: люминесценция полупроводников |
| рекомбинационные неустойчивости /в полупроводниках/ ВИНИТИ 291.19.31.35.23 В: неустойчивости /в полупроводниках/ |
| рекомбинация /носителей тока в полупроводниках/ = исчезновение пары электрон проводимости - дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону ББК В379.231.3 ВИНИТИ 291.19.31.29.25 В: носители тока в полупроводниках В: фотоэлектрические и рекомбинационные явления /в полупроводниках/ Н: безизлучательная рекомбинация /в полупроводниках/ Н: излучательная рекомбинация в полупроводниках Н: Оже-рекомбинация |
| релаксационные электрические свойства твёрдых тел ВИНИТИ 291.19.23.19 В: кинетические и релаксационные свойства (электрические) твёрдых тел |
| релаксация и рассеяние спинов ВИНИТИ 291.19.36.21.29 В: эффекты спинтроники Н: рассеяние спинов |
| релаксация Максвелла в полупроводниках ББК В379.231 В: электрические свойства полупроводников |
| релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках ББК В379.231.2 В: горячие носители тока в полупроводниках |
| рентгеновская дифрактометрия в спинтронике ВИНИТИ 291.19.36.23.35 В: дифрактометрия |
| рентгеновская оптика /полупроводников/ ВИНИТИ 291.19.31.25.25 *УДК 535-34:621.315.59 В: оптические явления в полупроводниках Н: рентгеновская спектроскопия |
| рентгеновская спектроскопия /полупроводников/ = получение рентгеновских спектров испускания и поглощения и их применение к исследованию электронной энергетической структуры атомов, молекул и твёрдых тел ББК В379.247 ВИНИТИ 291.19.31.25.25.15 *УДК 539.26:621.315.59 С: рентгеноспектроскопия полупроводников В: рентгеновская оптика /полупроводников/ В: спектроскопия полупроводников А: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв |
| рентгеновские лучи - действие на проводимость УДК 537.312.54 В: излучения – действие на проводимость В: рентгеновское излучение |
| рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв ББК В379.221.3 *УДК 539.26:621.315.59 В: структурный анализ полупроводников Н: дифракция рентгеновских лучей в кристаллах полупроводников А: рентгеновская спектроскопия /полупроводников/ |
| рентгеновское излучение УДК 535-34 Н: рентгеновское излучение в полупроводниках Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость |
| рентгеновское излучение в полупроводниках ББК В379.24-141 В: гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках |
| рентгеноспектроскопия полупроводников См: рентгеновская спектроскопия /полупроводников/ |
| решёточное поглощение и отражение света /в полупроводниках/ ВИНИТИ 291.19.31.25.19.21 В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/ |
| ртуть *ББК Г122.43:К232.8 УДК 546.49 А: ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства |
| ртуть и её соединения – полупроводниковые свойства ББК В379.2:Г122.43-2 *УДК 546.49:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел А: ртуть |
| рутений и его соединения – полупроводниковые свойства *ББК В379.2: Г128.21-2 *УДК 546.96:621.315.59 В: полупроводниковые свойства твёрдых тел |