Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в сильно коррелированных электронных системах оксидов и халькогенидов переходных металлов 01. 04. 07 физика конденсированного состояния
Вид материала | Автореферат диссертации |
СодержаниеВ шестой главе |
- Синтез, оптические спектры и стереоатомный анализ структуры сложных халькогенидов,, 855.77kb.
- Трансформация структуры и электрофизических свойств оксидов переходных металлов при, 367.4kb.
- Учебно-методический комплекс по дисциплине Физика Конденсированного Состояния Для специальности, 322.8kb.
- Паспорт специальности 01. 04. 07 – физика конденсированного состояния, 1004.81kb.
- Эффект Холла и магнетосопротивление неупорядоченных магнитных систем на основе кремния, 334.2kb.
- Ён Викторович Методы визуализации кинетики зарождения и роста углеродных наноструктур, 219.01kb.
- Рабочая программа учебной дисциплины «Физика конденсированного состояния, термодинамика,, 223.9kb.
- Аннотация дисциплины «Магнетизм конденсированного состояния», 11.15kb.
- Министерство образования Российской Федерации международный университет природы, общества, 1374.95kb.
- Аннотация дисциплины, 39.03kb.
Кристаллическая структура оксисульфидов (VS)x(Fe2O3)2-x при х близком к единице аналогична родственному соединению – магнетиту.
О
Рис. 14. Температурные зависимости удельного сопротивления образцов (VS)x(Fe2O3)2-x. 1 – х = 0.9, 2 – 1.1, 3 – 1.25 (слева).
Температурная зависимость магнитной восприимчивости образца (VS)x(Fe2O3)2-x при х = 1.25 (справа).
ксисульфидные соединения (VS)x(Fe2O3)2-x при х = 0.9 и 1.1 характеризуются немонотонными температурными зависимостями магнитной восприимчивости с широкими максимумами в окрестности 150 и 300 К. Сопротивление этих составов слабо зависит от температуры (рис. 14). Выраженной взаимосвязью магнитных и электрических свойств обладает состав с х = 1.25. Магнитная восприимчивость этого соединения имеет резкий пик при Т = 115 К (рис. 14). В близкой области температур происходит переход металл–диэлектрик. В температурном интервале 80-150 К сопротивление образца меняется на 8 порядков. И магнитный переход, и переход в проводимости (VS)x(Fe2O3)2-x при х = 1.25 происходят при температурах, близких к температуре Вервея (зарядового упорядочения) в структурно родственном соединении – магнетите Fe3O4. В этой же температурной области (VS)1.25(Fe2O3)0.75 испытывает структурный переход с понижением симметрии. Эти факты дают возможность предположить установление зарядового упорядочения в исследуемом оксисульфиде.
Для соединения VS ·Fe2O3 можно предположить следующую валентную формулу: . Ион V3+ в тетраэдрической позиции обладает двумя d-электронами на eg – орбиталях. В кристалле eg– зона, образованная этими орбиталями будет наполовину заполненной. Вследствие сильных корреляций eg– зона ванадия расщепляется на нижнюю и верхнюю хаббардовские подзоны, причем для х = 1 уровень Ферми попадает в щель Мотта – Хаббарда. В составах с х < 1 eg зона будет заполнена менее чем наполовину, а при х > 1 более чем наполовину. Носителями заряда при этом будут сильно коррелированные электроны обобществленных узких d-зон железа и ванадия, для которых характерны переходы между локализованными и делокализованными состояниями. Слабая температурная зависимость восприимчивости паулиевского типа, имеющая место для составов со степенью замещения х = 0.9 и х = 1.1 при высоких температурах указывает на делокализованный характер d – электронов. С понижением температуры, по мере проявления полупроводникового типа проводимости, температурная зависимость восприимчивости также становится более характерной для локализованных электронов.
Моносульфиды переходных металлов обычно кристаллизуются в структурных типах никелина NiAs. Ионы переходного металла находятся в октаэдрическом окружении серы. Крайние соединения изоструктурного ряда FexV1-xS обладают различным магнитным порядком. При температурах ниже комнатной FeS – антиферромагнетик, а VS парамагнитен.
Рис. 15. Кривые намагничивания образцов FexV1-xS. 1 – х = 0.1, 2 – 0.2, 3 – 0.4, Т = 300 К (слева). Концентрационные зависимости магнитного момента на формульную единицу и температуры Кюри для FexV1-xS. (справа).
При исследовании твердых растворов FexV1-xS выяснилось, что составы с х < 0.1 парамагнитны, тогда как системы с большим содержанием железа испытывают переход в магнитоупорядоченное состояние (рис. 15), парамагнитная температура Кюри = 1000-1100 К. По мере увеличения концентрации железа магнитный момент, приходящийся на формульную единицу изменяется немонотонно. В структурном плане система FexV1-xS может быть сопоставлена с системой V1-xS. Частично заполненные а1 и eg – орбитали железа Fe2+(d6) вместе с орбиталями V2+(3d3) и S2- формируют зонную структуру близкую к α – VS (в парафазе). Частично заполненный eg – дублет на ионе Fe2+ образует локализованный магнитный момент со спином S = 1. При малых х примеси Fe можно считать независимыми, и момент равен 2μB. С ростом х взаимодействие между примесями приведет к их магнитному упорядочению. При этом возрастет и перекрытие eg – волновых функций ионов железа, что приводит к делокализации и уменьшению величины магнитного момента. Это предположение подтверждается и характером поведения температурных зависимостей электропроводности, которые изменяются от полупроводникового к температурно-независимому типу c ростом концентрации замещения ванадия на железо (рис. 16).
Рис. 16. Температурные зависимости удельного сопротивления составов FexV1-xS с х = 0.005 (слева) и х = 0.1 (1), 0.2 (2), 0.3 (3), 0.4 (4), 0.5 (5) (справа).
Своеобразное поведение проводимости продемонстрировал состав с очень малым содержанием железа х = 0.005. Температурная зависимость сопротивления этого состава имеет резкий пик при Т = 90 К (рис. 16), что характерно для проявления эффекта Кондо в системах с магнитными примесями. Известно, что при установлении магнитного порядка в системе эффект Кондо подавляется.
Наблюдаемый в данной работе переход между режимом Кондо и дальним магнитным порядком происходит при критической концентрации примесей хС такой, что ТК ~ хСθС, где ТК – температура Кондо, θС – температура Кюри концентрированной магнитной системы. В нашем случае ТК ~ 100 К, θС ~ 1000 К, так что хС ~ 0.1.
В заключительной части главы рассмотрена взаимосвязь магнитных и электрических свойств, проявляющаяся при катионном замещении в смешанных хромовых шпинелях CdxHg1-xCr2Se4 и CuxZn1-xCr2Se4. Халькогенидные шпинели хрома в зависимости от состава могут демонстрировать различные типы магнитного упорядочения и особенности кинетических свойств. В связи с этим представляет интерес проследить, как изменяются физические свойства по мере замены одного катиона на другой.
Ранее было обнаружено, что появление ферромагнетизма в CuxZn1-xCr2Se4 происходит при х 0.2, причем ТС плавно растет по мере увеличения концентрации меди. Также известно, что составы с х < 0.1 антиферромагнитны, однако механизм перехода от неколлинеарного антиферромагнетизма к ферромагнетизму оставался невыясненным. Цель данной работы – детально исследовать область концентрационного магнитного перехода. Были измерены температурные и магнитополевые зависимости намагниченности и проводимости поликристаллических образцов CuxZn1-xCr2Se4 в интервале концентраций х = 0.1 – 0.2 с шагом 0.02.
Измерения температурной зависимости магнитной восприимчивости и намагниченности показали, что образцы с х 0.12 парамагнитны при Т > 80 К, а остальные обладают значительным спонтанным магнитным моментом. Для всех образцов, как испытывающих магнитный переход в точке ТС, так и нет, на кривой М(Т) имеется пик в ТN 22 К (рис. 17).
Неожиданным образом повела себя концентрационная зависимость температуры Кюри образцов. В противоположность ранее известным данным для концентраций меди больших 0.2, ТС не росла, а уменьшалась с ростом х (рис. 17). Для образца с х = 0.2 ТС 370 К в соответствии с литературными данными. Для образца с х = 0.14 ТС = 415 К, как в случае незамещенной шпинели CuCr2Se4.
Рис. 17. Температурные зависимости намагниченности CuxZn1-xCr2Se4 (слева). Значения х приведены на рисунке.
Температуры Кюри и Нееля твердых растворов CuxZn1-xCr2Se4. Концентрационная зависимость (справа). 1 – наши данные, 2 – данные [8].
Ранее фазовая диаграмма CuxZn1-xCr2Se4 интерпретировалась в терминах конкурирующих обменных взаимодействий, и для объяснения механизма концентрационного магнитного перехода предлагалась сложная цепочка концентрационных магнитных фазовых превращений: простая спираль – ферромагнитная спираль – спиновое стекло – ферромагнитная спираль – коллинеарный ферромагнетик [8]. Существование неколлинеарного спинового упорядочения в катионзамещенном ZnCr2Se4 при некоторых значениях концентрации и температуры подтверждено нейтронографическими данными. Однако наличие сателлитных линий в нейтронных спектрах может быть связано не только с неколлинеарной магнитной структурой образца, но и с двухфазным состоянием, когда образец представляет собой смесь ферромагнитных и антиферромагнитных областей. В работах Э.Л. Нагаева [9] теоретически обоснована меньшая устойчивость неколлинеарных систем по сравнению с коллинеарными, особенно при повышенных температурах и малых концентрациях. В связи с этим нельзя быть уверенным, что именно неколлинеарные магнитные структуры реализуются в CuxZn1-xCr2Se4 в широкой области концентраций и температур.
По мере введения в ZnCr2Se4 атомов меди происходит переход части ионов хрома, находящихся в состоянии 3+, в состояние 4+. Реализуется состояние с переменной валентностью. При этом вокруг примесных ионов могут образовываться ферромагнитные области, не связанные между собой. С ростом концентрации примеси при некотором критическом значении хС ФМ-область становится односвязной, устанавливается макроскопическое ФМ-упорядочение с температурой Кюри ТС. С этого момента антиферромагнитные области присутствуют в ФМ-матрице в виде включений. Именно этот механизм, по-видимому, проявляется в исследуемых нами образцах с х > 0.12, для которых мы наблюдаем магнитные переходы как в ТN, так и в ТС. При этом антиферромагнитный пик в этих образцах наблюдается на фоне ферромагнитного вклада. Согласно нашим данным значение критической концентрации хС 0.12 – 0.14. В пользу разделения фаз свидетельствуют также данные по проводимости образцов (рис. 18).
Рис. 18. Температурные зависимости сопротивления образцов Сu0.12Zn0.98Cr2Se4 (a) и Cu0.14Zn0.86Cr2Se4 (б).
В критической области концентраций происходит переход от полупроводникового типа проводимости к проводимости металлического типа. Таким образом, экспериментальные данные в области концентрационного перехода могут быть описаны на основе представлений о разделении фаз.
Резюме к пятой главе: в сильно коррелированных электронных системах взаимосвязь магнитных и зарядовых степеней свободы может проявляться не только при изменяющихся температуре или магнитном поле, но и в зависимости от концентрации носителей заряда. Механизмами, ответственными за взаимосвязь магнитных и электрических свойств при этом могут быть зарядовое упорядочение ((VS)x(Fe2O3)2-x), переход от режима Кондо к магнитному порядку (FexV1-xS) и фазовое расслоение (CuxZn1-xCr2Se4).
В шестой главе представлены результаты изучения особенностей механизмов взаимосвязи магнитных и электрических свойств оксидов с двумя типами магнитных ионов. Исследование проведено на примере РЗМ-кобальтитов GdCoO3 и SmCoO3.
Кобальтиты редкоземельных элементов с общей формулой LnCoO3 (Ln = La, Y, Sm, Gd, Eu…) являются перовскитоподобными кристаллами c октаэдрическим кислородным окружением переходного иона Со3+. Окружение редкоземельного иона в LnCoO3 имеет более низкую симметрию Сs. Базовым и наиболее изученным соединением ряда является LaCoO3, хорошо известное в связи со знаменитой проблемой высоко-, низко- и промежуточноспинового состояния ионов Со3+. Известно, что спиновое состояние Со3+ в LaCoO3 может изменяться в зависимости от давления и температуры. В связи с давно идущей дискуссией по поводу устойчивости этих состояний вопрос о магнетизме редкоземельных элементов обычно остается в тени. Данная работа частично восполняет этот пробел.
Считается, что при температурах ниже комнатной во всех соединениях ряда LnCoO3 (Ln ≠ La) ионы кобальта находятся в немагнитном низкоспиновом состоянии. За магнетизм этих соединений при низких температурах в основном ответственны РЗ-элементы.
Известно, что переход ионов Со3+ в высокоспиновое состояние сопровождается делокализацией электронов и пиком в температурной зависимости энергии активации. Таким образом, он может быть обнаружен при измерении проводимости образцов. Для исследуемых соединений этот пик наблюдается в области температур 600-700 К (рис. 19).
Рис. 19. Температурная зависимость проводимости SmCoO3 и GdCoO3. На вставке: температурная зависимость энергии активации.
Удельная электрическая проводи-мость образцов при комнатной температуре имеет низкие значения порядка 10-11 Ом-1см-1 для GdCoO3 и 10-9 Ом-1см-1 для SmCoO3. При низких температурах оба состава могут быть отнесены к диэлектрикам.
Температурные зависимости статической магнитной восприимчивости и обратной ей величины -1 для GdCoO3 и SmCoO3 в магнитном поле напряженности Н = 1 kOe представлены на рис. 20. Видны несколько существенных различий. Во-первых, абсолютные значения восприимчивости SmCoO3 на два порядка меньше, чем для GdCoO3. Во-вторых, с ростом т
емпературы восприимчивость GdCoO3 стремится к нулю, а у SmCoO3 – к
Рис. 23. Температурные зависимости магнитной восприимчивости и обратной ей величины образцов GdCoO3 (кривые 1, 1’) и SmCoO3 (кривые 2, 2’). Значения восприимчивости SmCoO3 умножены на 100 (слева).
Температурная зависимость произведения Т для SmCoO3. 1- эксперимент, 2 – зависимость, характерная для свободного иона Sm3+ (справа).
постоянному значению 0 = 1.5410-3 см3/моль. Наконец, для GdCoO3 температурная зависимость обратной магнитной восприимчивости хорошо аппроксимируется прямой линией, что указывает на выполнение закона Кюри-Вейсса: = С/(T+) (13)
Асимптотическая температура Кюри –6 К, эффективный магнитный момент на формульную единицу eff 7.38 В. температурный ход обратной магнитной восприимчивости SmCoO3 существенно нелинеен. Линейной является температурная зависимость произведения восприимчивости на температуру (рис. 20.) Это значит, что магнитная восприимчивость SmCoO3 может быть представлена в виде суммы двух вкладов: подчиняющегося закону Кюри и температурно-независимого 0:
= C/T + 0. (14)
На вставке к рис. 20, где показана низкотемпературная часть зависимости Т, видно, что прямая линия имеет излом в окрестности Т = 1011 К и выходит на другой участок, также близкий к линейному.
В РЗМ-кобальтитах LnCoO3 расщепление энергетических уровней кристаллическим полем по порядку величины составляет 102 см-1, что значительно превышает величины обменных, дипольных и других взаимодействий. Однако ион Gd3+ в этом смысле является одним из исключений, так как основным состоянием этого иона является S – состояние (4f 7, 8S7/2, L = 0, S = 7/2), которое расщепляется кристаллическим полем только в высших порядках теории возмущений. Поэтому можно ожидать, что магнитные свойства ионов Gd3+ в GdCoO3 будут близки к свойствам совокупности свободных ионов. Приблизительно так дело и обстоит в действительности. Тем не менее отрицательное значение = – 6 К и заметно меньшая величина эффективного магнитного момента eff = 7,38 В по сравнению со значением 7.94 В для свободного иона указывают на наличие слабого антиферромагнитного взаимодействия.
Что касается свободного иона Sm3+, то его электронная конфигурация 4f5, основное состояние – мультиплет 6Н5/2 (L = 5, S = 5/2). Характерной особенностью этого иона является относительная близость к основному первого возбужденного состояния 6Н7/2. Разность энергий этих состояний для свободного иона составляет примерно 1000 см-1. Примешивание волновых функций возбужденных состояний к основному приводит к возникновению поляризационного парамагнетизма ван Флека. В ван-флековских парамагнетиках магнитная восприимчивость может быть представлена в виде суммы трех слагаемых: = с + p + d, (15)
где с – восприимчивость, обусловленная обычным ориентационным парамагнетизмом ионов в основном состоянии; p – поляризационная ван-флековская восприимчивость и d – диамагнитная компонента. Последнюю будем считать пренебрежимо малой. Ван-флековская восприимчивость тем больше, чем меньше разность энергий En’ – En основного и возбужденного состояний. Если нет теплового возбуждения вышележащих уровней, то p не зависит от температуры.
Восприимчивость свободных ионов Sm3+, рассчитанная по формуле:
(Sm3+) = (16)
приведена на рис. 20 в координатах Т (Т) (линия 2). Учтены только два состояния – основное с J = 5/2 и g5/2 = 2/7 = 0,2857 и первое возбужденное с J = 7/2 и g7/2 = 0,8254. Величина принята равной 1100 см-1. Видно, что при температурах ниже комнатной получившаяся зависимость практически линейна, следовательно, термическим заселением состояния 6