Geum.ru

Дипломная работа по предмету Химия

  • 161. Точность визуального тестового анализа в зависимости от способа построения цветовой шкалы
    Дипломы Химия

    Восприятие цвета человеком вычисляют по результатам экспериментов со смешением цветов [31]. В этих экспериментах нужно визуально сравнить чистые спектральные цвета одинаковой интенсивности (соответствующие монохроматическом свету с разными длинами волн) со смесями трех основных цветов, которые дает аналитический прибор. Для сопоставления чистый спектральный цвет и смесь трех цветов прибора располагают рядом на двух половинках фотометрического поля сравнения. После уравнивания измеряют количестве трех основных цветов и определяют их отношение к единичным количествам этих цветов. Полученные величины являются цветовыми координатами сравниваемого цвета в выбранной цветометрической системе координат. Описанная процедура не позволяет уравнять большинство чистых спектральных цветов со смесями трех основных цветов прибора. В таких случаях к сравниваемому цвету добавляют некоторое количество одного из основных цветов, то есть допускается отрицательное значение координаты цвета. По результатам нескольких наблюдателей вычисляют усредненные количестве трех основных цветов (удельные координаты цвета), смесь которых визуально не отличается от чистого спектрального цвета. Графические зависимости количеств основных цветов от длины волны представляют собой так называемые кривые добавления цветов. По этим кривым можно рассчитать доли основных цветов, необходимых для получения смеси, которая визуально не отличается от излучения сложного спектрального состава. Для этого цвет сложного излучения представляют в виде суммы чистых спектральных цветов, соответствующих его монохроматическим составляющим (с учетом их интенсивностей). Возможность такого представления основана на одном из законов Грассмана, согласно которому цветовые координаты цвета смеси равны суммам аналогичных координат всех цветов, которые смешивают [32].

  • 162. Увеличение степени защиты стали от коррозии в нейтральных и кислых средах
    Дипломы Химия

     

    1. Техническим результатом при использовании предлагаемого ингибитора является увеличение степени защиты стали Ст3 от коррозии в нейтральных и кислых средах.
    2. Экспериментально подтверждена практическая целесообразность применения данного датчика для исследования процесса коррозионного разрушения стали Ст3 в кислых и нейтральных средах. Найдена зависимость между массой образца и напряжением контура, вид которой не зависит от параметров среды и хода протекания процесса.
    3. Диапазон измерения скорости коррозии предлагаемого датчика составил 0,05 250 г/м2·ч. При уровне точности ±1%.
    4. Выполнен термодинамический анализ выбранного метода получения борат метилфосфита и установлено, что реакция является эндотермической, необратимой, термодинамически возможно протекать в прямом направлении при температурах выше 388 К.
    5. Анализ факторов полученных расчетов позволил предложить, использовать для получения борат метилфосфита реактор периодического действия, представляющий собой емкостной вертикальный, гладкостенный аппарат с гладкостенной рубашкой, и открытой турбинной мешалкой. Для выбранного аппарата были рассчитаны:
  • 163. Фармацевтическая химия антибиотиков – производных бетта-лактамидов тиазолидина и дигидротиазина (пенициллинов и цефалоспоринов)
    Дипломы Химия

    Объективное заключение о подлинности цефалоспориновых антибиотиков позволяют сделать ИК-спектры в области 4000- 400 см-1. С их помощью можно установить наличие или отсутствие ацетоксигруппы в боковой цепи по С3 дигидротиазинового цикла и подтвердить отнесение испытуемого препарата к числу производных 7-АДЦК (цефалексин, цефалоридин, цефазолин, цефтриаксон) или 7-АЦК (цефалотин, цефапирин, цефатаксим, цефуроксим). Для всех цефалоспоринов общими являются полосы в области колебаний карбонильных групп (1800-1500 см-1) и карбоксильной группы (1620-1600 см-1). В другой области более высоких частот (3500-2500 см-1), обусловленной валентными колебаниями амино- и амидогрупп, ИК-спектры имеют существенные различия. Наиболее специфические спектральные кривые цефалоспориновых антибиотиков расположены в области "отпечатков пальцев" (1500-650 см-1). Перспективным для идентификации оказался метод спектроскопии ЯМР 1Н с использованием в качестве растворителя диметилсульфоксида. Выделены сигналы протонов бета-лактамных и дигидротиазиновых циклов, по которым проведено отнесение анализируемых соединений к цефалоспориновым антибиотикам. Кроме того, метод позволяет по характерным сигналам протонов ацильных остатков в боковой цепи бета-лактамного фрагмента и радикалов в положении 3 дигидротиазинового цикла провести надежную идентификацию каждого из цефалоспориновых антибиотиков.

  • 164. Фотометрический метод анализа
    Дипломы Химия

    Тип реакцииРеакция образования окрашенных соединенийОпределяемые вещества Образование азосоединений Диазотирование амина и сочетание его с фенолами или другими аминами Гидролитическое расщепление с образованием аминов с последу - ющим их диазотированием и сочетанием Восстановление нитропроизвод-ных до аминов с последующим диазотированием и сочетанием Диазотирование фенолов Анилин, толуидин, ами-носоединенип Ацетанилид, фенацетин Нитробензолы,нитротолуолы, нитронафталин, бензойная кислота, кокаин Фенолы, крезолы, нафтолы Образование хинониминовых соединений Образование полиметиновых соединений Образование ациформ нитросоеди- нений Образование продуктов конденсации с карбонильными соединениями Образование продуктов конденсации с карбонильными соединениями Образование продуктов окисления- восстановления Реакции с неорганическими ионами Сочетание с солями диазония Окисление фенолов и аминов с образованием индофенолов Реакция с 2,6-дибромхинонхлор-имином Реакция с 1,2-нафтохинон-4-суль-фокислотой Нитрозирование Образование солей пиридиния и затем производных глутаконового альдегида Образование глутаконового альдегида действием бромистого циана Реакция фурфурола с ароматическими аминами Реакции полиметиновых соединений Действие щелочей Реакция с динитрофенилгидрази- ном Реакция полинитросоединений со щелочью Реакция альдегидов и кетонов с первичными аминами Реакции альдегидов с метилкетонами Реакции альдегидов с нингидрином Реакции альдегидов с антроном и пирролом Реакция альдегидов с фенолами Реакция конденсации альдегида с карбонильными соединениями Реакции восстановления определяемых веществ Реакции восстановления определяемым веществом Реакции окисления определяемых веществ (реагенты-К2СrO4, КМnO4, FеС13, Вr2 и др.) Реакции образования окрашенных соединений с солями А13+, Fе3+, Сu2+ и др. Кетоны, ацетон, альдегиды, формальдегид Фенолы, нафтолы, крезолы Крезол, нафтол, фенон Амины, аминокислоты Фенолы, крезолы Хлороформ, четырех- хлористый углерод, лимонная кислота, хлорбензол, никотин Пиридин, никотиновая кислота, хлорпикрин Фурфурол Дихлорэтан Нитрофенолы, пикриновая кислота Фурфурол, ацетон Динитрокислоты,динитротиофен, бензол, вторичные амины Аминоуксусная кислота, ванилин, кетоны, альдегиды Ацетон, фурфурол, ванилин Аминокислоты Крахмал, целлюлоза, индол Формальдегид, ванилин, ментол Высшие спирты, гликоли, резорцин Нитробензол Сахара Анилин, бензидин, оксимы, танины Многие органические соединения

  • 165. Фотометричне визначення вуглеводів в горілках
    Дипломы Химия

     

    1. À.Ê. Äîðîø, Â.Ñ. Ëèñåíêî. Âèðîáíèöòâî ñïèðòíèõ íàïî¿â: ñèðîâèíà, àïàðàòè, òåõíîëî㳿 îäåðæàííÿ ñïèðòó òà âîäêè ç ðåêîìåíäàö³ÿìè äëÿ ³íäèâ³äóàëüíèõ âèðîáíèê³â. Ê: Ëèá³äü, 1995 272ñ.
    2. À. Êðóòîøèêîâà. Ïðèðîäíûå è ñèíòåòè÷åñêèå ñëàäêèå âåùåñòâà. Ì.: Ïåð. ñî ñëîâàöê. Ì: Ìèð, 1988. 120ñ.
    3. Â.Â. Ïåòðóøåâñêèé., Å.Ã. Áîíäàð., Å.Â. Âèíîêóðîâà. Ïðîèçâîäñòâî ñàõàðèñòûõ âåùåñòâ. Ê.: Óðîæàé, 1989. 168ñ.
    4. Ñ.Â. Âîñòðèêîâ, Å.Â. Ôåäîðîâà, Î.Þ. Ìàëüöåâà. Îáðàçîâàíèå ïðèìåñåé ïðè ñáðàæèâàíèè ðàçëè÷íîãî óãëåâîäîðîäíîãî ñûðüÿ // Ïðîãðåñèâíûå òåõíîëîãèè è ñîâðåìåííîå îáîðóäîâàíèå äëÿ ñïèðòîâîé è ëèêåðîâîäî÷íîé ïðîäóêöèè. Ì.: Ïèùåâàÿ ïðîìûøëåííîñòü, 2003. 280ñ.
    5. Ã.Ã. Âàëóéêî, Â.À. Äîìàðåöüêèé, Â.Î. Çàãîðóéêî. Òåõíîëîã³ÿ âèíà. Ê.:Öåíòð íàâ÷àëüíî¿ ë³òåðàòóðè, 2003. 592ñ.
    6. Ð. Äîñîí, Ä. Ýëëèîò. Ñïðàâî÷íèê áèîõèìèêà. Ïåðåâîä ñ àíãëèéñêîãî. Ì.: Ìèð, 1991. 544ñ
    7. Ñáîðíèê ðåöåïòóð "Ðåöåïòóðè ë³êåðî-ãîð³ë÷àíèõ íàïî¿â ³ ãîð³ëîê. Ê.: 1994
    8. È.Ñ Ëóðüå. Ðóêîâîäñòâî ïî òåõíîõèìè÷åñêîìó êîíòðîëþ â êîíäèòåðñêîé ïðîìûøëåíîñòè. Ì.: Ïèùåâàÿ ïðîìûøëåííîñòü, 1978. 344ñ.
    9. ÃÎÑÒ 13192-73. Âèíà. Âèíîìàòåðèàëû è êîíüÿêè. Ìåòîä îïðåäåëåíèÿ ñàõàðîâ.
    10. ÃÎÑÒ Ð 51135-98. Èçäåëèÿ ëèêåðîâîäî÷íûå. Ïðàâèëà ïðèåìêè è ìåòîäû àíàëèçà.
    11. ÃÎÑÒ Ð 51875-2002. Âèíà, âèíîìàòåðèàëû è êîíüÿêè. Ôîòîýëåêòðîêîëîðèìåòðè÷åñêèé ìåòîä îïðåäåëåíèÿ ìàññîâîé êîíöåíòðàöèè ñàõàðà ñ ïðèìåíåíèåì ïèêðèíîâîé êèñëîòû (òðèíèòðîôåíîëà).
    12. Ì. Ðîòàóíò. Àíàëèç ïèùåâûõ ïðîäóêòîâ. Ì.: Ïèùåâàÿ ïðîìûøëåííîñòü, 1998. 256 ñ.
    13. ÄÑÒÓ 4112.6-2002. Âèíà ³ âèíîìàòåð³àëè. Ìåòîä âèçíà÷åííÿ ñàõàðîçè
    14. ÄÑÒÓ 4164:2003. Íàïî¿ ë³êåðî-ãîð³ë÷àí³. Ïðàâèëà ïðèéìàííÿ ³ ìåòîäè âèïðîáóâàííÿ.
    15. Ë. Í Çàõàðîâ. Òåõíèêà áåçîïàñíîñòè â õèìè÷åñêèõ ëàáîðàòîðèÿõ: Ñïðàâ. èçä. 2-å èçä., ïåðåðàá. è äîï. Ë.; Õèìèÿ , 1991. 336 ñ.
    16. ÄÑÒÓ 4165:2003. Ãîð³ëêè òà ãîð³ëêè îñîáëèâ³. Ïðàâèëî ïðèéìàíÿ òà ìåòîäè âèïðîáóâàííÿ.
  • 166. Характеристика процесса адсорбции
    Дипломы Химия

    Адсорбция газов на твердых поверхностях используется в некоторых отраслях пищевой промышленности, а именно масложировой (например, в производстве маргарина) и в бродильной (например, в производстве дрожжей) для очистки технологических газовых потоков с целью предотвращения выбросов вредных веществ в атмосферу. Поглощение паров воды происходит на пористых веществах, которые выполняют роль твердого адсорбента. Подобные процессы наблюдаются в отношении сахара, соли и сухарей. Адсорбционный способ регулирования газового состава хранилищ скоропортящихся продуктов позволяет в несколько раз сократить потери и увеличить сроки хранения. Адсорбция различных пищевых кислот, лимонной в частности, снижает по сравнению с водой поверхностное натяжение большинства прохладительных напитков. Адсорбция веществ на поверхности раздела жидкость - газ способствует устойчивости пен. Подобный процесс имеет место в бродильной промышленности при производстве дрожжей и некоторых других полупродуктов. Усиление смачивания водой различных поверхностей широко используется в промышленности в качестве сопутствующего процесса при мойке оборудования, подготовке сырья, обработке полуфабрикатов и т.д. Адсорбция на границе твердое тело - жидкость широко применяется при очистке жидкостей (например, диффузионного сока при производстве сахара, растительных масел и соков) от примесей.

  • 167. Характеристика процесса смачивания
    Дипломы Химия

    Методы регулирования смачивания основаны главным образом на изменении удельных поверхностных энергий <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3419.html> тг и тж, , а также поверхностного натяжения <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3421.html> жидкости <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/1545.html>жг. Физический метод основан на электрической поляризации <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3632.html>, связанной с зависимостью поверхностного натяжения <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3421.html> электрода <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/5297.html> от его электрического потенциала (электрокапиллярность), воздействии электрических и магнитных полей, изменении температурыры, обработки поверхности твердых тел <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/4324.html> ионизирующими излучениями <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/1726.html>. Наиболее универсальный метод регулирования смачивания состоит в использовании поверхностно-активных веществ <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/721.html> (ПАВ). Растворение <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3820.html> ПАВ в жидкости <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/1545.html> уменьшает ее поверхностное натяжение <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3421.html>; вместе с тем возможна адсорбция <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/43.html> ПАВ на границе твердое тело-жидкость с соответствующим изменением поверхностной энергии <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/3419.html> тж. Предварительная выдержка образцов данного твердого материала в растворе ПАВ приводит к образованию на его поверхности адсорбционных слоев, которые могут частично или полностью "экранировать" ее. Такое модифицирующее действие позволяет качественно менять характер контактного взаимодействия жидкости <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/1545.html> с твердым телом <http://www.xumuk.ru/encyklopedia/2/4324.html>. Можно, например, гидрофобизировать гидрофильные материалы или, напротив, гидрофилизировать гидрофобные подложки.

  • 168. Химическая переработка углеводородного сырья
    Дипломы Химия

    Решением выше указанных проблем может стать продвижение и реализация Программы создания в Восточной Сибири и на дальнем Востоке единой системы добычи, транспортировки и газоснабжения с учетом возможного экспорта газа на рынки Китая и других стран Азиатско-Тихоокеанского региона. Утверждённая Минпромэнерго России 03 сентября 2007 г. Одной из ключевых задач, сформулированных в данной программе, является создание крупнотоннажной газоперерабатывающей и нефтехимической промышленности в Восточной Сибири и на Дальнем Востоке с целью производства конкурентоспособной продукции с высокой добавленной стоимостью. Так, рекомендуемый для реализации сценарий Восток-50 предусматривает в 2012 г. Ввод мощностей по производству 2,8 млн т этилена и 1 млн т винил- и поливинилхлорида; в 2013г. - 650 тыс. т этиленгликоля и 750 тыс. т полиэтилентерефталата; в 2015г. - 1,7 млн т пропилена. Если в запланированные сроки будут реализованы такие крупные транспортные проекты как Южный поток, Северный поток, Алтай, то к 2010 году может возникнуть дефицит поставок газа, как на внутренний, так и на международный рынки. В этой связи наиболее вероятным может стать сценарий Восток-50 с поставками природного газа месторождений Восточной Сибири. Вовлечение этих ресурсов УВ позволит не только удовлетворить спрос на газ, но к 2015г. Из 85 млрд м³ газа, добываемого на предусмотренных сценарием месторождениях, извлечь 4,1 млн т этана и 4,2 млн т пропан-бутана товарного (ПБТ), что обеспечит сырьём производство полиэтилена мощностью 5 млн т/год и полипропилена - 550 тыс. т/год. При увеличении объёмов добычи газа к 2030 г. До 162 млрд м³/год объём извлекаемого этана составит более 8,5 млн т/год.

  • 169. Химические превращения метилфеофорбида (а). Реакция Даффа
    Дипломы Химия
  • 170. Химия фуллеренов
    Дипломы Химия

    Фуллериты обладают фотопроводимостью. Обнадеживающие результаты достигнуты при использовании фуллеренсодержащих материалов в органических фотоэлектрических преобразователях. Солнечные батареи на основе двухслойных структур фталоцианин меди (PcCu)/С60 показали высокую эффективность преобразования (~3.6%). В указанной структуре фуллерен С60 выполняет две функции - акцептора электронов, а также служит для транспорта носителей тока. Эффект нелинейной оптической прозрачности пленок и растворов С60 используется для создания быстродействующих оптических затворов и ограничителей. Экспериментально показана возможность применения этого материала для длины волны 532 нм. Малое время отклика даёт шанс использовать фуллерены в качестве ограничителей лазерного излучения и модуляторов добротности. Однако, по ряду причин фуллеренам трудно конкурировать здесь с традиционными материалами. Высокая стоимость, сложности с диспергированием фуллеренов в стеклах, способность быстро окисляться на воздухе, далеко не рекордные коэффициенты нелинейной восприимчивости, высокий порог ограничения оптического излучения (не пригодный для защиты глаз) создают серьезные трудности в борьбе с конкурирующими материалами. Нелинейные оптические свойства фуллеритов позволяют использовать их при создании, например, оптических цифровых процессоров, устройств защиты оптических сенсоров и других преобразователей от интенсивного излучения и пр. Продемонстрирована возможность использования растворов фуллеренов в фоторезистах для высокоразрешающей (~20 нм) электронно-лучевой литографии. [10]

  • 171. Экстракция америция и европия тетраоктил дигликольамидом во фторированных полярных разбавителях
    Дипломы Химия

    Из представленных на рисунке 6 данных видно, что зависимость коэффициента распределения америция от концентрации азотной кислоты, для всех растворителей, за исключением додекана, имеет максимум. Максимум экстракции Am из азотной кислоты для ДХЭ и Ф-3 наблюдается при концентрации (исходной) кислоты в районе 2 - 3 моль/л. Для формаль-2 максимум смещен в область 5 - 6 моль/л (рисунке 3 (Г)). В случае додекана, где максимума значения коэффициента распределения не наблюдается, в области CHNO3 > 4 M явное увеличения значений DAm,Eu не наблюдается. Также показано, что максимум экстракции европия находится в том же кислотном интервале, что и для америция. Стоит отметить, что система на основе формаль-2 как растворителя эффективнее извлекает америций и европий чем системы на основе ДХЭ и Ф-3 на всем интервале изучаемой кислотности. В сравнении с додеканом, система на основе формаль-2 эффективнее экстрагирует америций в области CHNO3 > 2,5 M. Следует отметить, что значения коэффициентов распределения америция и европия, при экстракции из 3 M HNO3, для додекана и формаль-2 вполне соизмеримы. Так, при экстракции америция и европия раствором 0,01 M TODGA в формаль-2 из азотной кислоты с концентрацией более 3 M D (Am и Eu) > 50 (Таб. 7). При таких высоких значениях коэффициента распределения (> 50) имеет место высокая погрешность определения (> 50%), в виду чего полученные результаты не являются достаточно достоверными.

  • 172. Электродные реакции на пленках поли-3,4-этилендиокситиофена с включениями частиц золота
    Дипломы Химия
  • 173. Электрохимическое осаждение пленок
    Дипломы Химия

    Зарождение и развитие микроэлектроники как нового научно-технического направления, обеспечивающего создание сложной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), непосредственно связаны с кризисной ситуацией, возникшей в начале 60-х годов, когда традиционные методы изготовления РЭА из дискретных элементов путем их последовательной сборки не могли обеспечить требуемую надежность, экономичность, энергоемкость время изготовления и приемлемые габариты РЭА. Несмотря на малый срок своего существования, взаимосвязь микроэлектроники с другими областями науки и техники обеспечила необычайно высокие темпы развития этой отрасли и существенно сократила время для промышленной реализации новых идей. Этому способствовало также возникновение своеобразных обратных связей между разработкой интегральных схем, являющихся базой автоматизации производства и управления, и использованием этих разработок для автоматизации самого процесса проектирования, производства и испытаний интегральных схем. Развитие микроэлектроники внесло коренные изменения в принципы конструирования РЭА и привело к использованию комплексной интеграции, которая состоит из: структурной или схемной интеграции (т. е. интеграции схемных функций в пределах единой структурной единицы); при степени интеграции порядка сотен и тысяч компонентов существующие приемы подразделения систем на компоненты, приборы, субсистемы и блоки, а также формы координации разработок компонентов, приборов и субсистем становятся уже малоэффективными; при этом центр тяжести перемещается в область схемотехники, что требует коренной перестройки способов реализации электронных систем с построением аппаратуры на супермодульном уровне. Интегральная электроника развивается не как новая или обособленная область техники, а путем обобщения многих технологических приемов, ранее используемых в производстве дискретных полупроводниковых приборов и при изготовлении топкопленочпых покрытий. В соответствии с этим в интегральной электронике определились два главных направления: полупроводниковое и тонкопленочное. Создание интегральной схемы на одной монокристаллической полупроводниковой (пока только кремниевой) пластине является естественным развитием отработанных в течение последних десятилетий технологических принципов создания полупроводниковых приборов, как известно, хорошо зарекомендовавших себя в эксплуатации. Тонкопленочное направление интегральной электроники основано на последовательном наращивании пленок различных материалов на общем основании (подложке) с одновременным формированием из этих пленок микро деталей (резисторов, конденсаторов, контактных площадок и др.) и внутрисхемных соединений. Сравнительно недавно полупроводниковые (твердые) и тонкопленочные гибридные ИС рассматривались как конкурирующие направления в развитии интегральной электроники. В последние годы стало очевидно, что эти два направления отнюдь не исключают, а скорее, наоборот, взаимно дополняют и обогащают друг друга. Более того, до сегодняшнего дня не созданы (да, видимо, в этом и нет необходимости) интегральные схемы, использующие какой-либо один вид технологии. Даже монолитные кремниевые схемы, изготавливаемые в основном по полупроводниковой технологии, одновременно применяют такие методы, как вакуумное осаждение пленок алюминия и других металлов для получения внутрисхемных соединений, т. е. методы, на которых основана тонкопленочная технология. Большим достоинством тонкопленочной технологии является ее гибкость, выражающаяся в возможности выбора материалов с оптимальными параметрами и характеристиками и в получении по сути дела любой требуемой конфигурации и параметров пассивных элементов. При этом допуски, с которыми выдерживаются отдельные параметры элементов, могут быть доведены до 1-2%. Это достоинство особенно эффективно проявляется в тех случаях, когда точное значение номиналов и стабильность параметров пассивных компонентов имеют решающее значение (например, при изготовлении линейных схем, резистивных и резистивно-емкостных схем, некоторых видов фильтров, фазочувствительных и избирательных схем, генераторов и т. п.). В связи с непрерывным развитием и совершенствованием как полупроводниковой, так и тонкопленочной технологии, а также ввиду все большего усложнения ИС, что выражается в увеличении числа компонентов и усложнении выполняемых ими функций, следует ожидать, что в ближайшем будущем будет происходить процесс интеграции технологических методов и приемов и большинство сложных ИС будут изготовляться на основе совмещенной технологии. При этом можно получить такие параметры и такую надежность ИС, которых нельзя достигнуть при использовании каждого вида технологии в отдельности. Например, при изготовлении полупроводниковой ИС все элементы (пассивные и активные) выполняются в одном технологическом процессе, поэтому параметры элементов оказываются взаимосвязанными. Определяющими являются активные элементы, так как обычно в качестве конденсатора используется переход база - коллектор транзистора, а в качестве резистора - диффузионная область, получающаяся при создании базы транзистора. Нельзя оптимизировать параметры одного элемента, не изменив одновременно характеристики других. При заданных характеристиках активных элементов изменять номиналы пассивных элементов можно лишь изменением их размеров.

  • 174. Элементный анализ состава ферритовой керамики методом рентгенофлуоресцентной спектроскопии
    Дипломы Химия

    В процессе возбуждения электронов и появления вторичного излучения одновременно участвует огромное число атомов, в то же самое время происходят различные переходы, но вероятность перехода с ближайшего (L) уровня в несколько раз выше, поэтому излученных квантов E2, определяемых переходом L-K ,в то же число раз больше, чем для случаев перехода M-K - E3 (рис.1). Интенсивность или «яркость» возникающих при этом линий вторичного рентгеновского спектра различна в той же пропорции. Все линии, образующиеся при заполнении вакансии на K- уровне, относятся к так называемой K- серии, а внутри серии эти линии обозначаются буквами греческого алфавита: ?, ?, ?… Переходу L-K отвечает K? - линия, переходу M-K отвечает K? - линия и т.д. Аналогично, при образовании вакансии на L-оболочке и дальнейшем ее заполнении образуются линии, называемые L-серией. И здесь также линии обозначаются греческими буквами: ?, ?, ?. Переход M-L дает L? -линию, переход N-L дает L? линию, переход O-L дает L? - линию. По тому же принципу классифицируют и линии: M, N, O и т.д. серий. Идентификация состава анализируемого вещества пробы производится по характеристическим спектральным линиям, представленным в справочной литературе по наиболее вероятным электронным переходам с учетом особенностей строения конкретных атомов.