Geum.ru

А. Назва й адреса

Вид материалаДокументы

Содержание


Екзаменаційна методика: іспит, за призначенням
Реєстрація на іспит: з викладачем, персонально чи по телефону. Мова викладання – українська.
Статус: Вибірковий
Мета дисципліни
Методичне забезпечення
Реєстрація на іспит
Факультет: ІнМАД
Мета дисципліни
Методичне забезпечення
Екзаменаційна методика
Реєстрація на іспит
Факультет: ІнМАД
Мета дисципліни
Методичне забезпечення
Реєстрація на іспит
Подобный материал:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   21

Екзаменаційна методика: іспит, за призначенням


Реєстрація на курс: 21021, м.Вінниця, ВНТУ, Хмельницьке шосе 95, ГУК дирекція Ін МАД, к.2213, тел.;(8-0432) 435-135.

Реєстрація на іспит: з викладачем, персонально чи по телефону.

Мова викладання – українська.




Дисципліна: Оптоелектронні інтелектуальні системи

Факультет: ІнМАД

Статус: Вибірковий

Курс: П’ятий
Стаціонарне

навчання
Вид курсу,

години на тиждень

Триместр
13 (ОС)



Лекції (год)
42
3

Практичні заняття (год)
14
1

Лабораторні заняття (год)
28
2

КП (КР) трим






РГР






СРС (інд. заняття)
78
5,5

Всього (год /кредитів)

162/4,5



Іспит (трим)
13



Залік (трим)






КОД:
ВСД.02

Лектор: Мартинюк Тетяна Борисівна, к.т.н., доцент.

Кафедра Лазерної та оптоелектроної техніки: 21021, м.Вінниця, вул. Хмельницьке шосе, 95, навчальний корпус 2, ауд.2152;
тел.: 8-0432-59-84-50, 8-0432-59-80-23

Мета дисципліни

Вивчення методів синтезу базових вузлів оптоелектронних систем, математичних основ алгоритмів обробки та розпізнавання зображень, а також особливостей їх схемотехнічної реалізації засобами оптоелектроніки.

Програма

Двовимірне перетворення Фур’є. Дискретне перетворення Фур’є. Властивості двовимірного перетворення Фур’є. Теореми лінійності, подібності, зміщення, згортки, автокореляції, взаємної кореляції, властивості симетрії.

Просторова фільтрація. Лінійна просторово-залежна і просторово-інваріантна фільтрація. Цифрова форма запису лінійної фільтрації. Просторово-частотна фільтрація. Просторово-спектральна фільтрація.

Структура оптичної обчислювальної системи. Когерентний оптичний процесор. Голограма Френеля, Фур’є-об’єктив, квадратичний фотодетектор.

Оптичні корелятори. Корелятор з частотною площиною. Корелятор з одночасним перетворенням. Крос-кореляція сигналів. Узгоджений фільтр. Структура оптичного корелятора з одночасним перетворенням.

Оптична обробка зображень та розпізнавання образів. Спектральний аналіз. Узгоджена фільтрація. Розпізнавання образів. Перетворення кодів. Операція просторового диференціювання. Реалізація оператора Лапласа.

Когерентна оптична обробка зі зворотнім зв’язком. Структура когерентної оптичної системи зі зворотнім зв’язком. Відносний фазовий зсув. Покращення якості зображення. Аналогове розв’язання диференційних рівнянь.

Оптоелектронні некогерентні процесори. Оптоелектронні процесори обробки багаторозрядних матричних операндів. Оптоелектронні асоціативні процесори. Оптоелектронні матричні корелятори.

Функціональні оптоелектронні засоби. Оптичні та оптоелектронні комутаційні структури. Реалізація комутаторів на 3-D оптичних інтегральних схемах. Реалізація оптичних та оптоелектронних запам’ятовувальних пристроїв. Матриці смарт-пікселів.

Проблеми та перспективи розвитку оптоелектронних інтелектуальних систем. Можливості оптичних та оптоелектронних інтегральних схем. Перспективи оптичних та оптоелектронних комп’ютерів.

Бібліографія:
  1. Очин Е.Ф. Вычислительные системы обработки изображений. – Л.:Энергоатомиздат, 1989.—136 с.
  2. Акаев А.А., Майоров С. А. Оптические методы обработки информации. – М.: Высшая школа, 1988. – 237 с.
  3. Кожемяко В.П., Мартынюк Т. Б., Заболотна Н.И. Системный анализ паралельных оптоэлектронных процесоров. – Львов: ИППММ, 1992. – 118 с.
  4. Кожем’яко В.П., Павлов С.В., Мартинюк Т.Б., Лисенко Г.Л., Волоконно-оптичні структури комутації та передачі інформації. Навчальний посібник. – Вінниця: ВДТУ, 2002. – 106 с.
  5. Иванов В.И. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Справочник. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – 184с.
  6. Кожемяко В. П. Оптоэлектронные логико-временные информационно-вычислительные среды. – Тбилиси: Мецниереба, 1984. – 360 с.
  7. Свечников С. В. Кожемяко В.П., Тимченко Л.И. Квазиимпульсно-потенциальные оптоэлектронные элементы и устройства логико-временного типа. – К.: Наукова думка, -- 1987. – 256 с.
  8. Натрошвили О.Г., Кожемяко В.П., Саникидзе Д.О. Организация оптоэлектронных некогерентных процессоров ЦВМ. – Тбилиси: Ганатлеба, 1989. – 512с.
  9. Прэтт У. Цифровая обработка изображения: Пер. с англ. В. 2-х кн. – М.: Мир, 1982
  10. Василевский А.М., Кропоткин М.А., Тихонов В.В. Оптическая электроника. – Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 176 с.
  11. Семенов А. С.,Смирнов В.Л., Шмалько А.В. Интегральна оптика для систем передачи и обработки информации. – М.: Радио и связь, 1990. – 224 с.

Методи оцінювання

Протягом 14 тижнів триместру студент повинен виконати і захистити 12 лабораторних робіт та скласти 2 тест-колоквіуми на 7-му та 14-му тижнях.

Оцінки знань формуються на підставі рейтингових балів, які студент отримує на протязі триместру за результатами тест-колоквіумів і захисту лабораторних робіт. На базі цих оцінок студент або отримує оцінку з іспиту, або складає його на загальних підставах.

Іспит складається письмово. Завдання містять три теоретичних питання. Тест-колоквіуми складаються з трьох теоретичних питань.

Письмові тест-колоквіуми розраховані на 10 хвилин роботи, іспит розрахований на 90 хвилин роботи.

Передумови

Необхідні знання зі схемотехніки оптоелектронного приладобудування, комп’ютерного моделювання пристроїв і технологій в оптоелектроніці, теоретичних основ побудови оптичних обчислювальних машин і систем.

Методичне забезпечення

Видаються: програма та контрольні питання по всіх розділах курсу, навчальні посібники, конспекти лекцій та лабораторні практикуми як у друкованому варіанті так і електронному (на сайті курсу).

Для виконання лабораторних робіт використовуються:
  1. Кожемяко В. П., Натрошвили О.Г. Мартынюк Т. Б. Имнашвили Л.Ш. Оптоэлектронная схемотехника: Учебное пособие. – К.: УМК ВО, 1990. – 276 с.
  2. Кожемяко В.П., Тимченко Л.И., Лысенко Г.Л., Кутаев Ю.Ф. Функциональные элементы и устройства оптоэлектроники: Учебное пособие. – К.: УМК ВО,1990. – 251 с.
  3. Мартинюк Т. Б., Кожем’яко В.П., Павлов С.В., Заболотна Н.І., Оптоелектронні комп’ютери. Лабораторний практикум: Навчальний посібник. – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 71 с.

Індивідуальна робота:
    1. Нелінійна фільтрація.
    2. Перетворення глобальної щільності розподілення ймовірностей, перетворення локальної щільності розподілення ймовірностей.
    3. Еквалізація та зведення локальної щільності розподілення ймовірностей.
    4. Квантильна фільтрація.
    5. Структура процесора просторово-частотної фільтрації.
    6. Площини просторових частот.
    7. Імпульсний відгук і передаточна функція фільтра. Діафрагма фільтра.
    8. Когерентна оптична система багатоканальної фільтрації.
    9. Передаточні функції просторово-частотних фільтрів.
    10. Методи синтезу просторових операційних фільтрів.
    11. Цифрові методи синтезу операційних фільтрів на ЕОМ.


Екзаменаційна методика: іспит, за призначенням

Реєстрація на курс: 21021, м.Вінниця, ВНТУ, Хмельницьке шосе 95, ГУК дирекція Ін МАД, к.2213, тел.;(8-0432) 435-135.

Реєстрація на іспит: з викладачем, персонально чи по телефону.

Мова викладання – українська.

Дисципліна: Нові інформаційні технології обробки, аналізу та розпізнавання зображень

Факультет: ІнМАД

Статус: Вибірковий

Курс: П’ятий
Стаціонарне

навчання
Вид курсу,

години на тиждень

Триместр
13 (ОС)



Лекції (год)
28
2

Практичні заняття (год)
14
1

Лабораторні заняття (год)
28
2

КП (КР) трим
13



РГР






СРС (інд. заняття)
92
6,5

Всього (год /кредитів)

162/4,5



Іспит (трим)
13



Залік (трим)






КОД:
ВСД.03

Лектор: Мартинюк Тетяна Борисівна, к.т.н., доцент

Кафедра Лазерної та оптоелектроної техніки: 21021, м.Вінниця, вул. Хмельницьке шосе, 95, навчальний корпус 2, ауд.2152;
тел.: 8-0432-59-84-50, 8-0432-59-80-23

Мета дисципліни

Вивчення загальних методів і алгоритмів обробки зображень та розпізнавання образів, а також у надбанні навичок використання методології класифікаційного та системного підходів при аналізі та синтезі інформаційних систем.

Програма

Класифікація алгоритмів обробки зображень

Переваги оптоелектронних комп'ютерів при обробці зображень. Галузі цифрової обробки зображень: перетворення та обробка зображень, аналіз зображень і синтез зображень. Класифікація алгоритмів за класом розв'язуваних задач.

Загальна характеристика проблеми розпізнавання

Визначення задачі розпізнавання образів. Система розпізнавання образів.

Основні задачі побудови систем розпізнавання

Апріорний словник ознак. Детерміновані, ймовірнісні, логічні й структурні ознаки. Апріорний алфавіт класів. Алгоритми розпізнавання. Розподільча функція. Робочий алфавіт класів і робочий словник ознак.

Класифікація систем розпізнавання

Прості та складні системи розпізнавання. Однорівневі та багаторівневі складні системи розпізнавання. Системи розпізнавання без навчання, з навчанням, із самонавчанням. Детерміновані, ймовірнісні, логічні, структурні (лінгвістичні), комбіновані системи розпізнавання.

Постановка задачі розпізнавання

Варіанти поділу об’єктів на класи. Статистичний підхід до задачі розпізнавання. Визначення робочого словника ознак.

Методи розв'язання задачі розпізнавання

Моделювання функціонування системи розпізнавання. Алгоритм етапу побудови системи розпізнавання у першому наближенні. Алгоритми наступних етапів побудови системи розпізнавання для уточнення моделі.

Бібліографія:
  1. Горелик А. Л., Скрипкин В. А. Методы распознавания: Учеб. пособие для вузов. – М.: Высш. шк., 1989 – 232 с.
  2. Ту Дж., Гонсалес Р. Принципы распознавания образов: Пер. с англ./ Под ред. Ю. И. Журавлева. – М.: Мир, 1980.
  3. Кожем’яко В. П., Мартинюк Т. Б. Архітектура і алгоритми обробки зображень: Навчальний посібник. – Вінниця, ВДТУ, 2000. – 128 с.
  4. Кожемяко В. П., Мартынюк Т. Б., Заболотная Н. И. Системный анализ параллельных оптоэлектронных процессоров. – Львов: ИППММ, 1992 – 118 с.
  5. Очин Е. Ф. Вычислительные системы обработки изображений. – Л.: Энергоатомиздат, 1989 – 136 с.
  6. Прэтт У. Цифровая обработка изображений: Пер. с англ. В 2-х кн. – М.: Мир, 1982.
  7. Кун С. Матричные процессоры на СБИС: Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 672 с.
  8. Кожем’яко В. П., Павлов С. В., Мартинюк Т. Б., Лисенко Г. Л. Волоконно-оптичні структури комутації та передачі інформації. Навчальний посібник. – Вінниця: ВДТУ, 2002. – 106 с.
  9. Свечников С. В., Кожемяко В. П., Тимченко Л. И. Квазиимпульсно-потенциальные оптоэлектронные элементы и устройства логико-временного типа. – К.: Наук. думка, 1987. – 256 с.
  10. СБИС для распознавания образов и обработки изображений: Пер. с англ./ Под ред. К. Фу. – М.: Мир,1988. – 248 с.
  11. Натрошвили О. Г., Кожемяко В. П., Саникидзе Д. О. Организация оптоэлектронных некогерентных процессоров ЦВМ. – Тбилиси: Ганатлеба,1989. – 512 с.

Методи оцінювання

Протягом 14 тижнів триместру студент повинен виконати і захистити 12 лабораторних робіт та скласти 2 тест-колоквіуми на 7-му та 14-му тижнях.

Оцінки знань формуються на підставі рейтингових балів, які студент отримує на протязі триместру за результатами тест-колоквіумів і захисту лабораторних робіт. На базі цих оцінок студент або отримує оцінку з іспиту, або складає його на загальних підставах.

Іспит складається письмово. Завдання містять три теоретичних питання. Тест-колоквіуми складаються з трьох теоретичних питань.

Письмові тест-колоквіуми розраховані на 10 хвилин роботи, іспит розрахований на 90 хвилин роботи.

Передумови

Необхідні знання зі схемотехніки оптоелектронного приладобудування, системотехніки оптоелектронних та лазерних систем, комп’ютерного моделювання пристроїв і технологій в оптоелектроніці, теоретичних основ побудови оптичних обчислювальних машин і систем.

Методичне забезпечення

Видаються: програма та контрольні питання по всіх розділах курсу, навчальні посібники, конспекти лекцій та лабораторні практикуми як у друкованому варіанті так і електронному (на сайті курсу).

Для виконання лабораторних робіт використовуються:

1. Заболотна Н. І., Мартинюк Т. Б., Шолота В. В. Застосування засобів MathCAD 2000 для моделювання задач лазерної та оптоелектронної техніки. Лабораторний практикум. Навчальний посібник. – Вінниця: ВДТУ, 2002. – 107 с.

Індивідуальна робота:
  1. Види паралелізму обчислювальних алгоритмів: природний паралелізм; паралелізм множини об'єктів; паралелізм незалежних гілок; паралелізм суміжних операцій.
  2. Області ефективного застосування методів і алгоритмів розпізнавання образів.
  3. Якісний опис задачі розпізнавання.
  4. Алгоритми керування системою розпізнавання.
  5. Показники ефективності систем розпізнавання.
  6. Експертні системи розпізнавання.
  7. Критерій ефективності системи розпізнавання.

Основні теми курсових проектів:

„Застосування методів фільтрації для обробки інтерференційних картин”, „Гігабітний відкритий оптичний канал для локальних мереж”, „Оптоелектронни екран для відтворення напівтонових зображень”, „Оптоелектронний спецпроцесор для паралельного множення/обернення матриць”, „Мікропроцесорна система для обробки фотоплетізмографічних зображень”, „Оптоелектронний спец процесор з нетрадиційним кодуванням даних”.

Екзаменаційна методика: іспит, за призначенням

Реєстрація на курс: 21021, м.Вінниця, ВНТУ, Хмельницьке шосе 95, ГУК дирекція Ін МАД, к.2213, тел.;(8-0432) 435-135.

Реєстрація на іспит: з викладачем, персонально чи по телефону.

Мова викладання – українська.

Дисципліна: Квантово-розмірні структури і прилади

Факультет: ІнМАД

Статус: Вибірковий

Курс: П’ятий
Стаціонарне

навчання
Вид курсу,

години на тиждень

Триместр
13 (ОС)



Лекції (год)
28
2

Практичні заняття (год)
-



Лабораторні заняття (год)
28
2

КП (КР) трим
-



РГР
-



СРС (інд. заняття)
52
3,7

Всього (год /кредитів)

108/3



Іспит (трим)
13



Залік (трим)
-



КОД:
ВСД.04

Лектор: Лисенко Геннадій Леонідович, к.т.н., доцент

Кафедра Лазерної та оптоелектроної техніки: 21021, м.Вінниця, вул. Хмельницьке шосе, 95, навчальний корпус 2, ауд.2152;
тел.: 8-0432-59-84-50, 8-0432-59-80-23

Мета дисципліни

Надання знаннь щодо основних фізичних процесів в квантово-розмірних напівпровідникових структурах, ознайомлення зі способами їхнього одержання і практичного використання..

Програма

Огляд напівпровідникових надрешіток. Вступ. Історичний огляд. Класифікація напівпровідникових надрешіток. Композиційні надрешітки. Композиційні надрешітки типу I. Композиційні надрешітки типу II. Політипні надрешітки. Леговані надрешітки. Леговані композиційні надрешітки. Огляд структур з багатьма квантовими ямами. Поверхнево-періодичні структури. Основні принципи функціонування фотонних кристалів та фуліренів. Технологія надрешіткових структур. Огляд технологічних методів виготовлення надрешіткових структур. Методи підготовки поверхні матеріалів. Молекулярно - променева епітаксія. Ефузійні комірки при молекулярно-променевій епітаксії. Вплив на МПЕ геометричних характеристик системи джерело - підкладка. Процеси росту і легування методом МПЕ. Електронні властивості квантоворозмірних структур. Електронні і діркові рівні в прямокутній КЯ. Гамільтоніан Люттингера. Модель Кейна. Перенос носіїв заряда в двовимірній підзоні. Рухливість носіїв в двовимірному каналі. Двовимірні фонони. Транзистор з високою рухливістю електронів, переваги у порівнянні з польовими транзисторами на основі р-n переходів і бар’єрів Шоткі. Лазер на гарячих електронах. Рівні Ландау. Густина станів. Квантовий ефект Холла. Тунельні структури, тунельно-зв’язані КЯ та НР. Енергетичний спектр НР. Модель Кронига-Пенні. Блоховський осцилятор. Ємність КЯ. C–V характеристики гетероструктур з КЯ і НР. Оптичні властивості квантоворозмірних структур. Оптичні властивості КРС. Міжзонні та міжпідзонні переходи. Матричний елемент оптичних переходів в КЯ. Екситонні ефекти. Правила відбору при оптичних переходах. Фотолюмінісценція (ФЛ). Вплив шорсткості меж КЯ на спектр ФЛ. Нелінійні оптичні ефекти в КРС. Електрооптичні ефекти в КРС. Ефект Ваньє-Штарка в КЯ. Електрооптичні модулятори на основі КРС. Комбінаційне розсіювання світла в КРС. Фотоелектричні властивості КРС. Теорія напівпровідникових надрешіток. Електронні властивості. Оптичні властивості. Колективні збудження. Енергетичний спектр носіїв у одиночних квантових ямах і надрешітках типу I. Реальні квантові ями. Ізоперіодичні решітки типу I. Надрешітки з напруженими шарами. Енергетичні підзони у надрешітках типу II. Метод огинаючої функції. Метод приведеного гамільтоніану для вирішення рівнянь надрешітки у наближенні сильного зв'язку. Зонна структура політипних надрешіток. Електронна структура легованих надрешіток. Енергетичний спектр і густина станів двомірного електронного газу. Структурні параметри надрешіток. Рентгеноструктурний аналіз надрешіток з використанням кривих коливання. Дослідження надрешіток в експериментах по зворотньому розсіюванню іонів і каналювання. Оптичні переходи у надрешітках. Поглинання і люмінесценція. Комбінаційне розсіювання. Люмінесценція в легованих надрешітках. Електропровідність надрешіток. Рухомість носіїв в гетероструктурах з модульованим легуванням. Резонансне тунелювання і стрибкова рухомість в композиційних надрешітках. Електропровідність легованих надрешіток. Застосуваання надрешіткових структур у приладах. Інжекційні лазери і світлодіоди. Лавинні фотодіоди. Фотоприймачі на основі легованих надрешіток. Детектори ІЧ-випромінювання на основі КРС.

Перелік можливіх тем практичних занять: Зонна структура гетеропереходів. Рівень Фермі. Зонна і кристалічна структури надрешіток. Визначення параметрів надрешіток. Визначення люмінісцентних процесів в надрешітках. Розрахунок рухомості носіїв в гетероструктурах. Визначення провідності надрешіток. Розрахунок молекулярно-променевої епітаксії. Визначення впливу на МПЕ системи джерело-підкладка. Розрахунок процесу росту при МПЕ. Розрахунок процесу легування при МПЕ. Специфіка вирощування надрешіток типу AIIBV і AIVBVI. Визначення енергетичного спектру носіїв в надрешітках типу I і квантових ямах. Вплив електронної структури на леговані надрешітки. Застосування надрешіток у приладах.

Бібліографія:
  1. Бриллюэн А., Пароди М. Распространение волн в периодических структурах. - М.:ИЛ, 1989г. – 448 с.
  2. Магнус К. Колебания. -.М.: Мир, 1982 – 393 с.
  3. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. -.М.: Мир, 1989. - 240с.
  4. Басс Ф.Г., БулГУКов А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. -М.:Наука Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. – 288с.
  5. Делоне Н.Б. Квантовая физика. Физматлит.: Физматлит, 2004. – 88с.
  6. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники. М.: Высшая школа, 2005.-543с.
  7. Вербицкий В.Г. Ионные нанотехнологии в электронике. Монография. – К.: «МП Леся», 2002.-376с.
  8. Алфереов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур// ФТП.-1998.-Т.32.Вып.1. – С.3-18.
  9. Карпович И.А., ФилатовД.О. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетероструктур. Учебное пособие. Н.Новгород: Изд. ННГУ, 1999.-358с.

Методи оцінювання

Триместр складається з 2 модулів:
  • протягом першого модуля студент має виконати і захистити одну тему з самостійних робіт, написати контрольну роботу і скласти письмово колоквіум на 7 тижні;
  • протягом другого модуля студент має виконати і захистити другу самостійну роботу, написати контрольну роботу і скласти письмово колоквіум на 14 тижні.

Письмові колоквіуми розраховано на 45 хвилин роботи.

Самостійні роботи подаються у вигляді рефкратів.

Оцінки знань формуються на підставі балів, які студент отримує на протязі триместру за результатами колоквіумів, контрольних робіт та захисту самостійних робіт. На основі цих оцінок студент отримує оцінку з іспиту, або складає його на загальних підставах усно протягом 45 хвилин. Завдання містять 2 теоретичних питання і 1 практичне питання.

Передумови

Необхідні знання з дисциплін „Радіокомпоненти і мікроелектронна технологія”, „Основи квантової електроніки та лазерної техніки”.

Методичне забезпечення

Видаються: програма, контрольні запитання по всіх розділах курсу, теми самостійних робіт, конспекти лекцій.

Індивідуальна робота:
  1. Розрахунок енергетичного спектра: наближення сильного зв’язку
  2. Визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в квантових ямах.
  3. Визначення енергетичного спектру носіїв в надрешітках типу I і квантових ямах.
  4. Вплив електронної структури на леговані надрешітки.
  5. Застосування надрешіток у приладах.
  6. Визначення енергетичного спектру носіїв в надрешітках типу I і квантових ямах.
  7. Розрахунок електронної структури в легованих надрешітках.
  8. Специфіка вирощування над решіток типу АІІВV та АІVВVІ.

Екзаменаційна методика: іспит, за призначенням

Реєстрація на курс: 21021, м.Вінниця, ВНТУ, Хмельницьке шосе 95, ГУК дирекція Ін МАД, к.2213, тел.;(8-0432) 435-135.

Реєстрація на іспит: з викладачем, персонально чи по телефону.

Мова викладання – українська.