Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах шоттки на основе полупроводников a 3 b 5 и кремния и их применение в сенсорах водорода

Вид материала

Автореферат

Содержание Список публикаций по теме диссертации Цитируемая литература

Подобный материал:

• Курс "Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников", 9.84kb.
• Учебно-методический комплекс дисциплина «физика твёрдого тела» Челябинск, 194.36kb.
• 1992 physics and technics of semiconductors vol. 26. N 6 Вольт-амперные характеристики, 37.12kb.
• Программа вступительного экзамена по специальности 05. 27. 06 "технология и оборудование, 82.94kb.
• Урок-лекция по химии. 11 Класс. Тема: «изучение кремния и его соединений», 141.78kb.
• Авторы программы: доцент Морозов В. Б., доцент Соломатин В. С., профессор Шувалов, 87.32kb.
• «Электрические явления», 107.49kb.
• 1 Электрические сигналы, их классификация и параметры, 101.06kb.
• Программа Государственного экзамена по подготовке магистра по направлению «Физика полупроводников., 53.9kb.
• Руководитель проекта, 71.87kb.

Список публикаций по теме диссертации:

1. Андрушко А.И. , Исхаков Р.А., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.. Рекомбинационные процессы в кристаллах арсенида индия: Сборник научно-технических статей Казанского Высшего артиллерийского командно-инженерного училища им. маршала артиллерии М.Н. Чистякова/ (КВВКИУ), г. Казань, стр. 97 - 102, 1984.
   
2. Андрушко А.И., Мередов М.М., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства арсенида индия//Изв. АН Туркменской ССР,
   сер. физ-техн., хим. и геолог. Наук.-1985.- вып. 4.- С. 80 – 82.
   
3. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. О механизмах рекомбинации
   в кристаллах арсенида // Физика и техника полупроводников – 1986. -т. 20.- в. 3.-
   С. 402 - 406.
   
4. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
   Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs_1XYSb_XP_Y // Физика и техника полупроводников.-1986.-
   т. 20, в. 12.- С. 2195 – 2198.
   
5. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Талалакин Г.Н., Филаретова Г.М. О временах жизни носителей тока в твердых растворах In_1-xGa_xAs, легированных Zn и Mn // Физика и техника полупроводников. 1986.- № 3. т.20.- С. 537.
   
6. Андрушко А.И., Пенцов А.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Стусь Н.М.,
   Талалакин Г.Н., Филаретова Г.М.. Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе InAs_1XYSb_XP_Y и их возможные практические применения//Тройные полупроводниковые соединения и их применение:
   Тезисы докл. на V Всесоюзной конференции Кишинев, т. 2.- C. 171.
   
7. Андрушко А.И., Салихов Х.М. Поверхностно-барьерные структуры
   Au-p-InAs_1XYSb_XP_Y: Тезисы докладов научно-технической конференции КВВКИУ 1987 г.-. Казань.- С. 110 - 11.
   
8. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
   О механизмах рекомбинации носителей тока в p- InAs_1XYSb_XP_Y // Физика и техника полупроводников. 1988.- т. 22, в. 5.- С. 789 – 792.
   
9. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.. Поверхностно-барьерные
   структуры Au - p - InAs_1XYSb_XP_Y // Физика и техника полупроводников.1988.- № 8. т. 22.- С. 1258 - 1259.
   
10. Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.. Рекомбинация неравновесных носителей тока в n- InAs_1XYSb_XP_Y // Изв. вузов, Физика.-1991.- № 4. т.34.- С. 52 - 54.
    
11. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Пенцов А.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.. Токи двойной инжекции и фототок в диодных структурах Pd - p - p⁺ - InP // Физика и техника полупроводников .1991.- № 8. т. 25.- С. 1466 - 1468.
    
12. Андрушко А.И., Пенцов А.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.. Произведение R₀A
    в InAs p-n переходах // Физика и техника полупроводников.1991.- № 10. т. 25.- С.1686 - 1690.
    
13. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Пенцов А.В., Руссу Е.В.,
    Салихов Х.М.. Фотодетектор на основе InGaAs как детектор водорода // Письма
    в ЖТФ.-1991.- № 15. т. 17.- С. 1 - 4.
    
14. Слободчиков С.В., Мередов М.М., Ковалевская Г.Г., Пенцов А.В., Руссу Е.В.,
    Салихов Х.М., Маринова А.М.. Фотоэлемент - детектор водорода, водородосодержащих газов и влажности//Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Тезисы докладов II научн. конф. 1991г.-Ашхабад.-С.350.
    
15. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.,
    Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур
    Pd - p - p⁺- InP и изменение их в атмосфере водорода // Физика и техника полупроводников.1992.- № 10. т. 26.- С. 1750 - 1754.
    
16. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Пенцов А.В., Салихов Х.М. Умножение
    фототока в диодных структурах Pd - SiO₂ - n (p) – Si // Физика и техника полупроводников.1993.- № 7. т. 27.- С.1213–1216.
    
17. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.
    Si-МДП фотодетектор как детектор водорода // Журнал технической физики.1993.- № 2.т. 63.- С. 185 - 190.
    
18. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Салихов Х.М. Влияние водорода на фотовольтаическую и фотодиодную чувствительность структур Pd - SiO₂ - p(n) – Si // Письма в ЖТФ.-1994.- № 10. т. 20.- С. 66 - 70.
    
19. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М.
    Диодные структуры Pd - p- GaP: Электрические и фотоэлектрические характеристики и влияние на них водорода // ФТП.-1994.- № 7. т. 28.- С. 1155 - 1160.
    
20. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е., Руссу Е.В., Ковалевская Г.Г. Механизм токопереноса в диодных структурах на основе n-GaP с напыленным
    палладием // Физика и техника полупроводников.-1994.-№ 2. т. 28.- С. 237 - 241.
    
21. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
    Токоперенос в МДП - структурах Pd - SiO₂-n(p)- Si и второй механизм усиления
    фототока // Физика и техника полупроводников.-1995.- № 8. т. 29.- С. 1517.
    
22. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
    Гибридная изотипная гетероструктура p- InP - p - InGaAs с диодом Шоттки
    как детектор ближнего ИК - излучения и водорода // Письма в ЖТФ.- 1995.- № 19. т. 21.- С. 50 - 54.
    
23. Малинин Ю.Г., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. Влияние водорода и водяных паров на фотоответ структуры Pd - n – InP: Тезисы докладов XIV научно-технической конф. ВАКИУ 1995 г.- Казань.- стр. 83 - 85.
    
24. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
    Электрические свойства диодных структур металл - полупроводник на основе
    разупорядоченных слоев GaP // Физика и техника полупроводников.-1996.- № 2.
    т. 30.- С. 220 - 226.
    
25. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
    О механизме токопереноса и фотоэлектрических характеристиках Pd - SiN - p- Si // Физика и техника полупроводников.-1996.- № 4. т. 30.- С. 686 - 691.
    
26. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
    Электрические и фотоэлектрические характеристики гибридной изотипной
    p-InP-p-InGaAs гетероструктуры с барьером Шоттки Pd - p – InP // Физика и техника полупроводников.- 1996.- № 8. т. 30.- С. 1378 - 1386.
    
27. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М. Температурная зависимость фотоответа и усиления фототока гибридной изотипной гетероструктуры p - InP - p - InGaAs
    с барьером Шоттки Pd - p – InP // Письма в ЖТФ.-1996.- т. 22.- С. 41 - 44.
    
28. Малинин Ю.Г., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. Явление усиления фототока
    в структурах Au - n - InP: Сб. научн.-техн. статей ВАКИУ, г. Казань, стр. 47 - 49, 1996.
    
29. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Продольный фотоэффект
    в p-n переходах на основе In_0.53Ga_0.47As // Физика и техника полупроводников.-1997.- № 7. т. 31.- С. 864.
    
30. Слободчиков С.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Электрические свойства гетероструктур, полученных структурным переходом Au-n(р)-InP  Au-n-In₂О₃-n-InP:
    Сборник тез. докл.XV научн.-техн. конф. ВАКИУ 1997 г.- Казань.- С. 97 - 99.
    
31. Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Малинин Ю.Г. Фотоэлектрические свойства гетероструктур Au - n - In₂О₃ - n(р) – InP: Сборник научн.-техн. статей ВАКИУ,
    г. Казань, стр. 69 - 71, 1997.
    
32. Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Язлыева А.И.. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd - p⁰-p - Si с разупорядоченным промежуточным р0 -слоем // Физика и техника полупроводников.-1997.- № 1. т.31.- С. 15 - 18.
    
33. Salikhov Kh., Slobodchikov S.V., Russu E.V. The hybrid isotipic p - InP - InGaAs
    heterostructure with a Pd - InP Schottky barrier as a detector of infrared radiation
    and hydrogen.// Proc of SPIE, Infrared Spaseborne, Remote Sensing V, Boston, USA.-1997.- v. 3122.- p. 474.
    
34. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Яковлев Ю.П., Саморуков Б.Е.. О механизмах
    усиления фототока в изотипных гетероструктурах n⁺-GaSb-n^o-GaInAsSb-n⁺-GaAlAsSb
    // Письма в ЖТФ.1998.- № 10. т. 24.- С. 37 - 42.
    
35. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.. О токопереносе в пористом p-Si
    и структурах Pd - <пористый p - Si> // Физика и техника полупроводников.- 1998.-
    № 9. т. 32.- С. 1073 - 1075.
    
36. Russu E.V., Slobodchikov S.V., Salikhov H.M., Turcu M. Photoelectrical properties
    of isotype heterostructure with Schottky barrier Pd-p InP/ p-InGaAs/ p-InP . Proc.
    of Second International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Slovakia, 1998.- p. 75 - 78.
    
37. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О влиянии уровня захвата
    на токоперенос в структурах Pd-p(n)-CdTe // Физика и техника полупроводников.- 1998.- № 4. т. 33.- С. 492 - 493.
    
38. Слободчиков С.В., Горячев Д.Н., Салихов Х.М., Срессели О.М. Электрические
    и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si <пористый кремний> Pd и влияние на них газообразного водорода // Физика и техника полупроводников.-1999.- № 3. т. 33.- С. 340 - 343.
    
39. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO-n-Si // Физика и техника
    полупроводников.1999.- № 4. т. 33.- С. 435 - 437.
    
40. Слободчиков С.В., Салихов Х.М. Диодные структуры n(p)-InP-In₂O₃-P₂O₅-Pd
    как потенциальные сенсоры ближнего Ик излучения, влажности и водорода //
    Письма в ЖТФ.- 1999.- № 24. т. 25.- С. 72 - 78.
    
41. Малинин Ю.Г., Салихов Х.М., Слободчиков С.Б. Универсальная установка
    для исследования характеристик фотоприемников. Казанский филиал ВАУ – Казань: 1999 г. – С.146.
    
42. Слободчиков С.В., Салихов Х.М. Влияние влажности и водорода на токоперенос
    диодных структур на основе p-InP с палладиевым контактом // Физика и техника
    полупроводников.-2000.- № 3.т.34.- С. 290 - 295.
    
43. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г. О механизмах
    токопереноса в гетероструктурах n⁺-CdS-p-InP-p⁺-InP // Письма в ЖТФ.-2000.- № 14. т. 26.- С. 78 - 83.
    
44. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Полупроводниковые фотодетекторы
    с палладиевым контактом как детекторы водорода и водородосодержащих газов// Фотоэлектроника и приборы ночного видения: Тез. доклад. XVI Международной
    научно-техн. конф. 2000 г.-Москва.-С. 83.
    
45. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n⁺-Si-n-Si-Al₂O₃-Pd // Физика
    и техника полупроводников.- 2000.- № 10.т. 34.- С. 1275 - 1279.
    
46. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г. Гашение тока светом
    в диодных структурах p-Si-n⁺-ZnO-n-ZnO-Pd. // Физика и техника полупроводников,.- 2001.- № 4. т. 35.- С. 479 - 481.
    
47. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Долговременные изменения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур Pd-p-InP // Физика
    и техника полупроводников.-2002.- № 4. т. 36.- С. 500.
    
48. Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В. , Малинин Ю.Г., Салихов Х.М.
    Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n-Si-SnO₂:Cu-Ag// ФТП.-2004.- №38б.-С.1426-1428 .
    
49. Андреев И.А. , Иванов Э.В. , Куницына Е.В. , Михайлова М.П. , Руссу Е.В.,
    Салихов Х.М, Яковлев Ю.П.  Детекторы водорода на основе диодов Шоттки
    и гетероструктур полупроводников A³B⁵//Физические проблемы водородной энергетики: Программа и тезисы докладов Российской конференции 29-30 ноября 2004 г.- Санкт-Петербург.- С. 14-15.
    
50. Андреев И.А. , Иванов Э.В. , Михайлова М.П. , Салихов Х.М., Яковлев Ю.П. 
    Детекторы водорода и водородосодержащих газов на основе диодов Шоттки
    и гетероструктур полупроводников A³B⁵//Физические проблемы водородной энергетики: Программа и тезисы докладов 2^й Российской конференции ноябрь 2005 г.- Санкт-Петербург.- С. 112-113.
    
51. Mikhailova M. , Stoyanov N., Andreev I. , Zhurtanov B. , Kizhaev S., Kunitsyna E. , Salikhov Kh. and Yakovlev Yu. Optoelectronic sensors on GaSb and InAs based
    heterostructures for ecological monitoring and medical diagnostics, proc. SPIE// Optical Sensing Technology and Applications.- 2007.-vol. 6285.- p. 261 .
    
52. Stoyanov N.D, Mikhailova M.P. , Molchanov S.S. , Kizhaev S.S. , Kalinina K.V. ,
    Astakhova A.P. , Gurina T.I. , Salikhov Kh.M.  and Yakovlev Yu.P.  “Portable
    mid-infrared optical sensor for measuring of water concentration in oil” Program
    and Abstracts IMECO TC2 Symposium on Photonics in Measurements, Prague, Czech Rep., August 25-26, 2008.
    
53. Малинин Ю.Г., Ваньков Ю.В., Салихов Х.М., Яковлев Ю.П. Возможность практического применения влияния водорода на фотоэлектрические характеристики диодных структур с палладиевым контактом. Программа XXI Всероссийской межвузовской научно-техн.конф. «Электромеханические и внутрикамерные процессы в энергетических установках, струйная акустика и диагностика, приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий» 12-14 мая 2009 г. Казанское ВВКУ – Казань: 2009 г. – С.6.
    
54. Малинин Ю.Г., Салихов Х.М., Яковлев Ю.П. Возможность практического применения влияния сероводорода на фотоэлектрические характеристики гетероструктур
    Al-n-Si-SnO2. Сборник материалов XXI Всероссийской межвузовской научно-техн.конф. Часть 1. 12-14 мая 2009 г. Казанское ВВКУ – Казань: 2009 г. С.31-32.
    
55. Малинин Ю.Г., Ваньков Ю.В., Салихов Х.М., Яковлев Ю.П. Возможность практического применения влияния водорода на фотоэлектрические характеристики диодных структур с палладиевым контактом. Сборник материалов XXI Всероссийской
    межвузовской научно-техн.конф. Часть 1. 12-14 мая 2009 г. Казанское ВВКУ – Казань: 2009 г. С.33-34.
    
56. Салихов Х.М., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П., Калинина К.В., Молчанов С.С. Миниатюрный сенсор водорода на основе оптопары светодиод – фотоэлектрический элемент InP/GaInAsP/Pd. Сборник тезисов докладов участников Второго Международного форума по нанотехнологиям. 6-8 октября 2009. С489-491.
    
57. Салихов Х.М., Стоянов Н.Д. Оптоэлектронный сенсор водорода на основе гетероструктур и диодов Шоттки полупроводников А³В⁵. Альтернативная энергетика
    и экология, - 2009 г. - № 10, - C. 15-21.
    
58. Салихов Х.М., Яковлев Ю.П., Стоянов Н.Д… Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары «Светодиодная матрица-широкополосный фотодид» среднего ИК диапазона (1.6-2.4 µm) // Журнал технической физики, - 2010 г.- №2, т.80.- С. 99 - 104.
    
59. Салихов Х.М. Оптоэлектронные сенсоры водорода на основе диодов Шоттки на кремнии и гетероструктурах полупроводников А3В5. С.-Петербург.: изд. Политехнического Университета, 2010. – 100 с.
    

Цитируемая литература

1. Альтернативная энергетика и экология ISJAE// «Столетний меморандум,
   13 ноября 2006». - 2007, №3(47). - С. 11.
   
2. I.E. L. Hollis, Carrier recombination in indium arsenide // Proc. Phys. Soc.-1967.-Vol. 91. №1.- p. 151.
   
3. Барышев Н.С. Междузонная. Рекомбинация электронов и дырок в арсениде
   индия // ФТТ.- 1964.- Вып.6. №10.-С.3027.
   
4. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безизлучательная рекомбинация
   в полупроводниках.- СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1997. – 376 с.
   
5. Тришенков М.А.  Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых
   оптических сигналов. Радиосвязь. - М.: 1992. - 400 с.
   
6. Mikhailova M., Stoyanov N., Andreev I., Zhurtanov B., Kizhaev S., Kunitsyna E.,
   Salikhov Kh., Yakovlev Yu.P. “Optoelectronic sensors on GaSb and InAs-based heterostructures for ecological monitoring and medical diagnostics”//Proc. SPIE “Optical Sensing Technology and Applications”.- 2007.-Vol. 6285.- pp. 628526-1(9).
   
7. Sah S.T. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction
   characteristics//Proc. IRE.-1957.- Vol.45. №9.-p. 1228.
   
8. Mikhailova M.P., Nasledov D.N., Slobodchikov S.V., Spectral response of the
   photoeffects in InAs// Рhys.stst.sol. II.-1966.- pp. 529-539.
   
9. Mönch W., Electronic properties of semiconductor interfaces//Springer.- 2004. - 264 р.
   
10. Зи С., Физика полупроводниковых приборов т.1, пер. с англ. Суриса Р.А. – М.: Мир, 1984. - 456 с.
    
11. Walpole D., Nill K.W.  Capacity-voltage characteristics of metal barriers on p-PbTe and p-InAs: an influence of inversion layers // J.Appl.Phys.- 1971.-v 42.-pp.5609-5617.
    
12. Crowell C.R. , Spitzer W.G., Howarth L.E. , Labate E. Attenuation length measurements of hot electrons in metal films // Phys. Rev.-1962.- v.127, pp.2006-2010.
    
13. Yousuf M., Kuliyev B., Lalevic B.. Pd - InP Schottky diode hydrogen sensors//Sol.-St Electron.-1982.-Vol. 25. №8.-р. 753.
    
14. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. - М.: Мир, 1973. гл. 4, - 97 с.
    
15. Hokelek E., Robinson G.L. A comparison of Pd Schottky contacts on InP, GaAs
    and Si//Sol.-St Electron.-1981.-Vol 24. №2.- р. 99.
    
16. а) Вуль А.Я., Козырев С.В., Федоров В.И. Особенности фотоэлектрических свойств туннельных МДП структур. Основные соотношения теории//ФТП/-1981.-т.15.-С. 142.
    

б) Вуль А.Я., Федоров В.И., Бирюлин Ю.Ф., Зинчик Ю.С., Козырев С.В.,
Сайдашев И.И., Санин К.В. Особенности фотоэлектрических свойств МДП структур. II Результаты эксперимента//ФТП.-1981.-т.15,-С. 400.

17. М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулебкин, Мультистабильность МДП-структур с туннельно-тонким диэлектрическим слоем // Письма в ЖТФ, 1993, т.19, в. 3,
    50-55.
    
18. Green M.A., Shewchun J. Current multiplication in metal - insulator - semiconductor (MIS) tunnel diodes//Sol. St Electron.-1974.-Vol 17.- p. 349.
    
19. Bube R.H. Pulse Excitation Studies of Gain and Trapping in Photoconductors//J. Appl. Phys.-1963.-Vol. 34.-p. 3309.
    
20. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Срессели О.М., Ярошецкий И.Д. Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии//ФТП.-1993.-т.27.-С.1371.
    
21. Веб-сайт фирм General Monitors Inc. ссылка скрыта, Nippon Soken Inc. ссылка скрыта