Кафедра физики и технологии электротехнических материалов и компонентов (фтэмк)
Вид материала | Документы |
Виды диэлектрических потерь Релаксационные потери Ионизационные потери Потери на электропроводность |
- Аннотация научно-образовательного материала, 44.22kb.
- Совершенствование электрогидравлического регулятора мощности дуговой печи постоянного, 176.56kb.
- Моделирование старения кабелей и проводов в условиях тропического климата, 215.85kb.
- Рабочая учебная программа дисциплины технология конструкционных материалов деталей, 175.41kb.
- Кафедра «Физическое материаловедение и технология новых материалов» (фмтм), 59.94kb.
- Н. Ю. Использование компонентов медиаобразования при изучении квантовой физики. Автореф, 310.43kb.
- Составила Л. Шевченко лекция, 66.47kb.
- Информационное сообщение – 1 международная научно-техническая конференция, 194.89kb.
- Описание проекта/технологии, 171.34kb.
- Предисловие Курс «Электротехническое материаловедение», 948.12kb.
Виды диэлектрических потерь
Можно выделить следующие основные виды диэлектрических потерь.
ПОТЕРИ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ - характерны для всех без исключения диэлектриков. Наблюдаются при постоянном и переменном напряжении. В однородных неполярных диэлектриках являются единственным видом потерь.
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПОТЕРИ - обусловливаются поляризацией диэлектриков. Вызываются активными составляющими абсорбционных токов замедленных поляризаций.
ПОТЕРИ, ОбУСЛОВЛЕННЫЕ НЕОДНОРОДНОСТЬЮ - вызывается проводящими и газовыми включениями, слоистостью и т.п. Эти потери являются дополнительными релаксационными потерями. Наиболее часто они проявляются в виде потерь, обусловленных миграционной поляризацией, характерной в основном для композиционных и слоистых диэлектриков.
ИОНИЗАЦИОННЫЕ ПОТЕРИ, возникают в диэлектриках, содержащих поры или газовые включения.
РЕЗОНАНСНЫЕ ПОТЕРИ, характерны для частот, совпадающих с собственными частотами колебаний электронов и ионов.
Потери на электропроводность
Протекание сквозного тока через диэлектрик как в постоянном, так и в переменном электрическом поле приводит к диэлектрическим потерям на электропроводность. Потери сквозной электропроводности будут единственным видом потерь в однородном неполярном диэлектрике, для которого можно использовать простейшую параллельную схему замещения ( соответствующий раздел: тангенс угла диэлектрических потерь, схемы замещения, рис. а). Для такой схемы замещения по определению tg









Поэтому для неширокого диапазона температур можно написать tg



Для ионных кристаллов можно получить другое выражение для tg

tg


Видим, что в последнем выражении предъэкспоненциальный множитель tg


Значения tg



tg


где r, Cs - сопротивление обкладок и емкость последовательной схемы замещения конденсатора Рост составляющей tg


