Н. Н. Васерин, Н. К. Дадерко, Г. А. Прокофьев применение полупроводниковых индикаторов
| Вид материала | Документы |
- Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический, 83.36kb.
- Правда об индикаторах, 201.31kb.
- Рабочая программа дисциплины "Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники, 119.56kb.
- Программа внедрения механизмов управления качеством образования Ивановской области, 166.74kb.
- Учебника Шабунин М. И., Прокофьев А. А. «Математика. Алгебра. Начала математического, 133.96kb.
- «Использование ит в моделировании процессов генерации излучения в полупроводниковых, 305.49kb.
- Оценка эффективности реализации Программы производится путем сравнения фактически достигнутых, 40.74kb.
- М. Н. Кедров (главный редактор), О. Л. Книппер-Чехова, А. Д. Попов, Е. Е. Северин,, 7543.75kb.
- Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных, 810.32kb.
- К. С. Станиславский, 7866.35kb.
Таблица 3.3. Таблица истинности ИМС 514ПР1
| Вход | Выход | Символ | |||||||||||
| 20 | 2' | 22 | 23 | Р | Г | А | B | C | D | E | F | G | |
| Выводы микросхемы | | ||||||||||||
| 7 | 1 | 2 | 6 | 5 | 4 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 15 | 14 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ] | 1 | 1 0 |  |
| 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |  |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |  |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |  |
| 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |  |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | ] | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |  |
| 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |  |
| 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |  |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 |  |
| 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 |  |
| 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |  |
| 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | — |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | «бланк» |
| X | X | X | X | X | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | «бланк» |
| X | X | X | X | 1 | 1 | X X | X X | X X | X X | X X | X X | X X | XX |
| X | X | X | X | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | «бланк» |
Примечания: 1. Для входа микросхем: 1 — U1вх; 0 — U0вых.
2. Для выхода микросхем: 1 — I1ВЫХ; 0 — I0ВЫХ.
3. X — безразличная комбинация входных сигналов (U1вх; U0вх.).
4. X X — сохраняющийся символ на выходе, существовавший до подачи U1вх на вход Р.
Таблица истинности этих ИМС (табл. 3.4) несколько отличается от таблицы истинности ранее приведенных ИМС: в первой строке обозначений входов и выходов ИМС проставлены наименования выполняемых функций в соответствии с техническими условиями на микросхемы, во второй строке — их стандартизованные обозначения.
Выходные токи ИМС зависят от температуры окружающей среды. Данные об этом представлены в табл. 3.5.
Таблица 3.4. Таблица истинности ИМС 514ИД4А, Б, В
| Вход | Выход | Символ | |||||||||||
| X1 | X2 | X3 | X4 | X5 | X6, | YA | YB | YC | YD | YE | YF | YG | |
| 20 | 21 | 22 | 23 | Г | Р | A | В | С | D | E | F | G | |
| Выводы микросхемы | | ||||||||||||
| 7 | 1 | 2 | 6 | 4 | 5 | 13 | 12 | 1 1 | 10 | 9 | 15 | 14 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 1 0 | (J | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | l | 0 |  |
| 1 | 0 | 0 | (1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | (J | f) | 0 |  |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |  |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |  |
| 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |  |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |  |
| 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |  |
| 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |  |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 |  |
| 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 |  |
| 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 |  |
| 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |  |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 |  |
| X | X | X | X | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | «бланк» |
Примечания: 1 Свечению сегментов индикатора соответствуют выходные напряжения высокого уровня, выходные каскады работают в режиме источника тока.
2. Знаку X соответствует безразличное состояние логического уровня входного напряжения.
3. X6 вход управления «памятью». При наличии на входе X6 напряжения высокого уровня информационные входы ИМС отключаются и схема запоминает предыдущую информацию до момента снятия со входа X6 напряжения высокого уровня.
1. X5 - вход ИМС, высокий уровень напряжения на котором дешифруется отсутствием свечения сегментов индикатора при любых сочетаниях логических уровней на входах микросхемы.
Таблица 3.5. Значения выходного тока высокого уровня ИМС 514ИД4А, Б, В при различной температуре окружающей среды
| Uвых, В | Значение выходного тока, мА, при температуре, ° С | ||||||||
| 514ИД4А | 514ИД4Б | 514ИД4В | |||||||
| — 60 | +25 | +85 | — 60 | +25 | +85 | — 60 | +25 | +85 | |
| Не более 1 ,7 | 15 | 13 | 13 | 29 | 26 2 | 6 | 58 | 52 | 52 |
| Не менее 3,0 | 7 | 7 | 6 | 14 | 14 1 | 2 | 28 | 28 | 25 |
Микросхема 533ИД18 также может быть использована в качестве дешифратора двоично-десятичного кода в позиционный код при управлении одноразрядными индикаторами с общим анодом в устройствах отображения информации. Таблица истинности ИМС 533ИД18 приведена ниже (табл. 3.6).
Микросхема работает в одном из четырех режимов: 1 — дешифрация знаков при выполнении функций от 0 до 15 табл. 3.6; 2 — 4 режимы — выполнение функций BI/RBO, RBI, LT соответственно.
Режим 1. Режим непосредственной дешифрации. На входах LT, BI/RBO, RBI — высокий уровень. Логические уровни входов VI, V2, V4, V8 — обеспечивают на выходах Q1 — Q7 состояния уровней для индикации на ППИ с общим анодом указанных в табл. 3.6 знаков.
Режим 2. Режим «закрытых входов». На выводе BI/RBO — низкий уровень. Все выходы находятся в выключенном состоянии, обеспечивая «бланк», т. е. выключенное состояние всех сегментов индикатора.
Режим. 3. Режим «без нуля». Если на входах LT= 1, RBI = Q, то вывод BI/RBO — в режиме 3 является выходом. При VI = — V2 = V4 = V8 = Q «О» не дешифруется. Все выходы переходят в закрытое состояние, т. е. Q1-Q7=l, что соответствует индикации «бланка». На выходе BI/RBO — низкий уровень. Весь остальной набор состояний VI - V8 дешифруется аналогично режиму 1.
Режим 4. Режим контроля индикатора. На выводах ИМС L7 = 0, Bl/RBO=1. Независимо от состояния входов VI — V8 на выходах Q1 — Q7 — низкий уровень, обеспечивающий свечение «8» на индикаторе.
При подаче на вход ИМС двоично-десятичного кода дешифруются цифры от 0 до 9, при подаче двоичного кода — знаки символов функций от 0 до 15.
При использовании ИМС 533ИД18 в качестве дешифратора ДДК в ПК необходимы как минимум два режима ее работы: дешифрации и контроля (режимы 1 и 4).
Для управления цифровыми индикаторами с общими анодами разработана также микросхема К514ПП1. Таблица истинности микросхемы представлена в табл. 3.7. В качестве выходного элемента использован ключ с разомкнутым коллектором. Максимальный выходной ток Iвых. макс= 12 мА. При подключении индикаторов к выходам ИМС последние нужно защищать от чрезмерного втекающего тока токоограничивающими резисторами. Расчет сопротивлений резисторов приведен выше.