Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия Полупроводниковые приборы»
| Вид материала | Документы |
- Полупроводниковые приборы, 421kb.
- Программа государственного экзамена по специальности 014100 «микроэлектроника и полупроводниковые, 141.75kb.
- «Научно-технический прогресс: техника, технологии и образование», 32.2kb.
- 8) [Текст]: научно-аналитический журнал серия «Право» (издаётся с 2007 г.), 15457.76kb.
- 1806 Электронная техника, 696.15kb.
- Технический симпозиум по вопросам развития машиностроения, 280.64kb.
- [Текст]: научно-аналити-ческий журнал (издаётся с 2007 г.), 4433.08kb.
- Vi международная научно-практическая конференция www objectsystems, 108.65kb.
- V международная научно-практическая конференция www objectsystems, 108.28kb.
- Iii международная научно-практическая конференция www objectsystems, 108.06kb.
Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы»
 | ISSN 2073-8250 Издатель ФГУП «НПП «Пульсар». Журнал включён в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых в соответствии с решением ВАК могут публиковаться основные научные результаты диссертаций на соискание учёной степени доктора и кандидата наук. Подписной индекс 59890 в каталоге ОАО «Роспечать» - «Издания органов научно-технической информации (первое, второе полугодия 2009 г.). Журнал включён в информационную систему «Российский индекс научного цитирования (РИНЦ)». Журнал издаётся с 1958 года, заслужил статус профессионального отраслевого издания, широко популярен среди учёных испециалистов. На страницах издания публикуются статьи по разработке и производству полупроводниковых приборов СВЧ диапазона, интегральных схем, приборов силовой и фотоэлектроники; физическому и технологическому моделированию, топологическому и схемотехническому проектированию; технологии изготовления, измерениям и испытаниям; разработке и производству СВЧ твердотельных сложных функциональных блоков и модулей РЭА. |
Очередной выпуск [1 (224) 2010 г.] журнала подготовлен в соответствии с принятыми по решению Президиума ВАК Минобрнауки РФ новыми критериями к научным периодическим журналам и изданиям для включения в Перечень и ежегодной перерегистрации,а также техническими требованиями РИНЦ.
На сайте предприятия-издателя в свободном доступе размещена информация об опубликованных статьях (авторы, название статьи, аннотация, ключевые слова, сведения об авторах на русском и английском языках, а также библиографические ссылки). Электронная версия журнала доступна только подписчикам.
Официальный сайт ФГУП «НПП «Пульсар» rnpp.ru
Приглашаем Вас к сотрудничеству, просим высылать статьи, а также рекламный материал и сообщения для публикации по тематике сборника.
Главный редактор д. ф.-м. н., профессор Васильев Андрей Георгиевич, генеральный директор ФГУП «НПП «Пульсар»
Тел.: (495) 366-51-01 E-mail:
pulsar@dol.ru Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен " onclick="return false">ссылка скрыта размещены: ссылка скрыта
ссылка скрыта
ссылка скрыта
Краткая информация о статьях,
опубликованных в выпуске 1 (224) 2010 года журнала
“Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы”
Миннебаев В. М., Герасимов А. О., Мочалов М. Н.
Корректировка амплитудно-частотной характеристики малошумящего усилителя
S-диапазона в условиях серийного производства
Представлены результаты корректировки топологии и конструкции усилителя S-диапазона с учётом требований, предъявляемых к АЧХ приёмного тракта, на основе выявленных в результате эксплуатации усилителя недостатков. Проведён анализ топологии малошумящего усилителя и произведена её оптимизация, а также улучшена АЧХ ППФ в составе усилителя.
Сергеев В. А., Ходаков А. М.
Тепловая модель биполярной транзисторной структуры с неоднородностью в области контакта кристалла с теплоотводом
Рассмотрена тепловая модель осесимметричной биполярной транзисторной структуры с неоднородностью теплофизического типа в области контакта кристалл-теплоотвод и температурозависимой плотностью тока. Найдены неоднородные распределения плотности теплового потока и температуры по активной области структуры в зависимости от модельных параметров, характеризующих размер дефекта Ks и его теплофизические свойства Kd. Показано, что показатель неоднородности температуры нелинейно зависит от параметра Ks. Для различных значений величин модельных параметров полупроводниковой структуры произведена оценка отношения максимальных температур активной области кристалла с дефектом и без него. Определены величины термомеханических напряжений, возникающих в области дефекта. Рассчитаны распределения температуры по поверхности транзисторной структуры при изменении напряжения коллектор-база и тока коллектора.
Белкин М. Е., Лопарёв А. В.
Компьютерное проектирование монолитной интегральной схемы сверхвысокочастотного генератора на гетероструктурных полевых транзисторах
Рассматриваются особенности построения МИС перестраиваемых генераторов СВЧ диапазона на основе гетероструктурных полевых транзисторов (НЕМТ), способы и схемы перестройки их частоты. Анализируются по критерию применимости в качестве гетеродина для смесителя с субгармонической накачкой узла понижающего преобразователя частоты интегрального тюнера КВЧ диапазона две схемы их построения: однотактная на транзисторе с общим затвором и балансная на транзисторах с общим истоком. Приводятся методика и результаты проектирования принципиальной схемы и топологии монолитной интегральной схемы Кu-диапазона (12-18 ГГц) с помощью САПР AWR Microwave Office.
Аврасин Э. Т., Вологдин Э. Н., Гантман И. Я., Сидоров Д. В., Смирнов Д. С.
Исследование пространственного распределения концентрации основных носителей в кремнии, облучённом α-частицами радионуклидных источников
Получено пространственное распределение концентрации основных носителей в кремнии, облучённом α-частицами радионуклидных источников (РИ). Установлено, что неколлимированное α-облучение кремния после отжига обеспечивает в активных областях п/п приборов аналогичное распределение радиационных дефектов, как и электронное облучение ускорителей заряженных частиц. Показано, что при имитации нейтронного облучения с помощью α-излучения РИ для равномерного образования дефектов по глубине необходимо иметь воздушный зазор между РИ и облучаемым объектом. радионуклидный источник, α-облучение, полупроводниковый прибор, радиационные дефекты, радиационно-технологические процессы
Елесин В. В., Назарова Г. Н.
Оптимизация параметров СВЧ переключателей для монолитных фазовращателей и аттенюаторов
Представлена методика оптимизации малосигнальных параметров переключателей на МОП транзисторах, являющихся базовым блоком для построения монолитных фазовращателей и аттенюаторов СВЧ диапазона. Проведён анализ влияния на характеристики СВЧ переключателей паразитных индуктивностей, вносимых при корпусировании кристалла.
Васильев В. Ю.
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов
Проанализирована совокупность различных аспектов применения методов химического осаждения тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов (поликристаллический кремний, нитрид кремния, диоксид кремния и силикатные стёкла) из газовой фазы (ХОГФ) для изготовления интегральных микросхем (ИМС) с алюминиевой системой коммутации и технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Работа состоит из 5 частей. Рассмотрены основные тенденции развития и проблематика методов ХОГФ применительно к технологии ИМС. Проанализированы местоположение тонкослойных материалов в ИМС с многоуровневой системой коммутации и требования к методам их получения, основные тенденции развития промышленных методов ХОГФ. К основным проблемам ХОГФ отнесены: поиск оптимальных реагентов и конструкции аппаратуры, снижение дефектности осаждённых материалов, рост на рельефных поверхностях и заполнение узких зазоров в ИМС, контроль качества и оптимизация процессов ХОГФ и свойств слоёв.
Тришенков М. А., Таубкин И. И., Филачёв А. М.
Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра. Часть третья
Рассматривается современное состояние разработок квантовых и тепловых ИК-фотоприёмников на диапазон 2-14 мкм. Кратко перечислены одно- и малоканальные фоторезисторы, фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе PbS, PbSe, InSb, четверных соединений, выпускаемых для экологического мониторинга, ИК-анализаторов, радиометров, головок самонаведения. Основные достижения в диапазоне 2-14 мкм связаны с разработкой и выпуском фокальных ИК-матриц. Приведены сведения о таких матрицах как смотрящего, так и сканирующего типа на основе GdHgTe, InSb, квантоворазмерных структур, примесных полупроводников и болометрических материалов. Достигнут впечатляющий уровень параметров матриц (формат до 1024х1024, 2048х2048, эквивалентная шуму разность температур 5-50 К, размер пиксела 12-50 мкм). Такие матрицы позволяют решать сложные задачи тепловидения и теплопеленгации.
Ткачёв А. Ю., Петров Б. К., Асессоров В. В., Кожевников В. А., Дикарев В. И., Цоцорин А. Н.
Моделирование Super Junction LDMOS транзисторных структур
Получены аналитические выражения для расчёта пробивного напряжения сток-исток Super Junction LDMOS транзисторных структур на КНС. Выведен критерий выбора конструктивных параметров дрейфовой области стока. Представлены результаты численного моделирования электрических характеристик SJ-LDMOS транзисторных структур. Результаты расчёта с использованием полученных аналитических выражений дают хорошее качественное и количественное совпадение с результатами численного моделирования на базе ISE TCAD.
Вальд-Перлов В. М., Вейц В. В., Иващенко Н. Г.
Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приёмных каналов ППМ АФАР
Представлены результаты расчёта, изготовления и измерения параметров быстродействующего ограничительного диода на арсениде галлия для защиты приёмных каналов ППМАФАР от функционального поражения источниками несинхронных сигналов в S-диапазоне. Применение групповой технологии «интегрального теплоотвода» существенно снизило тепловое сопротивление диодов и соответственно увеличило рассеиваемую мощность. Получены образцы диодов, у которых при входной мощности более 80 Вт температура р-n перехода превышает температуру держателя диода на 70 К, что гарантирует высокую надёжность работы диодов.
Шубин В. В.
Новая методика сравнения быстродействия параллельных сумматоров с последовательным переносом
Предложена новая методика сравнения сумматоров с последовательным переносом по быстродействию с использованием введённого критерия «Разрядность Равных Задержек». Показано, что абстрактное определение задержек распространения сигналов сравниваемых конструктивных решений одноразрядных сумматоров, на котором основываются существующие методики, не даёт ясного ответа на вопрос о их поведении в составе N-разрядных устройств. В то же время сравнение нескольких законченных N-разрядных сумматоров по полному циклу моделирования отнимает много времени даже при использовании самых современных программных продуктов. Предложенная методика позволяет быстро и достоверно сравнить различные конструкции ячеек одноразрядных сумматоров по быстродействию для конкретного применения в составе разрабатываемых устройств.
Белкин М. Е., Белкин Л. М.
Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот
Рассматриваются общие принципы построения резистивных смесителей КВЧ диапазона в монолитном исполнении на основе гетероструктурных полевых транзисторов. Анализируются особенности наиболее перспективной схемы смесителя с субгармонической накачкой, в которой для смешения входного и гетеродинного сигналов используется частота в чётное число раз выше частоты сигнала внешнего гетеродина. В результате прямого сравнения на базе компьютерного проектирования диодного и транзисторного вариантов построения получивших наибольшее развитие в последние годы смесителей на двукратной частоте гетеродина подтверждены данные публикаций относительно их потерь преобразования и получены новые данные о сравнительно лучшей линейности и уровней развязок входов и выхода транзисторного варианта. Даны рекомендации по оптимальному применению исследованных вариантов.
Сысоев П. А., Болдырев М. А., Лопаткин К. С.
Метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения
Рассмотрен метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения. В основу метода положена математическая модель функционирования оптико-электронных систем ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения. Метод позволяет сократить материальные и временные затраты на выборе технических решений при проектировании оптико-электронных систем ночного видения.
Завьялов И. А.
Оптимизация производительности САПР при помощи виртуализации
Рассмотрены различные методы аппаратной виртуализации. Исследованы методы оптимизации производительности некоторых САПР, а также повышения удобства работы с ними при помощи виртуализации.
Жукова Н. С., Крымко М. М., Ледовских А. П., Максимов А. Н., Сопов О. В.
Анализ способов снижения времени восстановления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов
Сформулированы требования к основным значениям параметров современных мощных быстродействующих диодов – времени восстановления обратного сопротивления и прямого падения напряжения. Предложены и проанализированы различные способы достижения требуемых параметров. Получены опытные образцы диодов со значениями времени обратного восстановления 25-30 нс и прямым падениям напряжения 1,1 В.
Масальский Н. B.
Низковольтные характеристики логических элементов на полностью обеднённых КНИ КМОП нанотранзисторах в подпороговой области
Проанализирован один из возможных подходов разработки маломощной электроники, при котором транзисторы, входящие в состав цифровой схемы, работают в подпороговом режиме. Предложенная методика рассматривается применительно к полностью обеднённым КМОП КНИ нанотранзисторам. Теоретически показана возможность управления задержкой логических схем при помощи изменения напряжения на обратном затворе транзисторов. При помощи программы HSPICE численно исследованы статические и динамические характеристики вентилей инвертор, 2И-НЕ, 2ИЛИ-НЕ и полного однобитного сумматора.