Geum.ru

Программа государственного экзамена по специальности 014100 «микроэлектроника и полупроводниковые приборы» реализуемой на факультете нано- и биомедицинских технологий

Вид материалаПрограмма

Содержание


В основу программы
Подобный материал:
Федеральное агентство по образованию

САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМЕНИ Н.Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО


Кафедра физики твердого тела


программа

государственного экзамена по специальности


014100 «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ»


реализуемой на факультете нано- и биомедицинских технологий


Саратов 2006


Составлена в соответствии

с Государственным образовательным

стандартом высшей школы

по специальности 014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»


ОДОБРЕНО:

Председатель учебно-методической

комиссии факультета нано- и биомедицинских технологий


«_____» _________________ 2006 г.


Программа утверждена на заседании совета «____»_____2006 г., протокол №_____
УТВЕРЖДАЮ:

Проректор по учебной работе

профессор Е.М. Первушов


«_____» ___________________ 2006 г.


СОГЛАСОВАНО:

Декан

факультета нано- и биомедицинских технологий


«_____» _________________ 2006 г.




Зав. кафедрой физики твердого тела
профессор, д.ф.-м.н. __________ Д.А. Усанов

  1. В основу программы положены следующие дисциплины Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по специальности 014100 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»:
    • Кристаллофизика.
    • Физика полупроводников и низкоразмерных систем.
    • Твёрдотельная электроника и интегральные схемы.
    • Физико-химические основы материаловедения для микро и наноэлектроники:

Материалы и элементы электронной техники.

Физическая химия материалов и процессов электронной техники.
    • Физические основы микроэлектроники.
    • Квантовая и оптическая электроника.
    • Методы исследования материалов и структур электроники.
    • Процессы микро и нанотехнологии, технология материалов электронной техники.
    • Фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.
    • Квантовая теория твердого тела.
  1. Содержание программы.

Раздел 1. Кристаллофизика.

1. Элементы симметрии кристаллических многогранников. Точечные группы симметрии. Символы узлов (точек), рядов (направлений) и граней (плоскостей) в кристаллическом многограннике. Индексы Миллера для плоскости. Структура кристаллов и кристаллическая решетка. Типы ячеек Бравэ. Элементы симметрии кристаллических структур. Пространственные группы симметрии. Обратная решетка, её значение для кристаллографии и физики твердого тела.

2. Физические свойства кристаллов и их симметрия. Прямой и обратный пироэлектрические эффекты в кристаллах. Прямой и обратный пьезоэлектрический эффекты в кристаллах. Линейный (эффект Поккельса) и квадратичный (эффект Керра) электрооптические эффекты.

3. Дифракция рентгеновских лучей в кристалле. Уравнение Вульфа – Брегга. Условия Лауэ для дифракции. Основные методы рентгеноструктурного анализа структуры кристаллов.


Раздел 2. Физика полупроводников и низкоразмерных систем.

4. Основы квантовой теории твердого тела. Постановка задачи. Адиабатическое приближение. Сведение задачи к одноэлектронной (метод Хартри-Фока). Волновая функция (функция Блоха) для электрона в кристалле. Решение задачи о спектре энергии электрона в кристалле. Уравнение Кронига–Пенни. Понятие о зонах Бриллюэна. Понятие эффективной массы носителей.

5. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Распределение Ферми. Уровни Ферми. Фазовый объем. Число состояний. Равновесная концентрация носителей в невырожденном полупроводнике. Уровень Ферми для невырожденного случая. Темпеpатуpная зависимость положения уровня Ферми в собственном и пpимесных полупроводниках.

6. Колебания кpисталлической pешетки.. Колебания одноатомной линейной цепочки. Закон дисперсии. Колебания двухатомной линейной цепочки. Акустические и оптические колебания. Понятие о фононах. Статистика фононов.

7. Кинетическое уравнение Больцмана и рассеяние электронов. Кинетическое уравнение Больцмана. Интеграл столкновений. Время релаксации.

8. Электpопpоводность полупpоводников. Дрейфовая подвижность и ее температурная зависимость при различных механизмах рассеяния. Температурная зависимость электропроводности. Электропроводность в сильных полях. Зависимость подвижности от поля. Механизмы увеличения концентрации носителей в сильных полях.

9. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках. Эффект Холла. Температурная зависимость коэффициента Холла. Изменение сопротивления в магнитном поле.

10. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей тока в полупроводниках. Способы генерации неравновесных носителей. Квазиуровни Ферми. Рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни. Уравнение непрерывности.

11. Оптические свойства полупроводников. Спектры отражения и поглощения. Собственное поглощение. Прямые и непрямые переходы. Зависимость коэффициента поглощения от энергии фононов вблизи края поглощения. Экситоны и экситонное поглощение. Примесное поглощение. Поглощение свободными носителями заряда.

12. Фотоэлектрические явления. Фотопроводимость при линейной рекомбинации. Диффузия и дрейф неравновесных носителей. Соотношение Эйнштейна. Длина диффузии. Фото ЭДС. Эффект Дэмбера.

13. Контактные явления в полупроводниках. Контакт полупроводника с металлом. Энергетическая диаграмма контакта. Распределение потенциала. Условие образования запорных и антизапорных слоев на контактах. Р—п-переход в полупроводниках. Теория выпрямления.

14. Гетероструктуры. Гетероструктуры. Сверхрешетки. Композиционные сверхрешетки. Легированные сверхрешетки.


Раздел 3. Твёрдотельная электроника и интегральные схемы.

15. Варикап. Принцип действия варикапа. Основные параметры и характеристики. Параметрическое усиление сигнала.

16. Стабилитрон. Пробой p—n- перехода. Основные параметры и характеристики стабилитронов. Примеры применения.

17. Фотодиоды. Воздействие света на p—n- переход. Электролюминисцентные излучатели, светодиоды, лазеры.

18. Туннельный диод. Принцип действия туннельного диода.

19. Лавинно-пролетный диод (ЛПД). Принцип работы ЛПД в IMPATT и TRAPATT режимах.

20. Диод Ганна. Эффект Ганна. Модель Ридли-Уоткинса-Хилсума.

21. Биполярные транзисторы. Структура и основные режимы работы. Энергетическая схема. Дрейфовый транзистор. Статические характеристики БТ. Физика работы транзистора на малом переменном сигнале. Эквивалентная схема БТ.

22. Динисторы и тиристоры. Структура и принцип действия динистора. Параметры и ВАХ динистора. Принцип действия тиристора. Характеристики и параметры. Условия переключения. Применение.

23. Полевые транзисторы (ПТ). ПТ с управляющим p-n- переходом, барьером Шоттки, изолированным затвором. Принцип действия. Статические характеристики ПТ. Эквивалентная схема ПТ.


Раздел 4. Физико-химические основы материаловедения для микро и наноэлектроники: Материалы и элементы электронной техники.

24. Пассивные диэлектрики. Поляризация диэлектриков в постоянном и переменном электрическом поле. Тангенс угла диэлектрических потерь. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Диаграмма Коула-Коула.

25. Активные диэлектрики. Сегнетоэлектричество. Феноменологическая теория сегнетоэлектричества. Фазовые переходы первого и второго рода. Температурные зависимости внутренней деформации, теплоемкости и диэлектрической восприимчивости кристалла вблизи точки фазового перехода. Микроскопическая теория сегнетоэлектричества (динамика кристаллической решетки). Виды жидких кристаллов. Термохромный эффект. Электрооптические эффекты. Полевой “твист” эффект.

26. Магнитные свойства твердых тел. Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики, ферримагнетики. Ферромагнитное состояние. Особенности ферримагнетиков. Природа магнитного упорядочения. Спиновые волны. Электронный парамагнитный резонанс.

Раздел 5. Физические основы микроэлектроники.

27. Микроэлектроника. Предельные задачи микроэлектроники. Основные случайные факторы и их влияние на размеры элементов.

28. Предельные задачи микроэлектроники. Основные регулярные факторы. Минимальные энергопотребление и время переключения. Скейлинг. Функциональное быстродейстие и производительность ИМС.

29. Интегральные микросхемы. Биполярные транзисторы в полупроводниковых интегральных микросхемах. Конструктивно-технологические направления исключения и снижения влияния основных паразитных элементов.

30. Интегральные микросхемы. МДП-транзисторы в ИМС. Основные связи параметров транзисторов с физическими свойствами структур в ИМС. Основные области применения в ИМС. Конструктивно-технологические направления развития.

31. Наноэлектроника. Методы формирования квантово-размерных структур. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур. Гетероструктуры с квантовыми ямами, квантовыми проволоками и квантовыми точками

Раздел 6. Квантовая и оптическая электроника.

32. Поглощение света в полупроводниках, основные механизмы поглощения.

33. Виды генерации света в твердых телах. Спонтанное излучение.

34. Стимулированное излучение в полупроводниках. Системы с инверсной населенностью. Полупроводниковые лазеры.

35. Основные методы накачки полупроводниковых лазеров.

36. Гетеропереходные полупроводниковые лазеры.

37. Полупроводниковые фотоприемники, принцип действия, основные типы.

38. Принципы оптической записи информации. Оптические запоминающие устройства.

39. Оптоэлектронные системы отображения информации, основные типы индикаторов и дисплеев.

Раздел 7. Методы исследования материалов и структур электроники.

40. Основные методы определения параметров зонной структуры в полупроводниковых материалах.

41. Дисперсия проводящей среды и бесконтактные методы определения свойств полупроводниковых материалов и структур.

42. Дисперсия проводящей среды в магнитном поле и методы определения свойств материалов и структур на основе циклотронного и магнитоплазменного резонансов и эффекта Фарадея.

43. Электронно- и ионнозондовые методы анализа материалов и структур


Раздел 8. Физико-химические основы материаловедения для микро и наноэлектроники: Физическая химия материалов и процессов электронной техники.

44. Физическая химия материалов и процессов электронной техники. Растворы. Модели и термодинамические свойства растворов. Термодинамика образования жидких и твердых растворов

45. Управление фазовыми превращениями. Условия фаз и химического равновесия. Правило фаз Гиббса

46. Двухкомпонентные системы и физико-химический анализ. Диаграммы плавкости с простой эвтектикой. Диаграммы плавкости веществ, образующих химическое соединение. Диаграмма состояния двухкомпонентной системы с ограниченной растворимостью компонентов в жидком состоянии. Диаграммы плавкости веществ, образующих твердые растворы с неограниченной и ограниченной растворимостью.


Раздел 9. Процессы микро и нанотехнологии, технология материалов электронной техники.

47. Основные процессы в гетерогенных химико-технологических системах: массо- и теплопередача в неподвижной среде, конвективный массо- и теплообмен; явления на границе раздела фаз.

48. Процессы разделения и очистки веществ (сорбционные, жидкостной экстракции, кристаллизационные, перегонки через газовую фазу). Методы удаления вещества с поверхности (механические, химические, электрохимические, физические).

49. Процесс кристаллизации. Термодинамические условия гомогенного и гетерогенного зародышеобразования. Механизмы роста кристаллов и пленок. Методы выращивания кристаллов и получения пленок (из жидкой, паровой и твердой фаз).

50. Процессы и методы окисления, диффузии, легирования, термического и корпускулярно-лучевого отжига. Методы литографии. Интеграция процессов микро- и нанотехнологии.


Раздел 10. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.

51. Фотопроводимость полупроводников с одним и двумя классами центров рекомбинации. Рекомбинация по Шокли-Риду и рекомбинация по Роузу. Стационарные характеристики фотопроводников.

52. Продольная фотопроводимость. Продольная и поперечная фотопроводимость - сравнительный анализ. Фотопроводимость, ограниченная контактами.

53.Динамические характеристики фотопроводников. Положительный и отрицательный фотоемкостный эффекты.


Раздел 11. Квантовая теория твердого тела.

54. Экситоны. Экситонное поглощение.

55. Квантовая теория теплоемкости твердых тел. Теория теплоемкости Эйнштейна, Дебая.

56. Тепловое расширение твердых тел. Теплопроводность твердых тел.

57. Уравнение Шредингера для электрона в магнитном поле и его решение. Плотность состояний для электронов в магнитном поле. Уровни Ландау.

58. Квантовый эффект Холла. Целочисленный и дробный.

59. Магнитные свойства сверхпроводников. Намагничивание одно- и многосвязных сверхпроводников.Сверхпроводники 1 и П рода. Кривая намагничения. Смешанное состояние. Вихри Абрикосова. Теория Гинзбурга-Ландау.

60. Микроскопическая теория сверхпроводимости. Изотопический эффект. Гипотеза о спаривании. Физическая модель притяжения электронов. Квантово-механический расчёт энергии связи куперовской пары. Макроскопическая волновая функция. Гамильтониан и волновая функция теории Бардина-Купера-Шриффера.

61. Электродинамика сверхпроводников. Уравнения Лондонов. Стационарное магнитное поле в сверхпроводнике. Глубина проникновения. Критический ток и критическое магнитное поле сверхпроводника.

62. Квантовые эффекты в сверхпроводниках. Квантование магнитного потока. Туннельные эффекты в сверхпроводниках. Стационарный и высокочастотный эффекты Джозефсона. Уравнения Джозефсона.

63. Квантовая интерференция. СКВИДЫ. Резистивная модель джозефсоновского перехода. ВАХ джозефсоновского перехода. Типы джозефсоновских переходов. Высокочастотные свойства джозефсоновских переходов. Одно- и двухконтактные интерферометры. СКВИДы постоянного и переменного тока.

64. Высокотемпературная сверхпроводимость. Основные свойства ВТСП соединений. Структура кристаллической решетки ВТСП. Механизм дырочной проводимости.


Рекомендуемая литература:

к разделу 1:
        1. Шаскольская М.П. Кристаллография. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1986. 391 с.
        2. Переломова Н.В., Тагиева М.М. Задачник по кристаллофизике/ Под ред. М.П. Шаскольской. 2-е изд. М.: Наука, 1982. 288 с.
        3. Названов В.Ф. Введение в кристаллофизику. Изд-во Сарат. ун-та, г.Саратов, 1993 г. 44 с.
        4. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2-е изд. М.: Наука, 1979. 640 с.
        5. Вустер У. Применение тензоров и теории групп для описания физических свойств кристаллов/ Пер. с англ. Под ред Л.А. Шувалова. М.: Мир, 1977. 384 с.
        6. Современная кристаллография. В 4-х тт.:

Т. 1. Вайнштейн Б.К. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Наука, 1979. 384 с.

Т. 2. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом Л.М. Структура кристаллов. М.: Наука, 1979. 360 с.

Т. 4. Физические свойства кристаллов/ Л.А. Шувалов, А.А. Урусовская, И.С. Желудев и др. М.: Наука, 1981. 496 с.
  1. Дж. Най. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. М.: Мир, I967.

к разделу 2:
  1. Киттель Ч."Введение в физику твердого тела. М.,"Наука",I978. 79I с.
  2. Бонч-Бруевич В.Л.,Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.:Наука, 1990, 685с.
  3. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, I985.
  4. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. М.: Мир, 1981.
  5. Блекмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988.
  6. Киреев П.С. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 558с.
  7. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки/ Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 240 с.
  8. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996. 236с.
  9. Климов Б.Н., Цукерман Н.И. Гетеропереходы в полупроводниках. Изд-во. СГУ, 1976.
  10. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. 248 с.
  11. Сучков С.Г. Макроскопические квантовые эффекты в твердых телах. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2001. 96 с.

к разделу 3:
  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.
  2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 5-е изд., испр. СПб.: Лань, 2001.
  3. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990.
  4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. М.: Мир, 1984.
  5. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. М.: Мир, 1992. 479 с.
  6. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника. М.:Высш.шк., 1986. 304с.
  7. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990.
  8. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: Изд-во НТЛ, 2000.
  9. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: Изд-во Томск. ун-та, 1989.
  10. Михайлов А.И., Стецюра С.В., Сергеев С.А. Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов. Часть 1. Саратов: Изд-во ГосУНЦ “Колледж”, 2002.

к разделу 4:
  1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.792 с.
  2. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Выс. школа, 1977. 448 с.
  3. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высш. школа, 1986. 367 с.
  4. Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов. М.: Мир, 1991. 504 с.
  5. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела: В 2-х т.: Т.1.480 с. Т.2. 320 с. М.: Металлургия, 1995.
  6. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. М.: Радио и связь, 1989. 288с.

к разделу 5:
  1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980. 423 с.
  2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1991. 288 с.
  3. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику. М.Мир,1988. 320с.
  4. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 1989.
  5. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1982.
  6. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996. 236с.

к разделу 6:
  1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: "Высшая школа", 2001.
  2. Карлов Н.В. Лекции по квантовой электронике.- М.: "Наука", Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988.- 336 с.
  3. Основы оптоэлектроники /Пер. с японск.- М.: Мир,1988.
  4. Названов В.Ф. Основы оптоэлектроники. -Изд. СГУ, 1980. 232 с.
  5. Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Введение в оптоэлектронику.-М.: Высшая школа, 1991.
  6. Свечников Г.С. Элементы интегральной оптики .- М.: Радио и связь, 1987.
  7. Семенов А.С., Смирнов В.Л., Шмалько А.В. Интегральная оптика для систем передачи и обработки информации.- М.: Радио и связь, 1990.
  8. ГродневИ.И. Волоконно-оптические линии связи: Учеб. пособие для вузов.-2-е изд. М.: Радио и связь, 1990.
  9. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.-М.: Мир, 1976.
  10. Ярив А. Введение в оптическую электронику. -М.: Высшая школа, 1983.
  11. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. 2-е изд. -М.: Радио и связь, 1989.
  12. Хансперджер Р. Интегральная оптика: теория и технология. -М.: Мир, 1985.
  13. Волноводная оптоэлектроника / Пер. с англ. /Под ред. Т. Тамира.- М.: Мир, 1991.
  14. Хаус Х. Волны и поля в оптоэлектронике.-М.: Мир, 1988.


к разделу 7:
  1. Павлов Л. В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.
  2. Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М. 1970.
  3. Биленко Д.И. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Плазменный резонанс свободных носителей заряда в полупроводниках. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 44 с.
  4. Вениг С.Б., Трофимова Н.Б., Усанов Д.А. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по краю собственного поглощения. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1990. 20 с.

к разделу 8:
  1. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988.
  2. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Издательство «ЛАНЬ», 2001. –273 с.
  3. Пасынков В.В, Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986
  4. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990.
  5. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников – М.: Высшая школа, 1982

к разделу 9:
  1. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 1989.
  2. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Издательство «ЛАНЬ», 2001. 273 с.
  3. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990.
  4. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.

к разделу 10:
  1. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.
  2. Роках А.Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. Учебное пособие. – Саратов: Изд-во СГУ, 1984, 158 с.
  3. Роках А.Г. Продольная фотопроводимость. Учебное пособие. – Саратов: Изд-во СГУ, 1987, 14 с.

к разделу 11:
  1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. М.: Мир, 1981.
  2. Блекмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988.
  3. Киреев П.С. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 558с.
  4. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. 248 с.
  5. Ван-Дузер Т., Тернер Ч.У. Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей. М.,"Радио и связь", 1984.
  6. Роуз-Инс А., Родерик Е. Введение в физику сверхпроводимости. Изд. Мир, М., 1972.
  7. Лихарев К.К., Ульрих Б.Т. Системы с джозефсоновскими контактами. Изд. МГУ, 1978.
  8. Лихарев К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов. М., Наука, 1983.
  9. Марч Н., Янг У., Сампантхар С. Проблема многих тел в квантовой механике. М., Изд. МИР, 1969.
  10. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Под редакцией М. Гинзбурга. М., Изд. МИР, 1990.
  11. Ципенюк М. Физические .основы сверхпроводимости: Учеб. пособие: Для вузов. М: Изд-во МФТИ, 1996. 96 с.
  12. Сучков С.Г. Макроскопические квантовые эффекты в твердых телах. Учеб. пособие. Изд-во СГУ, 2001, 96 с.
  13. Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. М., Наука, 1982.
  14. Дмитриенко И.М. В мире сверхпроводимости. Киев, Наукова думка, 1981.
  15. Изюмов Ю.А., Плакида Н.М., Скрябин Ю.Н. Магнетизм в высокотемпературных сверхпроводящих соединениях. Успехи физических наук, т.159,вып.4, декабрь 1989 г., с.621-664.
  16. Вольски А.М. и др. Новые сверхпроводники: перспективы применения. В мире науки, N4, апрель 1989 г., стр.37-45.
  17. Кава Р.Дж. Новые сверхпроводящие керамики. В мире науки, N10, октябрь 1990,стр.16-25.
  18. Вилчек Ф. Энионы. В мире науки, N7, июль 1991 г., стр.14-23.
  19. Мейлихов Е.З. Структурные особенности ВТСП-керамик и их критический ток и вольтамперная характеристика. Успехи физических наук, т.163, вып.3, март 1993 г., с.27-54.