Програма v-української конференції з фізики напівпровідників (ункфн-5), м. Ужгород, 9-15 жовтня 2011р

Вид материала

Документы

Содержание V. A. Kochelap 11 жовтня вівторок. Блонський І.В. Секційні засідання Surface polaritons in optically anisotropic single crystals located in a strong uniform magnetic field П.А. Зезюля С.М. Рябченко Г.Д. Данилюк The peculiarities of electronic processes in organic semiconductors. some fundamental and applied aspects, bridge to biology ( Кадан В.М. Конопельник О.І. ЕПР І ОПТИЧНА СПЕКТРОСКОПІЯ ДЕФЕКТІВ У ОПРОМІНЕНИХ НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛАХ 3C-SiC ( Стендові доповіді С4-1-34. Маковийчук М.И В.О. Юхимчук О.І. Аксіментьєва Л.В. Данилов Ю. В. Крюченко Стендові доповіді С2-1-35 Павлик Б.В. ... Полное содержание

Подобный материал:

• Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 563.19kb.
• Інформаційне повідомлення, 58.82kb.
• Програма конференції: 29 жовтня 2009 заїзд учасників конференції 30 жовтня 2009, 262.92kb.
• Програма проведення конференції 11 квітня 2011 року приїзд учасників конференції, 80.08kb.
• М. Ужгород перелік відомостей навчального кабінету з фізики, 831.37kb.
• Проект (варіант) змісту (структури) Національної доповіді «Уроки Чорнобильської катастрофи, 42.73kb.
• Лізаційних процесів у світовій економіці матеріали першої міжнародної науково-практичної, 6413.4kb.
• І нформац ійн е по відомлення про мнпк «с іе т-2011», 80.99kb.
• Програма конференції «Актуальні питання клінічної медицини» програма конференції «Мікроелементози, 8571.39kb.
• Програма співбесіди Для абітурієнтів, що вступають на факультет психології, 122.73kb.

Програма V-Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-5), м.Ужгород, 9-15 жовтня 2011р.

(Звертаємо увагу учасників конференції, що програма має попередній характер і може бути суттєво змінена після отримання підтверджень про участь в конференції)


9 жовтня, неділя

Реєстрація учасників

Культурна програма


10 жовтня понеділок

9:00-11.00 Реєстрація учасників

Відкриття конференції, пленарне засідання

11.00 – 11³⁰ – виступи-вітання голів конференції, інших офіційних осіб.

11³⁰-12⁰⁰ - Мачулін В.Ф., Кладько В.П. Методи характеризації та діагностики напівпровідникових наноструктур

12⁰⁰-12³⁰ - А.В.Двуреченский Інженерія КР-структур.

12³⁰-13⁰⁰ - С.В.Гапоненко " Сверхбыстрые оптические нелинейности в гетероструктурах, обусловленные плотной электронно-дырочной плазмой " (С.В.Гапоненко, С.А.Тихомиров, В.В.Станкевич, М.В.Ермоленко, О.В.Буганов).

13:00-14:30 – Обід

14:30-19:30 – Пленарне засідання

14:30-15:00 Литовченко В.Г. «Зонні характеристики графеноподібних вуглецевих плівок».

15:00-15:30 М.В.Стріха «Нерівноважні носії в графені: негативна диференціальна провідність, електрооптика та модуляція випромінювання» (М.В.Стріха, Ф.Т.Васько, П..М.Романець).

15:30-16:00 M.Vlček "Unique properties and functionalities of chalcogenide glasses."

M. Vlček, K. Palka, T. Wagner, L. Koudelka and P. Mosner.

16:30- 17:00 Ion Tiginyanu Surface charge lithography at the micro- and nano-scales

(Ion Tiginyanu and Veaceslav Popa).

17:00-17:30 Кавова пауза

17:30-18:00 V. A. Kochelap, V. V. Korotyeyev Physics and theory of ballistic electron transport in nanoscale diodes: Properties in terahertz frequency range.

18:00-18:30 Дмитрук М.Л. "Фотовольтаїка третього покоління: плазмони, поляритони, квантові точки і дроти".

18:30-19:00- Д.М. Фреїк "Квантово-розмірні ефекти в конденсованих наноструктурах та проблема термоелектрики".

19:00-19:30 Сминтина В.А. ЯВЛЕНИЯ ГЕНЕРАЦИИ И ПЕРЕНОСА В НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ И СОЗДАНИЕ НА ИХ ОСНОВЕ СЕНСОРОВ ИЗОБРАЖЕНИЙ НОВОГО ТИПА (Сминтина В.А., Борщак В.А.).

19:30-20:30 Вечеря


11 жовтня вівторок.

9:00-11:00 пленарне засідання

9:00-9:30 Блонський І.В. Закономірності взаємодії ультракоротких лазерних імпульсів з нанокомпозитними середовищами ( Блонський І.В., Дмитрук А.М., Дмитрук І.М., Кадан В.М., Коренюк П.І., Павлов І. О., Єщенко О.В., Алексєєнко А.А.).

9:30-10:00 Ткач М.В. Теорія властивостей резонансно-тунельних наноструктур, як активних елементів квантових каскадних лазерів і детекторів (Ткач М.В., Сеті Ю.О.).

10:00-10:30 Сизов Ф.Ф. Приемники излучения от ИК до мм диапазона

10:30-11:00 Валах М.Я. Компонентний склад самоіндукованих GeSi наноострівців: Раманівська та Оже спектроскопія (В.О. Юхимчук, С.С. Пономарьов, В.М. Джаган, М.Я. Валах, В.А. Новиков, З.Ф. Красильник)


11:00 -11:30 Кавова пауза


Секційні засідання

Секція 1

11:30-11:50 G.A.Shepelskii, S.G.Gasan-zade, M.V.Strikha, Experimental evidence for the third level (А⁺) of Hg vacancy and the photoelectromagnetic anomalies in Hg_1-xCd_xTe

11:50-12:10 A.Evtukh, H.Mimura, V.G.Litovchenko Quantum cathodes in electron field emission

12:10-12:30

12:30-12:45 Л.К.Орлов, Т.Н.Смыслова, И.Н.Дмитрук, Э.А.Штейнман, А.Н.Терещенко, В.И.Вдовин, А.С.Бондаренко Механизмы роста и особенности излучательной рекомбинации наноструктурированных пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на кремнии

12:45-13:00 Л.І.Панасюк, В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-450⁰К


13:00-14:30 Обід


14:30-14:50- Я.М.Оліх, В.Ф.Мачулін Акустостимульовані явища в напівпровідниках

14:50-15:10 Б.М.Романюк, Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Литовченко В.Г., Попов В.Г., Мельник В.П. Процеси гетерування у сонячному кремнії: вплив кристалічної структури на фоточутливість.

15:10- 15:30 Б.О.Данільченко Теплові властивості кристалів

15:30-15:45 E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk SURFACE POLARITONS IN OPTICALLY ANISOTROPIC SINGLE CRYSTALS LOCATED IN A STRONG UNIFORM MAGNETIC FIELD

15:45-16:00 П.П.Трохимчук РЕЛАКСАЦІЙНА ОПТИКА: РЕТРОСПЕКТИВА ТА ПЕРСПЕКТИВИ

16:00-16:15 В.С.Северин ВПЛИВ ПОЛЯРИЗАЦІЇ ЗАРЯДІВ ВІЛЬНИХ ЕЛЕКТРОНІВ НАПІВПРОВІДНИКА НА ПОГЛИНАННЯ НИМИ СВІТЛА

16:15-16:30 П.А. Зезюля, В.Л. Малевич, И.С. Манак Влияние анизотропии фотопроводимости на генерацию терагерцовых импульсов в полупроводниках

16:30-16:45 Раранский Н.Д., Олейнич-Лысюк А.В. Об эволюции дефектов в Cz-кремнии в процессе низкотемпературного старения

16:45-17:00 А.В. Константинович, І.А. Константинович СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ СИСТЕМИ ЕЛЕКТРОНІВ, ЩО РУХАЮТЬСЯ ВЗДОВЖ ГВИНТОВОЇ ЛІНІЇ У ПРОЗОРОМУ СЕРЕДОВИЩІ


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 С.М. Рябченко, А.В.Комарів, А.В.Лось, і С.М.Романенко Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe

17:45-18:00 R. Golovchak Topological self-organization phenomenon in vitreous semiconductors: experimental signatures and theoretical predictions

18:00-18:15 Г.Д. Данилюк, К.Глухов, Л.С. Демків, Й.М. Стахіра, Н.К. Товстюк, В.М. Белюх ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА СТРУКТУРУ СПЕКТРА ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Tl₂S.

18:15-18:30 Андрусенко Д.А., Бурбело Р.М., Исаев Н.В., Кузьмич А.Г. Определение температуропроводности мезопористого кремния фотоакустическим методом «открытого окна».

18:30-18:45 Р. Бурбело, М. Ісаєв, А. Кузьмич, В. Курилюк Формування діаграм направленості ФТА сигналу в неоднорідних напівпровідникових структурах при їх імпульсному лазерному опроміненні

18:45-19:00 П.М.Буківський, Ю.П.Гнатенко ОПТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ МАГНІТНИХ СПІНОВИХ КЛАСТЕРІВ ТА ЇХ ТЕМПЕРАТУРНОЇ ЕВОЛЮЦІЇ В СПІНОВОМУ СКЛІ Cd_1-XMn_XTe


ї19:00-19:30 Стендові доповіді С1-1-35


19:30-20:30 Вечеря


Секція 4

11:30-11:50 В.Ящук THE PECULIARITIES OF ELECTRONIC PROCESSES IN ORGANIC SEMICONDUCTORS. SOME FUNDAMENTAL AND APPLIED ASPECTS, BRIDGE TO BIOLOGY (Valeriy Yashchuk).

11:50-12:10 О.Дімітрієв Charge and energy transfer in organic-inorganic semiconductor hybrid systems (O.P.Dimitriev, P.S.Smertenko, Yu.P.Piryatinski, N.A. Ogurtsov, A.A. Pud)

12:10-12:30 Kokenyesi S. PHOTOINDUCED EFFECTS UNDER SURFACE PLASMON RESONANCE CONDITIONS IN As₂S₃/Au NANOCOMPOSITE (Kokenyesi S. , Dmitruk N., Charnovich S.).

12:30-12:45 В.С.Минаев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, С.Н.Новиков Количественная нанодиагностика структуры стеклообразных и нестеклообразных некристаллических полупроводников и диэлектриков

12:45-13:00 Janis Teteris PHOTOINDUCED MASS TRANSPORT IN ORGANIC AND INORGANIC POLYMERS


13:00-14:30 Обід


14:30-14:50- О.Шпотюк Free volume evolution in glassy semiconductors:

How far can we go with PALS technique? (O. Shpotyuk)

14:50-15:10 T. Kavetskyy New insight on the radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from PALS and Doppler broadening measurements (T. Kavetskyy, O. Šauša, A. Stepanov)

15:10- 15:30 В.М.Міца COMPARISON OF STRUCTURAL TRANSFORMATION IN BULK AND AS EVAPORATED OPTICAL MEDIA DURING ENERGY DEPENDENT MONOCHROMIC AND LAMP ILLUMINATION.

15:30-15:45 М.И Маковийчук Идентификация атомных кластеров в низкоразмерных системах методом импульсной фликкер-шумовой спектроскопии.

15:45-16:00 В.В. Галян, А.Г. Кевшин, Г.Є. Давидюк, М.В. Шевчук Антистоксівська фотолюмінесценція в склоподібних сплавах системи Ag_0,05Ga_0,05Ge_0,95S₂–Er₂S_3.

16:00-16:15 Кадан В.М., Блонський І.В., Коренюк П.І., Шпотюк О.Й., Іову М. Нові оптичні ефекти, які супроводжують розповсюдження потужних фемтосекундних імпульсів в напівпровідникових та діелектричних керівських середовищах.

16:15-16:30 І.З. Індутний, В.А. Данько, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.В. Берєзньова, О.С. Литвин Ефект фототравлення в тонких шарах халькогенідних скловидних напівпровідників.

16:30-16:45 Конопельник О.І., Аксіментьєва О.І., Горбенко Ю.Ю. Вплив легування на параметри перенесення заряду та структуру полімерних напівпровідників

16:45-17:00 Коцак Я.Я., Куценко Я.П., Пуга П.П. Склоутворення в системі Pb-O-Cl, структура та властивості стекол.


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 Р. Голомб Першопринципні розрахунки, фотоелектронна та поверхнево-підсилена Раман спектроскопія наношарів As₂S₃ при лазерному опроміненні

17:45-18:00 Г.Т. Горват, В.М.Різак, В.Ю. Лоя, А.М. Соломон, С.М. Гасинець Термічні властивості матеріалів для елементів фазової пам'яті Ge-Se-In

18:00-18:20 А.А.Крючин

Петров В.В., Крючин А.А., Костюкевич С.А. "Анализ возможностей создания

рельефных наноструктур методом лазерной литографии"

18:20-18:40 В.Я. Братусь ЕПР І ОПТИЧНА СПЕКТРОСКОПІЯ ДЕФЕКТІВ У ОПРОМІНЕНИХ НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛАХ 3C-SiC (В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, Б.Д. Шаніна, С.М. Окулов, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук)


18:40-19:30 Стендові доповіді С4-1-34.


19:30-20:30 Вечеря


12 жовтня середа


Секція 2


9:00-9:20 Скришевський В.А. Luminescent properties of Si and SiC nanoparticles

(V. A. Skryshevsky, T. Serdiuk, Yu. Zakharko, A. Geloen and V. Lysenko)

9:20-9:40 Назаров О.М. Multigate and nanowire SOI MOSFETs: features of the operation and electrical characterization (A.N.Nazarov, T.E.Rudenko, V.S.Lysenko, and ^*)J.P.Colinge )

9:40-10:00 В.Г. Литовченко, Т.І. Горбанюк, В.С. Солнцев, Р.М. Балабай, Т.С. Мисакович, І.В. Стасюк Каталітичні властивості напівпровідникових оксидних кластерів

10:00-10:20 Тельбіз Г. German Telbiz Design and properties of inorganic and organic SELF-ASSEMBLed NANOstructures of SPATIALLY ORDERED IN the thin MESOPOROUS films

10:20:10:40 Artur Medvid' "Two Stage Mechanism of Nanocones Formation in Semiconductors by Laser Radiation".

10:40-10:55 Маковийчук М.И, Залуцкая А.А., Проказников А.В. РАСЩЕПЛЕНИЕ КРАЕВЫХ МОД В НАНОСТРУКТУРАХ


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11645 Lykah V.A., Syrkin E. S., Galuschak I.V., Krivonos S.S. semiconductor Functionalized nanotubes and conformation transition in molecules

11:45-12:00 Л.А. Карачевцева, С.Я. Кучмій, К.П. Конін, О.О. Литвиненко, О.Л. Строюк Ефект Ваньє-Штарка при кімнатній температурі в двовимірних структурах макропористого кремнію з нанопокриттями

12:00-12:15 Шпилевский Э.М. ОСОБЕННОСТИ МАССОПЕРЕНОСА В НАНОМАТЕРИАЛАХ

12:15-12:30 Головацький В., Франків І., Власенко М. Еволюція електронного спектру у двохшарових сферичних квантових точках з донорною домішкою при зміні ширини квантової ями

12:30-12:45 В.О. Юхимчук, С.С. Пономарьов, В.М. Джаган, М.Я. Валах, В.А. Новиков, З.Ф. Красильник Компонентний склад самоіндукованих GeSi наноострівців: Раманівська та Оже спектроскопія

12:45-13:00 A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, J. Baran, H. Ratajcak Crystal structure with quantum dots: micro theory and Raman scattering experiments


13:00-14:30 Обід


14:30-14:45 Е.С. Сыркин Резонансное прохождение фононов через границу раздела двух сред

14:45-15:00 В.А. Сиренко, И.А. Господарев, А.В. Еременко, К.В. Кравченко, Е.С. Сыркин, С.Б. Феодосьев Колебательные характеристики массивных образцов и нанопленок диселенида ниобия

15:00-15-15 С.Б. Феодосьев, И.А. Господарев, В.И. Гришаев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко, Е.В. Манжелий, Е.С. Сыркин Фононные спектры наноструктур на основе графита

15:15-15:30 В.Н.Тулупенко, Я.Г.Беличенко, Р.А.Демедюк, В.Н.Порошин, О.С.Фомина, Воздействие процесса ионизации примеси КЯ на глубину ее залегания при изменении ширины -слоя примеси

15:30-15:45 Товстюк Н. К., Бужук Я.М., Фоменко В. Л., Григорчак І. І., Борисюк А.К., Середюк Б. А. СТРУКТУРА, НАМАГНІЧЕНІСТЬ І НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИЙ ІМПЕДАНСНИЙ ВІДГУК ПОЛІКРИСТАЛІВ InSe, ІНТЕРКАЛЬОВАНИХ НІКЕЛЕМ

15:45-16:00 В.А.Сминтина, О.А.Кулініч, І.Р.Яцунский, І.А.Марчук Визначення фізичних основ методів формування квантових точок та їх фотолюмінісцентні властивості

16:15-16:30 О.І. Аксіментьєва, І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, М.Р. Павлик електрохромний ефект у фотолюмінесцентних гібридних Cтруктурах поліанілін – поруватий кремній

16:30-16:45 Р.М.Пелещак, І.Я.Бачинський, Д.Д.Шуптар S – подібні вольт-амперні характеристики діодів Шотткі з вбудованим шаром квантових точок

16:45-17:00 Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря Безызлучательная рекомбинация в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами.


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 Будзуляк С. І., Єрмаков В. М., Калитчук С. М., Корбутяк Д. В. Електролюмінесценція нанокристалів CdTe, інкорпорованих у полімерну матрицю

17:45-18:00 Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк, I. М. Купчак, А. В. Саченко Вплив плазмонних збуджень металевих наночастинок на ефективність екситонної фотолюмінесценції суміжних напівпровідникових квантових точок

18:00-18:15 Купчак І. М., Корбутяк Д. В., Калитчук С. М., Крюченко Ю. В. Зсув Стокса в нанокристалах А₂В₆, синтезованих в колоїдних розчинах та інкорпорованих в полімерні матриці

18:15-18:30 А.Н. Понявина, Р.А. Дынич, А.Д. Замковец Эффекты ближнего поля в органических полупроводниковых матрицах при их допировании плазмонными наночастицами


18:30-19:00 Стендові доповіді С2-1-35


19:30-20:30 Вечеря


Секція 4


9:00-9:15 И.Е. Таланин, В.И. Таланин, Н.Ф. Устименко НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ ВО ВРЕМЯ РОСТА БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

9:15-9:30 М.І. Клюй, В.П. Кладько, А.В. Макаров, В.П. Темченко, О.П. Гришков,

В.О. Юхимчик, І.Б. Янчук Новий метод формування мікро- та наноструктурованих шарів кремнію та їх властивості

9:30-9:45 Павлик Б.В., Слободзян Д.П., Грипа А.С., Лис Р.М., Шикоряк Й.А., Дідик Р.І. вплив дефектного стану поверхні кристалів КРЕМНІЮ на характеристики поверхнево-бар’єрних структур.

9:45-10:00 А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй Деформаційно-стимульовані ефекти в мікрокристалах кремнію р-типу за низьких температур

10:00-10:15 Мазинов А.С., Бахов В.А. Антиотражающая структура на основе наноразмерных кремнивых слоев.

10:15-10:30 Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик, О.А. Даценко Тепловые поля и распределение примесей при выращивании кристаллов «солнечного» кремния методами направленной кристаллизации.

10:30-104:5 Є.Зубко, Є. Швець Розробка математичнoї імітаційної моделі технологічного процесу виготовлення пористого кремнію з застосуванням хімічних методів.

10:45-11:00 В.О. Юхимчук, О.Є. Бєляєв, В.С. Кисельов, І.С. Бабічук, М.Я. Валах Оптичні та структурні властивості біоморфного SiC


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11:45 М.С.Бродин, В.И.Волков, В.Р.Ляховецкий, В.И.Руденко, В.М.Пузиков*, А.В.Семенов Нелинейно-оптические и структурные свойства нанокристаллических пленок карбида кремния.

11:45-12:00 Е.Н. Калабухова, Д.В. Савченко, Б.Д. Шанина Исследование спиновой связи между донорами азота и электронами проводимости в высоколегированном 4H SiC n-типа методом ЭПР.

12:00-12:15 Оксанич А.П., Притчин С.Э. Метод и аппаратура измерения внутренних термоупругих напряжений в германии

12:15-12:30 М.В.Стріха, В.А.Бойко, С.Г.Гасан-заде, С.В.Старий, Г.А.Шепельський Механізми рекомбінації в пружно деформованих Cd_xHg_1-xTe і InSb: збільшення квантового виходу міжзонного випромінювання, зміна перерізів захоплення носіїв глибокими центрами.

12:30-12:45 И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Г.В. Савицкий, Р.Я. Мудрий, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, И.М. Стахира, Е.И. Фицыч, К.Д. Мынбаев, М. Поцяск-Белый Исследование влияния отжига на дефектную структуру МЛЭ пленок CdHgTe с помощью ионного травления.

12:45-13:00 Курик А. О., Корбутяк Д. В., Паранчич Л. Д., Калитчук С. М., Андрійчук М. Д., Романюк А. С., Романюк О. С., Танасюк Ю. В. Низькотемпературні дослідження фотолюмінесценції високоомних кристалів CdTe:Ti, CdTe:V, Cd_xHg_1-xTe:V, Mn.


13:00-14:30 Обід


14:30-14:45 И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Г.В. Савицкий, Р.Я. Мудрий, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, И.М. Стахира, Е.И. Фицыч, К.Д. 14:45-15:00 Мынбаев, М. Поцяск Исследование влияния отжига на дефектную структуру МЛЭ пленок CdHgTe с помощью ионного травления.

15:00-15:15 Чухненко П.С., Томашик В.М., Стратійчук І.Б., Томашик З.Ф. Хіміко-механічне полірування нелегованого та легованого CdTe травниками (NH₄)₂Cr₂O₇–HCl–цитратна кислота/етиленгліколь.

15:15-15:30 Британ В.Б., Пелещак Р.М., Корбутяк Д.В. Механізми пасивації атомарним воднем електрично-активних центрів у телуриді кадмію та цинку.

15:30-15:45 Томашик З.Ф., Іваніцька В.Г., Томашик В.М. Умови полірування поверхні CdTe (110) йодвмісними травниками.

15:45-16:00 М.Д. Раранський, В.Н. Балазюк, М.І. Мельник, А. І. Скицько Залежність анізотропії пружності монокристалів Hg_1-хMn_хTe і Cd_1-хMn_хTe від концентрації Mn.

16:00-16:15 Наконечний І.Й., Копач О.В., Фочук П.М., Панчук О.Е. Термообробка кристалів Cd_0.9Zn_0.1Te.

16:15-16:30 D.M. Zayachuk, V.I. Mikityuk, V.V. Shlemkevych, and D. Kaczorowski Diagnosing of state of the Eu impurities into the PbTe:Eu doped crystals by magnetic methods.

16:30-16:45 М.Ф. Буланый, А.В. Коваленко, А.Р. Омельчук, А.С. Морозов, Т.А. Прокофьев МЕХАНИЗМЫ ВОЗБУЖДЕНИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В КРИСТАЛЛАХ ZnS:Mn.

16:45-17:00 Парасюк О.В., Калуш О.З., Білинський Ю.М., Мирончук Г.Л. ОДЕРЖАННЯ ОПТИЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ІЗ ZnSe


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 Г.Д. Данилюк, К.Глухов, Л.С. Демків, Й.М. Стахіра, Н.К. Товстюк, В.М. Белюх ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА СТРУКТУРУ СПЕКТРА ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Tl₂S.

17:45-18:00 Фекешгазі І.В., Коломис О.В., Сіденко Т.С. Вплив порушення стехіометрії на коМбінаційне розсіяння світла кРисталами дифосфіду кадмію тетрагональної сингонії

18:00-18:15 М.І. Клюй, А.І. Ліптуга, В.Б. Лозінський, А.М. Лук’янов, В.А. Тербан Вплив плазмової обробки на оптичні властивості структур а-C:H:N-GaAs в інфрачервоній області спектру

18:15-18:30 Burunkova J. A., I.Yu. Denisyuk, Vorzobova N.D., Bulgakova V.G. Investigation of technology and self-organizing processes on ZnO and SiO₂ polymeric nanocomposites


Стендові доповіді С4-35-68.


19:30-20:30 Вечеря


Четвер 13 жовтня


Секція 3


9:00-9:20 Костильов В.П., Кремнієві фотоперетворювачі сонячної енергії на основі багатобар’єрних дифузійно-польових структур

9:20-9:40 Лепіх Я.І.Hg_1-xCd_xTe у якості чутливого елементу фотоперетворювача дальньої ІЧ-області спектру (Лепіх Я.І., Іванченко І.О., Будіянська Л.М.)

9:40-10:00 Мездрогина М.М. Проблемы повышения эффективности твердотельного освещения на основе 111- нитридов

10:00-10:20 Соколов В.И. «Блохівські осціляції в напівпровідникових надгратках та проблема генерації ТГц випромінювання».

10:20-10:40 Косяченко Л.А. Вимоги до параметрів як матеріалу для детекторів іонізуючого випромінювання.

10:40-11:00 А.Н.Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СИЛОВИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ НА ЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУРАХ КРЕМНІЮ.


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11:45 Л. К.Орлов, М. Л. Орлов, А.А.Мельникова, Zs.Horvath, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов Распределение потенциала и особенности протекания токов в Si/SiGe транзисторной гетероструктуре с высоким уровнем легирования и различным характером упругих напряжений в слоях системы.

11:45-12:00 Д. О. Білобров О. В. Козинець, С. В. Литвиненко, О. І. Ничипорук, В. А. Скришевський Сенсорні структури на основі кремнієвого p-n переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні

12:00-12:15 Смынтына В.А., Иванченко И.А., Сантоний В.И., Будиянская Л.М. Оптико-локационный измеритель коэффициента направленного отражения

12:15-12:30 А.В. Войцеховский, , Н.Х. Талипов, И.И. Ижнин СРАВНЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ВАРИЗОННЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР HgCdTe

12:30-12:45 P. Salzenstein, N. Cholley, P. Abbé, F. Lardet-Vieudrin, L. Sojdr and A. Kuna Ultrastable distributed radio-frequency quartz oscillator based signal

12:45-13:00 Петряков В.А., Апатская М.В., Кухтарук Н.И., Сизов Ф.Ф., Смолий М.И. Микрополосковые антенны миллиметрового диапазона с БГЭ на основе КРТ.


13:00-14:30 Обід


14:30 -14:45 V. Sohatsky, Y. Shulimov, S. Kolesnik Spin Valve Effect on Output Current of Spin Transistor

14:45-15:00 Критская Т.В., Кудина О.Е., Трубицын Ю.В. Пути снижения деградации электрофизических параметров кристаллического кремния для ФЭП.

15:00-15:15 Brus V.V., Ilashchuk M.I., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D. Electrical properties of a photosensitive heterojunction n-TiO₂/p-CdTe

15:15-15:30 Сахно М.В. , Гуменюк-Сичевська Ж.В, Сизов Ф.Ф. Моделювання антени ТГц діапазону для HgCdTe детектора на розігріві електронного газу

15:30-15:45 Голенков О.Г., Бут Д.Б., Сизов Ф.Ф., Рева В.П., Писаренко Л.О., Станиславский А.С. Вплив температури на чутливість приймача випромінювання міліметрового/субміліметрового діапазону спектру на основі кремнієвого польового транзистору.

15:45-16:00 Е.А. Мележик, Ж.В. Гуменюк-Сычевская Релаксация электронов в КЯ CdTe/Hg_1-xCd_xTe/CdTe с инвертированной зонной структурой при T=77 К

16:00-16:15 Krukovsky S., Sukach A., Tetyorkin V., Mrykhin I., Mykhashchuk Y. CHARACTERIZATION AND PERFORMANCE OF InP/InGaAsP DOUBLE HETEROSTRUCTURES.

16:15-16:30 A. Tkachuk, V. Tetyorkin, A.Sukach, V. Boiko and S. Stariy DEFECT STATES IN CdTe POLYCRYSTALLINE FILMS

16:30-16:45 Рева В.П., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г., Коринец С.В. Принципы построения многоэлементных детекторов субмиллиметрового диапазона на основе кремниевой КМОП технологии

16:45:-17:00 Р.У.Алиев, Э.К.Мухтаров, С.Алиев Фотоэлектрические генераторы с вертикальным p-n-переходом на поликристаллической кремниевой основе


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 І. Т. Когут, А.О.Дружинін, В. І. Голота, В.В.Довгий ЕЛЕМЕНТИ АНАЛІТИЧНИХ МІКРОСИСТЕМ-НА-КРИСТАЛІ НА ОСНОВІ ТРИВИМІРНИХ КНІ-СТРУКТУР.

17:45-18:00 Марков Д.А., Коровай А.В., Хаджи П.И. Генерация (усиление) терагерцового излучения при резонансном возбуждении экситонов в полупроводниках.

18:00-18:15 Л.А. Косяченко, Є.В. Грушко, В.Я. Рошко РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВТРАТИ НА ПОВЕРХНЯХ ПОГЛИНАЮЧОГО ШАРУ В СОНЯЧНОМУ ЕЛЕМЕНТІ CdS/CdTe.

18:15-18:30 Зайцев Р.В., Копач В.Р., Кіріченко М.В. ЕВОЛЮЦІЯ ЧАСУ ЖИТТЯ НЕРІВНОВАЖНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ПІД ДІЄЮ МАГНІТНОГО ПОЛЯ

18:30-18:45 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры Cd_xHg_1-xTe с одиночной квантовой ямой


18:30-19:30 Стендові доповіді С3-1-37.


19:30-20:30 Вечеря


Секція 4


9:00-9:15 Сыркин Е.С. Резонансное прохождение фононов через границу раздела двух сред

9:15-9:30 Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, Ю.Н., В.В. Яцун Исследование оптических свойств кристаллов ZnS, легированных железом.

9:30-9:45 Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р.Копач, В.М. Любов, К.С. Клєпікова, А.В. Копач Вирощування 1D наноструктур цинк оксиду методом імпульсного електрохімічного осадження.

9:45-10:00 S. I. Pokutnyi, M. S. Pokutnyi, A. P. Shpak, V. N. Uvarov Theory of exciton states in semiconductor quantum dots.

10:00-10:15 Ю.В. Жиляев, Д.И. Микулик, П.А. Алексеев, , Т.А. Орлова, Н.К. Полетаев, С.А. Сныткина, Л.М. Федоров Ультра-чистые слои GaAs для детекторных p-i-n структур.

10:15-10:30 Н.Л. Дон, Г.П. Чуйко КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ СПОСОБІВ УПОРЯДКУВАННЯ СТЕХІОМЕТРИЧНИХ ВАКАНСІЙ У ШАРУВАТИХ СПОЛУКАХ

10:30-10:45 И.В. Рогозин, М.Б. Котляревский Структура и свойства нанокристаллических слоев ZnO легированных фосфором

10:45-11:00 Матяш І.Є., Максименко Л.С., Міщук О.М., Руденко С.П., Сердега Б.К. Модуляційно-поляризаційна діагностика наноструктурованих композитних плівок.


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11:45 Сиротюк С.В., Швед В.М. Зміна електронної структури твердих розчинів GaAlN під впливом домішок марганцю і водню.

11:45-12:00 Мирончук Г.Л., Парасюк О.В., Якимчук О.В., Данильчук С.П. Одержання та властивості монокристалів AgGaGe₂S₂Se₄

12:00-12:15 A.I. Ievtushenko, G.V. Lashkarev, V.M. Tkach, V.V. Strelchuk, O.Y. Khyzhun, V.I. Lazorenko, L.O. Klochkov, V.P. Bryksa, K.A. Avramenko, V.A. Baturin, A.Y. Karpenko The effect of nitrogen doping and Al-N codoping on ZnO properties

12:15-12:30 Я.С. Буджак, О.В. Зуб Ефект Зеебека-важлива характеристика для діагностики

напівпровідникових кристалів та прогнозування їх властивостей.

12:30-12:45 І.С. Вірт, І.В. Гадзаман, І.О. Рудий, М.С. Фружинський, І.В. Курило,
І.Є. Лопатинський Властивості тонких плівок ZnO, MgO і Zn_1-хMg_хO, отриманих імпульсним лазерним осадженням

12:45-13:00 Л. Ю. Надькин, П.И. Хаджи Pump-probe –метод исследования оптических свойств полупроводника в экситонной области спектра в нестационарном режиме при учете упругого экситон-экситонного взаимодействия.


13:00-14:30 Обід


14:30-14:45 Медулич М.М., Стефанович В.О., Євич Р.М., Височанський Ю.М. Ефекти ангармонізму в спектрах комбінаційного розсіювання світла сегнетоелектрика з трьохямним потенціалом.

14:45-15:00 Гадзаман І.В., Клим Г.І., Фартушок М.М., Станько М.Г., Штим В.С. Структура та електричні властивості напівпровідникової кераміки Zn_0.1Co_0.32Li_0.5Ni_0.5Mn_1.58O_4.

15:15-15:30 Павлович І.І., Томашик В.М., Томашик З.Ф., Стратійчук І.Б., Копил О.І. ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ НА ОСНОВІ Ві₂Те₃ ТРАВНИКАМИ H₂O₂–HBr–МОДИФІКАТОР В’ЯЗКОСТІ.

15:30-15:45 В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, Н.Н. Красько, А.Г. Колосюк, О.М.Кабалдін, Р.М. Руденко, В.А. Макара, В.О. Юхимчук, В.В. Стрельчук Структура і оптичні властивості аморфно-кристалічних сплавів SiSn, виготовлених термічним розпиленням.

15:45-16:00 A.M. Yaremko, G.V. Lashkarev, V.A. Karpyna Investigation of LO-phonon excitations in ZnO films by Raman spectroscopy

16:00-16:15 G.V. Lashkarev, V.A. Karpyna, V.I. Lazorenko, A.I. Ievtushenko, V.D. Khranovskyy, I.I. Shtepliuk, P.V. Demydyuk, V.S.Khomchenko Properties of ZnO Films and Nanostructures for Optoelectronic Applications.


Секція 2


16:15-16:30 Пелещак Р.М., Даньків О.О., Кузик О.В. Механізми формування дефектно-деформаційних кластерів у гетероструктурі під дією ультразвукової хвилі

16:30-16:45 Zayachuk D.M., Slobodskyy T., Astakhov G.V., Slobodskyy A. Photoluminescence of the ZnSe based semimagnetic quantum structures

16:45-17:00 Глухов К.Е., Шнайдер М., Берча Д.М. Аномальная анизотропия слоистых халькогенидов


17:00-17:30 Кавова пауза