Програма v-української конференції з фізики напівпровідників (ункфн-5), м. Ужгород, 9-15 жовтня 2011р

Вид материала

Документы

Содержание Стендові доповіді Д. Степанчиков Коваль Ю.В. Студеняк І.П. Б. Бекіров Мороженко В.О. М.Д. Тимочко Ф.М. Воробкало С. Прислопский V.N. Krivoruchko Гуцул В.І. Сокольник О.А. Тулупенко В.Н Вороняк Л.Я. Дружинін А.О. Ліщинський І.М. В.П. Велещук V.V. Il’chenko Секція 3 Стендові доповіді С3-1-37. С.В. Плаксин ... Полное содержание

Подобный материал:

• Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 563.19kb.
• Інформаційне повідомлення, 58.82kb.
• Програма конференції: 29 жовтня 2009 заїзд учасників конференції 30 жовтня 2009, 262.92kb.
• Програма проведення конференції 11 квітня 2011 року приїзд учасників конференції, 80.08kb.
• М. Ужгород перелік відомостей навчального кабінету з фізики, 831.37kb.
• Проект (варіант) змісту (структури) Національної доповіді «Уроки Чорнобильської катастрофи, 42.73kb.
• Лізаційних процесів у світовій економіці матеріали першої міжнародної науково-практичної, 6413.4kb.
• І нформац ійн е по відомлення про мнпк «с іе т-2011», 80.99kb.
• Програма конференції «Актуальні питання клінічної медицини» програма конференції «Мікроелементози, 8571.39kb.
• Програма співбесіди Для абітурієнтів, що вступають на факультет психології, 122.73kb.

17:30 Закриття конференції


СТЕНДОВІ ДОПОВІДІ


Секція 1 Стендові доповіді С1-1-35


Л.І.Панасюк, В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-450⁰К

С. К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило ХАРАКТЕР ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗМІН ФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КВАНТОВИХ ТОЧОК InAs

Хандецький В.С., Тонкошкур Ю.О., Мартинович Л.Я. БЕЗКОНТАКТНІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОВІДНОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВОК

Д. Степанчиков Можливість генерації когерентних станів екситонів у фосфідах A₃^IIB₂^V

Луньов С.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.І. Про параметри Δ₁ –мінімумів в n-Ge

А.Г. Кевшин, В.В. Галян, Г.Є. Давидюк, М.В. Шевчук Вплив температури на фотолюмінесцентні властивості склоподібних сплавів системи Ag_0,05Ga_0,05Ge_0,95S₂–Er₂S₃

В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, Л.І.Панасюк, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-450⁰К

В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, Л.І.Панасюк, С.А.Федосов Тензорезистивні ефекти у сильно деформованих слабкоізоляторних кристалах p-Si(B) при Т=4,2К

Д.И. Блецкан, К.Е. Глухов, В.Н. Кабаций, В.В. Вакульчак Электронная структура кристаллического и стеклообразного GеS₂

Д. И. Блецкан, К. Е. Глухов, В. Н. Кабаций Электронная структура кристаллов GeSe с вакансиями германия и примесью висмута по данным квантово-химических ab initio расчетов и экспериментов по фотопроводимости

М.М. Блецкан, К.Е. Глухов, А.А. Грабар Влияние полиморфизма на электронную структуру SnS

С. К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило ХАРАКТЕР ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗМІН ФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КВАНТОВИХ ТОЧОК InAs

Ящинський Л.В., Коваль Ю.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А. Вплив опромінення на фізичні властивості монокристалів антимоніду кадмію

І.П. Студеняк, В.Ю. Ізай, В.В. Панько, P. Kúš, A. Plecenik, M. Zahoran, J. Greguš, T. Roch Люмінесценція та край оптичного поглинання в імплантованих фосфором кристалах Cu₆PS₅I

Студеняк І.П., Пономарьов В.Є, Kranjčec M., Мінець Ю.В., Сусліков Л.М. Особливості композиційного розупорядкування в кристалах твердих розчинів Cu₆PS₅I_1-xCl_x

В.І.Горбенко дослідження умов поверхневої дифузії атомів водню, вуглецю та кисню на графені

П.М.Буківський ,Ю.П.Гнатенко, І.О.Фарина, Р.В.Гамерник, А.С.Опанасюк, В.В.Косяк ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ТА СТРУКТУРНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК Cd_1-XMn_XTe

Б. Бекіров, І. Іванченко, Н. Попенко, О. Житлухіна, K. Ламонова, C. Орел,

Ю. Пашкевич, А. Мельник, В. Трачевський, Л. Паранчич Дослідження розбавлених магнітних напівпровідників HgSe:Fe зі змішаною валентністю методом ЕПР

Кислий В.П., Ліптуга А.І., Мороженко В.О., Піпа В.Й. Визначення кута Фарадея в напівпровідникових плоскопаралельних шарах та структурах

О.В Шуста, О.Г Сливка, П.П Гуранич, В.С.Шуста Вплив високого гідростатичного тиску на релаксаційну поведінку діелектричних властивостей кристалів СuCr_xIn_1-xP₂S₆

Туровська Л.В., Бойчук В.М., Юрчишин Л.Д., Галущак М.О., Ткачук А.І. Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у термоелектричних кристалах телуридів олова, свинцю і германію

Шевчук М.О., Бойчук В.М., Туровська Л.В., Горічок І.В. Моделі точкових дефектів і електричні властивості кристалів SmS, SmSe, SmTe

О.О.Грабар, І.М.Стойка, І.П.Пріц, О.О.Молнар, К.М.Ренгач, Ю.М.Височанський ФОТОРЕФРАКТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ СЕГНЕТОНАПІВПРОВІД-НИКОВИХ КРИСТАЛІВ Sn₂P₂S₆

Т.Ю. Попик, О.Б.Шпеник, Ю.В. Попик, В.М. Фейер Низькоенергетична (0 10 еВ) ЕЛЕКТРОННА СПЕКТРОСКОПІЯ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Туровська Л.В., Бойчук В.М., Юрчишин Л.Д., Галущак М.О., Ткачук А.І. Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у термоелектричних кристалах телуридів олова, свинцю і германію

Н.И.Карась Два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

М.Д. Тимочко, Я.М. Оліх Дослідження електрично-активних дефектів методом імпульсної акустопровідності

Yu. Nasieka, L.Rashkovetskyi, O.Strilchuk, P.Moskvin, B.Danilchenko Effect of the thermal treatment on the photoluminescence properties of gamma-irradiated CdZnTe crystals

К.К.Товстюк Порівняльний термодинамічний аналіз електроного газу у сильноанізотропних напівпровідниках для двох моделей

Беляев С.В., Даулетмуратов Б.К., Левицкий С.Н., Трищук Л.И. Неконтролируемое загрязнение в детекторном CdTe.

Беляев С.В., Гнатюк В.А., Левицкий С.Н., Трищук Л.И. Аннигиляция радиационных дефектов в детекторном CdTe

С.Г.Фелінський, П. А. Коротков, Г.С.Фелінський Вплив анізотропії на формування від’ємної діелектричної проникності в кристалах

Ф.М. Воробкало, В.М. Бабич, М.М. Лучкевич, В.М. Цмоць ВЗАЄМОЗВЯЗОК ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ, МАГНІТНОЇ СПРИЙНЯТЛИВОСТІ ТА МЕХАНІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ У ПЛАСТИЧНО ДЕФОРМОВАНОМУ КРЕМНІЇ

С.Я. Горощенко ЗАКОН ДИСПЕРСИИ ДЛЯ ПОПЕРЕЧНЫХ КОЛЕБАНИЙ В ДВУМЕРНЫХ ЗИГЗАГ-СТРУКТУРАХ ЗАРЯДОВ

С. Прислопский, И. Тигиняну, Л. Гимпу, Э. Монайко, Л. Сырбу, С. Гапоненко Эффект обратного светорассеяния в пористых полупроводниковых структурах


Секція 2 Стендові доповіді С2-1-35


Л.А. Карачевцева, Л.О. Матвеєва, В.Ф. Онищенко, Ф.Ф. Сизов, О.Й. Стронська Електрооптичні ефекти в двовимірних структурах макропористого кремнію

V.N. Krivoruchko, V. N. Toichkin First-principles calculation of spin-dependent tunneling conductance of an epitaxial TbCo₅|Pr₂O₃|TbCo₅ junction

Бойчук В.І., Гольський В.Б., Сокольник О.А., Шаклеіна І.О. Квантові переходи в гетероструктурах з двошаровими квантовими точками у формі витягнутих сфероїдів

Ткач М.В., Матієк В.О., Фартушинський Р.Б. Транспортні властивості трибар’єрних резонансно-тунельних структур зі зміщеними основами квантових ям

Сеті Ю.О., Бойко І.В., Войцехівська О. М. Провідність електронного потоку крізь двобар’єрну наноструктуру з урахуванням міжелектронної взаємодії

О.Маханець, Н.Цюпак, О.Войцехівська ЕКСИТОННИЙ СПЕКТР У СКЛАДНИХ ШЕСТИГРАННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ НАНОТРУБКАХ

Гуцул В.І., Грищук А.М. Потенціал поля поляризації та енергетичний спектр фононів у багатошарових наноплівках

Білинський І.В., Шевчук І.С. Вплив поляризаційних фононів на електронні, діркові та екситонні стани у квантовій точці з виродженим зонним спектром

Бойчук В.І., Білинський І.В., Сокольник О.А., Пазюк Р.І. Вплив форми квантової точки на ймовірність оптичних переходів та коефіцієнт міжрівневих переходів

С.Б. Феодосьев, Н.В. Годованная, И.А. Господарев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко Колебательные характеристики одномерных нанообразований в объеме и на поверхности кристаллов

И.А. Господарев, A. Feher, В.И. Гришаев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко, Е.В. Манжелий, Е.С. Сыркин, С.Б. Феодосьев Влияние локальных дефектов на электронный спектр графена

Р.В. Конакова, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный Оптические и морфологические характеристики слоев графена, полученных на подложках карбида кремния

О.Ю. Ананьїна, П.О. Бутрімов, О.В. Северіна Вплив точкових дефектів на енергетичні параметри адсорбції водню на графені

Тулупенко В.Н., Белых В.Г., Беличенко Я.Г. Расчет волновых функций и энергетического спектра дырок в одномерных гетероструктурах

Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Наблюдение анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, x = 0,24)¹

Бойчук В.І., Вороняк Л.Я., Вороняк Я.М. Енергетичний спектр полярона складного квантового дроту GaN/ZnO/GaN у матриці AlN кристалів гексагональної симетрії

В.В. Стрельчук, А.С. Ніколенко, M.Я. Валах, В.O. Губанов, M.M. Білий, Л.А. Булавін Особливості електрон-фононних резонансів в одношаровому графені та їх дослідження засобами резонансної мікро-КРС спектроскопії

Белевский П.А., Винославский М.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. ИК излучение в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле

Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Корецький Р.М. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si

Калитчук С. М., Корбутяк Д. В., Токарєв С. В., Ільчук Г. А., Токарєв В. С. Синтез та оптичні властивості нанокристалів CdS

А.В.Ткаченко, Г. Р. Мікаєлян КВАНТОВО-ХІМІЧНЕ ДОСЛІДЖЕННЯ АДСОРБЦІЇ КИСНЮ НА ПОВЕРХНІ Si(100)

Ліщинський І.М., Литвин П.М., Салій Я.П., Бачук В.В., Яворський Я.С. Топологія та особливості процесів оствальдівського дозрівання в нанометрових шарах PbTe

Л.Ю.Хархаліс, Д.М.Берча, В.А.Шендеровський ЕЛЕКТРОН - ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ ТА ОСОБЛИВОСТІ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ КРИСТАЛІВ

О.Б. Охрименко, А.Е. Беляев, Ф.Ф. Коломыс, Р.В. Конакова, О.С. Литвин, В.В. Стрельчук, А.М. Светличный, Е.Ю. Волков Спектры комбинационного рассеяния света пленок графена на подложках 6Н-SiC

Гуденко Ю.М., Пилипчук О.С., Вайнберг В.В., Порошин В.М., Тулупенко В.М. Магнітоопір гетероструктур p-Si_1-xGe_x/Si з дельта-легованими квантовими ямами

Головацький В.А., Франків І.Б., Власенко М. Еволюція електронного спектру у двошарових сферичних квантових точках з донорною домішкою при зміні ширини квантової ями

О.І. Власенко, В.П. Велещук, М.І. Бойко Дослідження механізмів масопереносу на поверхні CdTe та GaAs при імпульсному лазерному наноструктуруванні

Крамар В.М., Пуганцева О.В. ВПЛИВ ПОЛЯРИЗАЦІЇ ТА ЕКСИТОН-ФОНОННОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ПОЛОЖЕННЯ ДНА ОСНОВНОЇ ЕКСИТОННОЇ ЗОНИ У НАНОПЛІВЦІ PbI₂

К.К.Товстюк Залежність ширини забороненої зони у наноструктурі Zn_0,943Be_0,057Se-ZnSe- Zn_0,943Be_0,057Se- Zn_0,9Be_0,057Mn_0,05Se залежно від її конфігураційних особливостей та прикладеного магнітного поля

Д.А. Самодуров, С.В. Чертопалов Барьер Шоттки на основе фуллерита С₆₀

+А.В. Наумов, А.Е. Беляев, С.А. Витусевич, В.В. Наумов Диагностика и моделирование электронного транспорта в квантовых наноструктурах на основе нитридов GaN/AlGaN

+А.А. Пикалов, Д.В. Филь Образование стационарных волн в сверхтекучем газе магнитоэкситонов в двухслойных системах

V.V. Il’chenko, L.G. Il’chenko, V.V. Lobanov About the electrostatic potential

in the semiconductor - vacuum - metal contact

Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. ОТРИМАННЯ НАДГРАТКИ РOR-INP/MONO-INP

Омельченко С.А., Горбань А.А., Хмеленко О.В. Спектроскопические исследования наноразмерного оксида цинка


Секція 3 Стендові доповіді С3-1-37.


В.В.Егоров, М.А.Глауберман, Н.А.Канищева, В.В.Козел ВЛИЯНИЕ НЕОДНОРОДНОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА РАЗНОСТЬ КОЛЛЕКТОРНЫХ ТОКОВ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА

Ш.Д.Курмашев, И.М.Викулин, В.И.Стафеев ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛЯТОРОВ

Е.А. Наздеркин, А.С. Мазинов, А.В. Каравайников Влияние оптического покрытия на эффективность фотоэлектрических элементов с аморфными полупроводниковыми слоями

А. В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В.С. Варавин,
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев Электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава

А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая Компьютерное моделирование кремниевых солнечных элементов с вертикальными p–n переходами

Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.О. Мухльо, П.М. Литвин, Л.І. Велігура, З.Л. Денисова Лазерна генерація в хвилеводній ZnS:Cr-структурі при електричній накачці з ударним механізмом збудження

М.В. Вуйчик, С.Р. Лаворик, З.Ф. Цибрій, Є.О. Білевич, К.В. Свєженцова Вирощування гетероструктур CdTe/PbTe та їх оптичні дослідження в ІЧ-діапазоні спектру

З.Ф. Цибрій, В.В. Забудський, Вуйчик М.В., Н.І. Кухтарук, М.В. Апатська, М.І. Смолій, Н.В. Дмитрук, С.Г. Бунчук, К.В. Андрєєва Приймачі випромінювання ТГц/суб-ТГц діапазону спектра на основі CdHgTe

С.І. Ющук, С.О. Юр’єв, В.Й. Коломієць, В.І. Лобойко, С.П. Дубельт ПЕРЕЛАШТОВУВАНИЙ НАДВИСОКОЧАСТОТНИЙ ГЕНЕРАТОР З РЕЗОНАТОРОМ НА ПЛІВЦІ ЗАЛІЗО-ІТРІЄВОГО ГРАНАТА

Возняк Ю.В., Новосядлий С.П., Сорохтей Т.Р., Кіндрат Т.П., Марчук С.М. Моделі напівізолюючих арсенідгалієвих шарів при їх формуванні компенсуючою багатозарядною імплантацією

Кіндрат Т.П., Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р., Марчук С.М. Особливості гетерної технології на GaAs-структурах

Г. Карчевский, В.П. Махний, В.В. Мельник, С.В. Хуснутдинов ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe/CdTe, ВЫРАЩЕННЫХ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИЕЙ

М.В. Ермоленко, В.В. Станкевич, О.В. Буганов, С.А. Тихомиров, С.В. Гапоненко Полностью оптический модулятор для нескольких длин волн

Кравців М.М., Бойчук В.І., Пелещак Р.М .,Шпотюк О.Й. Прикладні аспекти досліджень фотоелектретного стану в органічному полікристалічному напівпровіднику класу похідних дифенілу

Дмитриев А.И. Ван-дер-Ваальсова поверхность InSe как стандарт нанорельефа в метрологии нанообъектов

А.В.Приходько, А.Н.Горбань Потери мощности ФЭП из рафинированного металлургического мультикристаллического кремния, вызванные паразитными омическими сопротивлениями

О. Оберемок, В. Литовченко, І. Хацевич, В. Мельник, В. Попов, Д. Гамов, В. Нікірін Вплив імплантації іонів вуглецю на формування кремнієвих нанокластерів в SIMOX структурах

М. Ваків, Р. Головчак, Д. Чалий, М. Шпотюк, С. Убізський Особливості формування валентних зон напівпровідникових стекол As-Ge-Se

В.І. Гавриш Моделювання температурних режимів у конструктивних елементах мікроелектронних пристроїв із чужорідними наскрізними включеннями

Шевчик-Шекера А.В. NEP ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО И СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНОВ. Расчет их предельных значений

А. Пастушенко, А. Сариков, А. Климовская Эволюция капель золота на поверхности кремния

Оліх О.Я., Онисюк С.В. Особливості динамічного ультразвукового впливу на -опромінені кремнієві m-s-структури

Быткин С.В., Критская Т.В. Радиационная деградация времени жизни неосновных носителей заряда в тиристорах на основе

Бондаренко О.В., Степанов Д.М. Самонесучий оптичний кабель в умовах фізико-кліматичних навантажень

Птащенко О.О., Птащенко Ф.О., Довганюк Г.В. Механізми підсилення поверхневого струму в переходах, індукованого адсорбційними процесами

Сукач А.В., Тетьоркін В.В., Стратійчук І.Б., Шевченко М.В. МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ ПОТЕНЦІАЛЬНОГО БАР’ЄРУ В СТРУКТУРАХ Au/p-CdTe

В.Кормош, И. Алякшев, М.Ивановская , Е. Оводок Полупроводниковые микросенсоры для контроля микроконцентраций СО в воздухе

V.Abaskin, E. Achimova Using the optical code for simulation of the fiber-optic ESPI set-up design

М.В.Голубенко, М.М.Мездрогина, С.В.Разумов Формирование спектров излучения внутрицентровых 4f переходов легирующих примесей РЗИ ( Eu,Sm,Er,Tm,Yb) в монокристаллических пленках ZnO

Г. І. Сингаївська, В. В. Коротєєв Ефект анізотропії високочастотної провідності, що наведена електричним полем в компенсованому GaN

С.Г.Фелінський, Г.С.Фелінський Антивідбиваючі канали у терагерцових спектрах кристалів

Sergii Chertopalov, Tsukasa Yoshida ZnO/polymer-fullerene hybrid solar cell

П.Л. Нелюба, Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А.Матвеева ПРЕИМУЩЕСТВО МИКРОРЕЛЬЕФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКЕ

Беляев С.В., Гнатюк В.А., Левицкий С.Н., Кравецкий М.Ю. Особенности произведения µτ в детекторном CdTe

О.Б. Охрименко, А.А. Коломыс, Р.В. Конакова, В.В. Стрельчук, А.М. Светличный Спектры комбинационного рассеяния слоев пористого карбида кремния с нанесенной пленкой титана

+N.D. Vorzobova, V.G. Bulgakova, Yu.E. Burunkova, A.I. Moskalenko The process of periodic structures fabrication in nanocomposite materials


Секція 4 Стендові доповіді С4-1-100.


Павлович І.І., Томашик В.М., Томашик З.Ф., Стратійчук І.Б., *Копил О.І. ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ НА ОСНОВІ Ві₂Те₃ ТРАВНИКАМИ H₂O₂–HBr–МОДИФІКАТОР В’ЯЗКОСТІ

Балабай Р.М. Пасивація епітаксіальних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

+Терлецкая Л.Л., Копыт Н.Х., Голубцов В.В. ДИАГНОСТИКА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ КОМПЬЮТЕРНОЙ ДИЭЛЬКОМЕТРИИ

Hовиков В. А., Хрипунов Г.С., Копач Г.И., Шкалето В.И. Физико-технологические основы газовых датчиков адсорбционно-полупроводникового типа на основе пленок оксида олова

Е.П. Прокопьев, В.И. Графутин, С.П.Тимошенков Возможное Влияние нанообъектов на свойства полупроводников по данным позитронных аннигиляционных спектров.

О.П. Малик , Г.В. Кеньо Взаємодія носіїв заряду з близькодіючим потенціалом дефектів в нітриді галію

Рибак О.В., Біленька О.Б. Технологія вирощування та оптична діагностика кристалів PbI₂, легованих міддю

Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р.Копач, В.М. Любов, А.В. Копач, Д.А. Кудій Структура і фізичні властивості шарів кадмій сульфіду, одержаних рідиннофазним хімічним осадженням

Карачевцева Л.А., Покровський В.О., Литвиненко О.О., Паршин К.А., Севериновська О.В., Орел І.Л. Іонізаційна підкладка на основі макропористого кремнію для лазерно-десорбційної мас-спектрометрії

Ш.Д.Курмашев, И.М.Викулин, И.И.Синина 2D- ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ Cd_xHg_1-xTe ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ РАДИАЦИИ

Ш.Д.Курмашев, Т.Н.Бугаева, Т.И.Лавренова, Н.Н.Садова ПЕРКОЛЯЦИОННЫЕ ТОКИ В ГЕТЕРОФАЗНЫХКОМПОЗИТАХ “СТЕКЛО-КЛАСТЕРЫ Ag-Pd”

P.O. Gentsar, O.І. Vlasenko, М.V. Vuichyk, М.S. Zayats, М.P. Kyselyuk, Ts.А. Kryskov Characteristics of optical reflection of thin GaSe/n-Si(100) and GaSe/n-Si(111) films in visible and infrared spectral regions

П.О. Генцарь, О.І. Власенко, М.В. Вуйчик, М.С. Заяць, М.П. Киселюк,
Ц.А. Криськов, І.В. Кругленко, К.В. Свєженцова Особливості росту та оптичні дослідження тонких плівок InSe/n-Si

Генцарь П.О., Власенко О.І., Вуйчик М.В., Гнатюк В.А., Заяць М.С., Левицький С.М.,
Насєка Ю.М., Стрільчук О.М., Маслов В.П. Оптичні дослідження високоомних монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe (x=0,1)

Бурлак Г.М., Вилинская Л.Н. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕЧЕНИЯ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК ТАНТАЛА В КОНТАКТЕ С ЭЛЕКТРОЛИТОМ

М.Д. Раранський, В.Н. Балазюк, М.І. Мельник, В. О. Хандожко Структурна стабільність та характер хімічного зв’язку ізоаніонного ряду напівпровідникових сполук ZnTe→CdTe→HgTe

Гуцул І.В., Гуцул В.І. Особливості нестаціонарного розподілу температури анізотропного термоелемента при імпульсному збудженні

Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.В. Сопінський, З.Л. Денисова, Л.І. Велігура, Є.Г. Гулє, М.А. Мухльо Електронні стани на поверхні кремнію після напилення та відпалу плівки SiO_x

Н.А. Власенко, М.В. Сопінський, Є.Г. Гулє, В.Я. Братусь, В.В. Стрельчук, Л.І. Велігура, А.С. Ніколенко, М.А. Мухльо Вплив легування фторидом ербію на структуру та фотолюмінесценцію плівок SiO_х

Чухненко П.С., Томашик В.М., Стратійчук І.Б., Томашик З.Ф. Хіміко-механічне полірування нелегованого та легованого CdTe травниками (NH₄)₂Cr₂O₇ – HCl – цитратна кислота/етиленгліколь.

Третяк А.П., Божко В.В., Давидюк Г.Є., Булатецька Л.В., Парасюк О.В., Семенюк С.А. Залежність оптичних та фотоелектричних параметрів твердих розчинів AgCd_2-xMn_xGaSe₄ від природи і концентрації структурних дефектів

А.В. Линник, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов Исследование наноразмерных полупроводниковых пленок на поверхности подложек из A^IIIB^V методом динамического зонда Кельвина

Ивановская М.И., Котиков Д.А. Синтез, структура, магнитные и электропроводящие свойства нанокомпозитов SiO₂–Fe₂O₃

Г И. Котов, Н.Н. Безрядин, С.В. Кузубов, Ю.Н. Власов, А.В. Кортунов, Г.А. Панин Структурно-фазовые превращения и электронные процессы на поверхности полупроводников A^IIIB^V после обработки в парах селена

А.І. Манілов, В.А. Скришевський, С.О. Алексєєв, Г.В. Кузнєцов Вплив сорбції молекулярного водню на імпеданс мембран поруватого кремнію та його композитів з паладієм

Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Исследование влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe

М.М. Слетов, И.В. Ткаченко, Е.И. Черных, К.С. Ульяницкий ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР CdSe/CdTe

Коханенко А.П., Турапин A.M., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. Молекулярно–лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками

Оводок Е.А., Ивановская М.И. Особенности структуры и сенсорные свойства гетерофазных нанокомпозитов In₂O₃−SnO₂

Литвин П.М., Трунов М.Л., Дячинська О.М., Прокопенко І.В. Роль фотостимульованого поверхневого потенціалу у формуванні рельєфних граток в халькогенідних стеклах

Литвин П.М., Литвин О.С., Корчовий А.А., Литвин Ю.М., Гриценко К.П., Прокопенко І.В. Механічна зондова літографія для створення наноструктур різного призначення

Brus V.V. Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques

М. В. Луканюк, П.Д. Мар’янчук, Е.В. Майструк Температурний коефіцієнт зміни ширини оптичної забороненої зони кристалів Hg_1-x-yMn_xFe_yTe

І.П. Козярський, П.Д. Мар’янчук, Е.В. Майструк Температурна залежність ширини забороненої зони (3HgSe)_0.5(In₂Se₃)_0.5, легованого 3d-елементами

С.А. Савчук, І.Д. Столярчук, Г.І. Клето, A.Й. Савчук, В.І. Ткачук Морфологія поверхні та оптичні спектри тонких плівок оксидів ZnCoO, ZnNiO

А.Й. Савчук, П.М. Ткачук, І.Д. Столярчук, О.А. Савчук, М.М. Смолінський Структурні властивості нанокристалів ZnO та ZnMnO синтезованих методом лазерної абляції в рідині

М.М. Смолінський, А.Й. Савчук, П.М. Ткачук, В.І. Ткачук, В.І. Гарасим Вплив концентрації прекурсорів на оптичні властивості нанокристалічних порошків ZnO, синтезованих ультразвуковою розпорошуючою технікою

В.Д.Попович, M.Bester, І.С.Вірт, M.Kuzma, М.Ф.Білик Визначення часів життя носіїв заряду у вирощених сублімацією монокристалах CdTe:Cl методом нестаціонарної фотопровідності

Якимчук О.В., Мирончук Г.Л., Парасюк О.В., Давидюк Г.Є. Електричні і оптичні властивості тетрарних халькогенідних сполук AgGaGeS₄

І.В. Курило, Г.А. Ільчук, С.В. Лукашук, І.О. Рудий, В.О. Українець, М.В. Чекайло МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ ШАРІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

Р.Р.Росул, П.П.Гуранич, О.О.Гомоннай, О.Г.Сливка, І.Ю.Роман, М.Ю. Риган, О.В. Гомоннай Фазові переходи низьковимірних сегнетоелектриків TlIn(S_0.9Se_0.1)₂

Onanko A.P., Kulish M.P., Lyashenko O.V., Prodayvoda G.T., Vyzhva S.A., Onanko Y.A., Kiselyuk M.P. CONTROL OF DEFECT NANOSTRUCTURE FROM INTERNAL FRICTION BACKGROUND IN Si + SiO₂ PLATES

Onanko A.P., Kulish M.P., Lyashenko O.V., Prodayvoda G.T., Vyzhva S.A., Onanko Y.A., Kiselyuk M.P. INFLUENCE OF MECHANICAL TREATMENT, CHANGING OF DEFECT NANOSTRUCTURE ON INTERNAL FRICTION IN Si AND SiO₂

Горічок І.В., Писклинець У.М. НАПІВЕМПІРИЧНІ МЕТОДИ РОЗРАХУНКУ ЕНЕРГІЙ УТВОРЕННЯ ВАКАНСІЙ У НАПІВПРОВІДНИКАХ II-VI

А.А. Ащеулов, І.В. Гуцул, О.М. Маник, Т.О. Маник Дослідження температурних залежностей енергетичних характеристик твердих розчинів СdSb-ZnSb

А.А. Ащеулов, О.М. Маник, А.Й. Савчук, В.Р. Білинський-Слотило Дослідження структури та хімічного зв’язку FeSe

Берченко М.М., Фадєєв С.В., Василечко Л.О., Савчин В.П. Порівняльний аналіз процесів термічного оксидування вузькощілинних напівпровідників A^IIB^VI та A^IVB^VI.

Шевчук В.Н., Усатенко Ю.М. ДОСЛІДЖЕННЯ ЕПРНАНО- ТА МОНОКРИСТАЛІВ V₂O₅

A.I. Ievtushenko, G.V. Lashkarev, V.I. Lazorenko The influence of oxygen pressure on ZnO:Al films properties

Мілованов Ю.С., Гаврильченко І.В., Кузнецов Г.В., Скришевський В.А. ІНЖЕКЦІЙНІ СТРУМИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ОКСИД ТИТАНУ – КРЕМНІЙ

R. K. Savkina SEMICONDUCTOR SURFACE MODIFICATION AS A RESULT OF THE ACOUSTIC CAVITATION

Р. С. Удовицкая, Р. К Савкина,Ф. Ф. Сизов, А. Б. Смирнов СВОЙСТВА СТРУКТУР n- Cd_хHg_1-хTe/CdZnTe (х = 0,223) РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ B⁺ И Ag⁺

О. Б. Смірнов ВПЛИВ СПЕЦІАЛЬНИХ ОБРОБОК НА СТАН ПОВЕРХНІ ТА ВЛАСТИВОСТІ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

А. В. Терещенко, А. Кусевич, Р. В. Вітер, В. А. Сминтина Вплив літію на структурні та оптичні властивості оксидтитанових нановолокон, отриманих методом електроспінінгу

Наконечний І.Й., Фочук П.М., Панчук О.Е. Електричні властивості детекторних кристалів Cd_0.9Zn_0.1Te за високих температур

Дикун Н.І., Запухляк Р.І., Терлецький А.І., Фрик О.Б. КОМІРКА ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ ПАРАМЕТРІВ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ СТАЦІОНАРНИМ МЕТОДОМ

Новосад О.В., Божко В.В., Давидюк Г.Є., Козер В.Р., Парасюк О.В. Фоточутливість структур In/n-Cu_1-х Zn_хInS₂ (х=0,04-0,12)

Герасимик О.Р., Божко В.В., Новосад О.В. Електропровідність та термо-ЕРС твердих розчинів CuInSе₂–CdS

Р.Р.Росул, П.П.Гуранич, О.О.Гомоннай, О.Г.Сливка, І.Ю.Роман, М.Ю. Риган, О.В. Гомоннай Барична поведінка діелектричних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників TlIn(S_0.97Se_0.03)₂

М.С.Фур’єр, П.М.Буківський, Р.В.Гамерник, Ю.П.Гнатенко, І.Г.Вертигел, О.І.Овчаренко ЕНЕРГЕТИЧНА ТА КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Pb_1-XCd_XI₂

Л. Д. Паранчич, В. Н. Макогоненко, М. Д. Андрийчук, В. Р. Романюк, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, А. Т. Лончаков, К. А. Окулова, С. М. Подгорных Эффекты гибридизации электронных состоянийпримесей кобальта в селениде ртути

І.В. Курило, Г.А. Ільчук, С.В. Лукашук, І.О. Рудий, В.О. Українець, М.В. Чекайло МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ ШАРІВ ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

Хомяк В.В., Сльотов М.М.^*, Косоловський В.В., Сльотов О.М. Люмінесцентні властивості шарів ZnO

Баскевич А.С., Буланый М.Ф., Дяденко А.И., Коваленко А.В., Омельчук А.Р., Полозов К.Ю., Скуратовская Е.В. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ZnO, ВЫРАЩЕННЫХ НА АЛЬТЕРНАТИВНЫХ ПОДЛОЖКАХ МЕТОДАМИ MOCVD И CVD

R. Bilanych, A. Kohutych, A. Molnar, V. Samulionis, S. Perechinskii, S. Motrya, I. Stoika, Yu. Vysochanskii Griffiths phases on state diagram of Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆ ferroelectrics

В.М.Иванов, Ю.В.Трубицын Поисковые лабораторные исследования катализаторов для гидрирования тетрахлорида кремния

Ліщинський І.М., Соколов О.Л., Потяк В.Ю., Лоп’янко М.А., Литвин П.М. Механізми росту і топологія наноструктур на основі кадмій телуриду

Поперенко Л.В., Лендєл В.В., Одарич В.А., Раков М.В., Юргелевич І.В. Діагностика тонких плівок оксиду цинка еліпсометричним методом

Ільченко В.В., Телега В.М., Кулик С.П., Коваленко В.С. Вплив іонного бомбардування на морфологію поверхні плівок SnO₂

Гнатюк Д.В., Поперенко Л.В., Юргелевич І.В., Левицький С.М Атомно-силова мікроскопія та еліпсометрія монокристалів CdTe(111) після лазерної та хімічної обробок

В.В. Прокопів Вплив умов вирощування на дефектну підсистему плівок плюмбум седеніду

T. N. Shchurova, V. Yu. Klevets, N. D. Savchenko, I. I. Opachko, A. G. Slivka, K. O. Popovic Electronic structure for Mn-doped Sn₂P₂Se₆ compounds

Милян П.М., Семрад Е.Е., Милян Ж.И., Кун А.В., Соломон А.М. Термодинамический анализ тройной системы Pb-Sb-O

Милян Ж.І., Хижун О.Ю. Електронні властивості шпінелей Cu₂B^IITi₃S₈ (B^II-Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cd)

Д.Н.Хмиль, А.М.Камуз, П.Ф.Олексенко, В.Г.Камуз, Н.Г.Алексенко, О.А.Камуз ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ПОГЛОЩЕНИЯ КОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ФОТОЛЮМИНОФОРНЫХ СУСПЕНЗИЙ

Д.Н.Хмиль, А.М.Камуз, П.Ф.Олексенко, В.Г.Камуз, Н.Г.Алексенко, О.А.Камуз МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КОМПОЗИТНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ ФОТОЛЮМИНОФОРНОЙ СУСПЕНЗИИ

Фомин А.В., Кравецкий М.Ю., Пащенко Г.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭВОЛЮЦИИ ДЕФЕКТОВ РЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ПРИ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОМ ПОЛИРОВАНИИ

Фомин А.В., Кравецкий М.Ю. Пащенко Г.А. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В ПОРИСТОМ GaAs, ПОЛУЧЕННОМ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

A.Sarikov Strain effect on the phase separation in non-stoichiometric silicon oxide films

Критская Т.В., Матюшин. В.М., Жавжаров Е.Л. Влияние среды на выращивание монокристаллов на

Сафрюк Н.В., Кладько В.П., Кучук А.В., Литвин П.М., Мачулін В.Ф., Бєляєв О.Є. Рентгеноструктурні дослідження багатошарових III-нітридних структур

В.С. Солнцев, Т.И. Горбанюк, В.Г. Литовченко Адсорбційні та електрофізичні властивості наноструктурованого оксиду вольфраму

І. С. Коломієць, С. М. Савенков, Є. А. Оберемок Умови ортогональності власних поляризацій для однорідних середовищ з комбінацією двох видів анізотропії

Шевченко И.В., Оксанич А.П., Тербан В.А. ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ МОНИТОРИНГА ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Оксанич А.П., Седин Е.А. Разработка метода для исследования деформаций кремниевых эпитаксиальных структур

Козьма А.А., Переш Є.Ю., Барчій І.Є., Беца В.В., Попик Ю.В., Цигика В.В. Термоелектричні властивості проміжних сплавів квазіпотрійної системи Tl₂Se-SnSe₂-Bi₂Se₃

Бачериков Ю.Ю., Жук А.Г., Оптасюк С.В., Охрименко О.Б., Кардашёв К.Д., Козицкий С.В. Роль различных низкоэнергетичных воздействий на люминесцентные характеристики ZnS:Mn, полученного методом одностадийного синтеза

В.М. Варварук, І.М. Ліщинський, П.М. Литвин, О.В. Стронський, I.Г. Кабан, В.М., Кланічка, М.М. Ілин Термодинаміка і структура халькогенідних стекол As₂S₃, As₂S₃–Ag, As₂S₃–AgI

Далекорей А.В., Іваницький В.П., Ковтуненко В.С., Мешко Р.О. ПРОБЛЕМИ МОДЕЛЮВАННЯ АТОМНОЇ СТРУКТУРИ НЕВПОРЯДКОВАНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВОК

М.В. Шпотюк, О.Й. Шпотюк, В.О. Балицька Фотоіндуковане дефектоутворення в тонких плівках халькогенідів миш'яку

B. Bureau, L. Calvez, R. Golovchak, O. Shpotyuk Structure of Se-based vitreous semiconductors by solid state ⁷⁷Se nuclear magnetic resonance spectroscopy

T. Kavetskyy, V. Tsmots, L. Pankiv, T. Petkova, K. Kolev, P. Petkov, A. Stepanov On the concentration of paramagnetic centers per cluster and magnetic ordered clusters in ion-conducting Ag/AgI-As₂S₃ chalcogenide glasses

T. Kavetskyy, P. Jóvári, I. Kaban, S.N. Yannopoulos, J. Borc, W. Wang, G. Chen, H. Eckert, A. Stepanov Structural investigations of chalcohalide glasses from the GeS₂-In₂S₃-AgI system

В.М. Кришеник, В.І. Мікла Фотоіндуковані динамічні ефекти в аморфних плівках As-S

О.Кондрат, Н.Попович, Р.Голомб, В.Лямаєв, Н.Цуд, О.Петраченков, П.Литвин, О.Литвин, В.Міца Лазерно індукована трансформація в приповерхневих наношарах плівок As_xSe_(100-x) (x=40, 50)

І.П.Студеняк, О.І. Шпак, І.М. Матіюк Оптико-рефрактометричний аналіз кристалічного і скловидного CdAs₂

М.М.Поп,, Р.М.Євич, С.І.Перечинський, І.І.Шпак, Ю.М.Височанський МАНДЕЛЬШТАМ-БРІЛЛЮЕНІВСКЕ РОЗСІЮВАННЯСВІТЛА В СКЛОВИДНИХ СПЛАВАХ СИСТЕМИ As - Sb – S

R.Holomb, V.Mitsa, S. Akyuz, E. Akalin Formation and characterization of Ge_nSe_m nanoclusters by results of ab initio DFT calculations

Паюк О. П., Стронський О. В., Губанова А. О., Криськов Ц. А, Олексенко П. Ф. Вплив легуючої домішки на магнітні властивості As₂Se₃

Колбунов В.Р., Каменецкий В.В., Ивон А.И., Куницкий Ю.А., Черненко И.М. Микроструктура и фазовый состав полупроводниковой стеклокерамики системы VO₂-ВФС-Cu₂O-SnO₂