Введение в специальность

Вид материала

Пояснительная записка

Содержание Тема 4.1. ФОТОЛИТОГРАФИЯ Примерный перечень лабораторных работ Основы систем автоматизированного Кафедра интеллектуальных систем Пояснительная записка

Подобный материал:

• Е. В. Арляпова введение в специальность «реклама», 1668.44kb.
• А. К. Мазуров введение в специальность, 3019.75kb.
• Рабочая учебная программа дисциплины «введение в специальность» для специальности, 107.59kb.
• Анализ и планирование трудовых показателей Аудит и контроллинг персонала Введение, 12.45kb.
• Рабочая программа дисциплины Введение в специальность специальность 032001 Документоведение, 55.23kb.
• Учебно-методический комплекс дисциплины Введение в литературоведение Специальность, 711.32kb.
• Учебно методический комплекс по дисциплине «Введение в специальность» Специальность, 2682.27kb.
• Курс Комплексный экзамен по циклам опд, сд и дисциплинам специализации: «Введение, 469.08kb.
• В г. Орске Специальность: 021100 «Юриспруденция» Дисциплина: Уголовное право Курсовая, 432.15kb.
• Введение в специальность, 1423.7kb.

Тема 4.1. ФОТОЛИТОГРАФИЯ

4.1.1. Общая структура процесса контактной фотолитографии. Позитивные и негативные фоторезисты. Подготовка поверхности технологического слоя: кремний, диоксид кремния, металл, фосфоросиликатное стекло. Контроль качества подготовки поверхности.

4.1.2. Нанесение фоторезиста на технологический слой. Сушка фоторезиста. Экспонирование, совмещение рисунка, проявление, задубливание.

4.1.3. Травление технологического слоя. Химическое жидкостное травление. Травление диоксида кремния, нитрида кремния, металлов.

4.1.4. Жидкостное и плазмохимическое удаление фоторезиста.

4.1.5. Взрывная фотолитография.

4.1.6. Фотолитография на микрозазоре.

4.1.7. Проекционная фотолитография.

4.1.8. Ограничения фотолитографии по разрешающей способности.


Тема 4.2. ПРОИЗВОДСТВО ФОТОШАБЛОНОВ

4.2.1. Основные термины и понятия. Генерация изображения. Маршруты изготовления фотошаблонов. Мультипликация. Рабочие копии. Защита фотошаблонов.

4.2.2. Цветные фотошаблоны.

4.2.3. Контроль параметров фотошаблонов. Основные виды дефектов и их определение. Ретушь и корректировка фотошаблонов.

Тема 4.3. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ


Тема 4.4. РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ


Тема 4.5. «СУХОЕ» ТРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ


Тема 4.6. КОНТРОЛЬ РАЗМЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ


Тема 4.7. ЭЛЕКТРОННО-ВАКУУМНАЯ ГИГИЕНА И ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

1. Окисление кремния в цикле сухой - влажный - сухой кислород.
   

2. Высокотемпературное легирование кремния бором и фосфором.

3. Ионное легирование кремния бором и фосфором.

4. Химическое травление технологических слоев.

5. Газофазная эпитаксия кремния.

6. Взрывная литография.

7. Получение алмазоподобных пленок.

8. Химическое удаление фоторезиста.

ЛИТЕРАТУРА

1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.
   
2. Моро У. Микролитография: принципы, методы, материалы. – М.: Мир, 1990.
   
3. Родионов Ю.А. Литография в производстве интегральных микросхем. – Мн.: Дизайн ПРО,1998.
   
4. Кисель А.М., Родионов Ю.А. и др. Химическая обработка в технологии ИМС. – Полоцк: ПГУ, 2001.
   
5. Технология СБИС: В 2 кн.: Пер. с англ. / Под ред. С.Зи. – М.: Мир, 1986.
   

Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики

и радиоэлектроники

« 03 » июня 2003 г.

Регистрационный № ТД-41-016/тип.


ОСНОВЫ СИСТЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО

ПРОЕКТИРОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ


Учебная программа для высших учебных заведений

по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные

технологии и системы


Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 28 » мая 2003 г.


Составитель

В.В. Нелаев, профессор кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», старший научный сотрудник, доктор физико-математических наук


Рецензенты:

В.Я. Степанец, доцент кафедры дифференциальных уравнений математической физики механико-математического факультета Учреждения образования «Белорусский государственный университет», кандидат технических наук;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусская государственная политехническая академия» (протокол № 7 от 21.03.2002 г.)


Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский
государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол
№ 7 от 04.03.2002 г.);

Научно-методическим советом по направлениям І-36 Оборудование и І-41 Компоненты оборудования УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 1 от 25.10.2002 г.)


Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.030-98.


Ответственный за редакцию: Н.А. Бебель

Ответственный за выпуск: Ц.С. Шикова

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Типовая программа «Основы систем автоматизированного проектирования в микроэлектронике» разработана в соответствии с Образовательным стандартом РД РБ 02100.5.030-98 по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные технологии и системы для высших учебных заведений.

Целями преподавания дисциплины являются изучение и овладение студентами систем автоматизированного проектирования (САПР) в микроэлектронике и приобретение практических навыков технологического и схемотехнического проектирования и моделирования интегральных микросхем (ИС).

В результате освоения курса «Основы САПР в микроэлектронике» студент должен:

знать:

• роль САПР в разработке и проектировании сверхбольших интегральных схем (СБИС);
  

• уровни проблем, решаемых в ходе разработки СБИС с использованием инструментариев САПР микроэлектроники;
  
• основные особенности этапов проектирования СБИС: физико-техно-
  логического, функционально-логического, схемотехнического, топологического;
  
• методы и средства автоматизированного проектирования СБИС;
  
• назначение и характеристики основных программных комплексов САПР микроэлектроники;
  

• основные тенденции развития и современные достижения методов и систем автоматизированного проектирования БИС и СБИС;
  

уметь характеризовать:

• физико-математические модели, лежащие в основе программных комплексов САПР микроэлектроники;
  

• методы решения задач, используемые в основных программных комплексах САПР микроэлектроники;
  

уметь применять:

• основные функциональные возможности программных пакетов САПР микроэлектроники на главных этапах процессов проектирования БИС и СБИС;
  
• методы анализа и синтеза при проектировании БИС и СБИС с использованием инструментариев САПР микроэлектроники;
  

приобрести навыки:

• самостоятельной работы в среде основных программных комплексов САПР микроэлектроники:
  
• анализа функциональных характеристик изделий микроэлектроники на основе результатов расчетов, получаемых с использованием прикладных пакетов САПР микроэлектроники.
  

Программа рассчитана на объем 115 аудиторных часов. Примерное распределение учебных часов по видам занятий: лекций – 66 часов, лабораторных работ – 49 часов.