Центры коллективного пользования российской академии наук москва 2004 удк центры коллективного пользования Российской академии наук

Вид материала

Документы

Содержание ЦКП «Исследования сильно-коррелированных систем в экстремальных условиях сверхнизких температур, высоких давлений, сильных элект Перечень оборудования ЦКП Методы исследований в ЦКП

Подобный материал:

• Перечень центров коллективного пользования научным оборудованием и экспериментальными, 92.65kb.
• Предварительная программа семинара «Нанотехнологии: современное оборудование, координация,, 16.53kb.
• Коллективного пользования оборудованием, 4176.52kb.
• Польской Академии Наук (ии пан), Варшава; Ищенко В. В. к и. н., заместитель директора, 45.13kb.
• В. А. Ацюковский вековой блеф, 590.48kb.
• 22 декабря 2011 г, 96.05kb.
• «утверждаю» в соответствии с постановлением Президиума Российской академии наук, 600.95kb.
• Организационная социальная психология, 4868.96kb.
• Создатель и первый президент Российской академии наук, 282.22kb.
• Общего собрания российской академии наук, 965.9kb.

ЦКП «Исследования сильно-коррелированных систем в экстремальных условиях сверхнизких температур, высоких давлений, сильных электрических и магнитных полей»

1. Структурное подразделение Физического Института им. П.Н. Лебедева РАН без образования отдельного юридического лица.

ЦКП создан на базе Отделений (институтов) ФИАН: Отделения физики твердого тела, Отделения теоретической физики, Оптического отделения.

Адрес ЦКП: Москва, Ленинский пр-т, 53

Тел.: (095)1326293, факс(095)1326780

E-mail:yuriale@mail1.lebedev.ru


Руководитель ЦКП: д.ф.м.н. Пудалов В.М.

Телефон (095)1354278, Факс (095)1326780

E-mail: pudalov@mail1.lebedev.ru


2. Приказ директора ФИАН № 5 от 9.02.2004г.


3. Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП;

Исследование мезоскопических систем, а также новых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и спинтроники;

Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках;

Исследование органических материалов;

Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций;

Исследование магнетизма и магнитных материалов.


4. Комплекс экспериментального оборудования ЦКП включает:

Оборудование для получения сильных магнитных полей;

Оборудование для получения низких и сверхнизких температур;

Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью высокого гидростатического давления;

Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью сильных электрических полей и управления концентрацией электронов в них (“электрическое легирование”);

Оборудование для проведения транспортных и магнитных измерений в экстремальных условиях сильных электрических и магнитных полей, низких температур и высоких давлений;

Инфраструктура/вспомогательные участки: криогенный, технологический, электронный, механический, замкнутая система сбора и хранения гелия, система хранения и подачи жидкого азота, замкнутая система оборотного водяного охлаждения.


Перечень оборудования ЦКП


Криогенное оборудование:

Гелиевый ожижитель 1 (Linde AG) 1984 18л/час

Гелиевый ожижитель 2 (CryogenicTechnology Incorporated) CTII-40 1977 15л/час

Система сбора, закачки, осушки и очистки He4 1988 2000м³ газа

Танки для жидкого азота ЦТК5, ЦТК1.25, ЦТК0.5 1988г. 6.75 м³


Криомагнитное оборудование

Криомагнитная система 1 с криостатом растворения He3/He4 1997 0.04К/12.5Т

Криомагнитная система 2 (Intermagnetics) 1975 1.5К/15Т

Криомагнитная система 3 2002 1.4K/12.5Т

Криомагнитная система 4 с варьированием температуры в широких пределах 1985 (1.4К-300К)/8Т и загрузкой образцов сверху

Испытательный стенд для испытания больших криомагнитных систем при 4.2К 1979 0.5м³


Измерительное оборудование

Автоматизированные измерительные установки (5шт) для измерений на постоянном токе

Keithely, National Instruments) 2002 10 нВ


Автоматизированные системы измерений на переменном токе с цифровой обработкой сигнала

Stanford Research /National Instruments 2003 0.01Гц-10кГц

Signal Recovery/National Instruments 1996 0.01Гц-15кГц


Комплект магнитометров:

- струнный,

- вибрационный,

- 3-осевой СКВИД-магнитометр LakeShore 1978 10^-9 CGS (H=0) 10^-7 CGS (H=2.5кЭ)

Аппаратура высокого давления

Гидравлический пресс для нагружения камер давления c автоматизированной измерительной системой (Vishay Measurements Group, Keithley) 2002 10тонн

Низкотемпературные немагнитные камеры гидростатического давления, сферические диаметром 16 мм 2000г. 2,5 ГПа

диаметром 20мм 2002г. 2,5 ГПа

Низкотемпературные немагнитные камеры высокого давления, цилиндрические

диаметром 32мм 2003г. 3 ГПа

диаметром 23мм 1999г. 3 ГПа


Методы исследований в ЦКП

Изменение (непосредственно в эксперименте) эффективной размерности исследуемой системы (от d=1 до 3) с помощью высокого давления и сильного магнитного поля;

Изменение концентрацию носителей в ходе эксперимента путем приложения высокого давления (до 3 ГПа) и сильного электрического поля (до 10⁹ В/м);

Изменение энергетического спектра и спинового состояния электронов в исследуемых материалах, воздействуя на них с помощью высокого давления, сильного электрического и магнитного полей;

Исследование как квантовых (волновые и спиновые ) так и классических процессов и явлений, путем измерений в широком диапазоне от сверхнизких (40мК) до высоких температур (300К);

Исследование свойств и явлений в системах с непрерывным и квантованным спектром, со свободными и полностью поляризованными электронными спинами, путем воздействия на исследуемые вещества с помощью сильного электрического и магнитного полей.


5. Возможность приема иногородних исследователей предусмотрена согласно Положению о ЦКП. Реальная возможность приема имеется при условии положительного решения Миннауки о финансировании ЦКП по заявке ФИАН.