Центры коллективного пользования российской академии наук москва 2004 удк центры коллективного пользования Российской академии наук
| Вид материала | Документы |
СодержаниеСибирский центр исследования поверхности Организации, относящиеся к СО РАН Microelectronic Engineering |
- Перечень центров коллективного пользования научным оборудованием и экспериментальными, 92.65kb.
- Предварительная программа семинара «Нанотехнологии: современное оборудование, координация,, 16.53kb.
- Коллективного пользования оборудованием, 4176.52kb.
- Польской Академии Наук (ии пан), Варшава; Ищенко В. В. к и. н., заместитель директора, 45.13kb.
- В. А. Ацюковский вековой блеф, 590.48kb.
- 22 декабря 2011 г, 96.05kb.
- «утверждаю» в соответствии с постановлением Президиума Российской академии наук, 600.95kb.
- Организационная социальная психология, 4868.96kb.
- Создатель и первый президент Российской академии наук, 282.22kb.
- Общего собрания российской академии наук, 965.9kb.
Сибирский центр исследования поверхности
1. ЦКП "Сибирский центр исследования поверхности" создан на базе Института физики полупроводников СО РАН как структурное подразделение в соучредительстве с Институтом катализа СО РАН им. Г.К.Борескова и Институтом неорганической химии СО РАН. (адрес 630090 проспект академика Лаврентьева,13, руководитель ЦКП – д.ф.-м.н. Латышев А.В., тел./факс: 33-10-80, e-mail: latyshev@thermo.isp.nsc.ru).
2. ЦКП создан в 2001 году и действует на основании «Положения о центрах коллективного пользования», утвержденного на заседании Президиума СО РАН от 1.11.01 г.
3. ЦКП специализируется в области исследований физико-химических свойств поверхности и границ раздела. Центр обеспечивает проведение исследований методами различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава; осуществляет оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии; выполняет химический анализ различными аналитическими методами; создает структуры пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики методами электронной и зондовой литографии широкого класса материалов из различных областей фундаментальной и прикладной науки, включая материаловедение, катализ, минералогию и биологию.
4. Приборный парк ЦКП:
- Сканирующий электронный микроскоп LEO-1430 фирмы LEO с разрешающей способностью 5 нм и приставкой для проведения локального химического анализа, (год выпуска 2002, ИФП СО РАН).
Атомно-силовые микроскопы SOLVER Р-47Н и P-7LS фирмы NT-MDT с размером сканируемой области 47x47мкм2 и 90x90мкм2, год выпуска 1999 и 2001, ИФП СО РАН).
СВВ установки для анализа поверхности методами Оже и РФЭС (Surface Science Center) и LAS-3000 фирмы RIBER (год выпуска 1988, ИФП СО РАН).
СВВ сканирующий туннельный микроскоп AFM/STM (RIBER– OMICRON), скан 5х5 мкм2 с разрешением 0,025нм (год выпуска 1996, ИФП СО РАН).
СВВ установка для анализа поверхности NANOSCAN-50, фирмы RIBER CAMECA (год выпуска 1990, ИФП СО РАН).
Установка вторичной масс-спектрометрии MIQ-256 CAMECA - (год выпуска 1989, ИФП СО РАН).
Электронный спектрометр «VG ESCALAB High Pressure – РФЭС, УФЭС, ДМЭ, ЭОС, ТДС (год выпуска 1981, ИК СО РАН).
Электронный спектрометр «VG ESCA-3» - РФЭС и ТДС – (год выпуска 1974, ИК СО РАН).
Электронный спектрометр с угловым разрешением «VG ADES-400” с разрешением 10 меВ, (год выпуска 1981, ИК СО РАН).
Сканирующий туннельный мультимикроскоп CMM2000, (год выпуска 1998, ИК СО РАН).
Сканирующий туннельный микроскоп GPI300, (год выпуска 1987, ИК СО РАН).
Высокоразрешающий электронный микроскоп с ускоряющим напряжением 400кВ JEOL-4000EX – разрешение по точкам 0,17 нм, по линиям- 0,1 нм (год выпуска 1990, ИФП СО РАН).
Высокоразрешающий электронный микроскоп JEM-2010, фирмы JEOL (год выпуска 1997, ИК СО РАН).
Электронный литограф ZBA-21 фирмы Carl-Zeiss c размером минимального штампа 200x200нм2 (год выпуска 1986, ИФП СО РАН.
Фотоэлектронный спектрометр”VG Microtech” – РФЭС и УФЭС, (год выпуска 1990, ИНХ СО РАН).
5. Исследования проводятся для организаций Сибирского региона без ограничений на ведомственную принадлежность. Подготовка образцов для исследований проводится силами персонала ЦКП.
Имеющееся у ЦКП научно-исследовательское и технологическое оборудование эффективно использовалось и продолжает использоваться для обеспечения потребности ученых и специалистов не только Института физики полупроводников СО РАН, но и других организаций Сибирского региона России в проведении исследований структуры поверхности широкого класса материалов из различных областей фундаментальной и прикладной науки, включая полупроводниковое материаловедение, катализ, минералогию, биологию и новые материалы. Ниже приводится частичный перечень организаций, совместно с которыми проводились научные исследования с применением оборудования ЦКП:
| № | Название организации – пользователя ЦКП | Количество Образцов* |
| Организации, относящиеся к СО РАН | ||
| 1 | ИМП СО РАН | 13 |
| 2 | ИЛФ СО РАН | 2 |
| 3 | ИГиГ СО РАН | 2 |
| 4 | ИНХ СО РАН | 56 |
| 5. | ИАиЭ СО РАН | 22 |
| 6. | ИФ СО РАН, г.Красноярск | 2 |
| | Всего: | 97 |
| Организации РФ, не относящиеся к СО РАН | ||
| 1. | Физико-техничеакий институт УрО РАН, г.Ижевск | 65 |
| 2 | Саратовский институт Химии нефтепродуктов РАН | 5 |
| 3. | ГНЦ Вирусологии и Биотехнологии, г.Новосибирск | 40 |
| 4 | ГУП «Циклон» Москва | 4 |
| 5. | ИАиПУ ДВО РАН | 24 |
| 6. | Сибирский физико-технический институт, г.Томск | 65 |
| 7. | Томский госуниверситет | 74 |
| 8. | Дальневосточный госуниверситет | 18 |
| 9. | Новосибирский госуниверситет | 102 |
| 10. | Кемеровский госуниверситет | 15 |
| 11. | Новосибирский государственный технический университет. | 12 |
| | Всего: | 424 |
| Зарубежные организации | ||
| 1. | ИФП НАН Украины | 2 |
6. Результаты исследований предоставляются заказчикам в виде кратких научно-технических отчетов.
7. Только в 2003 году с участием ЦКП проведены работы с 6 институтами СО РАН, с 11 Организациями, не относящимися к СО РАН, опубликовано 32 работы в международных и российских изданиях, более 50 тезисов, представленных на различных научных форумах и сделано 4 приглашенных доклада:
Публикации в журналах:
D.A.Nasimov, D.V.Sheglov, E.E.Rodyakina, S.S.Kosolobov, L.I.Fedina, S.A.Teys and A.V.Latyshev, "AFM and STM studies of quenched Si(111) surface", Physics of Low-Dimensional Structures, 2003, №3/4 с.157-166.
А.К. Бакаров, А.А. Быков, Н.Д. Аксенова, Д.В. Щеглов, А.В, Латышев, А.И. Торопов, Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами, Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №12, стр. 662-665.
I.E. Kalabin, T.I. Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov and V.V. Atuchin, NANOFACETING OF LiNbO3 X-CUT SURFACE BY HIGH TEMPERATURE ANNEALING AND TITANIUM DIFFUSION, Optics Communications, V221/4-6, pp. 359-363,2003.
D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Nano-patterning On Flat Surfaces By AFM Tip”, Proceedings of the 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'03), in press.
D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, Nano-Pattering of silicon based nanostructures by AFM probe, International Journal of Nanoscience, 2003 , in press.
R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Schukin , O. Semenova, L. Fedina, “Micro- and Polycrystalline Silicon Films For Solar Cells Obtained By Gas-Jet Electron-Beam PECVD Method” // IEE Proceedings Circuits, Devices and Systems, 2003, V.150, Issue 4, p.293-299 (invited).
М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Л.И.Федина, А.К. Гутаковский, Д.В. Марин, С.А. Кочубей, А.А.Попов, Ю.А.Миноков, В.Н.Уласюк. Получение нанокристал-лических пленок кремния на подложках из полиимида. Письма ЖТФ, 29 (2003) № 13, с. 89-94.
M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.K.Gutakovskii, D.V.Marin, S.A.Kochubei, A.A.Popov, Yu.A.Minakov, V.N.Ulasyuk. Laser Crystallization of Thin a-Si Films on Plastic Substrates Using Excimer Laser Treatments. Solid State Phenomena, Vols. 95-96 (2003), pp. 29-34.
R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Shchukin, O. Semenova, L. Fedina, B. Kolesov, “Microcrystalline silicon films for solar cells obtained by gas-jet electron –beam PECVD method” // Proceeding of the 3 World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. – 11-18 May. – 2003. – Osaka, Japan, 4 pages,
О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «КНИ-нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации»,- Физика и Техника Полупроводников, Т. 37, Вып. 10, С. 1253-1259, 2003.
O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev, "Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature",- Microelectronic Engineering , Vol.66, pp.457-462 (2003).
Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, "Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator",- “International Journal of Nanoscience” (submitted).
O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev, “Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication”,- Microelectronic Engineering, 69 (Issues 2-4), p. 168-172, 2003.
R.G.Sharafutdinov, V.M.Karsten, S.Ya.Khmel, A.G.Cherkov, A.K.Gutakovskii, L.D.Pokrovsky, O.I.Semenova “Epitaxial silicon films deposited at high rates by gas-jet electron beam plasma CVD” Surface and Coating Technol., 173/174 (2003) 1178.
И. Е. Тысченкоа, А. Б. Талочкин, А. Г. Черков, К. С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа "Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением"//ФТП, т.37, вып 4 с. 479- 484 (2003)
M.A.Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R.Semyagin and K.D. Chtcherbatchev «InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth, Semicond. Sci. Technol., 18 (2003) 417–422.
D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiljev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implantad SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V.16. No.3-4. P.410-413, 2003.
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2. ФТП, т.37, в.6, с.738, 2003.
В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Г.А. Качурин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, С.Г. Яновская. Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si. Известия АН, сер. физ., 67, №2, 184-186, 2003.
H Bender, O Richard, L Nistor, A Gutakovskii, C Stuer and C Detavernier, « Structural characterisation of advanced silicides», To be published in the proceeding of Microscopy of Semiconducting Materials 2003, Inst. Phys. Conf. Ser., 10 pages.
N.Stenina, A.Gutakovskii “TEM study of incommensurate phases in minerals: implication for materials science”, Materials Chemistry and Physics, 81 (2003) 237.
Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x ≤ 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, в. 2, стр. 61-65.
I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. “Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions”. Solid State Phenomena, v. 95-96 (2004) 23-28.
И. Е. Тысченко, В. П. Попов, А. Б. Талочкин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов Н+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом. ФТП, т.38, с.111-116. (2004).
E. Tyschenko, A. B. Talochkin, A. G. Cherkov, and K. S. Zhuravlev “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge+ ion implanted SiO2 films”//Solod State Communication (in press)
V.V. Atuchin, L.D. Pokrovsky, V.G. Kesler, N.Yu. Maklakova, M. Yoshimura, N. Ushiyama, T. Matsui, K. Kamimura, Y. Mori, T. Sasaki. “Cesium accumulation at CsB3O5 optical surface”. Optical Materials, 2003, 23 (1-2), pp. 377-383
V.V. Atuchin, T. Hasanov, V.G. Kesler, A.E. Kokh, L.D. Pokrovsky. “Amorphization and chemical modification of (beta)-BaB2O4 surface by polishing”. Optical Materials, 2003, 23 (1-2), pp. 385-392
V.V. Atuchin, V.G. Kesler, L.D. Pokrovsky, N.Yu. Maklakova, M. Yoshimura, N.