Программа государственного экзамена по направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 "электроника и микроэлектроника" 2001 Воснову программы положены дисциплины блока опд

Вид материала

Содержание

2. Содержание программы
Рекомендуемая литература

Подобный материал:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

УТВЕРЖДАЮ

Руководитель Департамента

образовательных программ и стандартов

профессионального образования

_______________ Л.С.Гребнев

«____»______________ 2001 г.

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА

ГОСУДАРСТВЕННОГО ЭКЗАМЕНА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ

ДИПЛОМИРОВАННЫХ СПЕЦИАЛИСТОВ

654100 “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”

2001

1. В основу программы положены дисциплины блока ОПД Государственного образовательного стандарта высшего профессонального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 “Электроника и микроэлектроника”:

- Материалы и элементы электронной техники

- Вакуумная и плазменная электроника

- Твердотельная электроника

- Микроэлектроника

- Квантовая и оптическая электроника,

а также дисциплины блоков СД следующих образовательных программ (специальностей), реализуемых в рамках данного направления подготовки:

180600 Светотехника и источники света

071400 Физическая электроника

200100 Микроэлектроника и твердотельная электроника

200300 Электронные приборы и устройства

200400 Промышленная электроника

200500 Электронное машиностроение

201800 Микросистемная техника

2. Содержание программы

Раздел 1. Программа государственного экзамена по дисциплинам блока опд

Материалы и элементы электронной техники

Основные сведения о строении материалов и их классификация. Основные характеристики и классификация проводников. Проводящие и резистивные материалы. Резистивные элементы. Электрофизические свойства полупроводников. Полупроводниковые материалы. Основные физические процессы в диэлектриках. Пассивные диэлектрики. Основные характеристики и типы конденсаторов. Активные диэлектрики и элементы функциональной электроники. Магнитные материалы и компоненты. Методы исследования материалов и элементов электронной техники

Вакуумная и плазменная электроника

Электронная эмиссия. Формирование и транспортировка электронного потока. Управление параметрами электронного потока. Преобразование энергии электронного потока в другие виды энергии. Ионизованный газ и плазма. Общие свойства плазмы.

1.3. Твердотельная электроника

Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Тиристоры. МДП-транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим переходом. Полупроводниковые излучатели и фотоприемники. Полупроводниковые резисторы и преобразователи. Сведения по надежности полупроводниковых приборов

1.4.Микроэлектроника

Классификация интегральных микросхем. Элементы интегральных микросхем. Перспективные элементы и предельные возможности интегральной микроэлектроники. Основные схемотехнические структуры для интегральной электроники. Элементы функциональной микроэлектроники.

Квантовая и оптическая электроника,

Взаимодействие электромагнитного излучения с атомами и молекулами. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Линейная кристаллооптика. Нелинейная оптика. Оптические явления в однородных полупроводниках и гетероструктурах. Мазеры. Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные лазеры. Светодиоды и полупроводниковые лазеры. Фотоприемники и приборы управления оптическим излучением. Оптические методы передачи и обработки информации.

Рекомендуемая литература:

к разделу 1.1.:

1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники –СПб,: Лань, 2001.

2. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков – М.,: Металлургия, 1988.

3. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы. –СПб,: Лань, 2001.

к разделу 1.2.:

1. Розанов Л.Н. Вакуумная техника. -М., Высшая школа, 1990.

2. Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники. -М., Высшая школа, 1982.

3. Кацман Ю.А. Электронные лампы. -М., Высшая школа, 1979.

4. Жигарев А.А. Электронная оптика и электронно-лучевые приборы. -М., Высшая школа, 1972.

5. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. -М., Наука, 1987.

6. Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. -М., Атомиздат, 1977.

к разделу 1.3.:

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы (учебник для вузов
5-ое изд.). –СПб,: Лань, 2001.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М., Мир, 1984.

3. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. -М., Энергоатомиздат, 1983.

к разделу 1.4.:

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы (учебник для вузов 5-ое изд.). –СПб,: Лань, 2001.

2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основны микроэлектроники (учебное пособие). -М.:, Радио и связь, 1991.

3. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок (учебник).-М.:, Радио и связь, 1989.

4. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника (учебноепособие). -М.:, Радио и связь, 1982.

5. Быстров Ю.А., Мироненко И.Г., Хипса Г.С. Электронные цепи и устройства (учебник для вузов) СПб.:, Энергоатомиздат СПб. Отделение, 1999.

к разделу 1.5.:

1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. .- М.: Высшая школа, 2001.

2. Страховский Г.М., Успенский А.В. Основы квантовой электроники.- М.:
Высшая школа, 1979.- 303 с.

3. Карлов Н.В. Лекции по квантовой электронике.- М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988.- 336 с.

Раздел 2. Программа государственного экзамена по дисциплинам специальной подготовки для специальностей:

Для специальности 200100 - Микроэлектроника и твердотельная электроника.

2.3.1. Физика твердого тела.

Структура и симметрия кристаллов. Тензорное описание физических свойств кристаллов. Электронные состояния в кристаллах. Классификация твердых тел. Энергия связи. Зонная структура полупроводников. Колебания кристаллической решетки. Фононы. Дефекты в кристаллах. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Кинетические явления в полупроводниках и металлах. Оптические свойства кристаллов. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Свойства диэлектриков.. Некристаллические твердые тела. Магнитные свойства кристаллов. Сверхпроводимость.

2.3.2. Физическая химия материалов и процессов электронной техники.

Характеристика фазового состояния и структуры материалов электронной техники. Элементы энергетической кристаллохимии. Термодинамический метод описания свойств материалов и процессов их получения. Химические равновесия в технологии получения материалов и структур твердотельной электроники. Термодинамика растворов и фазовые равновесия в полупроводниковой технологии. Термодинамические принципы и методы управления типом и концентрацией точечных дефектов структуры. Кинетика физико-химических процессов в технологии полупроводниковых материалов и структур Поверхностные явления и адсорбция.

2.3.3. Технология материалов электронной техники.

Основные процессы в гетерогенных химико-технологических системах. Технология процессов переработки сырьевых материалов. Физико-химические основы процессов затвердевания. Технология получения монокристаллических материалов. Физико-химические основы процессов легирования монокристаллов. Технология получения некристаллических материалов. Технология получения композиционных материалов. Организация технологических процессов производства мате риалов электронной техники

2.3.4.Процессы микро- и нанотехнологии.

Системный подход к процессам микро- и нанотехнологии. Производственная чистота, гигиена и безопасность. Оборудование и методы нанесения вещества. Оборудование и методы удаления вещества. Оборудование и методы модифицирования вещества. Литографические процессы. Сборка и герметизация. Интенсификация и интеграция процессов микро- и нанотехнологии.

2.3.5. Методы исследования материалов и структур электроники.

Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов и структур. Прецизионная профилометрия поверхнности и методы измерения геометрических размеров в структурах электроники. Измерение морфологии поверхности, состава твердых тел и концентрационных профилей методами электронной микроскопии, электронной и ионной спектроскопии. Рентгеновские методы исследования состава и структуры твердых тел. Эксплуатация и сервисное обслуживание аналитико-диагностических комплексов.

2.3.6.Микросхемотехника.

Активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем. Основы цифровой схемотехники. Элементная база цифровых интегральных схем. Цифровые схемы комбинационного типа. Цифровые схемы последовательностного типа. Полупроводниковые микросхемы памяти. Специализированные интегральные схемы. Функциональные и схемотехнические основы аналоговых микросхем. Схемотехника операционных усилителей. Аналоговые компараторы и перемножители напряжения. Интегральные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

Рекомендуемая литература:

к разделу 2.3.1.:

1. Павлов П. В. Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1995.

2. Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985.

3. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. – М.: Мир, 1988.

4. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела (т. 1, 2). – М.: Мир, 1979.

5. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1977.

к разделу 2.3.2.:

1. Глазов В.М. Основы физической химии. – М.: Высшая школа, 1981

2. Шаскольская М.П. Кристаллография –М.: Высшая школа, 1984.

3. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. -М: МИСИС, 1995.

4. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. – М.:Металлургия, 1988.

к разделу 2.3.3.:

1. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов – М. : Высшая школа, 1990.

2. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники – М.: МИСИС, 1995.

к разделу 2.3.4.:

1. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М., Металлургия, 1979.

2. Пигучин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М., Высшая школа, 1984.

3. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И.. Физические основы электронно-ионной технологии. М., В.Ш., 1984.

4. Вендик О.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф.. Корпускулярно-фотонная технология. М., Высшая школа, 1984.

5. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., В.Ш., 1986.

6. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М., В.Ш., 1987.

7. Коледов Л.А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок. Радио и связь, 1989.

8. Парфенов С.Д. Технология микросхем М. Высшая школа,1990.

к разделу 2.3.5.:

1.Бублик В.Т., Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. – М.: Высшая школа, 1987 г., 272 с.

2.Бублик В.Т., Дубровина А.Н. Сборник задач и упражнений по курсу “Методы исследования структур”. - М.: Высшая школа, 1988 г., 190 с.

3.Павлов Л.И. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1987 г., 239 с.

4.Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. – М.: Мир, 1989 г.

5.Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М.: Мир, 1989 г.

к разделу 2.3.6.:

1. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учебное пособие для ВУЗов. - М.: Радио и связь, 1990.

2. Пухальский Г.И., НовосельцеваТ.Я. Цифровые устройства: Учебное пособие для ВТУЗов. – СПб: Политехника, 1996.

3. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И.. Аналоговая и цифровая электроника. Учебник. М., Горячая Линия-Телеком, 1999.

4. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. В 3-х т.: Пер. с англ. - М.: Мир, 1993.

5. Браммер Ю.А., Пащук И.Н.. Импульсные и цифровые устройства. М., Высшая школа, 1999.

Председатель учебно-методического совета

по направлению 654100 “Электроника и микроэлектроника”,

профессор Ю.А. БЫСТРОВ

Blog

Содержание

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА

Рекомендуемая литература: