Программа государственного экзамена по направлению подготовки дипломированных специалистов 654300 " проектирование и технология электронных средств" Воснову программы положены дисциплины блока опд

Вид материала

Содержание

Подобный материал:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

УТВЕРЖДАЮ

Руководитель Департамента

образовательных программ и стандартов

профессионального образования

-------------- Л.С. Гребнев

“--------“---------------- 2001 г.

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА

ГОСУДАРСТВЕННОГО ЭКЗАМЕНА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ

ДИПЛОМИРОВАННЫХ СПЕЦИАЛИСТОВ

654300 “ ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ”

1.В основу программы положены дисциплины блока ОПД Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 654300 “ Проектирование и технология электронных средств “:

Материаловедение и материалы электронных средств,
Физические основы микроэлектроники,
Физико – химические основы технологии электронных средств,
Схемотехника электронных средств,
Основы проектирования электронных средств,
Управление качеством электронных средств,

а также дисциплины блоков СД следующих образовательных программ (специальностей), реализуемых в рамках данного направления подготовки:

200800 Проектирование и технология радиоэлектронных средств
220500 Проектирование и технология электронно-вычислительных средств

2. Содержание программы.

Раздел 1.Программа государственного экзамена по дисциплинам блока ОПД

1.1 Материаловедение и материалы электронных средств

Принципы технологии производства полупроводников различного вида. Зависимость совершенства структуры и физических свойств от технологии производства материала. Особенности структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев.

Собственные и примесные полупроводники на основе кремния и германия, их основные параметры. Особенности характера фазовых равновесий в системах полупроводник-примесь.

Способы получения полупроводниковых материалов высокой чистоты и монокристаллической структуры. Полупроводниковые соединения А¹¹¹В^V, А¹¹В^V¹, А¹^VВ^V¹.

Неорганические полупроводники аморфной структуры.

Органические полупроводники.

Функции диэлектрических материалов в устройствах РЭС и ЭВС. Требования, предъявляемые к диэлектрическим материалам.

Явление поляризации в диэлектриках, мгновенные и замедленные виды поляризации.

Основные свойства и параметры диэлектриков: объемная и поверхностная электропроводность, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери и электрическая прочность диэлектриков. Влияние структуры, температуры и частоты внешнего поля на основные параметры диэлектрика.

Керамические диэлектрики. Состав, свойства, применение.

Стеклообразные и стеклокристаллические диэлектрики. Структура, свойства, классификация. Стекловолокна, световоды. Органические твердые диэлектрики. Неполярные и полярные материалы. Термореактивные смолы. Композиционные пластмассы с порошковыми, волокнистыми и листовыми наполнителями.

Активные диэлектрики. Сегнетоэлектрики. Основные электрофизические параметры, температурные и частотные зависимости. Использование сегнетоэлектриков в СВЧ-диапазоне.

Пьезоэлектрики

Пироэлектрики и электреты. Структура, основные свойства и применение.

1.2.Физические основы микроэлектроники

Основные этапы развития квантовых представлений. Волновые свойства частиц, длина волны де Бройля. Принцип неопределенности Гейзенберга.

Волновая функция, уравнение Шредингера, квантование энергии. Движение частицы в одномерной, бесконечно глубокой потенциальной яме. Прохождение частицы через потенциальный барьер.

Распределение Ферми-Дирака.

Основные приближения зонной теории твердого тела. Идеальная кристаллическая решетка, трансляционная симметрия. Волновая функция электрона в периодическом поле, теорема Блоха. Квазиимпульс, зоны Бриллюэна.

Понятие об энергетических зонах. Зонная структура диэлектриков, полупроводников и металлов. Закон дисперсии, эффективная масса носителей, электроны и дырки. Динамика электрона в идеальной кристаллической решетке.

Механизмы рассеяния носителей заряда. Электрон-фононное рассеяние, рассеяние на ионизированных атомах примеси. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной электропроводности металлов.

Статистика электронов и дырок в полупроводниках.

Концентрация электронов и дырок в зонах. Невырожденные полупроводники. Собственные полупроводники, условие электронейтральности, положение уровня Ферми, равновесная концентрация носителей заряда.

Примесные полупроводники, равновесная концентрация носителей заряда в области истощения примесных атомов, положение уровня Ферми. Равновесная концентрация носителей заряда при низких температурах, положение уровня Ферми.

Процессы рекомбинации в полупроводниках.Равновесные и неравновесные носители заряда. Понятие о квазиуровнях Ферми. Скорость генерации, рекомбинации и время жизни свободных носителей заряда.

Различные типы процессов рекомбинации. Рекомбинация зона-зона, время жизни свободных носителей.

Рекомбинация через примеси и дефекты. Стационарные состояния. Большой уровень возбуждения, малый уровень возбуждения, времена жизни свободных носителей. Поверхностная рекомбинация.

Уравнение баланса носителей в полупроводнике.Диффузионная и дрейфовая составляющие тока. Соотношения Эйнштейна. Уравнение непрерывности и уравнение диффузии. Уравнение непрерывности с учетом дрейфового тока, генерации и рекомбинации носителей заряда.

Релаксация фотоиндуцированных носителей заряда. Инжекция носителей через поверхность образца.

P-n переход, обедненный слой, контактная разность потенциалов.

Энергетические диаграммы p-n перехода в равновесном и неравновесном состоянии.

1.3.Физико-химические основы электронных средств

Термодинамические основы технологических процессов. Энтропия. Закон сохранения энергии в открытых системах. Типы термодинамических процессов. Термодинамические функции. Термодинамические свойства растворов. Термодинамика образования жидких и твердых растворов.Фазовое и химическое равновесие.

Управление фазовыми превращениями вещества. Давление пара веществ. Равновесие жидкой и твердой фаз в однокомпонентной и бинарной системах.

Диаграммы плавкости вещества.

Управление химическими превращениями веществ. Закон действия масс и константы химического равновесия . температурная зависимость констант химического равновесия.Управление химическими реакциями. Газотранспортные химические реакции. Термодинамические свойства электролитов. Процессы в электрохимических системах.

Кинетические и диффузионные процессы. Кинетика химических реакций. Законы диффузии. Граничные и начальные условия. Диффузионные задачи на введение и удаление вещества.

Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы в виде тонких пленок в технологических процессах .Термодинамика образования зародышей пленки. Критический радиус и критическая энергия зародыша. Способы образования критических и закритических зародышей. Механизм формирования тонкопленочной структуры в вакууме. Силы связи адатомов с поверхностью, поверхностная миграция адсорбированных частиц.

1.4.Схемотехника электронных средств

Усилительные устройства.Математическое описание усилительных устройств. Логарифмические амплитудные и фазовые характеристики. Связь логарифмических характеристик с параметрами усилителей. Устойчивость усилителя.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах .Типовые схемы, методика термостабилизации, эквивалентные схемы. Методики расчета.Эмиттерный и истоковый повторитель. Дифференциальный усилитель.Оконечные усилители мощности. Многокаскадные усилители Виды межкаскадных связей.

Операционные усилителиПринципы построения, структурная схема типового операционного усилителя.Построение функциональных преобразователей на основе операционного усилителя.

Источники вторичного электропитания непрерывного и импульсного действия. Особенности построения стабилизаторов напряжения и тока.

Способы представления логических функций; словесное описание, алгебраическая форма записи (дизъюнктивная и конъюнктивная формы ), таблицы истинности, кубические комплексы. Взаимное преобразование логических функций, логические элементы. Переход от логических функций к структурным схемам и обратно. Классификация логических устройств.

Минимизация структуры логических устройств. Общие принципы минимизации. Покрытие функции алгебры логики минимальной стоимости. Минимизация с использованием карт Вейча (Карно) и методов "машинной" минимизации.

Типовые комбинационные логические устройства: шифраторы, дешифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры, цифровые компараторы, преобразователи кода - назначение ,структура построения, основные свойства и характеристики.

Последовательностные логические устройства Типы триггеров. Триггеры с комбинированными входами.Синтез последовательностных устройств. Методы синтеза цифровых автоматов. Функциональные узлы последовательностных логических устройств: счетчики ,регистры .Сумматоры.

Базовые логические элементы (ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, на МДП транзисторах),

схемотехника, разновидности, основные характеристики, принципы работы и построения структуры.

Полупроводниковые запоминающие устройства : схемотехника базовых запоминающих ячеек, принципы работы и изготовления, методы программирования и репрограммирования.

Логические устройства с программируемыми характеристиками.

Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи Типовые схемы построения, основные параметры и характеристики.

.

1.5.Основы проектирования электронных средств

Виды внешних воздействий на электронную аппаратуру.

Общие технологические и конструктивные требования к РЭС. Частные требования к конструкции РЭС. Уровни разукрупнения конструкций РЭС.

Стадии разработки РЭС. Техническое предложение, эскизный проект, технический проект, рабочее проектирование.

Единая система конструкторской документации - ЕСКД. Виды и комплектность конструкторской документации. Правила выполнения конструкторских документов. Использование вычислительной техники при разработке конструкторских документов.

Эргономические требования и принципы гармонизации формы РЭС

Факторы взаимодействия в системе " человек-машина ". Общие эргономические требования в системе " человек-машина ". Принципы пространственной компоновки РЭС. Геометрическая компоновка РЭС.

Несущие конструкции РЭС различных структурных уровней ( БНК ). Конструктивные особенности БНК для различных носителей. Математические основы построения рядов БНК. Системы базовых несущих конструкций. Унификация БНК. Материалы, используемые при проектировании БНК.

Классификация методов межсоединений по структурным уровням РЭС. Контактирование неразъемное, ограничено разъемное, разъемное. Печатные и объемные соединения. Проектирование объемного монтажа. Использование пакетов прикладных программ при автоматизации проектирования печатного и объемного монтажа. Использование волоконно-оптических систем передачи в качестве межсоединений в РЭС.

Защита РЭС от воздействия окружающей среды Виды герметизации: полная, частичная, комбинированная. Конструкции разъемных уплотнительных стыков.

Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.

Вибро- и удароустойчивость. Основные характеристики вибрационных и ударных нагрузок.Расчет собственной частоты простейших конструкций. Амортизация РЭС. Характеристики основных типов амортизаторов

Электромагнитная совместимость и защита РЭС от помех.Характеристика электромагнитной обстановки функционирования РЭС.

Помехи, возникающие при электрических соединениях частей РЭС " длинными " и " короткими " линиями связи.

Наводки по цепям питания и методы их уменьшения. Использование экранов для защиты элементов РЭС от электромагнитных помех.

1.6.Управление качеством электронных средств

Статистические методы анализа качества Методы расслаивания Диаграмма разброса (поле корреляции) Применение диаграммы разброса статистических данных для оценки характера изменения параметра качества во времени.

Диаграмма Парето. Возможности диаграммы Парето, как инструмента контроля качества, для выявления первостепенных задач улучшения качества. Порядок построения диаграммы Парето. Применение метода АВС-анализа.

Статистические методы оценки качества. Выбор оценок генеральных характеристик. Определение доверительных интервалов оценок генеральных характеристик. Оценка генеральной средней с помощью выборочной средней. Определение генеральной характеристики с помощью выборочных характеристик рассеивания.

Статистический контроль качества технологического процесса производства ЭС с помощь контрольных карт

Операционный контроль качества технологии ЭС. Методы и средства операционного контроля в технологии печатных плат, микросборок и микросхем. Применение тест-структур при операционном контроле качества.

Рекомендуемая литература:

К разделу 1.1

1. Богородицкий В.В., Пасынков В.В., Тареев Б.П. Электротехнические материалы. М.: Энергоиздат, 1985.

2. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986. 368 с., ил.

3. Материалы электронной техники. Под ред. В.М.Андреева. М.: Радио и связь, 1989.

К разделу 1.2

1.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Издание второе. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000 г. – 488 с.

2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. –

М.: Наука, 1977г.

3. Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.:

Высшая школа, 1991г.

К разделу 1.3

1.Барыбин А.А., Сидоров В.Г.Физико – технологические основы электроники,

СПб., Издательство “ Лань “, 2001

К разделу 1.4

1.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. Под. Ред. Глудкина О.П. – М.: Радио и связь, 1996 г. – 768 с.

2.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. /Полный курс/: Учебник для вузов, Под. Ред. Глудкина О.П. – М.: Горячая линия – Телеком, 1999 г. – 768 с.

3.Хоровец П. и Хилл У. Искусство схемотехники, Пер с англ. В 3-х томах. М.: Мир, 1993 г.

К разделу 1.5

1.Ненашев А.П. " Конструирование радиоэлектронных средств." - М.; Высшая школа, 1990 - 432 с.

2.Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. " Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры ": Учебник для ВУЗов,- Л.; Энергоатомиздат, Ленинградское отделение,1984- 536 с.

К разделу 1.6

Глудкин О.П., Горбунов Н.М., Гуров А.И., Зорин Ю.В. Всеобщее управление качеством – М.; Радио и связь, 1999 –600 стр.
Глудкин О.П. Управление качеством электронных средств.—М.; Высшая школа, 1994.—410с.

Раздел 2.Программа государственного экзамена по дисциплинам специальной подготовки для специальностей:

2.1.Для специальности 200800 – Проектирование и технология радиоэлектронных средств.

2.1.1.Интегральные устройства радиоэлектроники

Основные структуры полупроводниковых интегральных устройств на биполярных и полевых транзисторах. Комплементарные структуры. Многокристальные интегральные модули. Интегральные модули на кремниевой, полиимидной и металлической подложках. Перспективы развития полупроводниковых интегральных устройств.

Интегральные устройства с зарядовой связью.Принципы действия. Конструкции устройств с зарядовой связью. Основные параметры устройств. Расчет конструкций, материалы, технологии интегральных устройств с зарядовой связью.

Интегральные оптические элементы: волноводы, ответвители, фокусирующие элементы, преобразователи направления, селективные элементы, оптические согласующие элементы. Устройства интегральной оптики. Материалы интегральных оптических устройств. Разработка конструкций. Технология устройств интегральной оптики.

Интегральные устройства на поверхностных акустических волнах.

Конструкции устройств на ПАВ. Расчет конструкции устройств на ПАВ. Материалы, технология интегральных устройств на ПАВ.

Интегральные устройства магнитоэлектроники.

Характеристики магнитных пленок. Устройства на цилиндрических магнитных доменах. Устройства на магнитостатических волнах. Расчет конструкций устройств . Технология .

Интегральные устройства на сверхпроводниках.Технология устройств на сверхпроводниках.

2.1.2. Информационные технологии проектирования радиоэлекронных средств

Назначение, состав и архитектура САПР. Методология и принципы организации САПР. Примеры САПР. САПР для разработки современных конструкций и технологических процессов электронных средств. Перспективы развития автоматизированного проектирования.

Задачи анализа и синтеза при проектировании электронных средств. Методы решения задач анализа. Методы решения задач синтеза. Алгоритмы решения задач компоновки, размещения и трассировки модулей РЭС.

Базы знаний. Имитационное моделирование, верификация. Решение задач моделирования с использованием пакетов прикладных программ.

Технические средства для информационных технологий проектирования РЭС.

Программные средства, используемые при проектировании РЭС. Пакеты программ автоматизированного проектирования РЭС.

Специализированные пакеты прикладных программ для создания схем электрических принципиальных, моделирования их работы, проектирования печатных плат, размещения цифровой электрической схемы в устройствах ПЛИС.

Сетевые информационные технологии и управление разработкой при групповом ведении проекта.

Интегрированная система автоматизации проектных работ и управления производством. АРМы администратора, схемотехников, конструкторов, технологов, планирования производства, диспетчеризации производства.

2.1.3.Основы радиоэлектроники и связи

Радиосигналы. Диапазоны радиоволн.Структурная схема системы

радиосвязи.Спектры периодических колебаний.Спектры непериодических колебаний.Случайные сигналы.

Амплитудная модуляция.Частотная и фазовая (угловая) модуляция.

Импульсная модуляция.Кодирование дискретных сигналов.

Генераторы гармонических колебаний. Условия самовозбуждения и стационарности режима автогенератора. Схемы генераторов.Преобразование частоты сигналов.Детектирование колебаний.

Структурная схема супергетеродинного радиоприемника Основные качественные показатели радиоприемных устройств. Шумовые свойства радиоприемных устройств.

Радиопередающие устройства.Основные электрические показатели радиопередающих устройств. Способы формирования радиосигналов в радиопередатчиках различного назначения.

Синтезаторы частот. Цифровой синтезатор частот.

Назначение и классификация систем связи. Тактические и технические характеристики основных систем связи. Системы электросвязи и системы радиосвязи.Сигналы и помехи в системах связи.Виды помех и источники помех. Статистические свойства помех. Оптимальные методы обработки сигналов в системах радиосвязи.Принципы оптимальной фильтрации при обнаружении сигнала. Согласованный фильтр

Системы связи с широкополосными сигналами.Широкополосные

сигналы. Основы оптимальной обработки.

Применение цифровой обработки сигналов в системах связи.

Цифровые процессоры обработки сигналов. Примеры использова-

ния цифровых алгоритмов обработки сигналов в аппаратуре связи.

Принцип действия и особенности построения основных систем

связи.Одноканальные радиотехнические системы передачи информации. Системы производственной радиосвязи. Системы подвижной радиосвязи.

Системы сотовой радиосвязи. Системы пакетной радиосвязи. Системы пейджинговой радиосвязи Многоканальные системы передачи информации.

Системы спутниковой связи. Волоконно-оптические системы связи.

2.1.4.Технология радиоэлектронных средств

Химический, электрохимический и фотоаддитивный методы изготовления печатных плат.

Синтез операций и методов при изготовлении многослойных ПП (МПП) металлизацией сквозных отверстий и попарным прессованием.

Контактные соединения и виды монтажа модулей различных конструктивных уровней. Технологическая подготовка производства ЭС.

Разработка ТП. Точность технологической операции.

Технологическая документация. Операционные карты.

Контроль и наладка ЭС. Испытания электронной аппаратуры. Условия эксплуатации ЭС. Виды испытаний и их назначение.

2.2.Для специальности 220500 – Проектирование и технология электронно-вычислительных средств.

2.2.1.Проектирование иптегральных микросхем и микропроцессоров

Конструирование ИМС на биполярных структурах . Особенности конструирования аналоговых ИМС. Методы и средства конструирования ИМС на биполярных структурах.

Разработка конструкции и расчет параметров элементов ИМС на полевых структурах . Особенности проектирования ИМС на приборах с зарядовой связью. Методы и средства конструирования ИМС на полевых структурах. Конструирование ИМС на биполярно-полевых структурах

Конструирование и расчет пленочных резисторов, конденсаторов, индуктивностей, проводников и контактных площадок гибридных ИМС

Конструирование СВЧ ГИС

Корпусирование ИМС.

2.2.2.Методы и устройства испытаний электронно-вычислительных средств

Факторы, воздействующие на ЭС. Выборочный метод испытаний. Достоверность результатов испытания и доверительные границы; риски заказчика и изготовителя. Программа испытаний ЭС.

Испытания ЭС на механические воздействия Устройства для возбуждения вибрационных нагрузок и для воспроизведения ударных нагрузок.Функциональные схемы измерительно - испытательных установок для испытаний на воздействие механических факторов.

Испытания ЭС на климатические воздействия .Испытание на воздействие газовых сред.

Испытания ЭС на космические и радиационные воздействия

Испытания ЭС на надежность.Планирование испытаний на надежность Ускоренные испытания.

Статистическая обработка результатов испытаний ЭС

2.2.3. Проектирование центральных и периферийных устройств электронно-вычислительных средств

Архитектура ЭВС и центральные устройства.

Структура, функционирование и программирование микропроцессора.

Программирование МП.

Запоминающие элементы статических и динамических ОЗУ. Внешние запоминающие устройства.Организация безадресной и виртуальной памяти.

Периферийные устройства. Устройства считывания текстов. Устройства ввода одноконтурных, многоконтурных, полутоновых и цветных изображений. Устройства полуавтоматического ввода графической информации – дигитайзеры. Автоматические устройства ввода – вывода аналоговой информации.

Устройства защиты от ошибок в передаваемой информации.

2.2.4. Технология электронно-вычислительных средств

Химический, электрохимический и фотоаддитивный методы изготовления печатных плат.

Синтез операций и методов при изготовлении многослойных ПП (МПП) металлизацией сквозных отверстий и попарным прессованием.

Контактные соединения и виды монтажа модулей различных конструктивных уровней. Технологическая подготовка производства ЭС.

Разработка ТП. Точность технологической операции.

Технологическая документация. Операционные карты.

Контроль и наладка ЭС. Испытания электронной аппаратуры. Условия эксплуатации ЭС. Виды испытаний и их назначение.

Рекомендуемая литература:

К разделу 2.1.1

1. Семенов А. С. , Смирнов В. Л. , Шмалько А. В..Интегральная оптика для систем передачи и обработки информации. – М.: Радио и связь, 1990. – 224 с.: илл.

Стенин В. Я. Применение микросхем с зарядовой связью. М.: Радио и связь, 1989-256 с.: илл.
Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник / А. М. Балабанов,. Ф.В. Лисовский, В. К. Раев и др: Под ред. Н. Н. Евстихеева, б. Н. Наумова. М.: Радио и связь, 1987-488 с.: илл.
Функциональные устройства обработки сигналов (основы теории и алгоритмы): Учебное пособие для вузов/ С. А. Баруздин, Ю. В. Егоров, Б. А. Калиникос и др.; Под ред. Ю. В. Егорова. - М.: Радио и связь, 1997. –288 с.: илл.

К разделу 2.1.2

1.Основы современных компьютерных технологий: Учеб. пособие // Под ред. Хоменко А.Д. – СПб.: - Корона прин, 1998.

2.Разевиг В.Д. Система проектирования печатных плат ACCEL EDA (P-CAD для WINDOWS) – М.: СК Пресс, 1997.

3.Разевиг В.Д. Система проектирования электронных устройств Design Lab 8.0 – М.: СК Пресс, 1999.

К разделу 2.1.3

Каяцкас А. А. Основы радиоэлектроники. Учебное пособие для вузов. - М.: Высшая школа, 1988.
Манаев Е. И. Основы радиоэлектроники. Учебное пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985.
Пестряков В.Б., Кузенков В.Д. Радиотехнические системы. - М.: Радио и связь. 1985.

К разделу 2.1.4

Белов Б.И. и др. Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры. Учебник для высших учебных заведений. Под ред. Шахнова В.А. М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. - 2001 г.

К разделу 2.2.1

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000 – 488 с.: ил.

К разделу 2.2.2

1.Глудкин О.П. Методы и устройства испытаний РЭС и ЭВС.—М.; Высшая школа, 1991.—336с.

К разделу 2.2.3

1.Айден К и др. Аппаратные средства PC : Пер. с нем. – Спб.: BHV –С-ПБ, 1996. – 544 с.

2.Пескова С.А., Гуров А.И., Кузин А.В. Центральные и периферийные устройства электронных вычислительных средств/Под ред. О.П.Глудкина. – М.: Радио и связь, 2000. – 478 с.

К разделу 2.2.4.

1.Белов Б.И. и др. Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры. Учебник для высших учебных заведений. Под ред. Шахнова В.А. М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. - 2001 г.

Председатель учебно – методического совета

по направлению “ Проектирование и технология

электронных средств “ И.Г.Мироненко

Blog